JPH07335830A - 多層配線基板における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板１１上に所定パターンの下層電極層１２
を形成する工程と、形成された下層電極層１２を含む領
域に酸化タンタル層１３を形成する工程と、酸化タンタ
ル層１３表面に所定パターンのメタルマスク層１４を形
成する工程と、メタルマスク層１４をマスクとしてプラ
ズマガス１５により酸化タンタル層１３をエッチングす
る工程と、メタルマスク層１４を含む上層電極層１６を
形成する工程とを含む多層配線基板における酸化タンタ
ル内蔵コンデンサの作製方法。 【構成】 エッチング工程においては、従来の湿式法と
比べて安全にかつ高い信頼性でエッチングを行うことが
でき、上層電極形成工程においては、メタルマスク層１
４を上層電極層１６の一部として使用できるので、コン
デンサの作製工程を簡略化することができる。このた
め、製品の歩留を向上させることができ、リーク電流が
小さく、信頼性の高いコンデンサを提供することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は多層配線基板における酸
化タンタル内蔵コンデンサの作製方法に関し、より詳細
には通信機器、コンピュータ等に用いられる多層配線基
板における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータ等の電子機器の高周
波化、高速化に伴い、これらに発生するノイズをいかに
小さくして、ＬＳＩ等の誤動作を防止することができる
かが大きな問題となってきている。

【０００３】これら電子機器に発生するノイズの中で、
特に問題となるのは、配線間の相互作用によって生じ
るクロストークノイズ、信号の立ち上がりに発生する
リンギングノイズ、配線の接続部におけるインピーダ
ンスの不整合等により発生する反射ノイズ、及び回路
や装置を開閉したときに生じる同時スイッチングノイズ
である。

【０００４】これらのなかで、前記〜のノイズは配
線の構造を、例えばマイクロストリップ構造とすること
等により大きく低減することが可能である。一方、前記
の同時スイッチングノイズを低減するために、従来は
チップコンデンサをＬＳＩの近くに実装してきた。しか
し、このようにチップコンデンサを実装した場合でも、
ＬＳＩとチップコンデンサとの間にリードインダクタン
スが存在するため、の同時スイッチングノイズを低減
するには限界があった。このような問題を考慮して、近
年、高速、高密度実装に適したＭＣＭ（Multi Chip Mod
ule ）用多層配線基板に薄膜コンデンサを内蔵する研
究、開発が盛んに行われている。

【０００５】このような多層配線基板に薄膜コンデンサ
を内蔵する方法として、従来は、以下に説明するような
方法が採られていた。

【０００６】図４は従来より行われている多層配線基板
における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法の各工
程を模式的に示した断面図である。

【０００７】まず、基板１１上にスパッタリング法を用
いて下層電極層１２を形成し、その表面にフォトレジス
ト１７を塗布し（図４（ａ））、所定パターンのマスク
を介して露光処理を施し、その後現像処理を施すフォト
リソグラフィーの技術によりフォトレジスト１７を所定
の形状にパターニングする（図４（ｂ））。

【０００８】次に、フォトレジスト１７をマスクとして
エッチングを行い、下層電極層１２を所定の形状にパタ
ーニングし、フォトレジスト１７を剥離する（図４
（ｃ））。

【０００９】次に、前記エッチングにより露出した基板
１１及び下層電極層１２の表面に、Ｔａターゲット及び
酸素を含むガスを用いた反応性スパッタリング法により
酸化タンタル層１３を形成する（図４（ｄ））。

【００１０】次に、酸化タンタル層１３の表面にフォト
レジスト１７を塗布し（図４（ｅ））、上記したフォト
リソグラフィーの技術を用いてフォトレジスト１７を所
定の形状にパターニングする（図４（ｆ））。

【００１１】次に、フォトレジスト１７をマスクとして
フッ酸により酸化タンタル層１３のウェットエッチング
を行い（図４（ｇ））、その後フォトレジスト１７を剥
離する（図４（ｈ））。

