JPH0733352Y2 - ヒューズ抵抗器 - Google Patents

ヒューズ抵抗器

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JPH0733352Y2
JPH0733352Y2 JP2534991U JP2534991U JPH0733352Y2 JP H0733352 Y2 JPH0733352 Y2 JP H0733352Y2 JP 2534991 U JP2534991 U JP 2534991U JP 2534991 U JP2534991 U JP 2534991U JP H0733352 Y2 JPH0733352 Y2 JP H0733352Y2
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insulating substrate
heating resistance
resistance film
external terminal
electrodes
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良人 河西
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Okaya Electric Industry Co Ltd
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Okaya Electric Industry Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、各種機器における回路
構成素子に対しその定格を上回る過大電圧が連続して印
加された場合に、この過大電圧による過電流を確実に遮
断して回路構成素子を保護するヒューズ抵抗器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、各種機器における回路構成素子を
保護する保安機構としては、図4に示す如き本願出願人
によるヒューズ抵抗器11が提案されている。この従来
のヒューズ抵抗器11は、アルミナ、フォルステライ
ト、ステアタイト等のセラミックからなる板厚0.1〜
1.0mmの絶縁基板2に対し、その一方面にルテニウ
ム系ペースト等よりなる発熱抵抗膜3を被着し、この発
熱抵抗膜3の対向する左右の側縁に、Ag・Pd系ペー
スト等の電気的良導体よりなる1対の取り出し電極
1,42を被着形成するとともに、この取り出し電極4
1,42を絶縁基板2の下端部分である一側部に導出して
外部端子接続部分41a,42aを形成し、この外部端子
接続部分41a,42aに外部端子51,52をそれぞれハ
ンダ付け等により固着している。そして、上記外部端子
接続部分41a,42a相互間に位置する絶縁基板部分
に、略半円状の切欠部2aを形成し、更に外部端子接続
部分41a,42aを除いた取り出し電極41,42と、発
熱抵抗膜3とをホウケイ酸ガラスやビスマスガラス等の
脱鉛ガラスからなる保護膜6により10μm〜100μ
mの厚さで被覆している。このヒューズ抵抗器11の外
部端子51,52間に連続した過大電圧を印加すると、発
熱抵抗膜3に過電流が流れて急激に発熱し絶縁基板2に
熱衝撃を加えることで切欠部2aの延長線に沿って絶縁
基板2が上下方向に砕裂する。これにより、絶縁基板2
に被着形成された電流経路である発熱抵抗膜3も上下方
向に切断され、発熱抵抗膜3を流れる過電流が遮断され
回路構成素子が保護される。このヒューズ抵抗器11
は、鉛、錫等の合金からなる所謂ヒューズの如く印加さ
れる電流値と印加時間とによって溶断特性が大きく変化
することのない優れたものである。然して、このように
保安機構として作用する上記ヒューズ抵抗器11を電話
機等に用いた場合には、電話回線等に電力線が接触した
場合を想定したCSAやUL等の安全規格による過電圧
試験において、上記電話機等に対して回路構成素子の定
格電圧を上回る連続した交流電圧が印加されても、上記
ヒューズ抵抗器11はヒューズ抵抗器11が接続された
回路構成素子を確実に保護して上記過電圧試験の合格基
準を充足するものである。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のヒューズ抵抗器11にあっては、熱衝撃によっ
て生じる絶縁基板2における上下方向の砕裂部の溝幅が
極めて細い場合には、外部端子51,52が絶縁基板2の
下端部分の左右をそれぞれ支持していることから、たと
え絶縁基板2が砕裂しても、発熱抵抗膜3の砕裂した端
