JPH07334986A - Memory control method - Google Patents

Memory control method

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Publication number
JPH07334986A
JPH07334986A JP6127391A JP12739194A JPH07334986A JP H07334986 A JPH07334986 A JP H07334986A JP 6127391 A JP6127391 A JP 6127391A JP 12739194 A JP12739194 A JP 12739194A JP H07334986 A JPH07334986 A JP H07334986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
refresh
memory module
refresh operation
module
Prior art date
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Pending
Application number
JP6127391A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Hisada
義明 久田
Masaaki Yamamoto
昌明 山本
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Hitachi Ltd
Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi West Service Engineering Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH07334986A publication Critical patent/JPH07334986A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リフレッシュによるメモリアクセスのオーバ
ーヘッドを低減することができるメモリ制御方法を提供
すること。 【構成】 メモリ制御装置及びリフレッシュの必要な複
数のメモリモジュール3a/3b等からなるメモリを持
つシステムにおいて、各メモリモジュールに対して、該
モジュールのリフレッシュの規定時間を監視するリフレ
ッシュカウンタ4及び該リフレッシュ動作の終了を格納
するフラグ6a/6b等とを設け、例えばモジュール3
aがアクセス実行中に、リフレッシュ動作終了フラグが
オフである他のモジュール3b/3c等に対しリフレッ
シュ動作を行い、該動作が終了したリフレッシュ動作終
了フラグ6b/6c等をオンする。リフレッシュカウン
タ4が規定時間カウントを終了した時、リフレッシュ動
作終了フラグがオフであるモジュールに対してのみにリ
フレッシュを実行し、該動作終了フラグをオフすること
によって、リフレッシュによるメモリアクセスのオーバ
ーヘッドを低減する。
(57) [Summary] [Object] To provide a memory control method capable of reducing the memory access overhead due to refresh. In a system having a memory composed of a memory controller and a plurality of memory modules 3a / 3b that need refreshing, for each memory module, a refresh counter 4 for monitoring a specified time for refreshing the module, and the refresh counter A flag 6a / 6b for storing the end of the operation is provided, and for example, the module 3
While a is performing access, it performs a refresh operation on another module 3b / 3c or the like whose refresh operation end flag is off, and turns on the refresh operation end flag 6b / 6c or the like when the operation is completed. When the refresh counter 4 finishes counting for a specified time, refresh is executed only for the module for which the refresh operation end flag is off, and the operation end flag is turned off to reduce the memory access overhead due to refresh. .

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リフレッシュを必要と
するメモリ素子を含むメモリシステムのメモリ制御方法
に係り、特に効率よくメモリのリフレッシュを行うこと
ができるメモリ制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory control method for a memory system including a memory device requiring refresh, and more particularly to a memory control method capable of efficiently refreshing the memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にコンピュータシステムに使用され
るメモリを構成するダイナミックRAMは、一定時間内
に内容の書換えを行うリフレッシュ動作を行う必要があ
る。従来技術によるメモリの制御方法は、例えば特開平
5−189963号公報に記載されているように、メモ
リを2つのモジュールに分割し、一方のメモリモジュー
ルに対し読み出し又は書き込みアクセスがあった場合、
もう一方のメモリモジュールに対しリフレッシュを強制
的に行なうことにより、メモリアクセスのオーバーヘッ
ド(間接的処理)を低減するものが提案されている。
2. Description of the Related Art Generally, a dynamic RAM constituting a memory used in a computer system needs to perform a refresh operation for rewriting the content within a fixed time. A conventional method of controlling a memory is, for example, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 5-189963, when the memory is divided into two modules and one of the memory modules has a read or write access.
It has been proposed to reduce the memory access overhead (indirect processing) by forcibly refreshing the other memory module.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記従来技術によるメ
モリの制御方法のリフレッシュ動作は、あるメモリモジ
ュールに対し読み出し又は書き込みアクセスがあった場
合、必ずもう一方のメモリモジュールへリフレッシュを
行なうためにメモリアクセスが頻発した場合にリフレッ
シュ動作を必要以上に行い、消費電力の増加を招くと言
う不具合があった。
The refresh operation of the memory control method according to the prior art described above is such that when a read or write access is made to a certain memory module, the memory access is always performed to refresh the other memory module. However, there is a problem in that the refresh operation is performed more than necessary and the power consumption is increased in the case of frequent occurrence.