【００１２】次にスパッタリング法を用いて上層電極層
１６を形成し（図４（ｉ））、その表面にフォトレジス
ト１７を塗布する（図４（ｊ））。その後、上記したフ
ォトリソグラフィーの技術を用いてフォトレジスト１７
を所定の形状にパターニングし（図４（ｋ））、このフ
ォトレジスト１７をマスクとして所定のパターンになる
ように上層電極層１６のエッチングを行い、フォトレジ
スト１７を剥離することにより、酸化タンタル内蔵コン
デンサの作製を完了する（図４（ｌ））。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来からの多
層配線基板における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製
方法では、酸化タンタル層１３を所定のパターンにエッ
チングするため、高濃度のフッ酸を用いたウェットエッ
チング法を採用していたため、以下のような課題があっ
た。

【００１４】すなわち、前記高濃度のフッ酸を用いてウ
エットエッチングを行う場合、フッ酸は酸として皮膚を
侵す他、皮膚の内部に浸透する性質を有するため取り扱
いが難しく、また危険である。

【００１５】またエッチング中にフォトレジスト１７自
身が侵食され、フッ酸が酸化タンタル層１３とフォトレ
ジスト１７との界面に浸透し、酸化タンタル層１３の表
面よりフォトレジスト１７が剥離してしまうことがしば
しばあり、このためにエッチングされるべきでない部分
までエッチングされ、プロセス上の信頼性に欠ける。

【００１６】さらに、フォトレジスト１７の剥離にまで
至らなくても、酸化タンタル層１３とフォトレジスト１
７との間に浸透したフッ酸により、酸化タンタル層１３
が侵食されることになり、酸化タンタル層１３をコンデ
ンサ層として形成されたコンデンサのリーク電流値が大
きくなり易い。

【００１７】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、安全に、かつリーク電流の小さい信頼性に優
れたコンデンサを形成することが可能な、多層配線基板
における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法を提供
することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る多層配線基板における酸化タンタル内蔵
コンデンサの作製方法は、基板上に所定パターンの下層
電極を形成する下層電極形成工程と、前記下層電極を含
む領域に酸化タンタル層を形成する酸化タンタル層形成
工程と、前記酸化タンタル層の表面に所定パターンのメ
タルマスクを形成するメタルマスク形成工程と、前記メ
タルマスクをマスクとしてプラズマガスにより前記酸化
タンタル層をエッチングするエッチング工程と、前記メ
タルマスクを含む上層電極を形成する上層電極形成工程
とを含むことを特徴としている。

【００１９】以下、本発明に係る多層配線基板における
酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法をより詳細に説
明する。

【００２０】図１は本発明に係る多層配線基板における
酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法の各工程を模式
的に示した多層配線基板の断面図である。

【００２１】本発明において用いられる多層配線基板
は、前記多層配線基板内に電源層や接地層などを含む配
線層が多層に形成された基板であり、本発明では前記配
線層等を含む多層配線基板を製造した後、又は前記多層
配線基板を製造する工程の途中で、前記多層配線基板の
一定領域に酸化タンタル内蔵コンデンサを形成する。

【００２２】前記下層電極形成工程及び前記酸化タンタ
ル層形成工程は、上記した従来の方法の場合と同様に行
うことができる。

【００２３】すなわち、基板１１上に従来の方法と同様
にして所定パターンの下層電極層１２を形成し（図１
（ａ）〜図１（ｃ））、次に、下層電極層１２のエッチ
ングにより露出した基板１１及び下層電極層１２の表面
に、前記反応性スパッタリング法により酸化タンタル層
１３を形成する（図１（ｄ））。

【００２４】下層電極層１２の材質としては、例えばＡ
ｌ、Ｎｉ等が好ましく、下層電極層１２の厚さは０．３
〜０．４μｍ程度が好ましい。また、酸化タンタル層１
３の厚さは０．２〜０．８μｍ程度が好ましい。