部相互が近接もしくは接触して連続する過大電圧を遮断
することができない虞れがあった。このため、熱衝撃に
よって生じる絶縁基板2の砕裂部の溝幅を、過大電圧を
確実に遮断できる幅とするためには、発熱量を多くして
熱衝撃を大きくすべく発熱抵抗膜3の抵抗値の範囲を数
十Ω〜数MΩと制限せざるを得なかった。しかし、この
抵抗値の範囲を制限することは、ヒューズ抵抗器の用途
範囲を制限することとなった。そこで、本考案にあって
は、連続する過大電圧を遮断して回路構成素子を確実に
保護して安全規格に適合する安全性の高いヒューズ抵抗
器で、且つ用途範囲を拡大すべく抵抗値の範囲を広げた
ヒューズ抵抗器を実現することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成すべ
く、本考案のヒューズ抵抗器は、熱衝撃により砕裂する
絶縁基板に、連続した過電流の通電によって熱衝撃を発
生する発熱抵抗膜を被着し、この発熱抵抗膜の対向する
側縁に1対の電極を接続し、かつこの電極を絶縁基板の
一側部に導出して外部端子接続部分を形成するととも
、上記電極を接続した発熱抵抗膜の側縁と上記絶縁基
板の上記一側部とを並列状に位置させたこと、又は熱衝
撃により砕裂する絶縁基板に、連続した過電流の通電に
よって熱衝撃を発生する発熱抵抗膜を間隔を隔てて略並
列状に2枚被着し、かつ上記絶縁基板の一側部に面した
上記2枚の発熱抵抗膜の一方の側縁にそれぞれ電極を接
続し、更に上記絶縁基板の他側部に面した上記2枚の発
熱抵抗膜の他方の側縁同士を接続し、上記電極を絶縁基
板の一側部に導出して外部端子接続部分を形成するとと
もに、上記電極を接続した発熱抵抗膜の一方の側縁と上
記絶縁基板の上記一側部とを並列状に位置させたことを
特徴とするものである。
【0005】
【作用】熱衝撃により砕裂する絶縁基板に、連続した過
電流の通電によって熱衝撃を発生する発熱抵抗膜を被着
し、この発熱抵抗膜の対向する側縁に1対の電極を接続
するとともに、この電極を絶縁基板の一側部に導出して
外部端子接続部分を形成することで、上記電極間に過大
電圧を印加すると発熱抵抗膜に過電流が流れて急激に発
熱し絶縁基板に熱衝撃を加える。上記絶縁基板における
熱衝撃は、発熱抵抗膜における通電方向の略中央部分に
おいて最大となり、熱衝撃が最大となる発熱抵抗膜の略
中央部分が砕裂する。そして、電極を接続した発熱抵抗
膜の側縁と上記絶縁基板の上記一側部とを並列状に位置
させたことにより、砕裂部を介した一側部側の絶縁基板
部分は外部端子により支持されるものの、砕裂部を介し
て反対側の絶縁基板部分は外部端子接続部分が形成され
ず何ら支持されないことから、砕裂部において絶縁基板
は確実に分離し、これにより電極間を通じる過電流は遮
断される。
【0006】また、熱衝撃により砕裂する絶縁基板に、
連続した過電流の通電によって熱衝撃を発生する発熱抵
抗膜を間隔を隔てて略並列状に2枚被着し、かつ上記絶
縁基板の一側部に面した上記2枚の発熱抵抗膜の一方の
側縁にそれぞれ電極を接続し、更に上記絶縁基板の他側
部に面した上記2枚の発熱抵抗膜の他方の側縁同士を接
続し、上記電極を絶縁基板の一側部に導出して外部端子
接続部分を形成することで、上記電極間に過大電圧を印
加すると2つの発熱抵抗膜を直列に過電流が流れて急激
に発熱し絶縁基板に熱衝撃を加える。上記絶縁基板にお
ける熱衝撃は、発熱抵抗膜におけるそれぞれの通電方向
の略中央部分において最大となり、熱衝撃が最大となる
発熱抵抗膜のそれぞれの略中央部分が砕裂する。そし
て、上記電極を接続した発熱抵抗膜の一方の側縁と絶縁
基板の上記一側部とを並列状に位置させたことで、絶縁
基板の砕裂部は絶縁基板の一側部と略並列状に生じる。
これにより、砕裂部を介した一側部側の絶縁基板部分は
外部端子により支持されるものの、砕裂部を介して反対
側の絶縁基板部分は外部端子接続部分が形成されず何ら
支持されないことから、砕裂部において絶縁基板は確実
に分離し、これにより電極間を通じる過電流は遮断され
る。
【0007】
【実施例】図1は、本考案のヒューズ抵抗器の一実施例
を示す正面図である。図中1はヒューズ抵抗器であり、
アルミナ、フォルステライト、ステアタイト等のセラミ
ックからなる板厚0.1〜1.0mmの絶縁基板2に対
し、その一方面に、ルテニウム系ペースト等よりなる発
熱抵抗膜3を被着し、この発熱抵抗膜3の下側縁にAg
・Pd系ペースト等の電気的良導体よりなる第1の取り
出し電極41を被着形成するとともに、上記発熱抵抗膜
3の上側縁に同じくAg・Pd系ペースト等の電気的良
導体よりなる第2の取り出し電極42を被着形成してい
