JPH07335656A - ゲッタリング処理方法 - Google Patents
ゲッタリング処理方法Info
- Publication number
- JPH07335656A JPH07335656A JP12534894A JP12534894A JPH07335656A JP H07335656 A JPH07335656 A JP H07335656A JP 12534894 A JP12534894 A JP 12534894A JP 12534894 A JP12534894 A JP 12534894A JP H07335656 A JPH07335656 A JP H07335656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- condition
- gettering
- temperature
- furnace
- heat treatment
- Prior art date
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体集積回路製造工程中に混入する重金属不
純物を取り除く熱処理方法を提供する。 【構成】半導体デバイス製造工程において、８００℃か
ら７５０℃超７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分
から１．０℃／分の冷却速度、８００℃から７００℃超
７５０℃以下の温度域を０．１℃／分から２．０℃／分
の冷却速度、または８００℃から６００℃以上７００℃
以下の温度域を０．１℃／分から３．０℃／分の冷却速
度で熱処理を行うゲッタリング処理法。 【効果】ゲッタリング熱処理を行うことにより、従来ゲ
ッタリング効果の弱い鉄に代表される拡散の遅い元素に
対しても有効的にゲッタリングできる。
純物を取り除く熱処理方法を提供する。 【構成】半導体デバイス製造工程において、８００℃か
ら７５０℃超７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分
から１．０℃／分の冷却速度、８００℃から７００℃超
７５０℃以下の温度域を０．１℃／分から２．０℃／分
の冷却速度、または８００℃から６００℃以上７００℃
以下の温度域を０．１℃／分から３．０℃／分の冷却速
度で熱処理を行うゲッタリング処理法。 【効果】ゲッタリング熱処理を行うことにより、従来ゲ
ッタリング効果の弱い鉄に代表される拡散の遅い元素に
対しても有効的にゲッタリングできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路など半導体デ
バイス製造工程の熱処理に関するものである。特に、本
発明はデバイス製造中に受ける汚染不純物をシリコン基
板内のデバイス領域から有効に汚染不純物を除去する熱
処理方法である。
バイス製造工程の熱処理に関するものである。特に、本
発明はデバイス製造中に受ける汚染不純物をシリコン基
板内のデバイス領域から有効に汚染不純物を除去する熱
処理方法である。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の高集積化に伴い、ダイナミッ
クメモリ（ＤＲＡＭ）において微小リーク電流の減少は
重要課題となっている。この微小リーク電流は半導体集
積回路製造工程中に混入する鉄、ニッケル、銅に代表さ
れる重金属不純物に起因する。この汚染不純物を除去す
るためにゲッタリング法が用いられる。
クメモリ（ＤＲＡＭ）において微小リーク電流の減少は
重要課題となっている。この微小リーク電流は半導体集
積回路製造工程中に混入する鉄、ニッケル、銅に代表さ
れる重金属不純物に起因する。この汚染不純物を除去す
るためにゲッタリング法が用いられる。
【０００３】このゲッタリング法には、半導体集積回路
製造工程中に裏面にリン拡散を行う方法（Journal of E
lectrochemical Society 1975 年 122 巻786 頁）、裏
面に機械的歪を導入する方法（Japanese Journal of Ap
plied Physics 1984年 23 巻959頁）、裏面に多結晶シ
リコン膜を堆積する方法、（Journal of Electrochemic
al Society 1982 年 129 巻 1294 頁）、裏面にアルゴ
ン等のイオンを注入する方法（Journal of Applied Phy
sics 1975 年 46 巻 600頁）が知られている。
製造工程中に裏面にリン拡散を行う方法（Journal of E
lectrochemical Society 1975 年 122 巻786 頁）、裏
面に機械的歪を導入する方法（Japanese Journal of Ap
plied Physics 1984年 23 巻959頁）、裏面に多結晶シ
リコン膜を堆積する方法、（Journal of Electrochemic
al Society 1982 年 129 巻 1294 頁）、裏面にアルゴ
ン等のイオンを注入する方法（Journal of Applied Phy
sics 1975 年 46 巻 600頁）が知られている。
【０００４】このようなゲッタリング処理基板を用い
て、半導体デバイスを製造している。通常のデバイス工