【0004】更に従来技術によるリフレッシュ動作は、
データの書込及び読出しによるメモリアクセス中以外の
メモリモジュールをリフレリッシュすることによって、
より多くのメモリ素子へリフレッシュを行なうことが可
能となるものの、規定時間内にリフレッシュを終了でき
なかったメモリモジュールが発生した場合、当該メモリ
モジュールを強制的にリフレッシュする際に、他の多数
のメモリモジュールが何も動作をしない状態となるため
メモリの動作率が不十分となり、このリフレッシュによ
るメモリアクセスのオーバーヘッド(間接的処理)が多
くなると言う不具合があった。
Further, the conventional refresh operation is
By refreshing the memory module other than during memory access by writing and reading data,
Although it becomes possible to refresh more memory elements, if a memory module that could not be refreshed within the specified time occurs, a large number of other memory modules are used when the memory module is forcibly refreshed. Since the module does not operate at all, the operation rate of the memory becomes insufficient, and the memory access overhead (indirect processing) due to this refresh increases.

【0005】本発明の目的は、前記従来技術による不具
合を除去することであり、前記リフレッシュによるメモ
リアクセスのオーバーヘッドを低減することができるメ
モリシステムのメモリ制御方法を提供することである。
An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art and to provide a memory control method for a memory system which can reduce the memory access overhead due to the refresh.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、リフレッシュが必要な複数のメモリモジュー
ルに対してデータの書込及び読出しを行うメモリ制御方
法において、メモリモジュールのリフレッシュを行う規
定時間を監視するリフレッシュカウンタと、該複数のメ
モリモジュール対応のリフレッシュ状況を格納するリフ
レッシュ動作終了フラグとを設け、あるメモリモジュー
ルが読み出し又は書き込み中であるとき、他のメモリモ
ジュールに対してリフレッシュ動作及びリフレッシュ動
作終了フラグのセットを行なうと共に、前記リフレッシ
ュカウンタが規定時間に達したとき、リフレッシュ動作
終了フラグがオフであるメモリモジュールのみに強制的
なリフレッシュを行い、且つリフレッシュが必要でない
メモリモジュールへメモリアクセスの実行を許可するこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a memory control method for writing and reading data to and from a plurality of memory modules that need to be refreshed. A refresh counter for monitoring time and a refresh operation end flag for storing the refresh status corresponding to the plurality of memory modules are provided, and when a certain memory module is reading or writing, the refresh operation and the other memory modules are performed. A memory module in which a refresh operation end flag is set, and when the refresh counter reaches a specified time, the memory module whose refresh operation end flag is off is forcibly refreshed and refreshing is not necessary. And permits the execution of the memory access.

【0007】[0007]

【作用】前記特徴によるメモリ制御方法は、リフレッシ
ュカウンタがリフレッシュ周期の規定時間をカウントす
る前に、あるメモリモジュールへのアクセス実行中に他
のメモリモジュールへのリフレッシュを行ないことによ
り、リフレッシュカウンタによる定期的なリフレッシュ
の実行頻度を低減させると共に、リフレッシュカウンタ
による定期的なリフレッシュが実行された場合、リフレ
ッシュが必要でないメモリモジュールへメモリアクセス
を実行を許可することによってメモリアクセスのオーバ
ーヘッドを低減することができる。
In the memory control method according to the above feature, before the refresh counter counts the specified time of the refresh cycle, the other memory module is refreshed while the access to the certain memory module is being executed, so that the refresh counter can perform the periodical operation. It is possible to reduce the frequency of performing the automatic refresh and reduce the overhead of the memory access by permitting the memory access to the memory module that does not need the refresh when the refresh counter regularly performs the refresh. .