【００２５】次に、メタルマスク形成工程として、酸化
タンタル層１３の表面に所定パターンのメタルマスク層
１４を形成するが、その方法としては、まずスパッタリ
ング法により、例えばＡｌ、Ｎｉ等の金属からなるメタ
ルマスク層１４を０．３〜０．６μｍの厚さに形成し、
その上にフォトレジスト１７を塗布する（図１
（ｅ））。

【００２６】次に、フォトレジスト１７をフォトリソグ
ラフィーの技術により所定の形状にパターニングし（図
１（ｆ））、このフォトレジストをマスクとしてリン酸
と硝酸と酢酸と水とを混合した溶液等によるエッチング
を行い、所定パターンのメタルマスク層１４を形成する
（図１（ｇ））。

【００２７】次に、エッチング工程として、メタルマス
ク層１４をマスクとしてプラズマガス１５により酸化タ
ンタル層１３をエッチングする（図１（ｈ））。

【００２８】本発明において、前記したプラズマガス１
５によるエッチングとは、高周波放電等によりプラズマ
を発生させ、又は一層効率良くプラズマを発生させるた
め若しくはプラズマを一定領域に封じこめるために磁界
も同時に作用させ、これらにより発生したプラズマガス
１５を用いてエッチングを行う方法をいう。また、前記
方法は高周波のみでなく、例えば２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を用いて放電を行いプラズマを発生させる方法を
も含むものとする。これらのプラズマガス１５によりエ
ッチングを行う際に用いられる装置としては、例えば平
行平板型の高周波及びマイクロ波プラズマ処理装置、有
磁場マイクロ波プラズマ処理装置、電子サイクロトロン
共鳴（ＥＣＲ；Electron Cyclotron Resonance）励起に
よりプラズマを発生させる装置等が挙げられる。

【００２９】高周波エッチングの装置を用いる場合に
は、エッチングガスとしてＡｒ等の不活性ガスを使用す
るのが好ましく、マイクロ波によりプラズマを発生させ
てエッチングを行う場合には、酸素とフッ化物ガス（例
えばＣＦ₄ 等）を用いる方法が好ましい。

【００３０】高周波エッチングの条件としては、例えば
Ｏ₂ ガス流量：４０ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量：１０ｓｃ
ｃｍ、系内の全圧：２ｍｔｏｒｒ、高周波の周波数：１
３．５６ＭＨｚ、高周波のパワー：２ｋＷ、基板の温
度：２０℃等が挙げられる。

【００３１】また、マイクロ波エッチングの条件として
は、Ｏ₂ ガス流量：３６０ｓｃｃｍ、ＣＦ₄ ：４０ｓｃ
ｃｍ、全圧：１ｔｏｒｒ、マイクロ波のパワー：１ｋ
Ｗ、基板温度：１００℃等が挙げられる。

【００３２】次に、上層電極形成工程として、まずスパ
ッタリング法により、メタルマスク層１４の形成に用い
た金属と同様の金属を用いてメタルマスクを含めた上層
電極層１６を厚さ１．５〜２μｍの範囲で形成し（図１
（ｉ））、この上層電極層１６の表面にフォトレジスト
１７を形成する（図１（ｊ））。

【００３３】次に、このフォトレジスト１７をフォトリ
ソグラフィーの技術を用いて所定の形状にパターニング
し（図１（ｋ））、このフォトレジストをマスクとして
エッチングを施し、所定パターンの上層電極層１６を形
成して酸化タンタル内蔵コンデンサの作製を完了する
（図１（ｌ））。

【００３４】

【作用】上記した構成の多層配線基板における酸化タン
タル内蔵コンデンサの作製方法によれば、基板上に所定
パターンの下層電極を形成する下層電極形成工程と、前
記下層電極を含む領域に酸化タンタル層を形成する酸化
タンタル層形成工程と、前記酸化タンタル層の表面に所
定パターンのメタルマスクを形成するメタルマスク形成
工程と、前記メタルマスクをマスクとしてプラズマガス
により前記酸化タンタル層をエッチングするエッチング
工程と、前記メタルマスクを含む上層電極を形成する上
層電極形成工程とを含むので、前記エッチング工程にお
いては、従来の湿式法と比べて安全にかつ高い信頼性で
エッチングがなされ、また前記上層電極形成工程におい
ては、メタルマスクをそのまま上層電極の一部として使
用できるので、コンデンサの作製工程が簡略化される。

