JPH07334130A - 強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法 - Google Patents

強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法

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JPH07334130A
JPH07334130A JP6152675A JP15267594A JPH07334130A JP H07334130 A JPH07334130 A JP H07334130A JP 6152675 A JP6152675 A JP 6152675A JP 15267594 A JP15267594 A JP 15267594A JP H07334130 A JPH07334130 A JP H07334130A
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voltage
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Tomio Tanaka
富雄 田中
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な構成で階調表示が可能で、表示の焼き
付き現象を起こさない強誘電性液晶表示装置を提供する
ことである。 【構成】 ＤＨＦ液晶１１を用いたＴＦＴ液晶表示素子
において、ＤＨＦ液晶１１は、画素電極３と対向電極７
との間に印加された電圧に応じて液晶分子が第１の方向
にほぼ配列した第１の配向状態と、液晶分子が第２の方
向にぼぼ配列した第２の配向状態と、前記第１と第２の
配向状態の中間の任意の配向状態に配向する。一対の偏
光板１３、１４の一方偏光板の光学軸は前記第１の方向
と第２の方向の実質的に中間の方向に設定され、他方の
偏光板の光学軸は一方の偏光板の光学軸に直交して設定
される。各画素のＤＨＦ液晶１１には、各画素の選択期
間に、電圧の絶対値が表示階調に対応し、極性がフレー
ム毎に変化するパルスを、１つの画像データに対して１
パルス印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は強誘電性液晶（反強誘
電性液晶を含む）を用いた液晶表示素子及びその駆動方
法に関し、特に、階調表示が可能な強誘電性液晶表示装
置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶表示素子は、ネマティック
液晶を用いるＴＮモードの液晶表示素子と比較して、高
速応答や、広い視野角が得られる等の点で注目されてい
る。強誘電性液晶表示素子としては、強誘電性液晶を用
いた強誘電性液晶表示素子と反強誘電性液晶を用いた反
強誘電性液晶表示素子とが知られている。
【０００３】強誘電性液晶表示素子の実用化に関する研
究は、従来、ＳＳ−Ｆ液晶と呼ばれる強誘電性液晶を対
象として行なわれていた。しかし、ＳＳ−Ｆ液晶を用い
る強誘電性液晶表示素子は透過率を段階的に変化させる
ことができず、階調表示を行うことができない。
【０００４】そこで、階調表示の可能な強誘電性液晶表
示素子が研究されており、カイラルスメクティック相の
螺旋ピッチが表示素子の基板間隔より小さい強誘電性液
晶を用いることが提案されている。この種の強誘電性液
晶は、メモリ性を有するものがＳＢＦ液晶と呼ばれ、非
メモリ性のものがＤＨＦ液晶と呼ばれている（「LIQUID
CRYSTALS」, 1989, Vol.5, NO.4, の第1171頁ないし第
1177頁参照）。
【０００５】また、ＤＨＦ液晶を用いる強誘電性液晶表
示素子では、ＤＨＦ液晶が螺旋構造をもった状態で基板
間に封入されている。ＤＨＦ液晶は、液晶層を挟んで対
向する電極間に絶対値が十分大きい値の電圧を印加した
時、印加電圧の極性に応じて、液晶分子のダイレクタが
第１の方向にほぼ配向した第１の配向状態と液晶分子の
ダイレクタが第２の方向にほぼ配向した第２の配向状態
とのいずれかになり、印加電圧の絶対値が前記第１の配
向状態又は第２の配向状態となる電圧より小さい場合、
分子配列の螺旋の歪みにより、液晶分子のダイレクタの
平均的な方向が前記第１と第２の方向の間となる中間の
配向状態になる。
【０００６】ＳＢＦ液晶を用いる強誘電性液晶表示素子
では、ＳＢＦ液晶が螺旋構造をもった状態で基板間に封
入される。ＳＢＦ液晶は、液晶層を挟んで対向する電極
間に絶対値が所定値以上の電圧を印加した時、印加電圧
の極性に応じて、液晶分子の長軸の方向（ダイレクタ）
が第１の方向にほぼ配向した第１の配向状態と液晶分子
のダイレクタが第２の方向にほぼ配向した第２の配向状
態とのいずれかになり、印加電圧の絶対値が前記第１の
配向状態又は第２の配向状態となる電圧より小さい場
合、ダイレクタが第１の方向に配向した液晶分子とダイ
レクタが第２の方向に配向した液晶分子が混在した中間
の配向状態になる。
【０００７】従来、ＤＨＦ液晶或いはＳＢＦ液晶を用い
る液晶表示素子においては、一方の偏光板の光学軸は前
記第１又は第２の方向に平行に設定され、他方の偏光板
の光学軸は一方の偏光板の光学軸に直交するように配置
されている。
【０００８】しかし、このような構成の強誘電性液晶表
示素子では、表示したい階調に対応する電圧を液晶に印
加しても、印加電圧と画素の透過率とが対応せず、実用
レベルの階調表示を実現することはできない。これは、
これらの液晶表示素子の光学特性（印加電圧と透過率の
関係）のヒステリシスが大きく、表示階調に対応する電
圧を液晶に印加しても、それ以前に印加された電圧の影
響で表示階調が一義的に定まらないためである。
【０００９】このヒステリシスの影響を小さくして表示
階調を制御するため、各画素の選択期間に液晶分子を第
１又は第２の方向に一旦配向させる電圧を印加し、その
後、表示階調に対応する電圧を印加して液晶表示素子を
駆動する手法等も提案されている。しかし、このような