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図1は本発明によるメモリ制御方法が適用され
るメモリシステムを含むコンピュータシステムの一実施
例を示す図であり、図2は本メモリシステムにおける動
作を説明するための図である。尚、図2においては説明
の為にリフレッシュ周期を短く表している。本実施例に
よるコンピュータシステムは、図1に示す如く、全体の
制御を行う中央処理装置(CPU)1と、複数に分割さ
れたメモリモジュール、例えばメモリモジュール3a/
3b等と、中央処理装置1からの指示に基づいてメモリ
モジュール3a/3b等へのデータ書込及び読出しを制
御するメモリ制御装置2とを備え、該メモリ制御装置2
は、メモリモジュール3a/3b等のリフレッシュが必
要な規定時間を監視するためのリフレッシュカウンタ4
と、CPU1からの指示に基づいてメモリモジュール3
a/3b等へのデータ書込及び読出しを制御するメモリ
コントロール回路5と、各メモリモジュールに対応した
リフレッシュ動作終了フラグ6a/6b等から成り、該
メモリコントロール回路5は各メモリモジュールに制御
信号7a/7b等を介して制御を行うと共に、メモリバ
ス8を介して各メモリモジュールとアドレス/データ/
共通制御信号等のやりとりを行う様に構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a computer system including a memory system to which the memory control method according to the present invention is applied, and FIG. 2 is a diagram for explaining an operation in the memory system. In FIG. 2, the refresh cycle is shown short for the sake of explanation. As shown in FIG. 1, the computer system according to the present embodiment has a central processing unit (CPU) 1 for controlling the whole and a memory module divided into a plurality of memory modules, for example, a memory module 3a /.
3b and the like, and a memory control device 2 that controls writing and reading of data to and from the memory modules 3a / 3b based on an instruction from the central processing unit 1.
Is a refresh counter 4 for monitoring a specified time required for refreshing the memory modules 3a / 3b and the like.
And the memory module 3 based on the instruction from the CPU 1.
A memory control circuit 5 for controlling writing / reading of data to / from a / 3b and the like, and a refresh operation end flag 6a / 6b corresponding to each memory module. The memory control circuit 5 sends a control signal 7a to each memory module. / 7b, etc., while controlling the address / data /
It is configured to exchange common control signals and the like.

【0009】前記リフレッシュカウンタ4は、メモリモ
ジュール3a/3b他のリフレッシュに必要な規定時間
を監視するためのカウンタであり、リフレッシュ動作終
了フラグ6a等は各メモリモジュール対応のリフレッシ
ュ監視時間内におけるリフレッシュ動作の終了/未終了
を記憶するフラグである。この処理システムにおいて、
1つのメモリモジュールに対し読み出しまたは書き込み
アクセスを行なう場合は、メモリコントロール回路5が
対象となるメモリモジュール3a/3b等に対応した制
御信号7a/7b等及びメモリバス8を介してメモリア
クセスを行ない、また、リフレッシュを行なう場合は、
メモリコントロール回路5が対象となるメモリモジュー
ル3a/3b等に対応した制御信号7a/7b等を介し
てリフレッシュ動作を実行するものである。
The refresh counter 4 is a counter for monitoring the prescribed time required for refreshing the memory modules 3a / 3b and the like, and the refresh operation end flag 6a and the like are refresh operations within the refresh monitoring time corresponding to each memory module. Is a flag for storing the end / non-end of. In this processing system,
When performing read or write access to one memory module, the memory control circuit 5 performs memory access via the control signals 7a / 7b and the like corresponding to the target memory module 3a / 3b and the memory bus 8. Also, when refreshing,
The memory control circuit 5 executes the refresh operation via the control signals 7a / 7b and the like corresponding to the target memory modules 3a / 3b and the like.