【００３５】このため、前記した酸化タンタル内蔵コン
デンサの作製方法によれば、製品の歩留が従来に比べて
良くなり、また作製されたコンデンサは、リーク電流が
小さく、信頼性の高いものとなる。

【００３６】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る多層配線基板
における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法の実施
例を説明する。なお、「課題を解決するための手段」に
おいて、本発明の各工程を図面に基づいて説明したの
で、本実施例における酸化タンタル内蔵コンデンサの作
製方法については、図面を省略して説明することにす
る。

【００３７】［実施例１］通常の薄膜形成装置を用い、
まず下層電極形成工程として、Ａｌ金属板をターゲット
とし、スパッタリング法により基板上にＡｌよりなる下
層電極層を０．４μｍの厚さに形成した。この後、フォ
トレジストを前記下層電極層の表面に塗布し、フォトリ
ソグラフィーの技術により一定形状にパターニングした
後、このフォトレジストをマスクとしてリン酸と硝酸と
酢酸と水とを混合した溶液等によるエッチングにより、
前記下層電極層を所定の形状にパターニングした。

【００３８】次に、酸化タンタル層形成工程として、前
記エッチングにより露出した前記基板及び前記下層金属
層の表面に反応性スパッタリング法により４０００Åの
厚さの酸化タンタル層を形成した。該酸化タンタル層の
形成は、Ｔａ板をターゲットとして用い、Ｏ₂ が４０ｓ
ｃｃｍ、Ａｒが１０ｓｃｃｍ、全圧が２ｍｔｏｒｒ、高
周波放電の周波数が１３．６５ＭＨｚでそのパワーが２
ｋＷ、基板の温度が２０℃の条件で行った。

【００３９】次に、メタルマスク形成工程として、スパ
ッタリング法によりＡｌ金属よりなるメタルマスク層を
０．６μｍの厚さに形成した。この後、フォトレジスト
を前記メタルマスク層の表面に塗布し、フォトリソグラ
フィーの技術により一定形状にパターニングした後、こ
のフォトレジストパターンをマスクとしてリン酸と硝酸
と酢酸と水とを混合した溶液等によるエッチングによ
り、前記メタルマスク層を所定の形状にパターニングし
た。

【００４０】次に、エッチング工程として、前記メタル
マスクをマスクとして用い、Ａｒガスを高周波放電によ
りプラズマガスとし、前記プラズマによるスパッタを利
用して、前記酸化タンタル層のエッチングを行った。

【００４１】このエッチング工程においては、平行平板
型のプラズマエッチング装置を使用した。図２は本実施
例に用いられたプラズマエッチング装置を模式的に示し
た断面図であり、図中２０はプラズマエッチング装置を
示している。

【００４２】処理室２１の上方には上部電極２２がセラ
ミック製シールド３０により支持されており、この上部
電極２２の上方にはシ−ルプレ−ト２５が配設されてい
る。このシ−ルプレ−ト２５の中央部にはエッチングガ
ス導入路２６が形成されており、エッチングガス導入路
２６はガス供給源（図示せず）に接続されている。ま
た、セラミックシールド３０には半導体ウエハ２４を下
部電極２３に固定するためのクランプ板２９が取り付け
られているが、このクランプ板２９には金属汚染を防止
するためにアルマイト処理が施されたアルミニウムの金
属が用いられている。さらに、シ−ルプレ−ト２５と上
部電極２２との間にはバッフル板３１が介装されてお
り、このバッフル板３１に形成された開口部３１ａ及び
上部電極２２に形成された開口部３２ａから処理室２１
にエッチングガスが拡散されて供給されるようになって
いる。

