JPH07335911A - 受圧管一体型圧力センサ - Google Patents
受圧管一体型圧力センサInfo
- Publication number
- JPH07335911A JPH07335911A JP6123637A JP12363794A JPH07335911A JP H07335911 A JPH07335911 A JP H07335911A JP 6123637 A JP6123637 A JP 6123637A JP 12363794 A JP12363794 A JP 12363794A JP H07335911 A JPH07335911 A JP H07335911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- thin film
- sensor
- pressure sensor
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】小型であり、且つ素子特性の再現性に優れた圧
力センサを提供することを主な目的とする。 【構成】１．受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧
管一体型圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化
ケイ素薄膜を介して酸化クロム薄膜からなるひずみセン
サ素子を形成したことを特徴とする受圧管一体型圧力セ
ンサ。
力センサを提供することを主な目的とする。 【構成】１．受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧
管一体型圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化
ケイ素薄膜を介して酸化クロム薄膜からなるひずみセン
サ素子を形成したことを特徴とする受圧管一体型圧力セ
ンサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、受圧管一体型圧力セン
サに関する。
サに関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】近年半導体Ｓｉ単結晶の歪み
抵抗変化を利用した拡散型圧力センサが広く使用されて
いる。このセンサは、感度が高い、モノリシックに作製
したＩＣにより温度依存性が補正できる、ＩＣプロセス
により小型センサを大量に作製できるので比較的安価で
あるなどの利点を有している。しかしながら、この構造
のセンサは、５００ｋｇ／ｃｍ2程度以上の高圧用セン
サとして使用する場合には、センサ部であるＳｉと流体
圧力をセンサに導入する支持台との接続部で剥離を生ず
るという問題が発生する。
抵抗変化を利用した拡散型圧力センサが広く使用されて
いる。このセンサは、感度が高い、モノリシックに作製
したＩＣにより温度依存性が補正できる、ＩＣプロセス
により小型センサを大量に作製できるので比較的安価で
あるなどの利点を有している。しかしながら、この構造
のセンサは、５００ｋｇ／ｃｍ2程度以上の高圧用セン
サとして使用する場合には、センサ部であるＳｉと流体
圧力をセンサに導入する支持台との接続部で剥離を生ず
るという問題が発生する。
【０００３】現行の高圧用圧力センサは、測定圧力とバ
ランスする受圧装置の変位量を読み取る“変位式”と、
圧力によってセンサ材料に誘起された歪による物性変化
を電気信号として読み取る“ひずみ式”とに大別でき
る。
ランスする受圧装置の変位量を読み取る“変位式”と、
圧力によってセンサ材料に誘起された歪による物性変化
を電気信号として読み取る“ひずみ式”とに大別でき
る。
【０００４】より具体的に、変位式は、ブルドン管、ベ
ローズ、ダイアフラムなどの変位を読み取るタイプの装
置であり、高圧力の測定に適しているが、装置自体が大
きくなり、センサを小型化しようという要求には合致し
ない。
ローズ、ダイアフラムなどの変位を読み取るタイプの装
置であり、高圧力の測定に適しているが、装置自体が大
きくなり、センサを小型化しようという要求には合致し
ない。
【０００５】一方、ひずみ式は、ダイアフラムの変形を
ひずみセンサを利用して測定する方式が主流である。こ
の方式の装置は、小型化が可能であり、ひずみ抵抗を測
定しているので、測定回路が簡単であるという利点を有
している。
ひずみセンサを利用して測定する方式が主流である。こ
の方式の装置は、小型化が可能であり、ひずみ抵抗を測
定しているので、測定回路が簡単であるという利点を有
している。
【０００６】しかしながら、上記のように、高感度の故
に、近年広く利用されている半導体Ｓｉを使用する圧力
センサには、センサと受圧管との接合部分が高圧に十分
に耐えられないという難点がある。これに対して、金属