駆動方法では、駆動回路が複雑になり、また、各画素の
選択期間が長くなるという問題がある。
【００１０】一方、反強誘電性液晶表示素子は、反強誘
電性液晶が備える配向状態の安定性を利用して画像を表
示するものである。すなわち、反強誘電性液晶は、液晶
分子の配向に３つの安定状態を有し、第１のしきい値以
上の電圧を該液晶に印加したとき、印加電圧の極性に応
じて液晶分子が第１の方向に配列する第１の強誘電相ま
たは第２の方向に配列する第２の強誘電相に配向し、絶
対値が前記第１のしきい値及び第２のしきい値より低い
電圧を印加したとき、液晶分子の平均的な配列方向がス
メクテック相の層の法線とほぼ平行な方向の反強誘電相
に配向する。液晶表示素子の両側に配置する一対の偏光
板の透過軸の方向を反強誘電相の光学軸を基準にして設
定することにより、光の透過率を制御して画像を表示す
ることができる。
【００１１】反強誘電性液晶は、印加電圧が変化して
も、上記第１と第２のしきい値を境とする各範囲で、第
１または第２の強誘電相または反強誘電相に配向した状
態を維持するというメモリ性を有している。従来の反強
誘電性液晶表示素子は、このメモリ性を利用して単純マ
トリクス駆動されている。反強誘電性液晶の配向状態の
メモリ性は、液晶が第１または第２の強誘電相から反強
誘電相に相転移する電圧と、反強誘電相から第１または
第２の強誘電相に相転移する電圧との電圧差によって定
まり、この電圧差が大きいほど、配向状態のメモリ性が
高い。このため、従来の反強誘電性液晶表示素子では、
反強誘電性液晶として、上記電圧差が大きい液晶を用い
ている。しかし、メモリ性の高い反強誘電性液晶を用い
る従来の反強誘電性液晶表示素子では、表示階調の制御
がほとんど不可能で、階調表示を実現することはできな
かった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記実状
に鑑みてなされたもので、簡単な構成で且つ階調表示が
可能な強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子
の駆動方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる強誘電性液晶表示装置は、画素電
極が形成された一方の基板と、前記画素電極に対向する
対向電極が形成された他方の基板と、前記２つの基板間
に配置された強誘電性を持つ液晶と、前記２つの基板を
挟む位置に配置された一対の偏光板と、を有し、前記画
素電極と前記対向電極との間に印加される極性の異なる
電圧の絶対値の変化に対応して実質的に等しい光学的変
化を示す強誘電性液晶表示素子と、表示画像に対応する
信号を受け、この信号に対応する絶対値の電圧からなる
１つの駆動パルスを各フレームに対応する前記信号に応
じて各フレーム毎に極性を反転させて、前記画素電極と
前記対向電極間に印加する駆動手段と、を備えたことを
特徴とする。
【００１４】また、この発明にかかる強誘電性液晶表示
素子の駆動方法は、画素電極が形成された一方の基板
と、前記画素電極に対向する対向電極が形成された他方
の基板と、前記２つの基板間に配置された強誘電性を持
つ液晶と、前記２つの基板を挟む位置に配置された一対
の偏光板と、を有し、前記画素電極と前記対向電極との
間に印加される極性の異なる電圧の絶対値の変化に対応
して実質的に等しい光学的変化を示す強誘電性液晶表示
素子の駆動方法において、表示画像に対応する信号を受
け、この信号に対応する絶対値の電圧からなる１つの駆
動パルスを各フレームに対応する前記信号に応じて各フ
レーム毎に極性を反転させて、前記画素電極と前記対向
電極間に印加することを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成によれば、強誘電性液晶表示素子とし
て、画素電極と対向電極との間に印加される極性が異な
る電圧の絶対値の変化に対応して実質的に等しい光学的
変化を示すもの、例えば、一方の偏光板の光学軸が第１
と第２の方向の中間の方向に設定され、他方の偏光板の
光学軸が一方の偏光板の光学軸に直交又は平行するよう
に配置された強誘電性液晶表示素子を用いている。従っ
て、電圧値の絶対値が表示画像の階調に対応する１つの
駆動パルスを画素電極と対向電極間に印加するだけで明
確な階調表示が可能となる。また、１つの画素の表示階
調は、連続するフレーム間で極端に変化することが少な
いので、フレーム毎に極性が反転する１つの駆動パルス
を液晶に印加することにより、連続するフレーム間で実
質的に正負極性の電圧が相殺され、液晶の電荷の片寄り
をなくし、表示の焼き付き現象を防止できる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。 （第１実施例）まず、第１実施例にかかる強誘電性液晶
表示素子の構成を説明する。図１は強誘電性液晶表示素
子の断面図、図２は強誘電性液晶表示素子の画素電極と
アクティブ素子を形成した透明基板の平面図である。こ
の強誘電性液晶表示素子は、アクティブマトリクス方式
のものであり、一対の透明基板（例えば、ガラス基板）
１、２を有する。図１において下側の透明基板（以下、
下基板）１には、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成され
た画素電極３と画素電極３にソースが接続された薄膜ト
ランジス（以下、ＴＦＴ）４とがマトリクス状に形成さ
れている。
【００１７】図２に示すように、画素電極３の行間にゲ
ートライン（走査ライン）５が配線され、画素電極３の
列間にデータライン（階調信号ライン）６が配線されて
いる。各ＦＴＦ４のゲート電極は対応するゲートライン
５に接続され、ドレイン電極は対応するデータライン６
に接続されている。ゲートライン５は、端部５ａを介し
て行（走査ドライバ）ドライバ２１に接続され、データ
ライン６は端部６ａを介して列ドライバ（信号ドライ
バ）２２に接続される。行ドライバ２１は、後述するゲ
ート電圧を印加して、ゲートライン５をスキャンする。