程において、ゲッタリング処理として、デバイス製造の
ための薄膜形成処理を含めた熱処理後、炉からの引き出
し温度として６００℃以上の温度で５０ｍｍ／分以上の
引き出し速度でウェハを炉から引き出し、引き出し温度
から室温までの冷却中にゲッタリングを行っている。
て、半導体デバイスを製造している。通常のデバイス工
程において、ゲッタリング処理として、デバイス製造の
ための薄膜形成処理を含めた熱処理後、炉からの引き出
し温度として６００℃以上の温度で５０ｍｍ／分以上の
引き出し速度でウェハを炉から引き出し、引き出し温度
から室温までの冷却中にゲッタリングを行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ゲッタリングの対象と
する重金属不純物は、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マ
ンガン、クロムなどである。通常のデバイス工程の熱処
理条件である熱処理後、炉からの引き出し温度が６００
℃以上の温度で５０ｍｍ／以上の引き出し速度では、炉
から引き出され室温まで空冷にて冷却される場合、その
間の熱履歴は、拡散距離として換算した場合６００℃で
１０分間保持した場合の拡散距離を越えないものであ
る。銅、ニッケル、コバルトなどのシリコン中の拡散の
速い金属では、その熱履歴で十分にゲッタリングでき
る。しかし、鉄、マンガン、クロムなどの拡散の遅い元
素では冷却中の拡散が律速しゲッタリングできない。本
発明は鉄に代表される拡散の遅い元素に対してゲッタリ
ング効果を進める熱処理方法の提供を目的とする。
する重金属不純物は、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マ
ンガン、クロムなどである。通常のデバイス工程の熱処
理条件である熱処理後、炉からの引き出し温度が６００
℃以上の温度で５０ｍｍ／以上の引き出し速度では、炉
から引き出され室温まで空冷にて冷却される場合、その
間の熱履歴は、拡散距離として換算した場合６００℃で
１０分間保持した場合の拡散距離を越えないものであ
る。銅、ニッケル、コバルトなどのシリコン中の拡散の
速い金属では、その熱履歴で十分にゲッタリングでき
る。しかし、鉄、マンガン、クロムなどの拡散の遅い元
素では冷却中の拡散が律速しゲッタリングできない。本
発明は鉄に代表される拡散の遅い元素に対してゲッタリ
ング効果を進める熱処理方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は鉄に代表される
拡散の遅い元素に対してゲッタリング効果を高める熱処
理方法を提供する。本発明は、半導体デバイス製造工程
において、８００℃以上の熱処理後、８００℃から７５
０℃超７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分から
１．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃か
ら７００℃超７５０℃以下の温度域までを０．１℃／分
から２．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、または
８００℃から６００℃以上７００℃以下の温度域までを
０．１℃／分から３．０℃／分の冷却速度で冷却する熱
処理方法である。
拡散の遅い元素に対してゲッタリング効果を高める熱処
理方法を提供する。本発明は、半導体デバイス製造工程
において、８００℃以上の熱処理後、８００℃から７５
０℃超７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分から
１．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃か
ら７００℃超７５０℃以下の温度域までを０．１℃／分
から２．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、または
８００℃から６００℃以上７００℃以下の温度域までを
０．１℃／分から３．０℃／分の冷却速度で冷却する熱
処理方法である。
【０００７】
【作用】８００℃を超える温度領域では、鉄、マンガ
ン、クロムに代表される重金属においてもシリコン中に
十分に拡散できるが、ゲッタリングサイトの捕獲エネル
ギーが弱いため、ゲッタリングサイトにおいて十分に不
純物を捕獲できない。ゲッタリングサイトの重金属に対
する捕獲エネルギーは、低温になるほどゲッタリングサ
イトでの捕獲が進むため、８００℃以下の温度領域では
ゲッタリングサイトにおいて十分にゲッタリングでき
る。捕獲エネルギーは元素の種類により、大きく依存し
ないためすべての重金属に対してこの温度依存性に従
う。裏面にゲッタリングサイトを形成させた場合、６０
０℃に満たない低温領域では拡散が遅く、実際上ゲッタ
リングサイトへの拡散が不十分であるため有効なゲッタ
リング効果が期待できない。半導体デバイス製造工程に
おいて、８００℃以上の熱処理後、８００℃から７５０
℃を超えて７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分か
ら１．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃
から７００℃を超えて７５０℃以下の温度域までを０．
１℃／分から２．０℃／分、好ましくは０．２℃／分か
ら１．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、または８
００℃から６００℃以上７００℃以下の温度域までを
０．１℃／分から３．０℃／分、好ましくは０．１℃／
分から０．５℃／分の冷却速度で冷却する熱処理を行う
ことにより、鉄、マンガン、クロム、に代表される拡散
の遅い元素に対しても十分にゲッタリングできる。徐冷
速度として０．１℃／分で十分ゲッタリングでき０．１
℃／分より遅い冷却条件ではゲッタリング効果の改善は
期待できない。
ン、クロムに代表される重金属においてもシリコン中に
十分に拡散できるが、ゲッタリングサイトの捕獲エネル
ギーが弱いため、ゲッタリングサイトにおいて十分に不
純物を捕獲できない。ゲッタリングサイトの重金属に対
する捕獲エネルギーは、低温になるほどゲッタリングサ
イトでの捕獲が進むため、８００℃以下の温度領域では
ゲッタリングサイトにおいて十分にゲッタリングでき
る。捕獲エネルギーは元素の種類により、大きく依存し
ないためすべての重金属に対してこの温度依存性に従
う。裏面にゲッタリングサイトを形成させた場合、６０
０℃に満たない低温領域では拡散が遅く、実際上ゲッタ
リングサイトへの拡散が不十分であるため有効なゲッタ
リング効果が期待できない。半導体デバイス製造工程に
おいて、８００℃以上の熱処理後、８００℃から７５０
℃を超えて７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分か
ら１．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃
から７００℃を超えて７５０℃以下の温度域までを０．
１℃／分から２．０℃／分、好ましくは０．２℃／分か
ら１．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、または８
００℃から６００℃以上７００℃以下の温度域までを
０．１℃／分から３．０℃／分、好ましくは０．１℃／
分から０．５℃／分の冷却速度で冷却する熱処理を行う
ことにより、鉄、マンガン、クロム、に代表される拡散
の遅い元素に対しても十分にゲッタリングできる。徐冷
速度として０．１℃／分で十分ゲッタリングでき０．１
℃／分より遅い冷却条件ではゲッタリング効果の改善は
期待できない。
【０００８】なお、この熱処理時の圧力条件、雰囲気条
件としては、特に限定はない。圧力は常圧であってもあ
るいは減圧もしくは加圧条件にしても効果に差はみられ
ない。また、雰囲気は、例えば、窒素でも、酸素でも、
アルゴンでもあるいは水素でも効果に差はみられない。
件としては、特に限定はない。圧力は常圧であってもあ
るいは減圧もしくは加圧条件にしても効果に差はみられ
ない。また、雰囲気は、例えば、窒素でも、酸素でも、
アルゴンでもあるいは水素でも効果に差はみられない。
【０００９】本ゲッタリング処理条件は、半導体デバイ
ス製造工程において用いられる窒化珪素膜堆積処理、熱
酸化膜形成処理、ポリシリコン膜堆積処理、シリコン酸
化膜堆積処理、ドーパントの拡散および活性化処理にお
いて同時に行うことができる。
ス製造工程において用いられる窒化珪素膜堆積処理、熱
酸化膜形成処理、ポリシリコン膜堆積処理、シリコン酸
化膜堆積処理、ドーパントの拡散および活性化処理にお
いて同時に行うことができる。
【００１０】
【実施例】用いたウェハはポリシリコン膜が裏面に１μ
ｍ堆積されたポリシリコンゲッタリングウェハである。
基板はＰ型１０Ωｃｍで酸素濃度は７×１０17／ｃｍ3
である。汚染元素としてＦｅをスピンコート法により表
面汚染量１×１０12／ｃｍ2 で汚染した。以下の条件に
て汚染拡散処理、ゲート酸化処理、ゲッタリング処理、
水素アニール処理を行い、Ａｌ電極ＭＯＳダイオードを
実装しＭＯＳ．Ｃ−ｔ法により発生ライフタイムにより
ゲッタリング能力を評価した。まず、鉄拡散とゲート酸
化条件は、１０００℃１時間窒素雰囲気で拡散処理を行
い、連続して１０００℃２５分ドライ酸化である。形成
されたゲート酸化膜厚は３０ｎｍである。ゲッタリング
処理として、ゲート酸化後の冷却を１０００℃から８０
０℃まで３．０℃／分で行い８００℃から６００℃まで
を０．０５℃／分から４．０℃／分で行った。なお、ゲ
ッタリング処理時の圧力は１気圧、雰囲気はＮ2 雰囲気
とした。水素アニール条件として、４００℃１時間２０
％Ｈ2 ／Ｎ2 雰囲気で処理を行なった。
ｍ堆積されたポリシリコンゲッタリングウェハである。
基板はＰ型１０Ωｃｍで酸素濃度は７×１０17／ｃｍ3
である。汚染元素としてＦｅをスピンコート法により表
面汚染量１×１０12／ｃｍ2 で汚染した。以下の条件に
て汚染拡散処理、ゲート酸化処理、ゲッタリング処理、
水素アニール処理を行い、Ａｌ電極ＭＯＳダイオードを
実装しＭＯＳ．Ｃ−ｔ法により発生ライフタイムにより
ゲッタリング能力を評価した。まず、鉄拡散とゲート酸
化条件は、１０００℃１時間窒素雰囲気で拡散処理を行
い、連続して１０００℃２５分ドライ酸化である。形成
されたゲート酸化膜厚は３０ｎｍである。ゲッタリング
処理として、ゲート酸化後の冷却を１０００℃から８０