【００４３】一方、上部電極２２に対向して処理室２１
の下部には所定の距離を保って下部電極２３が配設され
ており、下部電極２３の内部には冷却水を循環させるた
めの冷媒循環路２８が形成されている。また、下部電極
２３の上面には半導体ウエハ２４が載置されている。下
部電極２３の周囲は下部電極２３以外の金属が露出しな
いようにテフロンまたはセラミックで覆われており、下
部電極２３の外周下方には排気路２７が形成されてい
る。また、上部電極２２及び下部電極２３には高周波電
源３３が接続されており、上部電極２２をアースし、下
部電極２３に高周波電力を印加する場合はＲＩＥモード
となり、下部電極２３をアースし、上部電極２２に高周
波電力を印加する場合はプラズマモードとなる。

【００４４】このように構成されたプラズマエッチング
装置２０を用い、まずこのプラズマエッチング装置２０
をプラズマモードに設定し、前記工程により前記酸化タ
ンタル層の上に所定形状のメタルマスクが形成された基
板２４を被エッチング面を上にして下部電極２３上に載
置した。次に、上部電極２２とクランプ板２９とを備え
たセラミックシールド３０を降下させ、クランプ板２９
によりこの基板２４を押圧固定した。この後、下部電極
２３をアースし、エッチングガスの導入路２６からＡｒ
ガスを処理室２１内に供給し、２ｍＴｏｒｒの真空度に
設定した。次に、高周波電源３３から上部電極２２に、
その周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を２ｋＷの
パワーで６０分間印加することによりエッチングガスを
プラズマ化し、このプラズマガスを前記した酸化タンタ
ル層の上に所定形状のメタルマスクが形成された基板２
４の表面に衝突させてエッチングし、前記酸化タンタル
層を所定の形状にパターニングした。

【００４５】次に、この基板２４を前記薄膜形成装置に
戻し、上層電極形成工程として、前記メタルマスクを剥
離せず、上記した下層電極形成工程と同様の条件でスパ
ッタ及びエッチングを行い、厚さが１．８μｍの所定パ
ターンの上層電極層を形成して、酸化タンタル内蔵コン
デンサの作製を完了した。

【００４６】このようにして作製された本実施例に係る
酸化タンタル内蔵コンデンサは、電極間の酸化タンタル
層の厚さが４０００Åで、電極の面積は６．７５ｍｍ²
であり、このときのリーク電流は５．０８×１０^-8Ａと
小さな値であった。リーク電流の測定は、横河−ヒュー
レットパッカード社製のｐＡメーター（４１４０Ｂ）を
使用し、２５Ｖの直流電流を６０秒間流して行った。

【００４７】［実施例２］次に、実施例２として、酸化
タンタル層の厚さが８０００Åである以外は、上記実施
例１の場合と全く同様の条件で酸化タンタル内蔵コンデ
ンサを作製し、リーク電流を測定した。本実施例に係る
コンデンサのリーク電流は９．１１×１０^-9Ａと小さい
値であった。

【００４８】次に、実施例１〜２と同様の条件で、酸化
タンタル内蔵コンデンサをそれぞれ５０個製造し、得ら
れた酸化タンタル内蔵コンデンサに１Ｖの直流電流を１
秒間流し、リーク電流が１ｍＡ以上のものを不合格品と
してその歩留を計算したところ、前記実施例１〜２の場
合の製品歩留りは共に７０％以上であった。

【００４９】［実施例３及び４］エッチング工程以外
は、上記実施例１及び２の場合と全く同様の条件で酸化
タンタル内蔵コンデンサを作製した。従って、ここで
は、エッチング工程についてのみ説明する。また、ここ
では酸化タンタル層の厚さが４０００Åのものを実施例
３とし、酸化タンタル層の厚さが８０００Åのものを実
施例４とする。