ひずみゲージ（センサ）をダイアフラム（受圧部）に張
り合わせたタイプの装置は、その様な問題点がないの
で、高圧用センサに適しており、温度依存性が少ないと
いう利点も備えている。しかしながら、このタイプの装
置は、出力が小さく、センサとダイアフラムの接着状態
が素子特性に大きな影響を与えるので、特性の再現性に
優れた素子を作製することが困難である。
に、近年広く利用されている半導体Ｓｉを使用する圧力
センサには、センサと受圧管との接合部分が高圧に十分
に耐えられないという難点がある。これに対して、金属
ひずみゲージ（センサ）をダイアフラム（受圧部）に張
り合わせたタイプの装置は、その様な問題点がないの
で、高圧用センサに適しており、温度依存性が少ないと
いう利点も備えている。しかしながら、このタイプの装
置は、出力が小さく、センサとダイアフラムの接着状態
が素子特性に大きな影響を与えるので、特性の再現性に
優れた素子を作製することが困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、小
型であり、且つ素子特性の再現性に優れた圧力センサを
提供することを主な目的とする。
型であり、且つ素子特性の再現性に優れた圧力センサを
提供することを主な目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の様な
技術の現状に鑑みて、鋭意研究を重ねた結果、受圧管の
ダイアフラム表面に酸化クロム薄膜からなる歪みセンサ
素子を形成させる場合には、小型で、素子特性の再現性
に優れた圧力センサが得られることを見出した。
技術の現状に鑑みて、鋭意研究を重ねた結果、受圧管の
ダイアフラム表面に酸化クロム薄膜からなる歪みセンサ
素子を形成させる場合には、小型で、素子特性の再現性
に優れた圧力センサが得られることを見出した。
【０００９】すなわち、本発明は、下記の圧力センサを
提供するものである； １．受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧管一体型
圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄
膜を介して酸化クロム薄膜からなるひずみセンサ素子を
形成したことを特徴とする受圧管一体型圧力センサ。
提供するものである； １．受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧管一体型
圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄
膜を介して酸化クロム薄膜からなるひずみセンサ素子を
形成したことを特徴とする受圧管一体型圧力センサ。
【００１０】圧力センサのセンサ素子部としては、金属
のように抵抗温度係数（ＴＣＲ）が比較的小さく、Ｓｉ
のようにゲージファクターが大きく、また電気抵抗も大
きい薄膜材料が最も望ましい。
のように抵抗温度係数（ＴＣＲ）が比較的小さく、Ｓｉ
のようにゲージファクターが大きく、また電気抵抗も大
きい薄膜材料が最も望ましい。
【００１１】従来から、薄膜材料を使用する圧力センサ
用のセンサ素子としては、アモルファスＳｉ（或いはマ
イクロクリスタリンＳｉ）薄膜による圧力センサが開発
されている（例えば、本間俊男：センサ技術、Vol.5,N
o.3,p30-36（1985））。このセンサは、ゲージファクタ
ー（抵抗の歪みによる変化）が大きく、比抵抗も高いも
のの、アモルファスＳｉは、抵抗の温度係数が大きいと
いう欠点を有している。また、その製造には、高度に管
理されたシラン利用設備と高価なプラズマＣＶＤ或いは
光ＣＶＤ装置が必要であり、有毒なシランガスを使用す
る作業上の厳重な注意も必要である。
用のセンサ素子としては、アモルファスＳｉ（或いはマ
イクロクリスタリンＳｉ）薄膜による圧力センサが開発
されている（例えば、本間俊男：センサ技術、Vol.5,N
o.3,p30-36（1985））。このセンサは、ゲージファクタ
ー（抵抗の歪みによる変化）が大きく、比抵抗も高いも
のの、アモルファスＳｉは、抵抗の温度係数が大きいと
いう欠点を有している。また、その製造には、高度に管
理されたシラン利用設備と高価なプラズマＣＶＤ或いは
光ＣＶＤ装置が必要であり、有毒なシランガスを使用す
る作業上の厳重な注意も必要である。
【００１２】これに対し、本発明において使用する酸化
クロム薄膜は、センサ素子部に求められる上記の条件を
全て具備しており、且つその製造も安全で、且つ比較的
容易である。
クロム薄膜は、センサ素子部に求められる上記の条件を
全て具備しており、且つその製造も安全で、且つ比較的
容易である。
【００１３】本発明による受圧管一体型圧力センサは、
図１に断面図として概要を示す構造を有している。図１
に示す圧力センサにおいて、受圧管１のダイアフラム３