【0010】さて、この様に構成されたコンピュータシ
ステムにおけるメモリ制御方法を図2のタイミングチャ
ートを参照して説明する。 まずタイミングAにおいてCPU1が起動するとリモ
ートコントロール回路5はリフレッシュカウンタ4によ
るカウントを開始すると共に、リフレッシュ動作終了フ
ラグ6a/6b等を初期状態にオフする。 次にタイミングBにおいて、CPU1からのリード起
動によりリモートコントロール回路5はメモリモジュー
ル3aに対するリード動作を行うと共に、メモリモジュ
ール3b/3c以降に対応したリフレッシュ動作終了フ
ラグ6b/6c以降がオフのためにメモリモジュール3
b以降に対してリフレッシュ動作を実行する。このリフ
レッシュ動作によりこれらメモリモジュール3b以降に
対応したリフレッシュ動作終了フラグ6b以降が同時に
オンされる。即ちメモリモジュール3b以降のリフレッ
シュ終了がセットされる。 タイミングCにおいては、タイミングBと同様にメモ
リモジュール3aに対するリードが行なわれるが、他の
メモリモジュール3b以降では対応したリフレッシュ動
作終了フラグ6b以降がオンの為にリフレッシュは行な
われない。このことは、従来の技術で記載したようにあ
るメモリへのアクセス中に無条件に他のメモリモジュー
ルに対してリフレッシュ処理を実行する制御方法に比べ
てリフレッシュの発生頻度を押さえて消費電力を低減す
ることができることを意味する。
Now, a memory control method in the computer system configured as described above will be described with reference to the timing chart of FIG. First, at timing A, when the CPU 1 is activated, the remote control circuit 5 starts counting by the refresh counter 4 and turns off the refresh operation end flags 6a / 6b and the like to the initial state. Next, at a timing B, the remote control circuit 5 performs a read operation to the memory module 3a by the read activation from the CPU 1, and the refresh operation end flags 6b / 6c and later corresponding to the memory modules 3b / 3c and later are turned off, so Module 3
The refresh operation is executed on and after b. By this refresh operation, the refresh operation end flags 6b and later corresponding to these memory modules 3b and later are simultaneously turned on. That is, the end of refreshing of the memory module 3b and thereafter is set. At the timing C, the memory module 3a is read as at the timing B, but the refresh operation end flag 6b and later corresponding to the other memory modules 3b and later are not refreshed. This reduces the frequency of refresh and reduces power consumption compared to the control method that unconditionally executes refresh processing for another memory module while accessing a certain memory as described in the related art. Means that you can do it.

【0011】タイミングDでは、リモートコントロー
ル回路5は、CPU1からのメモリアクセスが行なわれ
ていない為、どのメモリモジュールに対してもリフレッ
シュ動作を行なわない。 タイミングEでは、CPU1からのリード起動により
リモートコントロール回路5はメモリモジュール3bに
対するリード動作を行うと共に、タイミングEの先頭で
リフレッシュカウンタ4がカウントを終了(リセット)
するためリフレッシュ動作終了フラグがオフであるメモ
リモジュール3aに対して強制的にリフレッシュを行
う。尚、このとき他にリフレッシュを行っていないメモ
リモジュールが有る場合は、当該メモリモジュールに対
してのリフレッシュもリフレッシュ動作終了フラグを参
照して行う。またリモートコントロール回路5は、前述
の全てのメモリモジュールに対するリフレッシュが終了
した時点で、前記リフレッシュカウンタ4のリセットに
より全てのメモリモジュール3a以降に対応したリフレ
ッシュ動作終了フラグ6a以降を全てオフに設定する。
従来技術では、このタイミングEではメモリモジュール
3b以降へもリフレッシュを行なっていたため、ライト
動作は次のタイミングFまで待たされるという問題があ
った。これに対し本実施例では、このオーバーヘッドを
削除することができる。
At timing D, the remote control circuit 5 does not perform the refresh operation on any memory module because the memory access from the CPU 1 is not performed. At the timing E, the remote control circuit 5 performs the read operation to the memory module 3b by the read activation from the CPU 1, and the refresh counter 4 finishes the counting at the beginning of the timing E (reset).
Therefore, the memory module 3a whose refresh operation end flag is off is forcibly refreshed. At this time, if there is another memory module that has not been refreshed, the refreshing of the memory module is also performed by referring to the refresh operation end flag. Further, the remote control circuit 5 resets the refresh counter 4 to set all the refresh operation end flags 6a and after corresponding to all the memory modules 3a after the refresh operation is completed for all the above memory modules.
In the conventional technology, since the memory module 3b and subsequent memory cells are also refreshed at this timing E, there is a problem that the write operation is delayed until the next timing F. On the other hand, in this embodiment, this overhead can be eliminated.

