JPH07333580A - 強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法 - Google Patents

強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法

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JPH07333580A
JPH07333580A JP6151817A JP15181794A JPH07333580A JP H07333580 A JPH07333580 A JP H07333580A JP 6151817 A JP6151817 A JP 6151817A JP 15181794 A JP15181794 A JP 15181794A JP H07333580 A JPH07333580 A JP H07333580A
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voltage
crystal display
pixel electrode
ferroelectric liquid
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Katsuto Sakamoto
克仁 坂本
Tomio Tanaka
富雄 田中
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な構成で階調表示が可能で、表示の焼き
付き現象を起こさない強誘電性液晶表示装置を提供する
ことである。 【構成】 ＤＨＦ液晶１１を用いたＴＦＴ液晶表示素子
において、ＤＨＦ液晶１１は、画素電極３と対向電極７
との間に印加された電圧に応じて液晶分子が第１の方向
にほぼ配列した第１の配向状態と、液晶分子が第２の方
向にぼぼ配列した第２の配向状態と、前記第１と第２の
配向状態の中間の任意の配向状態に配向する。一対の偏
光板１３、１４の一方偏光板の光学軸は前記第１の方向
と第２の方向の実質的に中間の方向に設定され、他方の
偏光板の光学軸は一方の偏光板の光学軸に直交して設定
される。各画素のＤＨＦ液晶１１には、各画素の選択期
間に、電圧の絶対値が表示階調に対応し、極性がフレー
ム毎に変化する１つのパルスを、１つの画像データに対
して複数フレームにわたって印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は強誘電性液晶（反強誘
電性液晶を含む）を用いた液晶表示素子及びその駆動方
法に関し、特に、階調表示が可能な強誘電性液晶表示装
置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶表示素子は、ネマティック
液晶を用いるＴＮモードの液晶表示素子と比較して、高
速応答や、広い視野角が得られる等の点で注目されてい
る。強誘電性液晶表示素子としては、強誘電性液晶を用
いた強誘電性液晶表示素子と反強誘電性液晶を用いた反
強誘電性液晶表示素子とが知られている。
【０００３】強誘電性液晶表示素子の実用化に関する研
究は、従来、ＳＳ−Ｆ液晶と呼ばれる強誘電性液晶を対
象として行なわれていた。しかし、ＳＳ−Ｆ液晶を用い
る強誘電性液晶表示素子は透過率を段階的に変化させる
ことができず、階調表示を行うことができない。
【０００４】そこで、階調表示の可能な強誘電性液晶表
示素子が研究されており、カイラルスメクティック相の
螺旋ピッチが表示素子の基板間隔より小さい強誘電性液
晶を用いることが提案されている。この種の強誘電性液
晶は、メモリ性を有するものがＳＢＦ液晶と呼ばれ、非
メモリ性のものがＤＨＦ液晶と呼ばれている（「LIQUID
CRYSTALS」, 1989, Vol.5, NO.4, の第1171頁ないし第
1177頁参照）。
【０００５】また、ＤＨＦ液晶を用いる強誘電性液晶表
示素子では、ＤＨＦ液晶が螺旋構造をもった状態で基板
間に封入されている。ＤＨＦ液晶は、液晶層を挟んで対
向する電極間に絶対値が十分大きい値の電圧を印加した
時、印加電圧の極性に応じて、液晶分子のダイレクタが
第１の方向にほぼ配向した第１の配向状態と液晶分子の
ダイレクタが第２の方向にほぼ配向した第２の配向状態
とのいずれかになり、印加電圧の絶対値が前記第１の配
向状態又は第２の配向状態となる電圧より小さい場合、
分子配列の螺旋の歪みにより、液晶分子のダイレクタの
平均的な方向が前記第１と第２の方向の間となる中間の
配向状態になる。
【０００６】ＳＢＦ液晶を用いる強誘電性液晶表示素子
では、ＳＢＦ液晶が螺旋構造をもった状態で基板間に封
入される。ＳＢＦ液晶は、液晶層を挟んで対向する電極
間に絶対値が所定値以上の電圧を印加した時、印加電圧
の極性に応じて、液晶分子の長軸の方向（ダイレクタ）
が第１の方向にほぼ配向した第１の配向状態と液晶分子
のダイレクタが第２の方向にほぼ配向した第２の配向状
態とのいずれかになり、印加電圧の絶対値が前記第１の
配向状態又は第２の配向状態となる電圧より小さい場
合、ダイレクタが第１の方向に配向した液晶分子とダイ
レクタが第２の方向に配向した液晶分子が混在した中間
の配向状態になる。
【０００７】従来、ＤＨＦ液晶或いはＳＢＦ液晶を用い
る液晶表示素子においては、一方の偏光板の光学軸は前
記第１又は第２の方向に平行に設定され、他方の偏光板
の光学軸は一方の偏光板の光学軸に直交するように配置
されている。
【０００８】しかし、このような構成の強誘電性液晶表
示素子では、表示したい階調に対応する電圧を液晶に印
加しても、印加電圧と画素の透過率とが対応せず、実用
レベルの階調表示を実現することはできない。これは、
これらの液晶表示素子の光学特性（印加電圧と透過率の
関係）のヒステリシスが大きく、表示階調に対応する電
圧を液晶に印加しても、それ以前に印加された電圧の影
響で表示階調が一義的に定まらないためである。
【０００９】このヒステリシスの影響を小さくして表示
階調を制御するため、各画素の選択期間に液晶分子を第
１又は第２の方向に一旦配向させる電圧を印加し、その
後、表示階調に対応する電圧を印加して液晶表示素子を
駆動する手法等も提案されている。しかし、このような
駆動方法では、駆動回路が複雑になり、また、各画素の
選択期間が長くなるという問題がある。
【００１０】一方、反強誘電性液晶表示素子は、反強誘
電性液晶が備える配向状態の安定性を利用して画像を表
示するものである。すなわち、反強誘電性液晶は、液晶
分子の配向に３つの安定状態を有し、第１のしきい値以
上の電圧を該液晶に印加したとき、印加電圧の極性に応