の表面には、酸化ケイ素薄膜５を介して酸化クロム薄膜
７が形成されている。この圧力センサの構造は、センサ
素子が酸化クロムと結晶性クロムとが混在する酸化クロ
ム薄膜により形成されている以外の点では、アモルファ
スＳｉ（或いはマイクロクリスタリンＳｉ）薄膜を備え
た公知の圧力センサと異なるところはない。
図１に断面図として概要を示す構造を有している。図１
に示す圧力センサにおいて、受圧管１のダイアフラム３
の表面には、酸化ケイ素薄膜５を介して酸化クロム薄膜
７が形成されている。この圧力センサの構造は、センサ
素子が酸化クロムと結晶性クロムとが混在する酸化クロ
ム薄膜により形成されている以外の点では、アモルファ
スＳｉ（或いはマイクロクリスタリンＳｉ）薄膜を備え
た公知の圧力センサと異なるところはない。
【００１４】センサ素子部としての酸化クロム薄膜の形
成は、特に限定されるものではないが、通常以下のよう
にして行われる。
成は、特に限定されるものではないが、通常以下のよう
にして行われる。
【００１５】すなわち、受圧管一体型圧力センサのダイ
アフラムの表面にＣＶＤ法により酸化シリコン薄膜を成
膜した後、金属Ｃｒ（好ましくは９９．９９％以上）を
ターゲットとするスパッタ法により酸化クロム薄膜を成
膜する。スパッタに先立って、Ａｒガスによるプレスパ
ッタを行って、ターゲット表面を清浄化した後、さらに
酸化クロム薄膜成膜時と同じ分圧の酸素を導入して、プ
レスパッタすることが好ましい。成膜時にはダイアフラ
ムを例えば３５０℃程度まで加熱しても良い。成膜時の
酸素分圧は、通常３×１０-3〜６×１０-4torr程度であ
る。
アフラムの表面にＣＶＤ法により酸化シリコン薄膜を成
膜した後、金属Ｃｒ（好ましくは９９．９９％以上）を
ターゲットとするスパッタ法により酸化クロム薄膜を成
膜する。スパッタに先立って、Ａｒガスによるプレスパ
ッタを行って、ターゲット表面を清浄化した後、さらに
酸化クロム薄膜成膜時と同じ分圧の酸素を導入して、プ
レスパッタすることが好ましい。成膜時にはダイアフラ
ムを例えば３５０℃程度まで加熱しても良い。成膜時の
酸素分圧は、通常３×１０-3〜６×１０-4torr程度であ
る。
【００１６】本発明による圧力センサは、高圧用圧力セ
ンサとしてのみならず、低圧用圧力センサとしても、有
用である。
ンサとしてのみならず、低圧用圧力センサとしても、有
用である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、抵抗温度係数が小さ
く、ゲージファクターが大きく、抵抗が半導体と同程度
という酸化クロム薄膜を備えた受圧管一体型圧力センサ
がえられる。
く、ゲージファクターが大きく、抵抗が半導体と同程度
という酸化クロム薄膜を備えた受圧管一体型圧力センサ
がえられる。
【００１８】この圧力センサは、出力電圧が高く、リニ
アリティーに優れている。
アリティーに優れている。
【００１９】
【実施例】以下に実験例および実施例を示し、本発明の
特徴とするところをより一層明確にする。
特徴とするところをより一層明確にする。
【００２０】以下においては、比抵抗は、４端子法によ
り測定した。また、圧力による抵抗の変化は、油圧によ
りダイアフラムに圧力を加えるタイプの装置を用い、測
定圧力５ｋｇ／ｃｍ2にて測定した。
り測定した。また、圧力による抵抗の変化は、油圧によ
りダイアフラムに圧力を加えるタイプの装置を用い、測
定圧力５ｋｇ／ｃｍ2にて測定した。
【００２１】実験例１ ＳＵＳ３１６製基板（１０×１０×１ｍｍ3）上にＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯ2薄膜（約５００ｎｍ）を成膜し、そ
の上に９９．９９％金属Ｃｒをターゲットとする直流ス
パッタ法によりＣｒ薄膜またはＣｒＯx薄膜（約１６０
ｎｍ）を成膜した。酸化クロムの成膜に先立っては、Ａ
ｒガスによりプレスパッタを１５分行い、ターゲット表
面を清浄化した後、さらに酸素ガスをＣｒＯx成膜時と
同じ分圧だけ導入し（但し、Ｃｒ成膜時は酸素を導入し
ない）、成膜時と同一条件で１０分間プレスパッタし、
次いでＣｒＯxを成膜した。
Ｄ法によりＳｉＯ2薄膜（約５００ｎｍ）を成膜し、そ
の上に９９．９９％金属Ｃｒをターゲットとする直流ス
パッタ法によりＣｒ薄膜またはＣｒＯx薄膜（約１６０
ｎｍ）を成膜した。酸化クロムの成膜に先立っては、Ａ
ｒガスによりプレスパッタを１５分行い、ターゲット表
面を清浄化した後、さらに酸素ガスをＣｒＯx成膜時と
同じ分圧だけ導入し（但し、Ｃｒ成膜時は酸素を導入し
ない）、成膜時と同一条件で１０分間プレスパッタし、
次いでＣｒＯxを成膜した。
【００２２】ＣｒＯx成膜時の条件を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】酸素分圧０Torr（無酸素状態）で形成され