一方、列ドライバ２２は、表示信号（階調信号）を受
け、データライン６に表示信号に対応するデータ信号を
印加する。
【００１８】図１において、上側の透明基板（以下、上
基板）２には、下基板１の各画素電極３と対向し、基準
電圧Ｖ０が印加されている対向電極７が形成されてい
る。下基板１と上基板２の電極形成面には、それぞれ配
向膜８、９が設けられている。配向膜８、９はポリイミ
ド等の有機高分子化合物からなる水平配向膜であり、そ
の対向面にはラビングによる配向処理が施されている。
【００１９】下基板１と上基板２は、その外周縁部にお
いて枠状のシール材１０を介して接着されている。基板
１、２とシール材１０で囲まれた領域には液晶１１が封
入されている。液晶１１は、カイラルスメクティックＣ
相の螺旋ピッチが両基板１、２の間隔より小さく、か
つ、配向状態のメモリ性を有さない強誘電性液晶であ
る。液晶１１は、螺旋ピッチが、可視光帯域の波長であ
る７００nm〜４００nm以下（例えば、４００nm〜３００
nm）であり、自発分極が大きく、コーンアングルが約２
７度ないし４５゜（望ましくは、２７゜ないし３０゜）
の強誘電性液晶組成物からなる。なお、図１において、
符号１２は両基板１、２の間隔を規制する透明なギャッ
プ材を示し、ギャップ材１２は液晶封入領域内に点在状
態で配置されている。
【００２０】液晶１１は、カイラルスメクティックＣ相
が有する層構造の層の法線を配向膜８、９の配向処理方
向に向けて均一な層構造を形成する。また、その螺旋ピ
ッチが基板間隔より小さいため、螺旋構造をもった状態
で基板１、２間に封入されている。画素電極３と対向電
極７との間に絶対値が十分大きい電圧を印加したとき、
液晶１１は印加電圧の極性に応じて、液晶分子の平均的
なダイレクタが第１の方向に配向する第１の配向状態と
液晶分子の平均的なダイレクタが第２の方向に配向する
第２の配向状態のいずれかの状態に設定される。また、
絶対値が液晶分子を第１又は第２の配向状態に配向させ
る電圧より低い電圧を画素電極３と対向電極７間に印加
したとき、液晶１１の分子配列の螺旋が歪み、液晶１１
の平均的なダイレクタが第１の方向と第２の方向の間の
方向に配向する中間配向状態となる。
【００２１】液晶表示素子の上下には、一対の偏光板１
３、１４が配置されている。偏光板１３、１４の透過軸
と液晶１１の液晶分子の配向方向との関係を図３を参照
して説明する。図３において、符号１１Ａ、１１Ｂは、
液晶１１の第１と第２の配向状態における液晶分子の配
向方向（平均的なダイレクタの方向）を示し、符号１３
Ａ、１４Ａは図１において下側の偏光板１３、上側の偏
光板１４の透過軸の方向を示す。
【００２２】一方の極性でかつ絶対値が十分大きい電圧
を液晶１１に印加した時、液晶１１は、第１の配向状態
となり、液晶分子の平均的なデイレクタは一点鎖線で示
す第１の配向方向１１Ａに配向する。他方の極性でかつ
絶対値が十分大きい電圧を液晶１１に印加したとき、液
晶１１は第２の配向状態となり、液晶分子の平均的なダ
イレクタは２点鎖線で示す第２の配向方向１１Ｂに配向
する。一方、印加電圧が０のとき、液晶分子の平均的な
ダイレクタは液晶のスメクティック相の層の法線方向、
即ち、第１と第２の配向方向１１Ａと１１Ｂの中間の方
向１１Ｃとなる。
【００２３】第１の配向方向１１Ａと第２の配向方向１
１Ｂとのずれ角θは、液晶１１の種類によって異なる
が、２５゜〜４５゜に選定され、望ましくは２７゜〜４
５゜である。偏光板１３、１４のうち、一方の偏光板、
例えば、上偏光板１４の透過軸１４Ａは、液晶１１のス
メクティック相の層の法線方向とほぼ平行に設定されて
いる。下偏光板１３の透過軸１３Ａは、上偏光板１４の
透過軸１４Ａとほぼ直交している。
【００２４】図３に示すように偏光板１３、１４の透過
軸を設定した強誘電性液晶表示素子は、液晶分子を第１
又は第２の配向方向１１Ａ、１１Ｂに配向させた第１又
は第２の配向状態の時に透過率が最も高く（表示が最も
明るく）なり、液晶分子を前記スメクティック相の層の
法線方向とほぼ平行な中間方向１１Ｃに配向させた時に
透過率が最も低く（表示が最も暗く）なる。より詳細に
説明すると、液晶分子のダイレクタが第１又は第２の配
向方向１１Ａ、１１Ｂを向いた状態では、入射側偏光板
（ポーラライザ）を通過した直線偏光は液晶１１の偏光
作用により非直線偏光となる。そして、液晶層を通過し
た光のうち出射側偏光板（アナライザ）の透過軸と平行
な成分がアナライザを透過して出射し、表示は明るくな
る。一方、液晶分子のダイレクタが中間方向１１Ｃを向
いた状態では、入射側偏光板を通った直線偏光は液晶１
１の偏光作用をほとんど受けず、直線偏光のまま液晶層
を通過する。このため、液晶層を通過した光のほとんど
が出射側偏光板で吸収され、表示が暗くなる。
【００２５】液晶１１のダイレクタの平均的な方向は、
印加電圧の極性と電圧値（絶対値）に応じて、配向方向
１１Ａと１１Ｂの間で連続的に変化する。このため、こ
の強誘電性液晶表示素子の透過率は連続的に変化可能で
ある。
【００２６】次に、液晶１１の特性について説明する。
偏光板１３、１４を図３に示すように配置した場合にお
いては、液晶１１（電極３と７間）に電圧を印加しない
時の透過率が最も低くなり、印加電圧の絶対値が大きく
なるに従って、透過率が上昇する。この実施例において
は、図４（Ａ）に示すように、周期が比較的長い（０．
１Ｈｚ程度）の三角波の電圧を印加した時にその光学応
答特性が図４（Ａ）に示すように、連続的に滑らかに変
化し、液晶に印加される極性が異なる電圧の絶対値の変
化に対応して実質的に等しい光学的変化を示す強誘電性
液晶を使用する。換言すれば、その光学応答特性が滑ら
かで、印加電圧が０の位置の縦軸を基準として線対称と
なる光学特性を有するものを使用する。また、光学応答
特性のヒステリシスは小さい方が望ましい。
【００２７】また、図４（Ｂ）に示すように、光学応答
特性に明確な閾値、即ち、わずかな電圧の変化で透過率
が急激に変化する特性の強誘電性液晶は望ましくない。
【００２８】次に、上記構成の強誘電性液晶表示素子の