【0012】次のタイミングFでは、タイミングBと
同様の動作を行ない、リフレッシュの行なわれたメモリ
モジュール3b以降に対応したリフレッシュ動作終了フ
ラグ6b以降をオンする。 タイミングGでは、CPU1からのリード起動により
リモートコントロール回路5がメモリモジュール3bに
対してリード動作を行うと共に、メモリモジュール3a
に対応するリフレッシュ動作終了フラグ6aはオフ/そ
の他のリフレッシュ動作終了フラグ6はオンであるた
め、メモリモジュール3aのみにリフレッシュ動作を行
なう。これによって本実施例では、必要以上にリフレッ
シュ動作を行なわせることを避けることが可能と成り、
消費電力を抑制することができる。またここで、メモリ
モジュール3aに対応するリフレッシュ動作終了フラグ
6aをオンにすることにより、全てのメモリモジュール
3a以降に対応するリフレッシュ動作終了フラグ6a以
降をオンに設定する。
At the next timing F, the same operation as that at timing B is performed, and the refresh operation end flag 6b and the subsequent corresponding to the refreshed memory module 3b and after are turned on. At the timing G, the remote control circuit 5 performs a read operation to the memory module 3b by the read activation from the CPU 1, and the memory module 3a
Since the refresh operation end flag 6a corresponding to is off / the other refresh operation end flags 6 are on, the refresh operation is performed only on the memory module 3a. As a result, in this embodiment, it is possible to avoid performing refresh operations more than necessary,
Power consumption can be suppressed. Further, here, by turning on the refresh operation end flag 6a corresponding to the memory module 3a, the refresh operation end flag 6a and later corresponding to all the memory modules 3a and later are set to on.

【0013】タイミングHは、メモリアクセスは行な
われていないステージであり、次のタイミングIは、タ
イミングの頭でリフレッシュカウンタ4がカウントを終
了している例を示している。しかし、この時点で全ての
メモリモジュール3a以降に対応するリフレッシュ動作
終了フラグ6a以降がオンと成っているため、リフレッ
シュ動作は行なわず、全てのリフレッシュ動作終了フラ
グ6a以降を強制的にオフに設定する。
Timing H is a stage where memory access is not performed, and timing I next shows an example in which the refresh counter 4 finishes counting at the beginning of the timing. However, since the refresh operation end flags 6a and later corresponding to all the memory modules 3a and later are turned on at this point, the refresh operation is not performed and all the refresh operation end flags 6a and later are forcibly set to off. .

【0014】この時点でメモリアクセス要求があれば、
前記タイミングB同様にそのメモリモジュールに対して
は読み出し又は書き込みアクセスを行い、同時に他のメ
モリモジュールへはリフレッシュを行い、更に読み出し
又は書き込みアクセスを行ったメモリモジュールのリフ
レッシュ動作終了フラグのみをオフとし、リフレッシュ
の入った他のメモリモジュールのリフレッシュ動作終了
フラグをオンほ保持する。
If there is a memory access request at this point,
Similarly to the timing B, read or write access is performed to that memory module, refresh is simultaneously performed to another memory module, and only the refresh operation end flag of the memory module that is read or written is turned off. The refresh operation end flags of other memory modules that have been refreshed are held on.

【0015】この様に本実施例によれば、リフレッシュ
の平均時間間隔は従来と同じであるものの、特定メモリ
モジュールへのメモリアクセスと同時に、残りのメモリ
モジュールに対して効率的にリフレッシュを行なうこと
により、リフレッシュによるメモリアクセスのオーバー
ヘッドを低減することができる。
As described above, according to this embodiment, although the average time interval of refresh is the same as the conventional one, the memory access to the specific memory module and the remaining memory modules can be efficiently refreshed at the same time. Thus, the memory access overhead due to refresh can be reduced.