たＣｒ薄膜では、抵抗の圧力変化率（ΔＲ／Ｒ）が小さ
く、比抵抗も小さいので、所望の性能を有する圧力セン
サが得られないことが判明した。
たＣｒ薄膜では、抵抗の圧力変化率（ΔＲ／Ｒ）が小さ
く、比抵抗も小さいので、所望の性能を有する圧力セン
サが得られないことが判明した。
【００２５】そこで、酸素ガスの導入下にＣｒＯx薄膜
を成膜した。図２に基板を加熱することなく作製したＣ
ｒＯx薄膜の抵抗の酸素ガス分圧依存性を示す。ＤＣ投
入電力が８０ｗの場合には、酸素分圧を変えても５×１
０-4Torrまでは抵抗はそれほど大きな変化を示さない
が、６×１０-4Torrの酸素分圧で抵抗が無限大となり、
絶縁物が形成される。ＤＣ投入電力が１６０ｗの場合に
は、酸素分圧の増加とともに抵抗は僅かに上昇する傾向
が認められるが、８×１０-4Torrで急激に比抵抗が増大
している。
を成膜した。図２に基板を加熱することなく作製したＣ
ｒＯx薄膜の抵抗の酸素ガス分圧依存性を示す。ＤＣ投
入電力が８０ｗの場合には、酸素分圧を変えても５×１
０-4Torrまでは抵抗はそれほど大きな変化を示さない
が、６×１０-4Torrの酸素分圧で抵抗が無限大となり、
絶縁物が形成される。ＤＣ投入電力が１６０ｗの場合に
は、酸素分圧の増加とともに抵抗は僅かに上昇する傾向
が認められるが、８×１０-4Torrで急激に比抵抗が増大
している。
【００２６】また、図３に図２に関連して示したと同様
の成膜条件で作製したＣｒＯx薄膜について、そのΔＲ
／Ｒの酸素分圧依存性を示す。左端の矢印で示した値
は、酸素を導入することなく作製したＣｒ薄膜について
の値である。図３に示す結果から、酸素分圧が上昇する
とともにΔＲ／Ｒの値が上昇していることが明らかであ
る。ΔＲ／Ｒの値が最大である時のＴＣＲ（抵抗温度係
数）は、５００ｐｐｍであった。
の成膜条件で作製したＣｒＯx薄膜について、そのΔＲ
／Ｒの酸素分圧依存性を示す。左端の矢印で示した値
は、酸素を導入することなく作製したＣｒ薄膜について
の値である。図３に示す結果から、酸素分圧が上昇する
とともにΔＲ／Ｒの値が上昇していることが明らかであ
る。ΔＲ／Ｒの値が最大である時のＴＣＲ（抵抗温度係
数）は、５００ｐｐｍであった。
【００２７】基板を加熱すると、酸化がより促進され、
低い酸素分圧から酸化の効果が現れはじめて、酸素分圧
による抵抗の変化、歪抵抗の変化が緩やかになるものと
考えられる。また、基板温度が高いほど、膜と基板との
密着性も良くなる。
低い酸素分圧から酸化の効果が現れはじめて、酸素分圧
による抵抗の変化、歪抵抗の変化が緩やかになるものと
考えられる。また、基板温度が高いほど、膜と基板との
密着性も良くなる。
【００２８】図４に基板温度を３５０℃として上記と同
様にして作製したＣｒＯx薄膜について、その抵抗の酸
素分圧依存性を示す。例えば、ＤＣ投入電力が２４０ｗ
の場合には、酸素分圧６×１０-4Torrで比抵抗が少し上
昇し始め、７×１０-4Torrで絶縁物が形成されており、
全体としての抵抗の酸素分圧依存性の傾向は、基板を加
熱することなく成膜した場合（図２参照）とほとんど変
わっていない。
様にして作製したＣｒＯx薄膜について、その抵抗の酸
素分圧依存性を示す。例えば、ＤＣ投入電力が２４０ｗ
の場合には、酸素分圧６×１０-4Torrで比抵抗が少し上
昇し始め、７×１０-4Torrで絶縁物が形成されており、
全体としての抵抗の酸素分圧依存性の傾向は、基板を加
熱することなく成膜した場合（図２参照）とほとんど変
わっていない。
【００２９】図５に図４に関連して示したと同様の成膜
条件で作製したＣｒＯx薄膜について、そのΔＲ／Ｒの
酸素分圧依存性を示す。基板を加熱することなく成膜し
た場合と同様に、酸素を導入することにより、ΔＲ／Ｒ
は上昇し、酸素分圧６×１０-4Torrで１．２×１０-3と
なった。この値は、Ｓｉ単結晶を利用する圧力センサの
値とほぼ同程度である。図６にこの様にして作製したＣ
ｒＯx薄膜についてのＴＣＲの酸素分圧依存性を示す。
酸素分圧を増加させると、ＴＣＲが低下している様子が
認められる。酸素分圧６×１０-4Torrでは、ＴＣＲ５０
ｐｐｍという極めて低い値が得られた。図５および図６
に示す結果から、圧力による抵抗変化率が大きく、且つ
ＴＣＲが小さいというＣｒＯx薄膜が得られていること
が明らかである。
条件で作製したＣｒＯx薄膜について、そのΔＲ／Ｒの
酸素分圧依存性を示す。基板を加熱することなく成膜し
た場合と同様に、酸素を導入することにより、ΔＲ／Ｒ
は上昇し、酸素分圧６×１０-4Torrで１．２×１０-3と
なった。この値は、Ｓｉ単結晶を利用する圧力センサの
値とほぼ同程度である。図６にこの様にして作製したＣ
ｒＯx薄膜についてのＴＣＲの酸素分圧依存性を示す。
酸素分圧を増加させると、ＴＣＲが低下している様子が
認められる。酸素分圧６×１０-4Torrでは、ＴＣＲ５０