駆動方法を図５（Ａ）と（Ｂ）を参照して説明する。図
５（Ａ）は、行ドライバ２１が第１行のＴＦＴ４に接続
されたゲートライン５に印加するゲートパルスの波形を
示し、図５（Ｂ）は、列ドライバ２２がデータライン６
に印加するデータ信号の波形を示す。なお、理解を容易
にするため、第１行の画素用のデータ信号のみ示し、他
の行用のデータ信号は図示しない。
【００２９】図５（Ａ）、（Ｂ）において、ＴＦは１フ
レーム期間、ＴＳは第１行の画素の選択期間、ＴＯは非
選択期間を示す。各選択期間ＴＳは、例えば、約４５μ
秒である。この実施例においては、図５（Ｂ）に示すよ
うに、各フレームの選択期間に、電圧の絶対値が表示階
調に対応する電圧値ＶＤを有する駆動パルス（書き込み
パルス）をデータライン６に印加する。即ち、１つの表
示データ（表示信号）について、電圧値がＶＤ又は−Ｖ
Ｄで、極性が正又は負の１つの駆動パルスを対応する画
素にその画素の選択期間ＴＳに印加する。
【００３０】例えば、第１行第１列の画素のフレーム毎
の表示階調をＩ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・と仮定すると、こ
の実施例では、図５（Ｂ）に示すように、駆動パルスの
電圧を＋ＶＤ１、−ＶＤ２、＋ＶＤ３、・・・と変化させ
る。ここで、電圧ＶＤ１、ＶＤ２、ＶＤ３、・・・が表示
階調Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・に対応する電圧値である。
（駆動パルスの電圧を−ＶＤ１、＋ＶＤ２、−ＶＤ３、
・・・と変化させてもよい）。
【００３１】駆動パルスの極性及び電圧値は、データ信
号の基準電圧Ｖ０に対する極性と電圧である。基準電圧
Ｖ０は対向電極７に印加する電圧と同一である。この駆
動方法では、書き込み電圧ＶＤの最小値をＶ０とし、最
大値Ｖmaxを透過率の飽和が起こる電圧（図４（Ａ）で
は、Ｖsat）よりも若干低い値として、Ｖ０乃至Ｖmaxの
範囲で書き込み電圧ＶＤを制御する。
【００３２】上記のような波形のゲート信号とデータ信
号とを用いて上記強誘電性液晶表示素子を駆動すると、
各行の選択期間ＴＳに、駆動パルスの電圧（書き込み電
圧）ＶＤがゲートパルスによりオンしているＴＦＴ４を
介して画素電極３に印加される。ゲートパルスがオフ
し、非選択期間ＴＯになると、ＴＦＴ４がオフ状態にな
り、書き込み電圧ＶＤに応じた電圧が画素電極３と対向
電極７とその間の液晶１１とで形成される容量（画素容
量）に保持される。このため、非選択期間ＴＯの間、そ
の画素の透過率が、画素容量の保持電圧に対応する値、
即ち、書き込み電圧ＶＤに対応した値に維持される。
【００３３】この実施例では、液晶１１として印加電圧
の変化に対する透過率が連続的に変化するものを使用
し、しかも、図３に示す光学配置を採用しているので、
書き込み電圧ＶＤの絶対値に対する透過率がほぼ一義的
に定まり、書き込み電圧ＶＤの絶対値により透過率を制
御して、明確な階調表示を実現できる。また、フレーム
毎に印加電圧の極性を反転しているが、液晶に印加され
る極性が異なる電圧の絶対値の変化に対応して実質的に
等しい光学的変化を示す強誘電性液晶を使用しているの
で、極性を反転しても所望の階調表示が可能である。ま
た、画素単位で考えた場合、連続するフレーム間で表示
画像が極端に変化することがなく、ＶＤ１とＶＤ２の絶
対値はほぼ等しい。従って、フレーム毎に極性を反転す
ることにより、複数フレーム間で印加電圧が相殺され、
電荷の片寄りをなくなり、表示の焼き付き現象を防止で
きる。
【００３４】具体例１ 図６は液晶としてＩ−ＳA転移温度が６２．５℃、ＳA−
ＳC*転移温度が６１．２℃で、且つ、らせんピッチが
０．１５μｍのＤＨＦ液晶を使用し、配向処理方向及び
偏光板の透過軸の方向を図３に示したように設定し、各
選択期間を６０μＳとし、図５（Ｂ）に示すように駆動
パルスをフレーム毎に異なった極性とし、駆動パルスの
電圧ＶＤの絶対値を０Ｖ〜１０Ｖまで０．５Ｖ単位で変
化させた場合の印加電圧と透過率の関係を示す。このグ
ラフから明らかなように、この駆動方法によれば、駆動
パルスの電圧値の絶対値を変化させることにより、透過
率が連続的に変化し、さらに、駆動パルスの電圧値の絶
対値に応じて表示階調がほぼ一義的に定まり、階調表示
が可能になる。
【００３５】なお、液晶１１（電極３と７の間）に逆極
性で絶対値が同一の電圧を印加した場合、その透過率は
若干異なり、完全に同一とはならない。しかし、極性が
異なる電圧の印加に対して実質的に等しい光学的変化を
示す強誘電性液晶を使用しているので、実用レベルでの
問題は発生しない。
【００３６】（第２実施例）第１実施例では、強誘電性
液晶１１としてＤＨＦ液晶を用いたが、液晶１１として
ＳＢＦ液晶を使用してもよい。ＳＢＦ液晶は、カイラル
スメクティック相の螺旋ピッチが両基板１、２の間隔よ
り小さく、かつ、双安定性を有する強誘電性液晶であ
る。ＳＢＦ液晶は、螺旋ピッチが、可視光帯域の波長で
ある７００nm〜４００nm以下（例えば、４００nm〜３０
０nm）であり、自発分極が大きく、コーンアングルが大
きい（例えば、約２７度ないし４５゜（望ましくは、２
７゜ないし３０゜））の強誘電性液晶組成物からなる。
【００３７】ＳＢＦ液晶１１は、その螺旋ピッチが基板
間隔より小さいため、螺旋構造をもった状態で基板１、
２間に封入されている。ＳＢＦ液晶を使用する場合の偏
光板１３、１４の透過軸とＳＢＦ液晶１１の液晶分子の
配向方向との関係は第１実施例のそれと同一である。即
ち、一方の極性でかつ絶対値が十分大きな値の電圧を印
加した時、ＳＢＦ液晶１１は、第１の安定状態となり、
液晶分子のダイレクタは図３（Ｂ）に実線で示す第１の
配向方向１１Ａに配向する。他方の極性でかつ絶対値が
十分大きな値の電圧を印加したとき、ＳＢＦ液晶１１は
第２の安定状態となり、液晶分子は図３（Ｂ）に破線で
示す第２の配向方向に配向する。第１の配向方向１１Ａ
と第２の配向方向１１Ｂとのずれ角θは、ＳＢＦ液晶１
１の種類によって異なるが、２５゜〜４５゜に選定さ