【0016】即ち本発明は、メモリモジュール3a等の
リフレッシュを行う規定時間を監視するリフレッシュカ
ウンタ4と、該複数のメモリモジュール3a等対応のリ
フレッシュ状況を格納するリフレッシュ動作終了フラグ
6a等とを設け、あるメモリモジュールが読み出し又は
書き込み中であるとき、他のメモリモジュールに対して
リフレッシュ動作及びリフレッシュ動作終了フラグのセ
ットを行なうと共に、前記リフレッシュカウンタが規定
時間に達したとき、リフレッシュ動作終了フラグがオフ
であるメモリモジュールのみに強制的なリフレッシュを
行うことにより、リフレッシュによるメモリアクセスの
オーバーヘッドを低減することを第1の特徴とする。
That is, the present invention is provided with a refresh counter 4 for monitoring a specified time for refreshing the memory module 3a and the like, and a refresh operation end flag 6a for storing the refresh status corresponding to the plurality of memory modules 3a and the like. When a certain memory module is reading or writing, the refresh operation and the refresh operation end flag are set to another memory module, and when the refresh counter reaches a specified time, the refresh operation end flag is off. The first feature is that the memory access overhead due to refresh is reduced by forcibly refreshing only a certain memory module.

【0017】更に該第1の特徴において、1つのメモリ
モジュールが読み出し又は書き込みによりメモリバスを
使用中である時、他のメモリモジュールに対してリフレ
ッシュ動作を行なう場合に、リフレッシュ動作終了フラ
グがオフであるメモリモジュールに対してのみリフレッ
シュを行なうことによって、消費電力を低減することを
第2の特徴とし、前記第1の特徴において、規定時間内
にリフレッシュカウンタのリセットが行なわれず、強制
的にリフレッシュが必要なメモリモジュールにリフレッ
シュを行なう場合に、他のメモリモジュールにはメモリ
アクセスを許可することを第3の特徴とし、更に前記第
1の特徴において、リフレッシュカウンタが規定時間に
達した時、全てのメモリモジュールに対応したリフレッ
シュ動作終了フラグがオンであるためにリフレッシュを
行なわない場合、リフレッシュカウンタをクリアし、読
み出し又は書き込みアクセスを許可すると共に、この時
読み出し又は書き込みアクセスが行なわれなかった場合
は、全てのリフレッシュ動作終了フラグをオフするか或
いはこの時読み出し又は書き込みアクセスが行なわれた
場合は、同時に他のメモリモジュールへはリフレッシュ
を行ない、読み出し又は書き込みアクセスを行ったメモ
リモジュールのリフレッシュ動作終了フラグのみをオフ
とし、他のメモリモジュールのリフレッシュ動作終了フ
ラグはオンのままとすることを第4の特徴とするもので
ある。
Further, in the first feature, when one memory module is using the memory bus for reading or writing and the refresh operation is performed for another memory module, the refresh operation end flag is off. A second feature is that the power consumption is reduced by refreshing only a certain memory module. In the first feature, the refresh counter is not reset within a prescribed time and the refresh is forcibly performed. A third feature is that when a required memory module is refreshed, memory access is permitted to other memory modules. Further, in the first feature, when the refresh counter reaches a specified time, all memory modules are accessed. Refresh operation end flag corresponding to the memory module When the refresh is not performed because the switch is on, the refresh counter is cleared, the read or write access is permitted, and if the read or write access is not performed at this time, all refresh operation end flags are turned off. Alternatively, if a read or write access is performed at this time, the other memory modules are refreshed at the same time, and only the refresh operation end flag of the memory module to which the read or write access is performed is turned off, and the other memory module is refreshed. A fourth feature is that the refresh operation end flag remains on.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上述べた如く本発明は、メモリモジュ
ールのリフレッシュを行う規定時間を監視するリフレッ
シュカウンタと、該メモリモジュールのリフレッシュ状
況を格納するリフレッシュ動作終了フラグとを設け、あ
るメモリモジュールが読み出し又は書き込み中であると
き、他のメモリモジュールに対してリフレッシュ動作及
びリフレッシュ動作終了フラグのセットを行なうと共
に、前記リフレッシュカウンタが規定時間に達したと
き、リフレッシュ動作終了フラグがオフであるメモリモ
ジュールのみに強制的なリフレッシュを行うことによ
り、リフレッシュによるメモリアクセスのオーバーヘッ
ドを低減することができ、更に消費電力の低減も行うこ
とができる。
As described above, according to the present invention, a refresh counter for monitoring a specified time for refreshing a memory module and a refresh operation end flag for storing a refresh status of the memory module are provided, and a certain memory module reads data. Alternatively, during writing, the refresh operation and the refresh operation end flag are set to another memory module, and when the refresh counter reaches a specified time, only the memory module whose refresh operation end flag is off is set. By performing the forced refresh, it is possible to reduce the memory access overhead due to the refresh and further reduce the power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるメモリ制御方法が適用されるメモ
リシステムを含むコンピュータシステムの一実施例を示
す図。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a computer system including a memory system to which a memory control method according to the present invention is applied.