【００５０】本実施例においてはエッチング工程とし
て、ＥＣＲ励起によりプラズマを発生させる装置を用
い、Ｏ₂ 及びＣＦ₄ をプラズマガスとしてエッチングを
行った。

【００５１】図３は、本実施例に用いられたＥＣＲ励起
によりプラズマを発生させる装置を模式的に示した断面
図であり、図中５１はプラズマ生成室を示している。

【００５２】プラズマ生成室５１の周壁は２重構造に構
成されており、その内部には冷却水の通流室５１ａが形
成され、また上部壁中央には石英ガラス板５１ｂにより
封止されたマイクロ波導入口５１ｃが形成され、さらに
下部壁中央にはマイクロ波導入口５１ｃと対向する位置
にプラズマ引き出し窓５１ｄが形成されている。マイク
ロ波導入口５１ｃには他端がマイクロ波発振器（図示せ
ず）に接続された導波管５２の一端が接続され、またプ
ラズマ引き出し窓５１ｄに臨ませて試料室５３が配設さ
れている。さらにプラズマ生成室５１及びこれに接続さ
れた導波管５２の一端部にわたってこれらを囲繞する態
様でこれらと同心状に励磁コイル５４が配設されてい
る。

【００５３】一方試料室５３内にはプラズマ引き出し窓
５１ｄと対向する位置にセラミックス基板５５等の試料
を載置するための試料台５７が配設されている。また試
料室５３の下部壁には、図示しない排気装置に接続され
る排気口５３ａが形成されている。

【００５４】また図中５１ｇはプラズマ生成室５１に連
なる反応ガス供給系を示しており、５３ｇは試料室５３
に連なる反応ガス供給系を示しており、５１ｈ、５１ｉ
は冷却水の供給系、排出系を示している。

【００５５】このように構成された前記装置の試料台５
７に酸化タンタル層の上に所定形状のメタルマスクが形
成された基板５５を載置し、プラズマ生成室５１及び試
料室５３内に反応ガス供給系５１ｇ、５３ｇを通じてＯ
₂ を３６０ｓｃｃｍ、ＣＦ_４を４０ｓｃｃｍ、全圧１ｔ
ｏｒｒで供給し、励磁コイル５４により電子サイクロト
ロン共鳴励起に必要な磁界を形成しつつマイクロ波導入
口５１ｃを通じてプラズマ生成室５１内に１ｋＷのパワ
ーで周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、プ
ラズマ生成室５１を空洞共振器としてガスを共鳴励起さ
せてプラズマを生成させた。そして、この生成したプラ
ズマを試料室５３内の基板５５周辺に投射させ、前記酸
化タンタル層をエッチングして所定の形状にパターニン
グした。

【００５６】本実施例に係る方法により作製された酸化
タンタル内蔵コンデンサのリーク電流は、実施例３の場
合が３．０４×１０^−１０ Ａ、実施例４の場合が１．
０３×１０^-10 Ａと、実施例１、２に係る場合と比較し
てもさらに小さい値であった。

【００５７】なお、前記実施例３及び４の場合の製品歩
留りを実施例１〜２と同様に測定したところ、その製品
歩留りは共に８０％以上であった。

【００５８】［比較例１及び２］エッチング工程以外
は、上記実施例１〜２と全く同様の条件で酸化タンタル
内蔵コンデンサを作製した。従って、本比較例では、エ
ッチング工程のみを説明する。なお、酸化タンタル層の
厚さが４０００Åの厚さのものを比較例１とし、酸化タ
ンタル層の厚さが８０００Åの厚さのものを比較例２と
する。

【００５９】エッチング工程として、その表面に所定パ
ターンのメタルマスクが形成された酸化タンタル層を有
する基板を、２０重量％濃度のフッ酸溶液に１５秒浸漬
してエッチングを行った。

【００６０】得られた酸化タンタル内蔵コンデンサのリ
ーク電流は、比較例１の場合が９．２１×１０^-8Ａ、比
較例２の場合が３．１２×１０^-8Ａと、実施例１〜４で
酸化タンタル層が同じ厚さのものと比較すると、いずれ
の場合も約２倍以上リーク電流の値が大きかった。