ｐｐｍという極めて低い値が得られた。図５および図６
に示す結果から、圧力による抵抗変化率が大きく、且つ
ＴＣＲが小さいというＣｒＯx薄膜が得られていること
が明らかである。
【００３０】実験例２ 実験例１に示す結果から、酸素を導入してＣｒＯx薄膜
を作製することにより、高感度の圧力センサ素子が得ら
れることが明らかとなったので、その様な薄膜の構造を
調べるために、ＥＳＣＡによる解析を行った。基板温度
に関係なくほぼ同様の結果が得られたので、基板温度３
５０℃の場合の結果のみを図７に示す。
を作製することにより、高感度の圧力センサ素子が得ら
れることが明らかとなったので、その様な薄膜の構造を
調べるために、ＥＳＣＡによる解析を行った。基板温度
に関係なくほぼ同様の結果が得られたので、基板温度３
５０℃の場合の結果のみを図７に示す。
【００３１】酸素分圧０の場合には、Ｃｒのみのピーク
が現れている。また、酸素分圧１×１０-3Torrの場合に
は、アモルファス状態のＣｒＯx絶縁物のみが形成され
た。
が現れている。また、酸素分圧１×１０-3Torrの場合に
は、アモルファス状態のＣｒＯx絶縁物のみが形成され
た。
【００３２】これに対し、酸素分圧３×１０-4〜８×１
０-4Torrの範囲では、結晶性Ｃｒ（結晶粒径５０〜１０
０オングストローム程度）とアモルファス状態のＣｒＯ
x（１≦ｘ≦２程度）とが混在する酸化クロム薄膜が得
られた。
０-4Torrの範囲では、結晶性Ｃｒ（結晶粒径５０〜１０
０オングストローム程度）とアモルファス状態のＣｒＯ
x（１≦ｘ≦２程度）とが混在する酸化クロム薄膜が得
られた。
【００３３】実施例１ ＳＵＳ６３０製の受圧管の受圧管ダイアフラム上にＣＶ
Ｄ法により酸化シリコン薄膜（約５００ｎｍ）を成膜
し、次いで酸化クロム薄膜（約５００ｎｍ）を成膜した
後、フォトリソグラフィ法により約４５μｍ幅の細線パ
ターンにエッチングし、通常より利用されているブリッ
ジ回路を備えたセンサ素子を形成させた。その概要は、
図１に示す通りである。酸化クロム薄膜の成膜条件は、
基板温度３５０℃、酸素分圧４．５×１０-4Torr〜７．
５×１０-4Torrであった。
Ｄ法により酸化シリコン薄膜（約５００ｎｍ）を成膜
し、次いで酸化クロム薄膜（約５００ｎｍ）を成膜した
後、フォトリソグラフィ法により約４５μｍ幅の細線パ
ターンにエッチングし、通常より利用されているブリッ
ジ回路を備えたセンサ素子を形成させた。その概要は、
図１に示す通りである。酸化クロム薄膜の成膜条件は、
基板温度３５０℃、酸素分圧４．５×１０-4Torr〜７．
５×１０-4Torrであった。
【００３４】通常のＳｉ圧力センサと同様に、圧力０で
４ｍＡ、フル圧力で２０ｍＡが出力できるように回路調
整を行った。
４ｍＡ、フル圧力で２０ｍＡが出力できるように回路調
整を行った。
【００３５】圧力に対するセンサ出力の変化は、図８に
示す通りであった。使用圧力範囲は、受圧管の直径とダ
イアフラムの厚さにより、変わる。例えば、受圧管の直
径を６ｍｍとした場合、５ｋｇ／ｃｍ2用では厚さ０．
２５ｍｍ、２０ｋｇ／ｃｍ2用では厚さ０．５ｍｍ、１
００ｋｇ／ｃｍ2用では厚さ０．７５ｍｍであった。
示す通りであった。使用圧力範囲は、受圧管の直径とダ
イアフラムの厚さにより、変わる。例えば、受圧管の直
径を６ｍｍとした場合、５ｋｇ／ｃｍ2用では厚さ０．
２５ｍｍ、２０ｋｇ／ｃｍ2用では厚さ０．５ｍｍ、１
００ｋｇ／ｃｍ2用では厚さ０．７５ｍｍであった。
【００３６】図８に示す様に、本発明による圧力センサ
は、圧力に対して、リニアーな出力を示す。リニアリテ
ィーからの最大のずれは、０．１％以下であった。
は、圧力に対して、リニアーな出力を示す。リニアリテ
ィーからの最大のずれは、０．１％以下であった。
【００３７】なお、より高圧の圧力測定を行うために
は、ダイアフラムの厚さを増大すればよい。
は、ダイアフラムの厚さを増大すればよい。
【図１】本発明による受圧管一体型圧力センサの概要を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】基板を加熱することなく作製したＣｒＯx薄膜
について、その抵抗の酸素ガス分圧依存性を示すグラフ
である。
について、その抵抗の酸素ガス分圧依存性を示すグラフ
である。
【図３】基板を加熱することなく作製したＣｒＯx薄膜
について、そのΔＲ／Ｒの酸素分圧依存性を示すグラフ
である。
について、そのΔＲ／Ｒの酸素分圧依存性を示すグラフ
である。
【図４】基板温度を３５０℃として作製したＣｒＯx薄
膜について、そのΔＲ／Ｒの酸素分圧依存性を示すグラ
フである。
膜について、そのΔＲ／Ｒの酸素分圧依存性を示すグラ
フである。
【図５】基板温度を３５０℃として作製したＣｒＯx薄
膜について、その抵抗の酸素分圧依存性を示すグラフで
ある。
膜について、その抵抗の酸素分圧依存性を示すグラフで