【図2】本メモリシステムにおける動作を説明するため
の図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining an operation in the present memory system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:中央処理装置(CPU)、2:メモリ制御装置、3
a/3b/3c:メモリモジュール、4:リフレッシュ
カウンタ、5:メモリコントロール回路、6a/6b/
6c:リフレッシュ動作終了フラグ、7a/7b:制御
信号、8:メモリバス。
1: Central processing unit (CPU), 2: Memory control device, 3
a / 3b / 3c: memory module, 4: refresh counter, 5: memory control circuit, 6a / 6b /
6c: Refresh operation end flag, 7a / 7b: control signal, 8: memory bus.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リフレッシュが必要な複数のメモリモジ
ュールに対してデータの書込及び読出しを行うメモリ制
御方法であって、メモリモジュールのリフレッシュを行
う規定時間を監視するリフレッシュカウンタと、該複数
のメモリモジュール対応のリフレッシュ状況を格納する
リフレッシュ動作終了フラグとを設け、あるメモリモジ
ュールが読み出し又は書き込み中であるとき、他のメモ
リモジュールに対してリフレッシュ動作及びリフレッシ
ュ動作終了フラグのセットを行なうと共に、前記リフレ
ッシュカウンタが規定時間に達したとき、リフレッシュ
動作終了フラグがオフであるメモリモジュールのみに強
制的なリフレッシュを行い、且つリフレッシュが必要で
ないメモリモジュールへメモリアクセスを実行を許可す
ることを特徴とするメモリ制御方法。
1. A memory control method for writing and reading data to and from a plurality of memory modules requiring refreshing, comprising: a refresh counter for monitoring a specified time for refreshing the memory modules; and the plurality of memories. A refresh operation end flag for storing the refresh status corresponding to the module is provided, and when a certain memory module is being read or written, the refresh operation and the refresh operation end flag are set to another memory module and the refresh operation is performed. When the counter reaches a specified time, the memory module whose refresh operation end flag is off is forcibly refreshed, and the memory access is permitted to the memory module that does not need refresh. Memory control method.
JP6127391A 1994-06-09 1994-06-09 Memory control method Pending JPH07334986A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6127391A JPH07334986A (en) 1994-06-09 1994-06-09 Memory control method

Applications Claiming Priority (1)

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JP6127391A JPH07334986A (en) 1994-06-09 1994-06-09 Memory control method

Publications (1)

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JPH07334986A true JPH07334986A (en) 1995-12-22

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JP6127391A Pending JPH07334986A (en) 1994-06-09 1994-06-09 Memory control method

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JP (1) JPH07334986A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002157881A (en) * 2000-11-17 2002-05-31 Fujitsu Ltd Semiconductor memory

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JP2002157881A (en) * 2000-11-17 2002-05-31 Fujitsu Ltd Semiconductor memory

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