れ、望ましくは２７゜〜４５゜である。
【００３８】一方の偏光板、例えば、上偏光板１４の透
過軸１４Ａは、図３に示すように配向方向１１Ａ、１１
Ｂの中間方向１１Ｃとほぼ平行になっている。また、下
偏光板１３の透過軸１３Ａは、上偏光板１４の透過軸１
４Ａとほぼ直交している。図３に示すように偏光板１
３、１４の透過軸１３Ａ、１４Ａを設定した液晶表示素
子は、第１実施例と同様に、液晶分子を第１の配向方向
１１Ａ又は第２の配向方向１１Ｂに配向させた時に透過
率が最も高くなり、液晶分子を中間方向方向１１Ｃに配
向させた時に透過率が最も低くなる。
【００３９】なお、この実施例の強誘電性液晶表示素子
のその他の構成は、第１実施例の構成と同一である。
【００４０】第２実施例の構成においても、フレーム毎
に極性が反転し、電圧の絶対値が映像信号（表示階調）
に対応する書き込み電圧ＶＤを印加して液晶表示素子を
駆動することにより、任意の階調の画像を表示できる。
【００４１】（第３実施例）第１、第２実施例では、液
晶１１として強誘電性液晶であるＤＨＦ液晶とＳＢＦ液
晶を使用したが、反強誘電性液晶（以下、ＡＦＬＣ）を
使用してもよい。ＡＦＬＣは、その螺旋ピッチが基板間
隔より大きいため、螺旋構造を消失した状態で基板１、
２間に封入されている。一方の極性でかつあるしきい値
電圧（ＯＮしきい値電圧）以上の電圧が印加されたと
き、液晶分子の平均的なダイレクタは第１の方向１１Ａ
に配向し、極性が逆でかつ絶対値が前記ＯＮしきい値電
圧以上の電圧を印加した時に、平均的なダイレクタは二
点鎖線で示した第２の方向１１Ｂに配向し、前記ＯＮし
きい値電圧より低い他のしきい値電圧（ＯＦＦしきい値
電圧）以下の電圧を印加した時に、平均的なダイレクタ
が第３の方向１１Ｃに向くように配向する。また、ＯＮ
しきい値電圧とＯＦＦしきい値電圧の間の電圧を印加し
た時、平均的なダイレクタが第１の方向１１Ａと第３の
方向１１Ｃの間、又は、第２の方向１１Ｂと第３の方向
１１Ｃの間となるように配向し、光学的中間状態とな
る。
【００４２】一対の偏光板１３、１４の透過軸は、第１
実施例と同様に、図３に示すように配置される。
【００４３】この実施例では、例えば、次の３つのタイ
プの反強誘電性液晶を使用できる。 （１） 印加電圧が０Ｖ近傍の非常に狭い範囲でのみ反
強誘電相を示し、光学応答の特性カーブが急峻であり、
反強誘電相を示す領域に平坦な領域がほとんど存在しな
い液晶。図７はこの種の反強誘電性液晶の光学応答特性
の一例を示す。この光学応答特性は一対の偏光板を図３
に示すように配置し、０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三
角波電圧を印加して得られたものである。この反強誘電
性液晶は、±０．５Ｖ程度の非常に狭い印加電圧領域に
おいてのみ、反強誘電相を示す特性を有し、特性カーブ
が急峻であり、反強誘電相を示す領域に平坦な領域がほ
とんど存在しない。この種の反強誘電性液晶は、反強誘
電−強誘電相転移前駆現象を呈する印加電圧の範囲が広
いため、印加電圧に応じて無数の中間的光学状態を有
し、その光学応答特性に明確な閾値が存在せず、この発
明の駆動方法に適している。
【００４４】（２） 印加電圧０Ｖでは、平均的分子長
軸方向が層の法線方向に揃わず、印加電圧０Ｖ以外の２
つの電圧値で平均的分子長軸方向が、層の法線方向に揃
い、透過率が最小となる反強誘電性液晶。図８はこの種
の反強誘電性液晶の光学応答特性の一例を示す。この光
学応答特性も一対の偏光板を図３に示すように配置し、
０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三角波電圧を印加して得
られたものである。この特性を有する辺強誘電性液晶
は、印加電圧０Ｖでは、平均的分子長軸方向が層法線方
向に揃わず、印加電圧０Ｖ以外の２つの電圧値で平均的
分子長軸方向が、層法線方向に揃い、透過率が最小とな
る。即ち、暗状態になる電圧領域が２つに分離してお
り、印加電圧が０Ｖ付近に平坦な部分が存在しない。こ
の種の反強誘電性液晶は、反強誘電−強誘電相転移前駆
現象を呈する印加電圧の範囲が広いため、印加電圧に応
じて無数の中間的光学状態を有し、その光学応答特性に
明確な閾値が存在せず、この発明の駆動方法に適してい
る。
【００４５】第１及び第２の反強誘電性液晶は、コーン
アングルが３０゜から４５゜（望ましくは、３５゜以
上）と大きく、自発分極が約２００以上と大きく、さら
に、相シーケンスがＩ、ＳｍＡ（スメクティックＡ
相）、ＡＳｍＣ*（アンチ（反）スメクティックＣ*相）
と相転移する液晶である。
【００４６】（３） 光学応答特性のヒステリシスの幅
が非常に小さい反強誘電性液晶 図９はこの種の反強誘電性液晶の光学応答特性の一例を
示す。この光学応答特性も一対の偏光板を図３に示すよ
うに配置し、０．１Ｈｚ程度の十分低周波の三角波電圧
をこの反強誘電性液晶に印加して得られたものである。
この特性を有する反強誘電性液晶は、光学応答特性のヒ
ステリシスの幅が０．５Ｖ以下と、非常に狭い。この種
の反強誘電性液晶も、この発明の駆動方法に適してい
る。
【００４７】なお、第３実施例における液晶表示素子の
その他の構成は第１及び第２実施例と同一である。
【００４８】第２実施例の構成においても、フレーム毎
に極性が反転し、電圧の絶対値が映像信号（表示階調）
に対応する書き込み電圧ＶＤを印加して液晶表示素子を
駆動することにより、任意の階調の画像を表示できる。
【００４９】具体例２ 図１０は配向処理方向及び偏光板の透過軸の方向を図３
に示したように設定し、各選択期間を６０μＳとし、図
５（Ｂ）に示すようにフレーム毎に書き込み電圧の極性
を反転し、書き込み電圧の絶対値を０Ｖ〜１０Ｖまで
０．５Ｖ単位で上昇させ、その後、低下させた場合の印
加電圧と透過率の関係を示す。このグラフから明らかな
ように、この駆動方法によれば、書き込み電圧を変化さ
せることにより、透過率が連続的に変化し、さらに、書
き込み電圧に応じて表示階調が一義的に定まり、階調表
示が可能になる。