ある。
【図６】基板温度を３５０℃として作製したＣｒＯx薄
膜について、そのＴＣＲの酸素分圧依存性を示すグラフ
である。
膜について、そのＴＣＲの酸素分圧依存性を示すグラフ
である。
【図７】ＥＳＣＡによるＣｒＯx薄膜の構造解析を示す
グラフである。
グラフである。
【図８】実施例１で得られた本発明による圧力センサの
圧力と出力との関係を示すグラフである。
圧力と出力との関係を示すグラフである。
１…受圧管 ３…ダイアフラム ５…ＳｉＯ2薄膜 ７…ＣｒＯx薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 倉一 兵庫県神戸市垂水区狩口台７丁目18−７ (72)発明者 竹中 宏 大阪府大阪市北区茶屋町２−４ 日本リニ アックス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧
管一体型圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化
ケイ素薄膜を介して酸化クロム薄膜からなるひずみセン
サ素子を形成したことを特徴とする受圧管一体型圧力セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6123637A JP2838361B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 受圧管一体型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6123637A JP2838361B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 受圧管一体型圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335911A true JPH07335911A (ja) | 1995-12-22 |
| JP2838361B2 JP2838361B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=14865519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6123637A Expired - Lifetime JP2838361B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | 受圧管一体型圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838361B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100330370B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2002-04-03 | 김정희 | 세라믹 다이어프램형 압력센서의 제조방법 |
| JP2003042869A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Nichicon Corp | 圧力センサ |
| JP2005069685A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-03-17 | Osaka Prefecture | 受圧管一体型圧力センサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4192084B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2008-12-03 | ニッタ株式会社 | 多軸センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276201A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| JPH02152201A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| JPH0513782A (ja) * | 1991-07-04 | 1993-01-22 | Nagano Keiki Seisakusho Ltd | 圧力センサの金属製ダイヤフラム |
-
1994