じて液晶分子が第１の方向に配列する第１の強誘電相ま
たは第２の方向に配列する第２の強誘電相に配向し、絶
対値が前記第１のしきい値及び第２のしきい値より低い
電圧を印加したとき、液晶分子の平均的な配列方向がス
メクテック相の層の法線とほぼ平行な方向の反強誘電相
に配向する。液晶表示素子の両側に配置する一対の偏光
板の透過軸の方向を反強誘電相の光学軸を基準にして設
定することにより、光の透過率を制御して画像を表示す
ることができる。
【００１１】反強誘電性液晶は、印加電圧が変化して
も、上記第１と第２のしきい値を境とする各範囲で、第
１または第２の強誘電相または反強誘電相に配向した状
態を維持するというメモリ性を有している。従来の反強
誘電性液晶表示素子は、このメモリ性を利用して単純マ
トリクス駆動されている。反強誘電性液晶の配向状態の
メモリ性は、液晶が第１または第２の強誘電相から反強
誘電相に相転移する電圧と、反強誘電相から第１または
第２の強誘電相に相転移する電圧との電圧差によって定
まり、この電圧差が大きいほど、配向状態のメモリ性が
高い。このため、従来の反強誘電性液晶表示素子では、
反強誘電性液晶として、上記電圧差が大きい液晶を用い
ている。しかし、メモリ性の高い反強誘電性液晶を用い
る従来の反強誘電性液晶表示素子では、表示階調の制御
がほとんど不可能で、階調表示を実現することはできな
かった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記実状
に鑑みてなされたもので、簡単な構成で且つ階調表示が
可能な強誘電性液晶表示装置及びその駆動方法を提供す
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点にかかる強誘電性液晶表示装
置は、画素電極が形成された一方の基板と、前記画素電
極に対向する対向電極が形成された他方の基板と、前記
２つの基板間に配置された強誘電性を持つ液晶と、前記
２つの基板を挟む位置に配置された一対の偏光板と、を
有し、前記画素電極と前記対向電極との間に印加される
極性の異なる電圧の絶対値の変化に対応して実質的に等
しい光学的変化を示す強誘電性液晶表示素子と、表示画
像に対応する信号を受け、この信号に対応する絶対値を
持ち且つ極性が異なる電圧を前記画素電極と前記対向電
極間に複数のフレームにわたって交互に印加する駆動手
段と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】この発明の第２の観点にかかる強誘電性液
晶表示素子の駆動方法は、画素電極と画素電極に接続さ
れた薄膜トランジスタがマトリクス状に複数配列された
一方の基板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成
された他方の基板と、これらの基板の間に配置され、層
構造をもち、前記画素電極と対向電極間に印加された電
圧に応じて液晶分子が第１の方向にほぼ配列した第１の
配向状態と、液晶分子が第２の方向にぼぼ配列した第２
の配向状態と、液晶分子の平均的な配列方向が前記第１
の方向と第２の方向の間の任意の方向となる中間の配向
状態にそれぞれ配向する強誘電性液晶と、前記一方の基
板側に配置され、前記強誘電性液晶層の法線と実質的に
平行な方向に光学軸が設定された一方の偏光板と、前記
他方の基板側に配置され、前記一方の偏光板の光学軸に
直交又は平行に光学軸が設定された他方の偏光板と、を
備えた強誘電性液晶表示素子の駆動方法において、絶対
値が表示階調に対応し、極性が異なる電圧をフレーム毎
に前記アクティブ素子を介して前記画素電極に印加す
る、ことを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成によれば、画素電極と対向電極との間
に印加される極性が異なる電圧の絶対値の変化に対応し
て実質的に等しい光学的変化を示す強誘電性液晶表示素
子、即ち、一方の偏光板の光学軸が第１と第２の方向の
中間の方向に設定され、他方の偏光板の光学軸が一方の
偏光板の光学軸に直交又は平行するように配置された強
誘電性液晶表示素子を用いている。従って、絶対値が等
しく極性が異なる電圧に対して、実質的に同一の階調が
表示される。そして、この液晶に極性が異なり且つ絶対
値がほぼ等しい電圧を複数のフレームにわたって交互に
印加しているので、この複数フレームの平均的な明るさ
により１つの階調を表示することができ、極性が異なる
印加電圧に対する光学的特性が異なっていても、良好な
階調表示を行うことができる。また、各選択期間に表示
階調に応じた電圧の１つのパルスを印加することにより
任意の階調表示を行うことができる。さらに、液晶に印
加される電荷の片寄りをなくし、表示の焼き付き現象等
を防止できる。従って、この発明によれば、簡単な構成
で階調表示が可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。 （第１実施例）まず、この実施例にかかる強誘電性液晶
表示素子の構成を説明する。図１は強誘電性液晶表示素
子の断面図、図２は強誘電性液晶表示素子の画素電極と
アクティブ素子を形成した透明基板の平面図である。こ
の強誘電性液晶表示素子は、アクティブマトリクス方式
のものであり、一対の透明基板（例えば、ガラス基板）
１、２を有する。図１において下側の透明基板（以下、
下基板）１には、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成され
た画素電極３と画素電極３にソースが接続された薄膜ト
ランジス（以下、ＴＦＴ）４とがマトリクス状に形成さ
れている。
【００１７】図２に示すように、画素電極３の行間にゲ
ートライン（走査ライン）５が配線され、画素電極３の
列間にデータライン（階調信号ライン）６が配線されて
いる。各ＦＴＦ４のゲート電極は対応するゲートライン
５に接続され、ドレイン電極は対応するデータライン６
に接続されている。ゲートライン５は、端部５ａを介し
て行（走査ドライバ）ドライバ２１に接続され、データ
ライン６は端部６ａを介して列ドライバ（信号ドライ
バ）２２に接続される。行ドライバ２１は、後述するゲ
ート電圧を印加して、ゲートライン５をスキャンする。
一方、列ドライバ２２は、表示信号（階調信号）を受
け、データライン６に表示信号に対応するデータ信号を
印加する。
【００１８】図１において、上側の透明基板（以下、上
基板）２には、下基板１の各画素電極３と対向し、基準
電圧Ｖ０が印加されている対向電極７が形成されてい
る。下基板１と上基板２の電極形成面には、それぞれ配
向膜８、９が設けられている。配向膜８、９はポリイミ
ド等の有機高分子化合物からなる水平配向膜であり、そ
の対向面にはラビングによる配向処理が施されている。
【００１９】下基板１と上基板２は、その外周縁部にお
いて枠状のシール材１０を介して接着されている。基板
１、２とシール材１０で囲まれた領域には液晶１１が封
入されている。液晶１１は、カイラルスメクティックＣ
相の螺旋ピッチが両基板１、２の間隔より小さく、か
つ、配向状態のメモリ性を有さない強誘電性液晶であ
る。液晶１１は、螺旋ピッチが、可視光帯域の波長であ
る７００nm〜４００nm以下（例えば、４００nm〜３００
nm）であり、自発分極が大きく、コーンアングルが約２
７度ないし４５゜（望ましくは、２７゜ないし３０゜）
の強誘電性液晶組成物からなる。なお、図１において、
符号１２は両基板１、２の間隔を規制する透明なギャッ
プ材を示し、ギャップ材１２は液晶封入領域内に点在状
態で配置されている。
【００２０】液晶１１は、カイラルスメクティックＣ相
が有する層構造の層の法線を配向膜８、９の配向処理方
向に向けて均一な層構造を形成する。また、その螺旋ピ
ッチが基板間隔より小さいため、螺旋構造をもった状態
で基板１、２間に封入されている。画素電極３と対向電
極７との間に絶対値が十分大きい電圧を印加したとき、
液晶１１は印加電圧の極性に応じて、液晶分子の平均的
なダイレクタが第１の方向に配向する第１の配向状態と
液晶分子の平均的なダイレクタが第２の方向に配向する
第２の配向状態のいずれかの状態に設定される。また、
絶対値が液晶分子を第１又は第２の配向状態に配向させ
る電圧より低い電圧を画素電極３と対向電極７間に印加
したとき、液晶１１の分子配列の螺旋が歪み、液晶１１
の平均的なダイレクタが第１の方向と第２の方向の間の
方向に配向する中間配向状態となる。
【００２１】液晶表示素子の上下には、一対の偏光板１
３、１４が配置されている。偏光板１３、１４の透過軸
と液晶１１の液晶分子の配向方向との関係を図３を参照
して説明する。図３において、符号１１Ａ、１１Ｂは、
液晶１１の第１と第２の配向状態における液晶分子の配
向方向（平均的なダイレクタの方向）を示し、符号１３
Ａ、１４Ａは図１において下側の偏光板１３、上側の偏
光板１４の透過軸の方向を示す。
【００２２】一方の極性でかつ絶対値が十分大きい電圧
を液晶１１に印加した時、液晶１１は、第１の配向状態
となり、液晶分子の平均的なデイレクタは一点鎖線で示
す第１の配向方向１１Ａに配向する。他方の極性でかつ
絶対値が十分大きい電圧を液晶１１に印加したとき、液
晶１１は第２の配向状態となり、液晶分子の平均的なダ
イレクタは２点鎖線で示す第２の配向方向１１Ｂに配向
する。一方、印加電圧が０のとき、液晶分子の平均的な
ダイレクタは液晶のスメクティック相の層の法線方向、
即ち、第１と第２の配向方向１１Ａと１１Ｂの中間の方
向１１Ｃとなる。
【００２３】第１の配向方向１１Ａと第２の配向方向１
１Ｂとのずれ角θは、液晶１１の種類によって異なる
が、２５゜〜４５゜に選定され、望ましくは２７゜〜４
５゜である。偏光板１３、１４のうち、一方の偏光板、
例えば、上偏光板１４の透過軸１４Ａは、液晶１１のス
メクティック相の層の法線方向とほぼ平行に設定されて
いる。下偏光板１３の透過軸１３Ａは、上偏光板１４の
透過軸１４Ａとほぼ直交している。
【００２４】図３に示すように偏光板１３、１４の透過
軸を設定した強誘電性液晶表示素子は、液晶分子を第１
又は第２の配向方向１１Ａ、１１Ｂに配向させた第１又
は第２の配向状態の時に透過率が最も高く（表示が最も
明るく）なり、液晶分子を前記スメクティック相の層の
法線方向とほぼ平行な中間方向１１Ｃに配向させた時に
透過率が最も低く（表示が最も暗く）なる。より詳細に
説明すると、液晶分子のダイレクタが第１又は第２の配
向方向１１Ａ、１１Ｂを向いた状態では、入射側偏光板
（ポーラライザ）を通過した直線偏光は液晶１１の偏光
作用により非直線偏光となる。そして、液晶層を通過し
た光のうち出射側偏光板（アナライザ）の透過軸と平行
な成分がアナライザを透過して出射し、表示は明るくな
る。一方、液晶分子のダイレクタが中間方向１１Ｃを向
いた状態では、入射側偏光板を通った直線偏光は液晶１
１の偏光作用をほとんど受けず、直線偏光のまま液晶層
を通過する。このため、液晶層を通過した光のほとんど
が出射側偏光板で吸収され、表示が暗くなる。
【００２５】液晶１１のダイレクタの平均的な方向は、
印加電圧の極性と電圧値（絶対値）に応じて、配向方向
１１Ａと１１Ｂの間で連続的に変化する。このため、こ
の強誘電性液晶表示素子の透過率は連続的に変化可能で
ある。
【００２６】次に、液晶１１の特性について説明する。
偏光板１３、１４を図３に示すように配置した場合にお
いては、液晶１１（電極３と７間）に電圧を印加しない
時の透過率が最も低くなり、印加電圧の絶対値が大きく
なるに従って、透過率が上昇する。この実施例において
は、図４（Ａ）に示すように、周期が比較的長い（０．
１Ｈｚ程度）の三角波の電圧を印加した時にその光学応
答特性が図４（Ａ）に示すように、連続的に滑らかに変
化するものを使用する。また、光学応答特性のヒステリ
シスは小さい方が望ましい。
【００２７】また、図４（Ｂ）に示すように、光学応答
特性に明確な閾値、即ち、わずかな電圧の変化で透過率
が急激に変化する特性の強誘電性液晶は望ましくない。
【００２８】次に、上記構成の強誘電性液晶表示素子の
駆動方法を図５（Ａ）と（Ｂ）を参照して説明する。図
５（Ａ）は、行ドライバ２１が第１行のＴＦＴ４に接続
されたゲートライン５に印加するゲートパルスの波形を
示し、図５（Ｂ）は、列ドライバ２２がデータライン６
に印加するデータ信号の波形を示す。なお、理解を容易
にするため、第１行の画素用のデータ信号のみ示し、他
の行用のデータ信号は図示しない。
【００２９】図５（Ａ）、（Ｂ）において、ＴＦは１フ
レーム期間、ＴＳは第１行の画素の選択期間、ＴＯは非
選択期間を示す。各選択期間ＴＳは、例えば、約４５μ
秒である。この実施例においては、図５（Ｂ）に示すよ
うに、連続する２つのフレームの選択期間に、表示階調
に応じ、極性が反対で絶対値が同一の電圧値ＶＤ、−Ｖ
Ｄを有する駆動パルス（書き込みパルス）をデータライ
ン６に印加する。即ち、１つの表示データ（表示信号）
について、電圧値が＋ＶＤと−ＶＤの２つの駆動パルス
を２つのフレームの各選択期間にそれぞれ１つずつ印加
する。駆動パルスの極性及び電圧値は、データ信号の基
準電圧Ｖ０に対する極性と電圧である。基準電圧Ｖ０は
対向電極７に印加する電圧と同一である。
【００３０】この駆動方法では、書き込み電圧ＶＤの最
小値をＶ０とし、最大値Ｖmaxを透過率の飽和が起こる
電圧（図４（Ａ）では、Ｖsat）よりも若干低い値とし
て、Ｖ０乃至Ｖmaxの範囲で書き込み電圧ＶＤを制御す
る。
【００３１】上記のような波形のゲート信号とデータ信
号とを用いて上記強誘電性液晶表示素子を駆動すると、
各行の選択期間ＴＳに、駆動パルスの電圧（書き込み電
圧）ＶＤがゲートパルスによりオンしているＴＦＴ４を
介して画素電極３に印加される。ゲートパルスがオフ
し、非選択期間ＴＯになると、ＴＦＴ４がオフ状態にな
り、書き込み電圧ＶＤに応じた電圧が画素電極３と対向
電極７とその間の液晶１１とで形成される容量（画素容
量）に保持される。このため、非選択期間ＴＯの間、そ
の画素の透過率が、画素容量の保持電圧に対応する値、
即ち、書き込み電圧ＶＤに対応した値に維持される。
【００３２】この実施例では、液晶１１として印加電圧
の変化に対する透過率が連続的に変化するものを使用
し、しかも、図３に示す光学配置を採用しているので、
書き込み電圧ＶＤの絶対値に対する透過率が一義的に定
まり、書き込み電圧ＶＤの絶対値により透過率を制御し
て、明確な階調表示を実現できる。また、連続する２つ
のフレームにより、１つの画素データに対する正負逆極
性の電圧を印加しているので、正負の電圧に対する光学
特性が異なっていてもこれらの光学的変化の平均値とし
て観察されるので、正負逆極性の電圧に対する光学的特
性に差があっても明確な階調表示が可能である。
【００３３】また、連続する２つのフレームで、極性が
逆で絶対値が等しい電圧を各画素（画素電極）に印加す
るので、液晶１１に直流電圧成分が片寄って印加される
ことがない。従って表示の焼き付き現象や液晶の劣化を
生ずることもない。
【００３４】具体例１ 図６は液晶としてＩ−ＳA転移温度が６２．５℃、ＳA−
ＳC*転移温度が６１．２℃で、且つ、らせんピッチが
０．１５μｍのＤＨＦ液晶を使用し、配向処理方向及び
偏光板の透過軸の方向を図３に示したように設定し、各
選択期間を６０μＳとし、図５（Ｂ）に示すように絶対
値が同一の電圧を有する駆動パルスを２つのフレームで
異なった極性とし、書き込み電圧を０Ｖ〜１０Ｖまで
０．５Ｖ単位で上昇させ、その後、低下させた場合の印
加電圧と透過率の関係を示す。このグラフから明らかな
ように、この駆動方法によれば、書き込み電圧を変化さ
せることにより、透過率が連続的に変化し、さらに、書
き込み電圧に応じて表示階調がほぼ一義的に定まり、階
調表示が可能になる。
【００３５】なお、液晶１１（電極３と７の間）に逆極
性で絶対値が同一の電圧を印加した場合、その透過率は
若干異なり、完全に同一ではない。従って、表示画像の
ちらつき（フリッカ）を防止するため、フレーム期間Ｔ
Ｆは１／３０秒以下に設定することが望ましい。
【００３６】（第２実施例）第１実施例では、強誘電性
液晶１１としてＤＨＦ液晶を用いたが、液晶１１として
ＳＢＦ液晶を使用してもよい。ＳＢＦ液晶は、カイラル
スメクティック相の螺旋ピッチが両基板１、２の間隔よ
り小さく、かつ、双安定性を有する強誘電性液晶であ
る。ＳＢＦ液晶は、螺旋ピッチが、可視光帯域の波長で
ある７００nm〜４００nm以下（例えば、４００nm〜３０
０nm）であり、自発分極が大きく、コーンアングルが大
きい（例えば、約２７度ないし４５゜（望ましくは、２
７゜ないし３０゜））の強誘電性液晶組成物からなる。
【００３７】ＳＢＦ液晶１１は、その螺旋ピッチが基板
間隔より小さいため、螺旋構造をもった状態で基板１、
２間に封入されている。ＳＢＦ液晶を使用する場合の偏
光板１３、１４の透過軸とＳＢＦ液晶１１の液晶分子の
配向方向との関係は第１実施例のそれと同一である。即
ち、一方の極性でかつ絶対値が十分大きな値の電圧を印
加した時、ＳＢＦ液晶１１は、第１の安定状態となり、
液晶分子のダイレクタは図３（Ｂ）に実線で示す第１の
配向方向１１Ａに配向する。他方の極性でかつ絶対値が
十分大きな値の電圧を印加したとき、ＳＢＦ液晶１１は
第２の安定状態となり、液晶分子は図３（Ｂ）に破線で
示す第２の配向方向に配向する。第１の配向方向１１Ａ
と第２の配向方向１１Ｂとのずれ角θは、ＳＢＦ液晶１
１の種類によって異なるが、２５゜〜４５゜に選定さ
れ、望ましくは２７゜〜４５゜である。
【００３８】一方の偏光板、例えば、上偏光板１４の透
過軸１４Ａは、図３に示すように配向方向１１Ａ、１１
Ｂの中間方向１１Ｃとほぼ平行になっている。また、下
偏光板１３の透過軸１３Ａは、上偏光板１４の透過軸１
４Ａとほぼ直交している。図３に示すように偏光板１
３、１４の透過軸１３Ａ、１４Ａを設定した液晶表示素
子は、第１実施例と同様に、液晶分子を第１の配向方向
１１Ａ又は第２の配向方向１１Ｂに配向させた時に透過
率が最も高くなり、液晶分子を中間方向方向１１Ｃに配
向させた時に透過率が最も低くなる。
【００３９】なお、この実施例の強誘電性液晶表示素子
のその他の構成は、第１実施例の構成と同一である。
【００４０】第２実施例の構成においても、映像信号に
応答して、連続する２つのフレームに極性が異なり、絶
対値が同一の書き込み電圧を印加して、液晶表示素子を
駆動することにより、駆動パルスの絶対値に対応する階
調の画像を表示できる。
【００４１】（第３実施例）第１、第２実施例では、液
晶１１として強誘電性液晶であるＤＨＦ液晶とＳＢＦ液
晶を使用したが、反強誘電性液晶（以下、ＡＦＬＣ）を
使用してもよい。ＡＦＬＣは、その螺旋ピッチが基板間
隔より大きいため、螺旋構造を消失した状態で基板１、
２間に封入されている。一方の極性でかつあるしきい値
電圧（ＯＮしきい値電圧）以上の電圧が印加されたと
き、液晶分子の平均的なダイレクタは第１の方向１１Ａ
に配向し、極性が逆でかつ絶対値が前記ＯＮしきい値電
圧以上の電圧を印加した時に、平均的なダイレクタは二
点鎖線で示した第２の方向１１Ｂに配向し、前記ＯＮし
きい値電圧より低い他のしきい値電圧（ＯＦＦしきい値
電圧）以下の電圧を印加した時に、平均的なダイレクタ
が第３の方向１１Ｃに向くように配向する。また、ＯＮ
しきい値電圧とＯＦＦしきい値電圧の間の電圧を印加し
た時、平均的なダイレクタが第１の方向１１Ａと第３の
方向１１Ｃの間、又は、第２の方向１１Ｂと第３の方向
１１Ｃの間となるように配向し、光学的中間状態とな
る。
【００４２】一対の偏光板１３、１４の透過軸は、第１
実施例と同様に、図３に示すように配置される。
【００４３】この実施例では、例えば、次の３つのタイ
プの反強誘電性液晶を使用できる。 （１） 印加電圧が０Ｖ近傍の非常に狭い範囲でのみ反
強誘電相を示し、光学応答の特性カーブが急峻であり、
反強誘電相を示す領域に平坦な領域がほとんど存在しな
い液晶。図７はこの種の反強誘電性液晶の光学応答特性
の一例を示す。この光学応答特性は一対の偏光板を図３
に示すように配置し、０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三
角波電圧を印加して得られたものである。この反強誘電
性液晶は、±０．５Ｖ程度の非常に狭い印加電圧領域に
おいてのみ、反強誘電相を示す特性を有し、特性カーブ
が急峻であり、反強誘電相を示す領域に平坦な領域がほ
とんど存在しない。この種の反強誘電性液晶は、反強誘
電−強誘電相転移前駆現象を呈する印加電圧の範囲が広
いため、印加電圧に応じて無数の中間的光学状態を有
し、その光学応答特性に明確な閾値が存在せず、この発
明の駆動方法に適している。
【００４４】（２） 印加電圧０Ｖでは、平均的分子長
軸方向が層の法線方向に揃わず、印加電圧０Ｖ以外の２
つの電圧値で平均的分子長軸方向が、層の法線方向に揃
い、透過率が最小となる反強誘電性液晶。図８はこの種
の反強誘電性液晶の光学応答特性の一例を示す。この光
学応答特性も一対の偏光板を図３に示すように配置し、
０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三角波電圧を印加して得
られたものである。この特性を有する辺強誘電性液晶
は、印加電圧０Ｖでは、平均的分子長軸方向が層法線方
向に揃わず、印加電圧０Ｖ以外の２つの電圧値で平均的
分子長軸方向が、層法線方向に揃い、透過率が最小とな
る。即ち、暗状態になる電圧領域が２つに分離してお
り、印加電圧が０Ｖ付近に平坦な部分が存在しない。こ
の種の反強誘電性液晶は、反強誘電−強誘電相転移前駆
現象を呈する印加電圧の範囲が広いため、印加電圧に応
じて無数の中間的光学状態を有し、その光学応答特性に
明確な閾値が存在せず、この発明の駆動方法に適してい
る。
【００４５】第１及び第２の反強誘電性液晶は、コーン
アングルが３０゜から４５゜（望ましくは、３５゜以
上）と大きく、自発分極が約２００以上と大きく、さら
に、相シーケンスがＩ、ＳｍＡ（スメクティックＡ
相）、ＡＳｍＣ*（アンチ（反）スメクティックＣ*相）
と相転移する液晶である。
【００４６】（３） 光学応答特性のヒステリシスの幅
が非常に小さい反強誘電性液晶 図９はこの種の反強誘電性液晶の光学応答特性の一例を
示す。この光学応答特性も一対の偏光板を図３に示すよ
うに配置し、０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三角波電圧
をこの反強誘電性液晶に印加して得られたものである。
この特性を有する反強誘電性液晶は、光学応答特性のヒ
ステリシスの幅が０．５Ｖ以下と、非常に狭い。この種
の反強誘電性液晶も、この発明の駆動方法に適してい
る。
【００４７】なお、第３実施例における液晶表示素子の
その他の構成は第１及び第２実施例と同一である。
【００４８】このような構成の反強誘電性液晶表示素子
においても、連続する２つのフレームに、極性が異な
り、表示階調に応じた絶対値を有する書き込み電圧を印
加することにより、第１実施例と同様に任意の階調画像
を表示できる。
【００４９】具体例２ 図１０は配向処理方向及び偏光板の透過軸の方向を図３
に示したように設定し、各選択期間を６０μＳとし、図
５（Ｂ）に示すように２つのフレームで異なった極性と
し、書き込み電圧を０Ｖ〜１０Ｖまで０．５Ｖ単位で上
昇させ、その後、低下させた場合の印加電圧と透過率の
関係を示す。このグラフから明らかなように、この駆動
方法によれば、書き込み電圧を変化させることにより、
透過率が連続的に変化し、さらに、書き込み電圧に応じ
て表示階調が一義的に定まり、階調表示が可能になる。
【００５０】（第４実施例）次に、第１実施例にかかる
駆動方法を用いてテレビ映像等の動画を表示する液晶表
示素子の駆動回路について説明する。図１１はこの実施
例の液晶表示装置の構成を示す。
【００５１】外部より供給される通常のＮＴＳＣコンポ
ジット信号はＡ／Ｄ変換器５１により、デジタル信号に
変換され、分離回路５３に供給される。分離回路５３は
供給されたデジタル信号から同期信号、輝度信号、色相
信号を分離する。分離された同期信号は、クロック回路
６５と書き込み制御回路６７に供給される。また、輝度
信号と色相信号は復調／変換回路５５に供給される。
【００５２】復調／変換回路５５は輝度信号と色相信号
から、ＲＧＢそれぞれの輝度信号を生成し、フレームメ
モリ５７の第１のポートに供給する。フレームメモリ５
７は、１画面（１フレーム）分の記憶容量を有するデュ
アルポートメモリから構成され、第１のポートに供給さ
れたＲＧＢ輝度信号を順次格納する。Ｄ／Ａ変換器５９
は、フレームメモリ５７の第２ポートから出力されたＲ
ＧＢ輝度信号を対応するアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、
＋Ｂに変換する。この際、反転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−
Ｂも出力する。セレクタ６１はＤ／Ａ変換器５９から供
給されるＲＧＢアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、＋Ｂと反
転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−Ｂを交互に選択して液晶表示
モジュールに６３に供給する。
【００５３】液晶表示モジュール６３は、図１〜図３に
示す構成を有する。但し、この実施例では、液晶表示素
子は、カラー画像を表示するもので、図１、図２の各画
素電極３の上にはＲ、Ｇ、又はＢのカラーフィルタが配
置されている。
【００５４】クロック回路６５は、Ａ／Ｄ変換器５１、
分離回路５３、復調／変換回路５５の動作を制御するた
めのクロック信号を生成し、これらに供給する。書き込
み制御回路６７は、分離回路５３からの同期信号に応答
し、フレームメモリ５７に書き込み制御信号を供給す
る。読み出し制御回路６９は、フレームメモリ５７に読
み出し制御信号を供給してフレームメモリ５７の記憶デ
ータを第２ポートに読み出し、Ｄ／Ａ変換器５９に変換
タイミング信号を供給してフレームメモリ５７から読み
出されたＲＧＢディジタル映像信号をＲＧＢアナログ映
像信号に変換し、セレクタ６１に選択制御信号を供給
し、液晶表示モジュール６３の行ドライバと列ドライバ
２２にタイミング制御信号を供給する。
【００５５】次に、上記構成の表示装置の動作を図１２
のタイミングチャートを参照して説明する。Ａ／Ｄ変換
器５１には、図１２（Ａ）に示すＮＴＳＣコンポジット
信号が順次供給される。Ａ／Ｄ変換器５１は、クロック
回路６５から供給される変換タイミング信号に従って、
このＮＴＳＣコンポジット信号を順次デジタル信号に変
換し、分離回路５３に供給する。分離回路５３は、クロ
ック回路６５から供給されるタイミング信号に従って、
Ａ／Ｄ変換器５１から供給されるデジタル信号から同期
信号、輝度信号、色相信号を分離する。
【００５６】復調／変換回路５５は輝度信号と色相信号
から、Ｒ輝度信号、Ｇ輝度信号、Ｂ輝度信号を生成し、
フレームメモリ５７に供給する。書き込み制御回路６７
は、分離回路５３から供給される同期信号に従って、図
１２（Ｂ）に示すように、連続する２つのフレームの第
１のフレームで書き込みイネーブル信号をオン（アクテ
ィブ）とし、第２のフレームで書き込みイネーブル信号
をオフ（アンアクティブ）とする。
【００５７】このため、フレームメモリ５７は、書き込
み制御回路６７からの書き込み制御信号に従って、供給
されたＲ、Ｇ、Ｂ輝度信号を、１フレーム毎に順次格納
する。従って、フレームメモリ５７は、例えば、図１２
の場合には、第Ｎフレーム、Ｎ＋２フレーム・・・のＲＧ
Ｂ輝度信号を順次格納する。
【００５８】フレームメモリ５７は、読み出し制御回路
６９からの図１２（Ｃ）に示す読み出しイネーブル信号
を含む制御信号に従って、記憶しているＲＧＢ輝度信号
を読み出し、Ｄ／Ａ変換器５９に供給する。Ｄ／Ａ変換
器５９は、フレームメモリ５７から読み出されたディジ
タルのＲＧＢ輝度信号を対応するＲＧＢアナログ輝度信
号＋Ｒ、＋Ｇ、＋Ｂとその反転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−
Ｂに変換する。セレクタ６１はＤ／Ａ変換器５９から供
給されるＲＧＢアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、＋Ｂと反
転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−Ｂを、図１２（Ｄ）に示す選
択切換信号に従って、順次選択して液晶表示モジュール
６３に供給する。従って、例えば、セレクタ６１は、第
Ｎフレーム、第Ｎ＋２フレーム・・・では、正極性のＲＧ
Ｂアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、＋Ｂを選択して出力
し、第Ｎ＋１フレーム、第Ｎ＋３フレーム・・・では、負
極性のＲＧＢ反転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−Ｂを出力す
る。
【００５９】列ドライバ２２は、セレクタ６１から供給
されるＲＧＢアナログ輝度信号とその反転信号を順次サ
ンプリングし、対応する駆動パルスを各データライン６
に印加する。一方、行ドライバ２１は、ゲートライン５
にゲートパルスを順次印加してゲートライン５を走査す
る。このため、ゲートパルスが印加されたゲートライン
５に接続されたＴＦＴ４がオンし、対応する画素電極３
に駆動パルスが印加される。その行の選択期間ＴＳが終
了し、非選択期間ＴＯになると、ゲートパルスがオフ
し、ＴＦＴ４もオフし、駆動パルスの電圧が画素容量に
保持され、保持された電圧に対応する階調で各画素が表
示される。
【００６０】このような構成によれば、フレームメモリ
５７に記憶されたＲＧＢ輝度信号が２回ずつ読み出さ
れ、異なった極性のアナログ輝度信号に変換されて液晶
表示モジュール６３に供給される。従って、第１〜第３
実施例において説明したように、連続する２つのフレー
ムにおいて、表示階調に応じた絶対値を有し、異なった
極性の駆動パルスが順次各画素（画素電極３）に印加さ
れ、任意の階調画像が表示される。なお、ＮＴＳＣ方式
のテレビ画像を表示する構成を例示したが、他の構成を
使用してもよく、また、他の画像を表示してもよい。
【００６１】また、第４実施例では、ＮＴＳＣコンポジ
ット信号のフレーム周波数と液晶表示モジュール６３の
フレーム周波数を同一としたが、例えば、ＮＴＳＣコン
ポジット信号のフレーム周波数を６０Ｈｚと、液晶表示
モジュール６３のフレーム周波数を３０Ｈｚ（２フレー
ムで１画像を形成するので、１５フィールド／秒）とす
る等、両者のフレーム周波数を異ならせてもよい。この
場合、例えば、書き込み制御回路６７は独自の書き込み
周期でフレームメモリ５７にＲＧＢ輝度データを書き込
み、読み出し制御回路６９が独自の読み出し周期でフレ
ームメモリ５７からＲＧＢ輝度データを読み出し、後段
の回路に供給するようにすればよい。
【００６２】図１１の構成では、Ｄ／Ａ変換器５９の後
段にセレクタ６１を配置してＤ／Ａ変換器５９の出力す
る正負２つの極性のアナログ輝度信号の一方を選択した
が、読み出し制御回路６９の制御により、Ｄ／Ａ変換器
５９に、その時点で必要な極性のアナログ輝度信号のみ
を出力させ、その信号を列ドライバ２２に供給するよう
にしてもよい。
【００６３】図３では、第１の方向１１Ａと第２の方向
１１Ｂの中間の方向１１Ｃに一方の偏光板１４の透過軸
１４Ａを一致させ、他方の偏光板１３の透過軸１３Ａを
透過軸１４Ａに直交させるようにしたが、他方の偏光板
１３の透過軸１３Ａを透過軸１４Ａに平行にしてもよ
い。また、第１の方向１１Ａと第２の方向１１Ｂの中間
の方向１１Ｃに一方の偏光板１４の吸収軸を一致させ、
他方の偏光板１３の吸収軸を一方の偏光板１４の吸収軸
に直交させるようにしてもよい。この場合、印加電圧が
０（又はほぼ０）の時に液晶表示素子の透過率が最大と
なり、印加電圧の絶対値が大きくなるに従って透過率が
低下する。しかし、この場合も、絶対値が等しければ、
その極性によらず透過率が等しくなり、この発明の駆動
方法が適用できる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、複数
フレームの各選択期間に表示階調に応じた電圧の１つの
パルスを印加するだけで任意の階調表示を行うことがで
きる。また、１つの階調について、複数フレームで極性
の異なるパルスを印加するので、印加電圧と透過率の関
係に歪みがあるような場合にも、表示階調が平均化さ
れ、適切な階調が表示される。また、液晶に印加される
電荷の片寄りをなくし、表示の焼き付き現象等を防止で
きる。さらに、極性が異なる電圧に対し表示特性が若干
異なる場合でも、適切な画像を表示できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例にかかる液晶表示素子の
構造を示す断面図である。
【図２】図１に示す液晶表示素子の下基板の構成を示す
平面図である。
【図３】上下偏光板の透過軸の方向と液晶分子の配方方
向を示す平面図である。
【図４】印加電圧と透過率の関係を示すグラフであり、
（Ａ）は第１実施例で使用されるＤＨＦ液晶を使用した
場合の例、（Ｂ）は第１実施例で使用することが望まし
くないＤＨＦ液晶を使用した場合の例を示す。
【図５】この発明の第１実施例にかかる強誘電性液晶表
示素子の駆動方法を説明するための波形図であり、
（Ａ）はこの発明の第１実施例にかかかる強誘電性液晶
表示素子の駆動方法によりゲートラインに供給されるゲ
ート信号の波形を示す図である。（Ｂ）は第１実施例に
かかかる強誘電性液晶表示素子の駆動方法によりデータ
ラインに供給されるデータ信号の波形を示す図である。
【図６】この発明の第１実施例のＤＨＦ液晶表示素子の
具体例における印加電圧と透過率の関係を示すグラフで
ある。
【図７】この発明の第３実施例で使用可能な反強誘電性
液晶を説明するための光学応答特性を示すグラフであ
る。
【図８】この発明の第３実施例で使用可能な反強誘電性
液晶を説明するための光学応答特性を示すグラフであ
る。
【図９】この発明の第３実施例で使用可能な反強誘電性
液晶を説明するための光学応答特性を示すグラフであ
る。
【図１０】この発明の第３実施例の反強誘電性液晶表示
素子の具体例における印加電圧と透過率の関係を示すグ
ラフである。
【図１１】この発明の第４実施例にかかる強誘電性液晶
表示素子の駆動回路のブロック図である。
【図１２】図１１に示す回路の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
【符号の説明】
１・・・透明基板、２・・・透明基板、３・・・画素電極、４・・・
ＴＦＴ、５・・・ゲートライン、６・・・データライン、７・・
・対向電極、８・・・配向膜、９・・・配向膜、１０・・・シール
材、１１・・・液晶、１２・・・シール材、１３・・・偏光板、
１４・・・偏光板、２１・・・行ドライバ、２２・・・列ドライ
バ、４１・・・第１のサンプル・ホールド回路、４２・・・第
２のサンプル・ホールド回路、４３・・・反転回路、４４・
・・加算器、４５・・・セレクタ、４６・・・タイミング回路、
４７・・・電圧発生回路、５１・・・Ａ／Ｄ変換器、５３・・・
分離回路、５５・・・復調／変換回路、５７・・・フレームメ
モリ、５９・・・Ｄ／Ａ変換器、６１・・・セレクタ、６３・・
・液晶表示モジュール、６５・・・クロック回路、６７・・・
書き込み制御回路、６９・・・読み出し制御回路
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】図２に示すように、画素電極３の行間にゲ
ートライン（走査ライン）５が配線され、画素電極３の
列間にデータライン（階調信号ライン）６が配線されて
いる。各ＴＦＴ４のゲート電極は対応するゲートライン
５に接続され、ドレイン電極は対応するデータライン６
に接続されている。ゲートライン５は、端部５ａを介し
て行（走査ドライバ）ドライバ２１に接続され、データ
ライン６は端部６ａを介して列ドライバ（信号ドライ
バ）２２に接続される。行ドライバ２１は、後述するゲ
ート電圧を印加して、ゲートライン５をスキャンする。
一方、列ドライバ２２は、表示信号（階調信号）を受
け、データライン６に表示信号に対応するデータ信号を
印加する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】下基板１と上基板２は、その外周縁部にお
いて枠状のシール材１０を介して接着されている。基板
１、２とシール材１０で囲まれた領域には液晶１１が封
入されている。液晶１１は、カイラルスメクティックＣ
相の螺旋ピッチが両基板１、２の間隔より小さく、か
つ、配向状態のメモリ性を有さない強誘電性液晶であ
る。液晶１１は、螺旋ピッチが、可視光帯域の波長であ
る７００ｎｍ〜４００ｎｍ以下（例えば、４００ｎｍ〜
３００ｎｍ）であり、自発分極が大きく、コーンアング
ルが約２７度ないし４５°（望ましくは、２７°ないし
３０°）の強誘電性液晶組成物からなる。なお、図１に
おいて、符号１２は両基板１、２の間隔を規制するギャ
ップ材を示し、ギャップ材１２は液晶封入領域内に点在
状態で配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】（２） 印加電圧０Ｖでは、平均的分子長
軸方向が層の法線方向に揃わず、印加電圧０Ｖ以外の２
つの電圧値で平均的分子長軸方向が、層の法線方向に揃
い、透過率が最小となる反強誘電性液晶。図８はこの種
の反強誘電性液晶の光学応答特性の一例を示す。この光
学応答特性も一対の偏光板を図３に示すように配置し、
０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三角波電圧を印加して得
られたものである。この特性を有する反強誘電性液晶
は、印加電圧０Ｖでは、平均的分子長軸方向が層法線方
向に揃わず、印加電圧０Ｖ以外の２つの電圧値で平均的
分子長軸方向が、層法線方向に揃い、透過率が最小とな
る。即ち、暗状態になる電圧領域が２つに分離してお
り、印加電圧が０Ｖ付近に平坦な部分が存在しない。こ
の種の反強誘電性液晶は、反強誘電−強誘電相転移前駆
現象を呈する印加電圧の範囲が広いため、印加電圧に応
じて無数の中間的光学状態を有し、その光学応答特性に
明確な閾値が存在せず、この発明の駆動方法に適してい
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】第１及び第２の反強誘電性液晶は、コーン
アングルが３０°から４５°（望ましくは、３５°以
上）と大きく、自発分極が約２００以上と大きく、さら
に、相シーケンスがＩ、ＳｍＡ（スメクティックＡ
相）、ＳｍＣＡ＊（カイラルスメクティックＣＡ＊）と
相転移する液晶である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６３】図３では、第１の方向１１Ａと第２の方向
１１Ｂの中間の方向１１Ｃに一方の偏光板１４の透過軸
１４Ａを一致させ、他方の偏光板１３の透過軸１３Ａを
透過軸１４Ａに直交させるようにしたが、他方の偏光板
１３の透過軸１３Ａを透過軸１４Ａに平行にしてもよ
い。この場合、印加電圧が０（又はほぼ０）の時に液晶
表示素子の透過率が最大となり、印加電圧の絶対値が大
きくなるに従って透過率が低下する。しかし、この場合
も、絶対値が等しければ、その極性によらず透過率が等
しくなり、この発明の駆動方法が適用できる。また、第
１の方向１１Ａと第２の方向１１Ｂの中間の方向１１Ｃ
に一方の偏光板１４の吸収軸を一致させ、他方の偏光板
１３の吸収軸を一方の偏光板１４の吸収軸に直交させる
ようにしてもよい。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】画素電極が形成された一方の基板と、 前記画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基
    板と、 前記２つの基板間に配置された強誘電性を持つ液晶と、 前記２つの基板を挟む位置に配置された一対の偏光板
    と、を有し、 前記画素電極と前記対向電極との間に印加される極性の
    異なる電圧の絶対値の変化に対応して実質的に等しい光
    学的変化を示す強誘電性液晶表示素子と、 表示画像に対応する信号を受け、この信号に対応する絶
    対値を持ち且つ極性が異なる電圧を前記画素電極と前記
    対向電極間に複数のフレームにわたって交互に印加する
    駆動手段と、を備えることを特徴とする強誘電性液晶表
    示装置。
  2. 【請求項２】画素電極と該画素電極に接続されたアクテ
    ィブ素子がマトリクス状に配列された一方の基板と、前
    記画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基板
    と、前記基板間に配置され、層構造をもち、前記画素電
    極と前記対向電極間に印加された電圧に応じて液晶分子
    が第１の方向にほぼ配列した第１の配向状態と、液晶分
    子が第２の方向にぼぼ配列した第２の配向状態と、液晶
    分子がその平均的な配列方向を前記第１と第２の配向状
    態の間の任意の方向に向けて配列した中間の配向状態と
    に配向する強誘電性液晶と、前記一方の基板側に配置さ
    れ、前記強誘電性液晶の層の法線方向と実質的に平行な
    方向に光学軸が設定された一方の偏光板と、前記他方の
    基板側に配置され、前記一方の偏光板の光学軸に直交又
    は平行に光学軸が設定された他方の偏光板と、を備えた
    強誘電性液晶表示素子と、 前記アクティブ素子に接続され、表示画像を定義する信
    号を受け、各画素の選択期間に、絶対値が表示階調に対
    応し且つ複数フレームにわたって共通で、極性がフレー
    ム毎に反転する複数の電圧パルスを前記アクティブ素子
    を介して前記画素電極に印加する駆動手段と、 を備えることを特徴とする強誘電性液晶表示装置。
  3. 【請求項３】前記駆動手段は、前記各画素の表示階調を
    表す１つの信号に対応し、絶対値が実質的に等しく、且
    つ、極性が異なる電圧を各フレーム毎に前記画素電極に
    印加することを特徴とする請求項１又は２に記載の強誘
    電性液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記駆動手段は、前記各画素の表示階調を
    表す１つの信号に対応し、絶対値が実質的に等しく、且
    つ、極性が異なる電圧を偶数個のフレームにわたって前
    記画素電極に交互に順次印加することを特徴とする請求
    項１又は２に記載の強誘電性液晶表示装置。
  5. 【請求項５】前記アクティブ素子は電流路の一端が対応
    する画素電極に接続された薄膜トランジスタから構成さ
    れ、 前記駆動手段は、 対応する行の複数の前記薄膜トランジスタのゲートに接
    続されたゲートラインと、 対応する列の複数の前記薄膜トランジスタの電流路の他
    端に接続されたデータラインと、 各選択期間に、対応する行の前記ゲートラインに前記薄
    膜トランジスタをオンさせるゲート電圧を供給する行駆
    動手段と、 各選択期間に、絶対値が前記表示階調に対応し、極性が
    異なる電圧をフレーム毎に前記データラインに印加する
    列駆動手段と、 を備えることを特徴とする請求項２に記載の強誘電性液
    晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記液晶は、前記画素電極と前記対向電極
    間に低周波三角の電圧を印加した際に、明確なしきい値
    を持たない光学応答特性を示す液晶物質から構成される
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載
    の強誘電性液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記液晶は、ＤＨＦ液晶、ＳＢＦ液晶、反
    強誘電性液晶のいずれか１つから構成されることを特徴
    とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の強誘電性
    液晶表示装置。
  8. 【請求項８】画素電極と画素電極に接続された薄膜トラ
    ンジスタがマトリクス状に複数配列された一方の基板
    と、前記画素電極に対向する対向電極が形成された他方
    の基板と、これらの基板の間に配置され、層構造をも
    ち、前記画素電極と対向電極間に印加された電圧に応じ
    て液晶分子が第１の方向にほぼ配列した第１の配向状態
    と、液晶分子が第２の方向にぼぼ配列した第２の配向状
    態と、液晶分子の平均的な配列方向が前記第１の方向と
    第２の方向の間の任意の方向となる中間の配向状態にそ
    れぞれ配向する強誘電性液晶と、前記一方の基板側に配
    置され、前記強誘電性液晶層の法線と実質的に平行な方
    向に光学軸が設定された一方の偏光板と、前記他方の基
    板側に配置され、前記一方の偏光板の光学軸に直交又は
    平行に光学軸が設定された他方の偏光板と、を備えた強
    誘電性液晶表示素子の駆動方法において、 絶対値が表示階調に対応し、１つの表示階調に対してフ
    レーム毎に極性が異なる電圧パルスを前記アクティブ素
    子を介して前記画素電極に印加する、ことを特徴とする
    強誘電性液晶表示素子の駆動方法。
  9. 【請求項９】前記液晶は、前記画素電極と前記対向電極
    間に低周波三角波電圧を印加した際に、明確なしきい値
    を持たない光学応答特性を示す液晶物質から構成される
    ことを特徴とする請求項８に記載の強誘電性液晶表示素
    子の駆動方法。
  10. 【請求項１０】前記液晶は、ＤＨＦ液晶、ＳＢＦ液晶、
    反強誘電性液晶のいずれか１つから構成されることを特
    徴とする請求項８又は９に記載の強誘電性液晶表示素子
    の駆動方法。
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