【００５０】（第４実施例）次に、第１実施例にかかる
駆動方法を用いてテレビ映像等の動画を表示する液晶表
示素子の駆動回路について説明する。図１１はこの実施
例の液晶表示装置の構成を示す。
【００５１】外部より供給される通常のＮＴＳＣコンポ
ジット信号はＡ／Ｄ変換器５１により、ディジタル信号
に変換され、分離回路５３に供給される。分離回路５３
は供給されたディジタル信号から同期信号、輝度信号、
色相信号を分離する。分離された同期信号は、クロック
回路６５と書き込み制御回路６７に供給される。また、
輝度信号と色相信号は復調／変換回路５５に供給され
る。
【００５２】復調／変換回路５５は輝度信号と色相信号
から、ＲＧＢそれぞれの輝度信号を生成し、フレームメ
モリ５７の第１のポートに供給する。フレームメモリ５
７は、１画面（１フレーム）分の記憶容量を有するデュ
アルポートメモリから構成され、第１のポートに供給さ
れたＲＧＢ輝度信号を順次格納する。Ｄ／Ａ変換器５９
は、フレームメモリ５７の第２ポートから出力されたＲ
ＧＢ輝度信号を対応するアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、
＋Ｂに変換する。この際、反転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−
Ｂも出力する。セレクタ６１はＤ／Ａ変換器５９から供
給されるＲＧＢアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、＋Ｂと反
転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−Ｂを選択して液晶表示モジュ
ールに６３に供給する。
【００５３】液晶表示モジュール６３は、図１〜図３に
示す構成を有する。但し、この実施例では、液晶表示素
子は、カラー画像を表示するもので、図１、図２の各画
素電極３の上にはＲ、Ｇ、又はＢのカラーフィルタが配
置されている。
【００５４】クロック回路６５は、Ａ／Ｄ変換器５１、
分離回路５３、復調／変換回路５５の動作を制御するた
めのクロック信号を生成し、これらに供給する。書き込
み制御回路６７は、分離回路５３からの同期信号に応答
し、フレームメモリ５７に書き込み制御信号を供給す
る。読み出し制御回路６９は、フレームメモリ５７に読
み出し制御信号を供給してフレームメモリ５７の記憶デ
ータを第２ポートに読み出し、Ｄ／Ａ変換器５９に変換
タイミング信号を供給してフレームメモリ５７から読み
出されたＲＧＢディジタル映像信号をＲＧＢアナログ映
像信号に変換し、セレクタ６１に選択制御信号を供給
し、液晶表示モジュール６３の行ドライバと列ドライバ
２２にタイミング制御信号を供給する。
【００５５】この実施例においては、ＮＴＳＣ映像信号
のフレーム周波数を６０Ｈｚとし、液晶表示モジュール
６３の表示画像のフレーム周波数を３０Ｈｚとし、フレ
ームメモリ５７を用いて映像信号のフレーム周波数の変
換も行う。
【００５６】次に、上記構成の表示装置の動作を図１２
のタイミングチャートを参照して説明する。Ａ／Ｄ変換
器５１には、図１２（Ａ）に示すＮＴＳＣコンポジット
信号が順次供給される。Ａ／Ｄ変換器５１は、クロック
回路６５から供給される変換タイミング信号に従って、
このＮＴＳＣコンポジット信号を順次ディジタル信号に
変換し、分離回路５３に供給する。分離回路５３は、ク
ロック回路６５から供給されるタイミング信号に従っ
て、Ａ／Ｄ変換器５１から供給されるディジタル信号か
ら同期信号、輝度信号、色相信号を分離する。
【００５７】復調／変換回路５５は輝度信号と色相信号
から、ディジタルのＲ輝度信号、Ｇ輝度信号、Ｂ輝度信
号を生成し、フレームメモリ５７に供給する。書き込み
制御回路６７は、分離回路５３から供給される同期信号
に従って、図１２（Ｂ）に示すように、連続する２つの
フレームの第１のフレームで書き込みイネーブル信号を
オン（アクティブ）とし、第２のフレームで書き込みイ
ネーブル信号をオフ（アンアクティブ）とする。
【００５８】このため、フレームメモリ５７は、書き込
み制御回路６７からの書き込み制御信号に従って、供給
されたＲ、Ｇ、Ｂ輝度信号を、１フレーム毎に順次格納
する。従って、フレームメモリ５７は、例えば、図１２
の場合には、第Ｎフレーム、Ｎ＋２フレーム・・・のＲＧ
Ｂ輝度信号を順次格納する。
【００５９】フレームメモリ５７は、読み出し制御回路
６９からの図１２（Ｃ）に示す読み出しイネーブル信号
を含む制御信号に従って、記憶しているＲＧＢ輝度信号
を順次読み出し、Ｄ／Ａ変換器５９に供給する。図１２
の例では、読み出し周波数は書き込み周波数の１／２で
ある。この処理により、ＮＴＳＣコンポジット信号のフ
レーム周波数が液晶表示モジュール６３の表示画像のフ
レーム周波数に変換される。Ｄ／Ａ変換器５９は、フレ
ームメモリ５７から読み出されたディジタルのＲＧＢ輝
度信号を対応するＲＧＢアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、
＋Ｂとその反転輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−Ｂに変換して出
力する。
【００６０】セレクタ６１はＤ／Ａ変換器５９から供給
されるＲＧＢアナログ輝度信号＋Ｒ、＋Ｇ、＋Ｂと反転
輝度信号−Ｒ、−Ｇ、−Ｂを、図１２（Ｄ）に示す選択
切換信号に従って選択して液晶表示モジュール６３に供
給する。即ち、セレクタ６１は、正極性のＲＧＢアナロ
グ輝度信号と負極性のアナログ輝度信号を表示画像のフ
レーム毎に交互に選択して出力する。
【００６１】列ドライバ２２は、セレクタ６１から供給
されるＲＧＢアナログ輝度信号又はその反転信号を順次
サンプリングし、対応する駆動パルスを各データライン
６に印加する。一方、行ドライバ２１は、ゲートライン
５にゲートパルスを順次印加してゲートライン５を走査
する。このため、ゲートパルスが印加されたゲートライ
ン５に接続されたＴＦＴ４がオンし、対応する画素電極