- 1994-06-06 JP JP6123637A patent/JP2838361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276201A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| JPH02152201A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| JPH0513782A (ja) * | 1991-07-04 | 1993-01-22 | Nagano Keiki Seisakusho Ltd | 圧力センサの金属製ダイヤフラム |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100330370B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2002-04-03 | 김정희 | 세라믹 다이어프램형 압력센서의 제조방법 |
| JP2003042869A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Nichicon Corp | 圧力センサ |
| JP2005069685A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-03-17 | Osaka Prefecture | 受圧管一体型圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2838361B2 (ja) | 1998-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4173900A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| CN1135377C (zh) | 带有电桥主电阻之间的温度梯度补偿的惠斯登电桥及其在具有应变片的压力传感器中的应用 | |
| EP0924501B1 (en) | Thick film piezoresistor sensing structure | |
| US4932265A (en) | Pressure transducer using thick film resistor | |
| CN114705332B (zh) | 一种高灵敏度低非线性压力传感器及制备方法 | |
| CN116337145B (zh) | 一种纳米薄膜温压复合传感器及其制备方法与应用 | |
| CN109825809A (zh) | 一种聚酰亚胺基电阻式薄膜应变传感器及其制备方法与应用 | |
| JP4131990B2 (ja) | 超低温での零シフト非線形性を補償する圧力センサ | |
| JPH01197621A (ja) | デュアルサイド形圧力センサ | |
| JP2838361B2 (ja) | 受圧管一体型圧力センサ | |
| JP2585681B2 (ja) | 金属薄膜抵抗ひずみゲ―ジ | |
| CA2380310A1 (en) | Silicon strain gage having a thin layer of highly conductive silicon | |
| Bethe et al. | Thin-film strain-gage transducers | |
| JPS5887880A (ja) | 半導体ダイアフラム形センサ | |
| CN118687731A (zh) | 金属薄膜压力芯体及制备方法 | |
| CA1309879C (en) | Pressure transducer using thick film resistor | |
| JPH05296864A (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPS59217374A (ja) | 半導体ひずみ変換器 | |
| JPS5924552B2 (ja) | シリコンダイアフラム形ひずみゲ−ジ | |
| JP2562610B2 (ja) | 歪ゲ−ジ用薄膜抵抗体 | |
| JP3292099B2 (ja) | 薄膜素子及びその製造方法 | |
| JPH0684602A (ja) | 薄膜抵抗材料 | |
| JP2000315805A (ja) | 歪み検出素子及び歪み検出素子製造方法 | |
| JPS57118677A (en) | Semiconductor differential pressure sensor | |
| JP4284508B2 (ja) | 受圧管一体型圧力センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101016 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 15 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 15 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |