JPH07335592A - ダイシング装置とその方法およびダイシング用チャッキング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は半導体ウエハを、異常なチッピン
グの発生を招くことなく切断加工することができるよう
にしたダイシング装置を提供することにある。 【構成】 テ−ブル１上に載置された半導体ウエハ１０
を回転駆動されるブレ−ド２１によってダイシングする
ダイシング装置において、上記ブレ−ドの回転数、上記
ブレ−ドと半導体ウエハとの相対的な送り速度および切
り込み量の切断条件を上記半導体ウエハにそれぞれ与え
るためのモ−タ３、２３、２５と、上記ブレ−ドにより
上記半導体ウエハを切断することで発生する加工負荷を
検出する圧電素子１３と、この圧電素子からの検出信号
を予め定められた設定値と比較しその比較に基づいて上
記各モ−タによる上記複数の切断条件のうちの少なくと
も１つの切断条件を変化させる制御装置１５とを具備し
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハを多数の
チップに切断加工するためのダイシング装置とその方法
およびダイシング加工時に半導体ウエハを保持するため
に用いられるチャッキング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、回路
パタ−ンが形成された半導体ウエハをダイシング装置を
用いて多数のチップに分割するためのダイシング工程が
ある。上記半導体ウエハのダイシングは、ダイヤモンド
ポイントカットを用いたスクライビング装置からＹＡＧ
レ−ザを用いたスクライビング装置へ発展し、最近では
高周波モ−タとエアスピンドルの開発により、極薄刃ダ
イヤモンドブレ−ドを用いたダイシング装置が主流とな
っており、加工精度および加工能率において飛躍的な向
上を見せている。

【０００３】半導体ウエハをダイシングする際には、チ
ッピングを小さく抑えること、加工が長時間安定して行
えることなどが要求され、これを実現するためにはスピ
ンドルやテ−ブルあるいはＸ、Ｙ、Ｚの駆動部の振動を
小さくするなどの装置の改良とともに、研削液の供給方
法やブレ−ドとこのブレ−ドをスピンドルに固定したフ
ランジとのダイナミックバランスを取るなどの加工ノウ
ハウの改善が行われてきた。

【０００４】しかしながら、上述したような装置の改良
や加工ノウハウの改善を押し進めても、ダイシング時に
半導体ウエハにチッピングが発生するのを確実に防止す
ることができないというのが現状であった。

【０００５】チッピングによって発生したかけらはダイ
シングされたチップにパ−テイクルとして残留すること
があるから、上記チップに形成された回路パタ−ンの短
絡を招くなどのことにより歩留まりが低下するから、チ
ッピングの発生はできるだけ低い方がよい。チッピング
の発生原因の１つとして、発明者はダイシング時に半導
体ウエハに与える加工負荷が大きく影響することを確認
した。

【０００６】チッピングが発生する他の原因としてダイ
シング時に用いられている粘着テ−プが上げられる。つ
まり、従来のダイシング装置では、ダイシングされた多
数のチップを保持するという観点から半導体ウエハの裏
面に粘着テ−プを貼着しておくということが行われてい
る。

【０００７】粘着テ−プは通常、高分子樹脂によって形
成されている。そのため、ダイシング時に加工点の負荷
によって上記粘着テ−プが大きく変位し、半導体ウエハ
に引張応力を与えることになるから、その応力によって
チッピングが発生するということがあった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のダ
イシング装置は、装置の改良や加工ノウハウの改善を押
し進めても、ダイシング時に半導体ウエハにチッピング
が発生するのを確実に防止することができないというこ
とがあった。

【０００９】また、ダイシングによって分割されたチッ
プが分散するのを防止するために設けられた粘着テ−プ
がダイシング時に半導体ウエハに引張力を与えてチッピ
ングの発生を招くということもあった。

【００１０】この発明の第１の目的は、ダイシング時に
チッピングが発生しずらいようにしたダイシング装置お
よびその方法を提供することにある。この発明の第２の
目的は、切断された半導体ウエハを粘着テ−プを用いず
に保持することができるようにしたチャッキング装置を
提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載されたこ
の発明は、テ−ブル上に載置された半導体ウエハを回転
駆動されるブレ−ドによってダイシングするダイシング
装置において、上記ブレ−ドの回転数、上記ブレ−ドと
半導体ウエハとの相対的な送り速度および切り込み量の
切断条件を上記半導体ウエハに与えるための駆動手段
と、上記ブレ−ドにより上記半導体ウエハを切断するこ
とで発生する加工負荷を検出する検出手段と、この検出
手段からの検出信号を予め定められた設定値と比較しそ
の比較に基づいて上記駆動手段による上記複数の切断条
件のうちの少なくとも１つの切断条件を変化させる制御
手段とを具備したことを特徴とするダイシング装置にあ
る。

【００１２】請求項５に記載されたこの発明は、テ−ブ
ル上に載置された半導体ウエハを回転駆動されるブレ−
ドによってダイシングする半導体ウエハのダイシング方
法において、上記半導体ウエハを所定の加工条件で切断
する切断工程と、この切断工程によって半導体ウエハを
切断することで発生する加工負荷を検出する検出工程
と、この検出工程で検出された加工負荷を予め設定され
た設定値と比較する比較工程と、この比較工程での比較
に基づいて上記半導体ウエハに対する加工条件を変化さ
せる制御工程とを具備したことを特徴とする半導体ウエ
ハのダイシング方法にある。

【００１３】請求項６に記載された発明は、複数のチッ
プに切断される半導体ウエハを保持するためのチャッキ
ング装置において、中空状に形成された装置本体と、一
端を上記装置本体の上面に開口させ他端を上記装置本体
内に連通させて設けられ切断された各チップをそれぞれ
吸着保持するための複数の吸引孔と、上記装置本体の内
部に連通して設けられ上記装置本体内を減圧して上記吸
引孔に吸引力を発生させその吸引力で上記半導体ウエハ
を上記装置本体上に吸着させるために用いられるととも
に上記半導体ウエハを吸着した状態で密封される吸引口
体とを具備したことを特徴とするチャッキング装置にあ
る。

【００１４】

【作用】請求項１と請求項５の発明によれば、半導体ウ
エハを切断するときの加工負荷を検出し、その検出に基
づいて半導体ウエハに発生する加工負荷がチッピングを
発生させることのない値となるよう制御される。

【００１５】請求項６の発明によれば、切断時に半導体
ウエハに引張力を与えるようなことなく、切断された各
チップをそれぞれ装置本体の吸引孔に発生する吸引力で
吸着保持することができる。

【００１６】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１乃至図６はこの発明の一実施例を示し、図
１に示すこの発明のダイシング装置はテ−ブル１を備え
ている。このテ−ブル１には送りねじ２が螺合されてい
る。この送りねじ２は送りモ−タ３によって回転駆動さ
れるようになっている。それによって、上記テ−ブル１
は同図に矢印で示すＸ方向に往復駆動されるようになっ
ている。

【００１７】上記テ−ブル１上にはチャッキング装置１
１が着脱自在に設けられている。このチャッキング装置
１１は平面形状が円形あるいは矩形状で、内部が中空に
形成された装置本体１２を有する。この実施例では図３
に示すように円形状に形成されている。

【００１８】上記装置本体１２の上面には検出手段とし
てのシ−ト状の圧電素子１３が接着固定されている。こ
の圧電素子１３は図３に示すように複数のセル１３ａに
分割されていて、各セル１３ａが後述するごとく検出す
る圧力はＡ／Ｄ変換器１４に入力されるようになってい
る。このＡ／Ｄ変換器１４によってデジタル化された検
出信号は制御装置１５に入力される。この制御装置１５
は上記Ａ／Ｄ変換器１４からの検出信号を予め設定され
た設置値Ｓと比較するようになっている。

【００１９】なお、上記圧電素子１３は、半導体ウエハ
１０を図２に示すようにダイシングして分割される複数
のチップ１０ａと対応するよう、複数のセル１３ａに分
割されている。

【００２０】上記装置本体１２の上面には上記半導体ウ
エハ１０が吸着される。つまり、上記圧電素子１３の各
セル１３ａの中心部にはそれぞれ吸引孔１６が一端を開
口して形成されている。各吸引孔１６の他端は上記本体
１２の上部壁を貫通し、その内部に連通している。

【００２１】また、本体１２の側壁には、一端を内部に
連通させた吸引口体１７が接続されている。この吸引口
体１７の他端にはキャップ１８がＯリング１９を介して
気密な状態で着脱自在に挿着されるようになっている。

【００２２】上記吸引口体１７にはキャップ１８を取り
外した状態で図示しない真空ポンプが接続される。この
真空ポンプで本体１２の内部を減圧すれば、その吸引力
が吸引孔１６を介して本体１２の上面に載置された上記
半導体ウエハ１０に作用するから、上記半導体ウエハ１
０が吸着される。

【００２３】半導体ウエハ１０を吸着した状態で吸引口
体１７から真空ポンプを外し、そこにキャップ１８を挿
着すれば、本体１２の内部の減圧状態が維持されるか
ら、上記半導体ウエハ１０の吸着状態も維持されること
になる。

【００２４】なお、上記チャッキング装置１１は上記テ
−ブル１の上面に電磁石を利用して磁気的に取り付けた
り、図示しない保持具を用いて取り付けることができる
ようになっており、要は着脱自在に取り付けることがで
きる構成であればよい。また、キャップ１８に変わり、
接続口体１７にコックを設けるようにしてもよい。

【００２５】上記テ−ブル１の上方には図示しないＹ駆
動機構によって上記Ｘ方向と直交するＹ方向に駆動可能
なダイヤモンドブレ−ド２１が配設されている。このブ
レ−ド２１はエアスピンドル２２に取り付けられてい
る。このエアスピンドル２２は回転モ−タ２３によって
高速で回転駆動されるようになっている。

【００２６】上記エアスピンドル２２と回転モ−タ２３
はＺ方向（上下方向）に可動に設けられたＺ駆動機構２
４に取り付けられている。このＺ駆動機構２４はＺモ−
タ２５によって駆動されるようになっている。つまり、
上記ブレ−ド２１は回転モ−タ２３によって回転駆動さ
れるとともに、Ｚモ−タ２５によって上下方向に駆動さ
れるようになっている。

【００２７】上記制御装置１５には、圧電素子１３から
の検出信号Ｋがデジタル化されて入力される。その検出
信号Ｋは上記制御装置１５で設定値Ｓと比較され、その
比較に基づいて上記送りモ−タ３、回転モ−タ２３およ
びＺモ−タ２５には駆動信号Ｄ1 〜Ｄ3 が、上記制御装
置１５に接続された第１乃至第３のＤ／Ａ変換器２６〜
２８によってアナログ化されて出力されるようになって
いる。

【００２８】第１のＤ／Ａ変換器２６は上記送りモ−タ
３に接続され、第２のＤ／Ａ変換器２７は回転モ−タ２
３に接続されている。上記第３のＤ／Ａ変換器２８はＺ
モ−タ２５に接続されている。

【００２９】上記送りモ−タ３に駆動信号Ｄ1 が入力さ
れれば、上記ブレ−ド２１の送り速度が制御され、上記
回転モ−タ２３に駆動信号Ｄ2 が入力されれば、ブレ−
ド２１の回転速度が制御される。さらに、上記Ｚモ−タ
２５に駆動信号Ｄ3 が入力されれば、ブレ−ド２１がＺ
方向に駆動されるから、このブレ−ド２１による切り込
み量が制御されるようになっている。

【００３０】上記テ−ブル１の送り速度、ブレ−ド２１
の回転数および半導体ウエハ１０に対するブレ−ド２１
の切り込み量は、それぞれ上記半導体ウエハ１０をダイ
シングするときの切断条件であり、その３つの切断条件
を最適に設定することでダイシング時に半導体ウエハ１
０に加わる負荷を制御することができる。半導体ウエハ
１０に加わる負荷を制御すれば、後述するごとくその半
導体ウエハ１０に生じるチッピングを低減することがで
きる。

【００３１】上記３つの切断条件のうち、図４（ａ）〜
（ｃ）にはテ−ブル１の送り速度とチッピングとの関係
を計測した結果を示し、図６（ａ）、（ｂ）にはブレ−
ド２１による切り込み量とチッピングとの関係を計測し
た結果を示す。

【００３２】図４（ａ）は厚さ625 μｍの半導体ウエハ
１０をフルカットである、切り込み量 630μｍ、ブレ−
ド２１の回転数30000r.p.m、テ−ブル１の送り速度を10
mm/secとした場合で、その場合、半導体ウエハ１０の裏
面側の切断線の両側にチッピングＴは非常にわずかしか
発生しなかった。このときのチッピングの幅寸法Ｗ1は
約10ミクロンであり、また加工点の荷重は43gfであっ
た。

【００３３】同図（ｂ）はテ−ブル１の送り速度を60mm
/secに変え、他の条件は同じにした場合で、その場合に
は半導体ウエハ１０の裏面側の切断線の両側にわずかに
チッピングＴが発生することが確認された。このときの
チッピングの幅寸法Ｗ2 は約20ミクロンであり、また加
工点の荷重は94gfであった。

【００３４】同図（ｃ）はテ−ブル１の送り速度を150m
m/sec に変え、他の条件は同じにした場合で、その場合
には半導体ウエハ１０の裏面側の切断線の一側に図中Ｗ
3 で示す約55μｍの幅寸法でチッピングＴが発生するこ
とが確認された。このときの加工点の荷重は272gf であ
った。

【００３５】以上のことより、テ−ブル１の送り速度を
増大してゆくと、加工点での半導体ウエハ１０に加わる
荷重も増大し、その結果、半導体ウエハ１０の裏面側の
切断線の側方にチッピングＴが発生することが確認され
た。

【００３６】図６（ａ）は、切り込み量を厚さ625 μｍ
の半導体ウエハ１０に対してその約半分の300 μｍに設
定し、ブレ−ド２１の回転数30000r.p.m、テ−ブル１の
送り速度を150mm/sec としてダイシングた場合で、その
場合、半導体ウエハ１０の裏面側の切断線の側方にわず
かにチッピングＴが発生することが確認された。このと
きのチッピングの幅寸法Ｗ4 は約25μｍであり、また加
工点の荷重は90gfであった。

【００３７】同図（ｂ）は、切り込み量を半導体ウエハ
１０の厚さとほぼ同じ630 μｍに設定し、一度で切断す
るようにした場合で、他の切断条件は同図（ａ）の場合
と同じである。その場合、半導体ウエハ１０の裏面側の
切断線の側方に同図にＷ5 で示す約54μｍの幅寸法でチ
ッピングＴが発生することが確認された。このときの加
工点の荷重は272gf であった。

【００３８】このことからも、切り込み量を増大させる
と、その変化に応じて加工点の荷重が増大し、チッピン
グが発生することが確認された。図５は、図４（ａ）〜
（ｃ）の実験をもとに、チッピングの発生が加工点での
荷重の変化に関係することに着目し、加工点の荷重の変
化と、半導体ウエハ１０の裏面に発生するチッピングの
発生領域、つまり幅寸法との関係をグラフに示したもの
で、このグラフからも加工点での荷重が増大すると、チ
ッピングが発生し易くなることが分かる。

【００３９】なお、実験デ−タは示していないが、ブレ
−ド２１の回転数を高くすれば、それにつれて加工点で
の荷重が減少するから、回転数の増大に応じてチッピン
グの幅寸法も小さくなることが推察できる。