３に駆動パルスが印加される。その行の選択期間ＴＳが
終了し、非選択期間ＴＯになると、ゲートパルスがオフ
し、ＴＦＴ４もオフし、駆動パルスの電圧が画素容量に
保持され、保持された電圧に対応する階調で各画素が表
示される。
【００６２】このような構成によれば、ＮＴＳＣコンポ
ジット信号の２フレームの内の１フレームがフレームメ
モリ５７に記憶され、フレームメモリ５７に記憶された
ＲＧＢ輝度信号の各データに対応して１つの駆動パルス
が対応する画素に印加される。そして、液晶表示モジュ
ールの表示画像のフレーム毎にアナログ輝度信号の極性
が反転される。従って、第１〜第３実施例において説明
したように、連続する２つのフレームにおいて、表示階
調に応じた絶対値を有し、異なった極性の駆動パルスが
順次各画素（画素電極３）に印加され、任意の階調画像
が表示される。なお、ＮＴＳＣ方式のテレビ画像を表示
する構成を例示したが、他の構成を使用してもよく、ま
た、他の画像を表示してもよい。
【００６３】また、第４実施例では、ＮＴＳＣ映像信号
の２フレーム期間と液晶表示モジュール６３の表示画像
の１フレーム期間を同一としたが、これらの期間は任意
に設定できる。
【００６４】図１１の構成では、Ｄ／Ａ変換器５９の後
段にセレクタ６１を配置してＤ／Ａ変換器５９の出力す
る正負２つの極性のアナログ輝度信号の一方を選択した
が、読み出し制御回路６９の制御により、Ｄ／Ａ変換器
５９に、その時点で必要な極性のアナログ輝度信号のみ
を出力させ、その信号を列ドライバ２２に供給するよう
にしてもよい。
【００６５】図３では、第１の方向１１Ａと第２の方向
１１Ｂの中間の方向１１Ｃに一方の偏光板１４の透過軸
１４Ａを一致させ、他方の偏光板１３の透過軸１３Ａを
透過軸１４Ａに直交させるようにしたが、他方の偏光板
１３の透過軸１３Ａを透過軸１４Ａに平行にしてもよ
い。また、第１の方向１１Ａと第２の方向１１Ｂの中間
の方向１１Ｃに一方の偏光板１４の吸収軸を一致させ、
他方の偏光板１３の吸収軸を一方の偏光板１４の吸収軸
に直交させるようにしてもよい。この場合、印加電圧が
０（又はほぼ０）の時に液晶表示素子の透過率が最大と
なり、印加電圧の絶対値が大きくなるに従って透過率が
低下する。しかし、この場合も、絶対値が等しければ、
その極性によらず透過率が等しくなり、この発明の駆動
方法が適用できる。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、各１フレーム中に表示画像に対応する１つの駆動パ
ルスを各画素に印加することにより階調表示が可能とな
るので、駆動方法がきわめて単純になり、また、駆動回
路の構成も単純になる。また、フレーム毎に駆動パルス
の極性を反転しているので、液晶に印加される電荷の片
寄りをなくし、表示の焼き付き現象等を防止できる。さ
らに、各フレームの各選択期間に、各画素に１つの駆動
パルスを印加するようにしたので、各選択期間を短くす
ることができ、表示のフリッカ（ちらつき）を防止し
て、表示品質の高い液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例にかかる液晶表示素子の
構造を示す断面図である。
【図２】図１に示す液晶表示素子の下基板の構成を示す
平面図である。
【図３】上下偏光板の透過軸の方向と液晶分子の配方方
向を示す平面図である。
【図４】印加電圧と透過率の関係を示すグラフであり、
（Ａ）は第１実施例で使用することが望ましいＤＨＦ液
晶を使用した例、（Ｂ）は第１実施例で使用することが
望ましくないＤＨＦ液晶を使用した例である。
【図５】この発明の第１実施例にかかる強誘電性液晶表
示素子の駆動方法を説明するための波形図であり、
（Ａ）はこの発明の第１実施例にかかかる強誘電性液晶
表示素子の駆動方法によりゲートラインに供給されるゲ
ート信号の波形を示す図である。（Ｂ）は第１実施例に
かかかる強誘電性液晶表示素子の駆動方法によりデータ
ラインに供給されるデータ信号の波形を示す図である。
【図６】この発明の第１実施例のＤＨＦ液晶表示素子の
具体例における印加電圧と透過率の関係を示すグラフで
ある。
【図７】この発明の第３実施例で使用可能な反強誘電性
液晶を説明するための光学応答特性を示すグラフであ
る。
【図８】この発明の第３実施例で使用可能な反強誘電性
液晶を説明するための光学応答特性を示すグラフであ
る。
【図９】この発明の第３実施例で使用可能な反強誘電性
液晶を説明するための光学応答特性を示すグラフであ
る。
【図１０】この発明の第３実施例の反強誘電性液晶表示
素子の具体例における印加電圧と透過率の関係を示すグ
ラフである。
【図１１】この発明の第４実施例にかかる強誘電性液晶
表示素子の駆動回路のブロック図である。
【図１２】図１１に示す回路の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
【符号の説明】
１・・・透明基板、２・・・透明基板、３・・・画素電極、４・・・
ＴＦＴ、５・・・ゲートライン、６・・・データライン、７・・
・対向電極、８・・・配向膜、９・・・配向膜、１０・・・シール
材、１１・・・液晶、１２・・・シール材、１３・・・偏光板、
１４・・・偏光板、２１・・・行ドライバ、２２・・・列ドライ
バ、４１・・・第１のサンプル・ホールド回路、４２・・・第
２のサンプル・ホールド回路、４３・・・反転回路、４４・
・・加算器、４５・・・セレクタ、４６・・・タイミング回路、
４７・・・電圧発生回路、５１・・・Ａ／Ｄ変換器、５３・・・
分離回路、５５・・・復調／変換回路、５７・・・フレームメ
モリ、５９・・・Ｄ／Ａ変換器、６１・・・セレクタ、６３・・
・液晶表示モジュール、６５・・・クロック回路、６７・・・
書き込み制御回路、６９・・・読み出し制御回路

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】画素電極が形成された一方の基板と、前記
    画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基板
    と、前記２つの基板間に配置された強誘電性を持つ液晶
    と、 前記２つの基板を挟む位置に配置された一対の偏光板
    と、を有し、前記画素電極と前記対向電極との間に印加
    される極性の異なる電圧の絶対値の変化に対応して実質
    的に等しい光学的変化を示す強誘電性液晶表示素子と、 表示画像に対応する信号を受け、この信号に対応する絶
    対値の電圧からなる１つの駆動パルスを、各フレームに
    対応する前記信号に応じて、フレーム毎に極性を反転さ
    せて、前記画素電極と前記対向電極間に印加する駆動手
    段と、を備えることを特徴とする強誘電性液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】前記強誘電性液晶は、層構造をもち、前記
    画素電極と前記対向電極間に印加された電圧に応じて液
    晶分子が第１の方向にほぼ配列した第１の配向状態と、
    液晶分子が第２の方向にぼぼ配列した第２の配向状態
    と、液晶分子がその平均的な配列方向を前記第１と第２
    の配向状態の間の任意の方向に向けて配列した中間の配
    向状態とに配向し、 前記一方の偏光板の光学軸は、前記強誘電性液晶の層の
    法線方向と実質的に平行な方向に配置され、他方の偏光
    板の光学軸は前記一方の偏光板の光学軸に直交又は平行
    に設定されている、ことを特徴とする請求項１に記載の
    強誘電性液晶表示装置。
  3. 【請求項３】前記強誘電性液晶表示素子は、前記画素電
    極に接続されたアクティブ素子を備えるアクティブマト
    リクス型であることを特徴とする請求項１又は２に記載
    の強誘電性液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記液晶は、ＤＨＦ液晶、ＳＢＦ液晶、反
    強誘電性液晶のいずれか１つから構成されることを特徴
    とする請求項１、２又は３に記載の強誘電性液晶表示装
    置。
  5. 【請求項５】画素電極と該画素電極に接続されたアクテ
    ィブ素子がマトリクス状に配列された一方の基板と、前
    記画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基板
    と、前記基板間に配置され、層構造をもち、前記画素電
    極と前記対向電極間に印加された電圧に応じて液晶分子
    が第１の方向にほぼ配列した第１の配向状態と、液晶分
    子が第２の方向にぼぼ配列した第２の配向状態と、液晶
    分子がその平均的な配列方向を前記第１と第２の配向状
    態の間の任意の方向に向けて配列した中間の配向状態と
    に配向する強誘電性液晶と、前記一方の基板側に配置さ
    れ、前記強誘電性液晶の層の法線方向と実質的に平行な
    方向に光学軸が設定された一方の偏光板と、前記他方の
    基板側に配置され、前記一方の偏光板の光学軸に直交又
    は平行に光学軸が設定された他方の偏光板と、を備えた
    強誘電性液晶表示素子と、 表示画像に対応する信号を受け、この信号に対応する絶
    対値を有する電圧からなる１つの駆動パルスを、フレー
    ム毎に極性を反転させて、前記画素電極と前記対向電極
    間に印加する駆動手段と、 を備えることを特徴とする強誘電性液晶表示装置。
  6. 【請求項６】画素電極が形成された一方の基板と、前記
    画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基板
    と、前記２つの基板間に配置された強誘電性を持つ液晶
    と、前記２つの基板を挟む位置に配置された一対の偏光
    板と、を有し、前記画素電極と前記対向電極との間に印
    加される極性の異なる電圧の絶対値の変化に対応して実
    質的に等しい光学的変化を示す強誘電性液晶表示素子の
    駆動方法において、 表示画像に対応する信号をフレーム毎に受け、この信号
    に対応する絶対値を有する電圧からなる１つの駆動パル
    スを、フレーム毎に極性を反転させて、前記画素電極と
    前記対向電極間に印加することを特徴とする強誘電性液
    晶表示素子の駆動方法。
  7. 【請求項７】画素電極と該画素電極に接続されたアクテ
    ィブ素子がマトリクス状に配列された一方の基板と、前
    記画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基板
    と、前記基板間に配置され、層構造をもち、前記画素電
    極と前記対向電極間に印加された電圧に応じて液晶分子
    が第１の方向にほぼ配列した第１の配向状態と、液晶分
    子が第２の方向にぼぼ配列した第２の配向状態と、液晶
    分子がその平均的な配列方向を前記第１と第２の配向状
    態の間の任意の方向に向けて配列した中間の配向状態と
    に配向する強誘電性液晶と、前記一方の基板側に配置さ
    れ、前記強誘電性液晶の層の法線方向と実質的に平行な
    方向に光学軸が設定された一方の偏光板と、前記他方の
    基板側に配置され、前記一方の偏光板の光学軸に直交又
    は平行に光学軸が設定された他方の偏光板と、を備えた
    強誘電性液晶表示素子の駆動方法において、 絶対値が表示階調に対応し、１つの表示階調に対して１
    つの電圧パルスを前記アクティブ素子を介して前記画素
    電極に印加し、フレーム毎に電圧パルスの極性を反転す
    る、ことを特徴とする強誘電性液晶表示素子の駆動方
    法。
JP6152675A 1994-06-10 1994-06-10 強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法 Pending JPH07334130A (ja)

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