０℃まで３．０℃／分で行い８００℃から６００℃まで
を０．０５℃／分から４．０℃／分で行った。なお、ゲ
ッタリング処理時の圧力は１気圧、雰囲気はＮ2 雰囲気
とした。水素アニール条件として、４００℃１時間２０
％Ｈ2 ／Ｎ2 雰囲気で処理を行なった。
【００１１】ゲッタリング処理を条件１から条件３３に
わたり行なった。条件１は、８００℃にてそのまま炉か
ら引き出した場合である。
わたり行なった。条件１は、８００℃にてそのまま炉か
ら引き出した場合である。
【００１２】条件２は、８００℃から７９０℃までの温
度を１．０℃／分で冷却し７９０℃にて炉から引き出し
た。条件３は、８００℃から７７５℃までの温度を１．
０℃／分で冷却し７７５℃にて炉から引き出した。条件
４は、８００℃から７６０℃までの温度を１．０℃／分
で冷却し７６０℃にて炉から引き出した。条件５は、８
００℃から７５０℃までの温度を２．０℃／分で冷却し
７５０℃にて炉から引き出した。条件６は、８００℃か
ら７３０℃までの温度を２．０℃／分で冷却し７３０℃
にて炉から引き出した。条件７は、８００℃から７１０
℃までの温度を２．０℃／分で冷却し７１０℃にて炉か
ら引き出した。条件８は、８００℃から７００℃までの
温度を３．０℃／分で冷却し７００℃にて炉から引き出
した。条件９は、８００℃から６５０℃までの温度を
３．０℃／分で冷却し６５０℃にて炉から引き出した。
条件１０は、８００℃から６００℃までの温度を３．０
℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き出した。条件１
１は、８００℃から７９０℃までの温度を０．１℃／分
で冷却し７９０℃にて炉から引き出した。条件１２は、
８００℃から７６０℃までの温度を０．１℃／分で冷却
し７６０℃にて炉から引き出した。条件１３は、８００
℃から７５０℃までの温度を０．１℃／分で冷却し７５
０℃にて炉から引き出した。条件１４は、８００℃から
７１０℃までの温度を０．１℃／分で冷却し７５０℃に
て炉から引き出した。条件１５は、８００℃から７００
℃までの温度を０．１℃／分で冷却し７００℃にて炉か
ら引き出した。条件１６は、８００℃から６５０℃まで
の温度を０．１℃／分で冷却し６５０℃にて炉から引き
出した。条件１７は、８００℃から６００℃までの温度
を０．１℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き出し
た。
度を１．０℃／分で冷却し７９０℃にて炉から引き出し
た。条件３は、８００℃から７７５℃までの温度を１．
０℃／分で冷却し７７５℃にて炉から引き出した。条件
４は、８００℃から７６０℃までの温度を１．０℃／分
で冷却し７６０℃にて炉から引き出した。条件５は、８
００℃から７５０℃までの温度を２．０℃／分で冷却し
７５０℃にて炉から引き出した。条件６は、８００℃か
ら７３０℃までの温度を２．０℃／分で冷却し７３０℃
にて炉から引き出した。条件７は、８００℃から７１０
℃までの温度を２．０℃／分で冷却し７１０℃にて炉か
ら引き出した。条件８は、８００℃から７００℃までの
温度を３．０℃／分で冷却し７００℃にて炉から引き出
した。条件９は、８００℃から６５０℃までの温度を
３．０℃／分で冷却し６５０℃にて炉から引き出した。
条件１０は、８００℃から６００℃までの温度を３．０
℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き出した。条件１
１は、８００℃から７９０℃までの温度を０．１℃／分
で冷却し７９０℃にて炉から引き出した。条件１２は、
８００℃から７６０℃までの温度を０．１℃／分で冷却
し７６０℃にて炉から引き出した。条件１３は、８００
℃から７５０℃までの温度を０．１℃／分で冷却し７５
０℃にて炉から引き出した。条件１４は、８００℃から
７１０℃までの温度を０．１℃／分で冷却し７５０℃に
て炉から引き出した。条件１５は、８００℃から７００
℃までの温度を０．１℃／分で冷却し７００℃にて炉か
ら引き出した。条件１６は、８００℃から６５０℃まで
の温度を０．１℃／分で冷却し６５０℃にて炉から引き
出した。条件１７は、８００℃から６００℃までの温度
を０．１℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き出し
た。
【００１３】条件１８は、８００℃から７９０℃までの
温度を２．０℃／分で冷却し７９０℃にて炉から引き出
した。条件１９は、８００℃から７７５℃までの温度を
２．０℃／分で冷却し７７５℃にて炉から引き出した。
条件２０は、８００℃から７６０℃までの温度を２．０
℃／分で冷却し７６０℃にて炉から引き出した。条件２
１は、８００℃から７５０℃までの温度を３．０℃／分
で冷却し７５０℃にて炉から引き出した。条件２２は、
８００℃から７３０℃までの温度を３．０℃／分で冷却
し７３０℃にて炉から引き出した。条件２３は、８００
℃から７１０℃までの温度を３．０℃／分で冷却し７１
０℃にて炉から引き出した。条件２４は、８００℃から
７００℃までの温度を４．０℃／分で冷却し７００℃に
て炉から引き出した。条件２５は、８００℃から６５０
℃までの温度を４．０℃／分で冷却し６５０℃にて炉か
ら引き出した。条件２６は、８００℃から６００℃まで