【００４０】以上のことから、上記制御装置１５に設定
される設定値Ｓは、半導体ウエハ１０に発生するチッピ
ングが実用上、支障のない幅寸法以内となる加工点荷重
以下に設定される。実用上、支障のない幅寸法のチッピ
ングとは、そのチッピングが分割されたチップ１０ａに
形成された回路パタ−ンに及ばない幅寸法であることが
最低の条件である。実用上、チッピングの幅寸法は、半
導体ウエハ１０に形成されたダイシングのためのストリ
−トの幅寸法以下であることが要求される。また、コン
タミネ−ションの観点からすると、チッピングは発生し
ないことが望ましいが、生産性との兼ね合いで、ある程
度の発生はやむを得ない。

【００４１】このような構成のダイシング装置におい
て、半導体ウエハ１０は以下のようにしてダイシングさ
れる。まず、チャッキング装置１１の本体１２の圧電素
子１３上に半導体ウエハ１３を載置したならば、接続口
体１７からキャップ１８を取り外し、その接続口体１７
に図示しない真空ポンプを接続して内部を減圧する。そ
れによって、上記半導体ウエハ１０は上記本体１２上に
吸着されるから、吸着後に上記接続口体１７をキャップ
１８によって密閉し、その内部の減圧状態を維持する。

【００４２】このように、半導体ウエハ１０を吸着した
ならば、そのチャッキング装置１１をテ−ブル１上に載
置固定する。ついで、制御装置１５によってブレ−ド２
１の回転数、テ−ブル１の送り速度、上記ブレ−ド２１
による切り込み量をそれぞれ設定し、各モ−タ３、２
２、２５を作動させる。

【００４３】上記半導体ウエハ１０はテ−ブル１によっ
てＸ方向に往復駆動されるとともに、１往復ごとに上記
ブレ−ド２１がＸ方向と直交するＹ方向に図示しないＹ
駆動機構により所定ピッチづつ送られることで切断加工
される。

【００４４】このような切断加工中に、上記チャッキン
グ装置１１の本体１２上面に設けられた圧電素子１３の
各セル１３ａは、上記ブレ−ド２１の切断加工にともな
い発生する、加工負荷である、加工荷重を検出する。各
セル１３ａが検出した加工荷重、つまり検出信号ＫはＡ
／Ｄ変換器１４によってデジタル化されて制御装置１５
に入力する。

【００４５】ここで、上記検出信号Ｋは制御装置１５に
設定された設定値Ｓと比較される。検出信号Ｋが設定値
Ｓよりも小さければ、加工点において半導体ウエハ１０
裏面に発生するチッピングの幅寸法が許容値以内である
ことを意味するから、上記ブレ−ド２１による切断条
件、つまり送り速度、回転数および切り込み量の切断条
件は変えられることなく加工が継続される。

【００４６】加工点において、セル１３ａが検出した検
出信号Ｋが上記設定値Ｓよりも大きな場合は、その加工
点でのチッピングが許容された幅寸法よりも大きくなる
加工荷重が発生したことを意味する。そのような場合、
検出信号Ｋと設定値Ｓとの比較に基づいて、制御装置１
５からは第１乃至第３のＤ／Ａ変換器２６〜２８のいず
れか１つあるいは複数に制御信号Ｃを出力する。

【００４７】上記制御信号Ｃは加工点における加工荷重
を軽減させるためのものであって、たとえば第１のＤ／
Ａ変換器２６に対して出力されると、テ−ブル１の送り
速度が減速されて加工荷重を低減させる。制御信号Ｃが
第２のＤ／Ａ変換器２７に出力されると、ブレ−ド２１
の回転が低下させられて加工荷重が低減され、第３のＤ
Ａ変換器２８に出力されるとブレ−ド２１による切り込
み量が低減される。

【００４８】実用上は、テ−ブル１の送り速度かブレ−
ド２１の回転数を制御することが望ましく、これら２つ
のファクタのうち、どちらか一方あるいは２つを同時に
制御してもよい。

【００４９】このように、セル１３ａが検出する加工点
での加工荷重が設定値Ｓよりも大きくなったならば、そ
の加工荷重が小さくなるように制御すれば、半導体ウエ
ハ１０に発生するチッピングを実用上問題のない幅寸法
以下に抑えることができるから、歩留まりを高めること
ができる。

【００５０】上記半導体ウエハ１０の所定方向に沿う切
断が終了したならば、その所定方向と直交する方向に対
して切断が行われる。それによって、上記半導体ウエハ
１０は賽の目状、つまり多数のチップ１０ａに切断され
る。

【００５１】分割された各チップ１０ａは、チャッキン
グ装置１１の各セル１３ａにそれぞれ吸着保持されてい
る。したがって、半導体ウエハ１０を切断加工した後
で、チャッキング装置１１をテ−ブル１から取り外し、
このチャッキング装置１１を図示しない洗浄装置へ搬入
することで、各チップ１０ａを洗浄することができる。

【００５２】洗浄後、上記チャッキング装置１１を、半
導体装置を製造する工程のうちの実装工程へ搬入し、そ
こで接続口体１７からキャップ１８を取り外し、本体１
２内部の減圧状態を解除する。それによって、本体１２
上のチップ１０ａは図示しないピックアップによって１
つずつ取り出され、リ−ドフレ−ム（図示せず）にボン
デイングされることになる。

【００５３】したがって、上記構成のチャッキング装置
１１によれば、半導体ウエハ１０をダイシングする工程
からダイシングされたチップ１０ａをリ−ドフレ−ムに
実装する工程まで、一貫して使用することができる。し
かも、ダイシングされたちチップ１０ａを保持するた
め、従来使用されていた高分子樹脂テ−プが不要となる
から、製造コストの低減、省資源、工程の短縮化による
生産性の向上などを計ることができる。

【００５４】図７はこの発明の他の実施例を示す。な
お、上記一実施例と同一部分には同一記号を付して説明
を省略する。つまり、この実施例は、加工負荷を検出す
る手段として、送りモ−タ３、回転モ−タ２３およびＺ
モ−タ２５のそれぞれにロ−ドセル３ａ、２３ａ、２５
ａを設け、これらロ−ドセルによって各モ−タに加わる
負荷を検出し、その検出信号Ｋを制御装置１５に入力し
て設定値Ｓと比較するようにした。したがって、チャッ
キング装置１１には圧電素子１３を設ける必要はない。

【００５５】このような構成によれば、半導体ウエハ１
０の加工点における加工負荷を上記ロ−ドセル３ａ、２
３ａ、２５ａによって検出できるから、その検出信号で
上記半導体ウエハ１０に加わる加工負荷を上記一実施例
と同様に制御することができる。

【００５６】この場合、各ロ−ドセル３ａ、２３ａ、２
５ａによって、送りモ−タ３、回転モ−タ２３およびＺ
モ−タ２５のいずれの加工負荷が増大したかを別々に検
出できる。そのため、加工荷重の増大の原因が、テ−ブ
ル１の送り速度が大き過ぎるのか、ブレ−ド２１の回転
速度が速すぎるのか、あるいは切り込み量が大きすぎる
のかのいずれであるかを判別できるから、その判別結果
に応じて適切な制御が行える。

【００５７】

【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、半導体ウ
エハをブレ−ドによってダイシングする際、上記半導体
ウエハを切断することで発生する加工負荷を検出し、そ
の検出信号に基づいて切断条件を変化させるようにし
た。

【００５８】そのため、ダイシング時に加工負荷が増大
し過ぎ、半導体ウエハに所定以上のチッピングが発生す
るのを防止することができる。また、半導体ウエハをダ
イシングするときに、装置本体の内部を減圧すること
で、その上面に半導体ウエハを吸着保持するとともに、
その保持状態で内部を減圧状態に維持できるチャッキン
グ装置を用いるようにした。

【００５９】そのため、従来のように半導体ウエハに高
分子樹脂テ−プを張り付けずに、分割されたチップを確
実に保持した状態で取り扱うことができるばかりか、そ
の保持状態を容易に解除できるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例の全体構成図。

【図２】同じくダイシングされた半導体ウエハが保持さ
れたチャッキング装置の縦断面図。

【図３】同じくチャッキング装置の半導体ウエハを除去
した状態の平面図。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は同じくテ−ブルの送り速度を
変えた場合のチッピングの発生状態の説明図。

【図５】同じくテ−ブルの送り速度を変えた場合の、加
工点における荷重とチッピングの発生幅寸法との関係を
示すグラフ。

【図６】（ａ）、（ｂ）は同じく切り込み量を変えたと
きのチッピングの発生状態の説明図。

【図７】この発明の他の実施例を示す全体構成図。

【符号の説明】

１…テ−ブル、３…送りモ−タ（駆動手段）、１０…半
導体ウエハ、１０ａ…チップ、１１…チャッキング装
置、１２…装置本体、１３…圧電素子（検出手段）、１
３ａ…セル、１５…制御装置、１６…吸引孔、１７…吸
引口体、１８…キャップ、２１…ブレ−ド、２３…回転
モ−タ（駆動手段）、２５…Ｚモ−タ（駆動手段）。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テ−ブル上に載置された半導体ウエハを
   回転駆動されるブレ−ドによってダイシングするダイシ
   ング装置において、 上記ブレ−ドの回転数、上記ブレ−ドと半導体ウエハと
   の相対的な送り速度および切り込み量の切断条件を上記
   半導体ウエハに与えるための駆動手段と、上記ブレ−ド
   により上記半導体ウエハを切断することで発生する加工
   負荷を検出する検出手段と、この検出手段からの検出信
   号を予め定められた設定値と比較しその比較に基づいて
   上記駆動手段による上記複数の切断条件のうちの少なく
   とも１つの切断条件を変化させる制御手段とを具備した
   ことを特徴とするダイシング装置。
2. 【請求項２】 上記制御手段は、上記検出手段からの検
   出信号によって上記ブレ−ドの回転数と送り速度のうち
   の少なくともどちらか一方の切断条件を変化させること
   を特徴とする請求項１記載のダイシング装置。
3. 【請求項３】 上記検出手段は、上記半導体ウエハの下
   側に配置されこの半導体ウエハに加わる負荷を検出する
   圧電素子からなることを特徴とする請求項１記載のダイ
   シング装置。
4. 【請求項４】 上記検出手段は、上記駆動手段に設けら
   れこの駆動手段に加わる負荷を検出するロ−ドセルから
   なることを特徴とする請求項１記載のダイシング装置。
5. 【請求項５】 テ−ブル上に載置された半導体ウエハを
   回転駆動されるブレ−ドによってダイシングする半導体
   ウエハのダイシング方法において、 上記半導体ウエハを所定の加工条件で切断する切断工程
   と、この切断工程によって半導体ウエハを切断すること
   で発生する加工負荷を検出する検出工程と、この検出工
   程で検出された加工負荷を予め設定された設定値と比較
   する比較工程と、この比較工程での比較に基づいて上記
   半導体ウエハに対する加工条件を変化させる制御工程と
   を具備したことを特徴とする半導体ウエハのダイシング
   方法。
6. 【請求項６】 複数のチップに切断される半導体ウエハ
   を保持するためのチャッキング装置において、 中空状に形成された装置本体と、一端を上記装置本体の
   上面に開口させ他端を上記装置本体内に連通させて設け
   られ切断された各チップをそれぞれ吸着保持するための
   複数の吸引孔と、上記装置本体の内部に連通して設けら
   れ上記装置本体内を減圧して上記吸引孔に吸引力を発生
   させその吸引力で上記半導体ウエハを上記装置本体上に
   吸着させるために用いられるとともに上記半導体ウエハ
   を吸着した状態で密封される吸引口体とを具備したこと
   を特徴とするチャッキング装置。
7. 【請求項７】 上記装置本体の上面には、半導体ウエハ
   を切断するときに、この半導体ウエハに加わる負荷を検
   出するシ−ト状の圧電素子が設けられていることを特徴
   とする請求項６記載のチャッキング装置。
8. 【請求項８】 上記検出素子は、切断されるチップの数
   に応じた複数のセルに分割されていることを特徴とする
   請求項７記載のチャッキング装置。