【００６１】なお、前記比較例１〜２の場合の製品歩留
りを実施例１〜２と同様に測定したところ、その製品歩
留りは５０％以下と、実施例１〜４と比べて低い値であ
った。

【００６２】以上説明したように実施例に係る多層配線
基板における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法に
あっては、基板上に所定パターンのＡｌよりなる下層電
極を形成する下層電極形成工程と、形成された前記下層
電極を含む領域に酸化タンタル層を形成する酸化タンタ
ル層形成工程と、前記酸化タンタル層の表面に所定パタ
ーンのＡｌよりなるメタルマスクを形成するメタルマス
ク形成工程と、前記メタルマスクをマスクとし、Ａｒを
用いて発生させたプラズマガス、又はＯ₂ とＣＦ₄ 用い
て発生させたプラズマガスにより前記酸化タンタル層を
エッチングするエッチング工程と、前記メタルマスクを
含むＡｌよりなる上層電極を形成する上層電極形成工程
とを含むので、前記エッチング工程においては、従来の
湿式法と比べて安全にかつ高い信頼性でエッチングを行
うことができ、また前記上層電極形成工程においては、
メタルマスクをそのまま上層電極の一部として使用でき
るので、コンデンサの作製工程を簡略化することができ
る。

【００６３】このため、実施例に係る酸化タンタル内蔵
コンデンサの作製方法では、製品の歩留を７０％以上
と、従来の製品の歩留（５０％以下）に比べて向上させ
ることができ、リーク電流が小さく、信頼性の高いコン
デンサを提供することができる。

【００６４】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る多層配
線基板における酸化タンタル内蔵コンデンサの作製方法
にあっては、基板上に所定パターンの下層電極を形成す
る下層電極形成工程と、下層電極を含む領域に酸化タン
タル層を形成する酸化タンタル層形成工程と、前記酸化
タンタル層の表面に所定パターンのメタルマスクを形成
するメタルマスク形成工程と、前記メタルマスクをマス
クとしてプラズマガスにより前記酸化タンタル層をエッ
チングするエッチング工程と、前記メタルマスクを含む
上層電極を形成する上層電極形成工程とを含むので、前
記エッチング工程においては、従来の湿式法と比べて安
全にかつ高い信頼性でエッチングを行うことができ、ま
た前記上層電極形成工程においては、メタルマスクをそ
のまま上層電極の一部として使用できるので、コンデン
サの作製工程を簡略化することができる。

【００６５】このため、本発明に係る酸化タンタル内蔵
コンデンサの作製方法では、製品の歩留を従来に比べて
向上させることができ、リーク電流が小さく、信頼性の
高いコンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る多層配線基板における酸化タンタ
ル内蔵コンデンサの作製方法の各工程を模式的に示した
断面図である。

【図２】実施例に用いられたプラズマエッチング装置を
模式的に示した断面図である。

【図３】実施例に用いられたＥＣＲ励起によりプラズマ
を発生させる装置を模式的に示した断面図である。

【図４】従来の多層配線基板における酸化タンタル内蔵
コンデンサの作製方法の各工程を模式的に示した断面図
である。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ 下層電極層 １３ 酸化タンタル層 １４ メタルマスク層 １５ プラズマガス １６ 上層電極層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に所定パターンの下層電極を形成
   する下層電極形成工程と、前記下層電極を含む領域に酸
   化タンタル層を形成する酸化タンタル層形成工程と、前
   記酸化タンタル層の表面に所定パターンのメタルマスク
   を形成するメタルマスク形成工程と、前記メタルマスク
   をマスクとしてプラズマガスにより前記酸化タンタル層
   をエッチングするエッチング工程と、前記メタルマスク
   を含む上層電極を形成する上層電極形成工程とを含むこ
   とを特徴とする多層配線基板における酸化タンタル内蔵
   コンデンサの作製方法。