の温度を４．０℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き
出した。
温度を２．０℃／分で冷却し７９０℃にて炉から引き出
した。条件１９は、８００℃から７７５℃までの温度を
２．０℃／分で冷却し７７５℃にて炉から引き出した。
条件２０は、８００℃から７６０℃までの温度を２．０
℃／分で冷却し７６０℃にて炉から引き出した。条件２
１は、８００℃から７５０℃までの温度を３．０℃／分
で冷却し７５０℃にて炉から引き出した。条件２２は、
８００℃から７３０℃までの温度を３．０℃／分で冷却
し７３０℃にて炉から引き出した。条件２３は、８００
℃から７１０℃までの温度を３．０℃／分で冷却し７１
０℃にて炉から引き出した。条件２４は、８００℃から
７００℃までの温度を４．０℃／分で冷却し７００℃に
て炉から引き出した。条件２５は、８００℃から６５０
℃までの温度を４．０℃／分で冷却し６５０℃にて炉か
ら引き出した。条件２６は、８００℃から６００℃まで
の温度を４．０℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き
出した。
【００１４】条件２７は、８００℃から７９０℃までの
温度を０．０５℃／分で冷却し７９０℃にて炉から引き
出した。条件２８は、８００℃から７６０℃までの温度
を０．０５℃／分で冷却し７６０℃にて炉から引き出し
た。条件２９は、８００℃から７５０℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し７５０℃にて炉から引き出し
た。条件３０は、８００℃から７１０℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し７１０℃にて炉から引き出し
た。条件３１は、８００℃から７００℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し７００℃にて炉から引き出し
た。条件３２は、８００℃から６５０℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し６５０℃にて炉から引き出し
た。条件３３は、８００℃から６００℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き出し
た。表１に発生ライフタイムの測定結果を示す。
温度を０．０５℃／分で冷却し７９０℃にて炉から引き
出した。条件２８は、８００℃から７６０℃までの温度
を０．０５℃／分で冷却し７６０℃にて炉から引き出し
た。条件２９は、８００℃から７５０℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し７５０℃にて炉から引き出し
た。条件３０は、８００℃から７１０℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し７１０℃にて炉から引き出し
た。条件３１は、８００℃から７００℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し７００℃にて炉から引き出し
た。条件３２は、８００℃から６５０℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し６５０℃にて炉から引き出し
た。条件３３は、８００℃から６００℃までの温度を
０．０５℃／分で冷却し６００℃にて炉から引き出し
た。表１に発生ライフタイムの測定結果を示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】条件２、条件３、条件４、条件５、条件
６、条件７、条件８、条件９、条件１０、条件１１、条
件１２、条件１３、条件１４、条件１５、条件１６、条
件１７では発生ライフタイムが５００μｓｅｃ以上にな
り十分なゲッタリング効果が認められる。
６、条件７、条件８、条件９、条件１０、条件１１、条
件１２、条件１３、条件１４、条件１５、条件１６、条
件１７では発生ライフタイムが５００μｓｅｃ以上にな
り十分なゲッタリング効果が認められる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、半導体デバイス製造工程にお
いて、８００℃以上の熱処理後、８００℃から７５０℃
超７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分から１．０
℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃から７０
０℃超７５０℃以下の温度域までを０．１℃／分から
２．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃か
ら６００℃以上７００℃以下の温度域までを０．１℃／
分から３．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理によ
り、拡散の遅い鉄、マンガン、クロムなどに代表される
元素を有効にゲッタリングすることができる。
いて、８００℃以上の熱処理後、８００℃から７５０℃
超７９０℃以下までの温度域を０．１℃／分から１．０
℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃から７０
０℃超７５０℃以下の温度域までを０．１℃／分から
２．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理、８００℃か
ら６００℃以上７００℃以下の温度域までを０．１℃／
分から３．０℃／分の冷却速度で冷却する熱処理によ
り、拡散の遅い鉄、マンガン、クロムなどに代表される
元素を有効にゲッタリングすることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】半導体デバイス製造工程において、８００
℃以上の熱処理後、８００℃から７５０℃超７９０℃以
下までの温度域を０．１℃／分から１．０℃／分の冷却
速度で冷却するゲッタリング処理方法。 - 【請求項２】半導体デバイス製造工程において、８００
℃以上の熱処理後、８００℃から７００℃超７５０℃以
下の温度域までをを０．１℃／分から２．０℃／分の冷
却速度で冷却するゲッタリング処理方法。 - 【請求項３】半導体デバイス製造工程において、８００
℃以上の熱処理後、８００℃から６００℃以上７００℃
以下の温度域までをを０．１℃／分から３．０℃／分の
冷却速度で冷却するゲッタリング処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12534894A JPH07335656A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | ゲッタリング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12534894A JPH07335656A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | ゲッタリング処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335656A true JPH07335656A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14907902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12534894A Withdrawn JPH07335656A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | ゲッタリング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335656A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562733B2 (en) | 1997-09-30 | 2003-05-13 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2007067366A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置の製造方法 |
| JP2008546212A (ja) * | 2005-06-07 | 2008-12-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 合金クラスタによる内部ゲッタリング |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP12534894A patent/JPH07335656A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562733B2 (en) | 1997-09-30 | 2003-05-13 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2008546212A (ja) * | 2005-06-07 | 2008-12-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 合金クラスタによる内部ゲッタリング |
| US7763095B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-07-27 | The Regents Of The University Of California | Internal gettering by metal alloy clusters |
| JP2007067366A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置の製造方法 |
| US7763500B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-07-27 | Elpida Memory, Inc. | Method for manufacturing semiconductor storage device comprising a slow cooling step |
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