る。
【0008】そして、第1の取り出し電極41を、上記
発熱抵抗膜3の下側縁と並列状に位置する絶縁基板2の
一側部2bに導出して外部端子接続部分41aを形成
し、また第2の取り出し電極42を、発熱抵抗膜3の上
側縁から絶縁基板2の右側縁を経て、上記第1の取り出
し電極41の外部端子接続部分41aと並設させて絶縁基
板2の一側部2bに導出して外部端子接続部分42aを
形成している。上記第1の取り出し電極41の外部端子
接続部分41a及び第2の取り出し電極42の外部端子接
続部分42aに、外部端子51,52をそれぞれハンダ付
け等により固着している。更に、外部端子接続部分を除
く取り出し電極41,42と発熱抵抗膜3の表面を、ホウ
ケイ酸ガラスやビスマスガラス等の脱鉛ガラスからなる
保護膜6により10μm〜100μmの厚さで被覆して
いる。この保護膜6は、絶縁被膜として電気的絶縁性を
発揮するばかりでなく、発熱抵抗膜3表面や取り出し電
極41,42表面における沿面放電の発生を防ぐことがで
きる。
【0009】図2は本考案のヒューズ抵抗器の他の実施
例を示す正面図であり、このヒューズ抵抗器1は、絶縁
基板2の一方面にルテニウム系ペースト等よりなる第1
の発熱抵抗膜31と第2の発熱抵抗膜32とを間隔を隔て
て略並列状に位置させるべく上下方向に被着形成し、こ
の第1の発熱抵抗膜31と第2の発熱抵抗膜32のそれぞ
れの上側縁にAg・Pd系ペースト等の電気的良導体よ
りなる導体膜7を接続し、また第1の発熱抵抗膜31
下側縁と第2の発熱抵抗膜32の下側縁に、第1の取り
出し電極41及び第2の取り出し電極42を被着して形成
されている。そして、この第1の取り出し電極41及び
第2の取り出し電極42を、発熱抵抗膜3の下側縁と並
列状に位置する絶縁基板2の一側部2bに導出して外部
端子接続部分41a,42aを形成している。更に、第1
の取り出し電極41の外部端子接続部分41a及び第2の
取り出し電極42の外部端子接続部分42aに、外部端子
1,52をそれぞれハンダ付け等により固着するととも
に、外部端子接続部分を除く取り出し電極41,42と発
熱抵抗膜3の表面を、ホウケイ酸ガラスやビスマスガラ
ス等の脱鉛ガラス6により10μm〜100μmの厚さ
で被覆している。
【0010】図3は本考案のヒューズ抵抗器の更に他の
実施例を示す正面図であり、このヒューズ抵抗器1は、
絶縁基板2の一方面にルテニウム系ペースト等よりなる
発熱抵抗膜3を被着し、この発熱抵抗膜3の下側縁にA
g・Pd系ペースト等の電気的良導体よりなる第1の取
り出し電極41を被着形成するとともに、上記発熱抵抗
膜3の上側縁に同じくAg・Pd系ペースト等の電気的
良導体よりなる第2の取り出し電極42を被着して形成
されている。
【0011】そして、上記第1の取り出し電極41を、
上記発熱抵抗膜3の下側縁と並列状に位置する絶縁基板
2の一側部2bに導出して外部端子接続部分41aを形
成している。また、第2の取り出し電極42の一部に、
絶縁基板2の表面から裏面にかけて貫通しその内周面に
上記電気的良導体を被着したスルーホール8を形成する
とともに、上記第2の取り出し電極42を、上記スルー
ホール8を介して絶縁基板2の裏面に導出し、更に上記
第1の取り出し電極41の外部端子接続部分41aが形成
された絶縁基板2の一側部2bの裏面に導出して外部端
子接続部分42aを形成している。そして、第1の取り
出し電極41の外部端子接続部分41a及び第2の取り出
し電極42の外部端子接続部分42aに外部端子51,52
をそれぞれハンダ付け等により固着するとともに、外部
端子接続部分を除く取り出し電極41,42と発熱抵抗膜
3の表面を、ホウケイ酸ガラスやビスマスガラス等の脱
鉛ガラス6により10μm〜100μmの厚さで被覆し
ている。
【0012】上述した3つの実施例において、外部端子
1,52を回路基板にハンダ付け等により接続してヒュ
ーズ抵抗器1を各種機器に実装し、この外部端子51
2間に過大電圧を印加すると、ヒューズ抵抗器1の外
部端子接続部分41a,42aが形成された絶縁基板2の
下端部分である一側部2bを基準として、過大電圧によ
る過電流は発熱抵抗膜3を上下方向に流れる。この発熱
抵抗膜3において過電流の通電により生じる発熱は発熱
抵抗膜3の通電方向である上下方向の略中央部分におい
て最も高く、そしてこの発熱による熱衝撃も最大となる
ことから、絶縁基板2は発熱抵抗膜3の上下方向の略中
央部分に沿って左右方向の砕裂部を生じる。然して、砕
裂部を介した一側部2b側の絶縁基板部分は一側部2b
において外部端子51,52により支持されているもの
の、砕裂部を介して反対側の絶縁基板部分は何ら支持さ
れることがないため、絶縁基板2は砕裂部において確実
に分離して外部端子51,52間を通じる過電流を遮断す
る。
【0013】
【考案の効果】以上詳述した如く、本考案によれば、熱
衝撃により砕裂する絶縁基板に、連続した過電流の通電
によって熱衝撃を発生する発熱抵抗膜を被着し、この発
熱抵抗膜の対向する側縁に1対の電極を接続するととも
に、この電極を絶縁基板の一側部に導出して外部端子接
続部分を形成することで、上記電極間に過大電圧を印加
すると発熱抵抗膜に過電流が流れて急激に発熱し絶縁基
板に熱衝撃を加える。上記絶縁基板における熱衝撃は、
発熱抵抗膜における通電方向の略中央部分において最大
となり、熱衝撃が最大となる発熱抵抗膜の略中央部分が
砕裂する。そして、電極を接続した発熱抵抗膜の側縁と
上記絶縁基板の上記一側部とを並列状に位置させたこと
により、絶縁基板の砕裂部は絶縁基板の一側部と略並列
状に生じる。これにより、砕裂部を介した一側部側の絶
縁基板部分は外部端子により支持されるものの、砕裂部
を介して反対側の絶縁基板部分は外部端子接続部分が形
成されず何ら支持されないことから、絶縁基板は砕裂部
において確実に分離して電極間を通じる過電流を遮断す
る。したがって、本考案のヒューズ抵抗器によれば、回
路構成素子を保護し、安全規格に適合する安全性の高い
ヒューズ抵抗器を実現することができる。また、熱衝撃
により生じる絶縁基板の砕裂部の溝幅が僅かであって
も、絶縁基板が砕裂して確実に過電流を遮断することか
ら、従来のヒューズ抵抗器の如く発熱抵抗膜の抵抗値の
範囲を制限することなく、数Ω〜数MΩと広げることが
できその用途範囲を大きく拡大することが可能となるも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案のヒューズ抵抗器の一実施例を示す正面
図である。
【図2】本考案のヒューズ抵抗器の他の実施例を示す正
面図である。
【図3】本考案のヒューズ抵抗器の更に他の実施例を示
す正面図である。
【図4】従来のヒューズ抵抗器を示す正面図である。
【符号の説明】
1 ヒューズ抵抗器 2 絶縁基板 2b 一側部 3 発熱抵抗膜 31 第1の発熱抵抗膜 32 第2の発熱抵抗膜 41 第1の取り出し電極 42 第2の取り出し電極 41a,42a 外部端子接続部分

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱衝撃により砕裂する絶縁基板に、連続
    した過電流の通電によって熱衝撃を発生する発熱抵抗膜
    を被着し、この発熱抵抗膜の対向する側縁に1対の電極
    を接続し、かつこの電極を絶縁基板の一側部に導出して
    外部端子接続部分を形成するとともに、上記電極を接続
    した発熱抵抗膜の側縁と上記絶縁基板の上記一側部とを
    並列状に位置させたことを特徴とするヒューズ抵抗器。
  2. 【請求項2】 熱衝撃により砕裂する絶縁基板に、連続
    した過電流の通電によって熱衝撃を発生する発熱抵抗膜
    を間隔を隔てて略並列状に2枚被着し、かつ上記絶縁基
    板の一側部に面した上記2枚の発熱抵抗膜の一方の側縁
    にそれぞれ電極を接続し、更に上記絶縁基板の他側部に
    面した上記2枚の発熱抵抗膜の他方の側縁同士を接続
    し、上記電極を絶縁基板の一側部に導出して外部端子接
    続部分を形成するとともに、上記電極を接続した発熱抵
    抗膜の一方の側縁と上記絶縁基板の上記一側部とを並列
    状に位置させたことを特徴とするヒューズ抵抗器。
JP2534991U 1991-03-22 1991-03-22 ヒューズ抵抗器 Expired - Lifetime JPH0733352Y2 (ja)

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JP2534991U JPH0733352Y2 (ja) 1991-03-22 1991-03-22 ヒューズ抵抗器

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Publication Number Publication Date
JPH0581933U JPH0581933U (ja) 1993-11-05
JPH0733352Y2 true JPH0733352Y2 (ja) 1995-07-31

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