JPH0276201A - 歪ゲージ用薄膜抵抗体 - Google Patents
歪ゲージ用薄膜抵抗体Info
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- JPH0276201A JPH0276201A JP63227740A JP22774088A JPH0276201A JP H0276201 A JPH0276201 A JP H0276201A JP 63227740 A JP63227740 A JP 63227740A JP 22774088 A JP22774088 A JP 22774088A JP H0276201 A JPH0276201 A JP H0276201A
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、歪による電気抵抗変化を利用した歪ゲージ用
の薄膜抵抗体に関するものである。
の薄膜抵抗体に関するものである。
従来、歪ゲージ用薄膜抵抗体は、大きく分けて、金属ま
たは合金の歪抵抗変化を利用したものと、半導体のピエ
ゾ抵抗効果を利用したものの二種類が用いられてきた（
センサ技術νｏ１．５．Ｎα７，４９（１９８５））。
たは合金の歪抵抗変化を利用したものと、半導体のピエ
ゾ抵抗効果を利用したものの二種類が用いられてきた（
センサ技術νｏ１．５．Ｎα７，４９（１９８５））。
前者（例えばニッケル（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）合金）
は、抵抗温度係数が小さいため温度による出力の変動が
小さく、かつ歪抵抗特性の直線性に優れている。しかし
、歪に対する抵抗変化の割合、すなわちゲージ率が低い
という欠点があった。その結果、前者は、ゲージ率が低
いために、歪ゲージのＳ／Ｎ比が小さく高感度の増幅器
を必要とし、歪ゲージの小型化が困難であった。一方、
後者（例えばＳｉ）は、ゲージ率は高いが、抵抗温度係
数が大きく、歪抵抗特性の直線性が悪いという欠点があ
った。その結果、後者は、歪ゲージの出力に直線性を改
善するための増幅器や温度補償回路を必要とし、制御系
が複雑になるという問題があった。さらに、後者は前者
と比べて破壊強度が弱く、高圧用の歪ゲージには不適で
あった。
は、抵抗温度係数が小さいため温度による出力の変動が
小さく、かつ歪抵抗特性の直線性に優れている。しかし
、歪に対する抵抗変化の割合、すなわちゲージ率が低い
という欠点があった。その結果、前者は、ゲージ率が低
いために、歪ゲージのＳ／Ｎ比が小さく高感度の増幅器
を必要とし、歪ゲージの小型化が困難であった。一方、
後者（例えばＳｉ）は、ゲージ率は高いが、抵抗温度係
数が大きく、歪抵抗特性の直線性が悪いという欠点があ
った。その結果、後者は、歪ゲージの出力に直線性を改
善するための増幅器や温度補償回路を必要とし、制御系
が複雑になるという問題があった。さらに、後者は前者
と比べて破壊強度が弱く、高圧用の歪ゲージには不適で
あった。
すなわち、従来は高感度で機械的強度に優れた歪ゲージ
用薄膜抵抗体は存在しなかった。特に高感度で歪抵抗特
性・抵抗温度特性・機械的強度がともに良好な歪ゲージ
用薄膜抵抗体は開発することが困難であるとされていた
。
用薄膜抵抗体は存在しなかった。特に高感度で歪抵抗特
性・抵抗温度特性・機械的強度がともに良好な歪ゲージ
用薄膜抵抗体は開発することが困難であるとされていた
。
このような状況下、本発明者等は上記問題点を解決すべ
く鋭意努力を重ねた。本発明者等はスパッタリングによ
ってクロム（Ｃｒ）と酸素と半導体であるシリコン（Ｓ
ｉ）を混合した薄膜が通常の金属・合金では得られない
ゲージ率（ｋ＝５〜１０、通常の金属等は１．５〜３）
を持つことを見出した。したがって、Ｃｒと酸素と半導
体を含んだ薄膜抵抗体を歪ゲージ材として用いれば、高
感度の歪ゲージ材が得られることに到達した。また、発
明者はＣｒへの添加剤である酸素とＳｉ等の半導体がＣ
ｒの伝導電子の流れを妨げる散乱体として作用して、Ｃ
ｒの伝導電子の平均自由行程を制御でき、その結果、抵
抗温度係数を低下することができると考えた。
く鋭意努力を重ねた。本発明者等はスパッタリングによ
ってクロム（Ｃｒ）と酸素と半導体であるシリコン（Ｓ
ｉ）を混合した薄膜が通常の金属・合金では得られない
ゲージ率（ｋ＝５〜１０、通常の金属等は１．５〜３）
を持つことを見出した。したがって、Ｃｒと酸素と半導
体を含んだ薄膜抵抗体を歪ゲージ材として用いれば、高
感度の歪ゲージ材が得られることに到達した。また、発
明者はＣｒへの添加剤である酸素とＳｉ等の半導体がＣ
ｒの伝導電子の流れを妨げる散乱体として作用して、Ｃ
ｒの伝導電子の平均自由行程を制御でき、その結果、抵
抗温度係数を低下することができると考えた。
本発明は、高感度で機械的強度に優れた歪ゲージ用薄膜
抵抗体、さらには歪抵抗特性および抵抗温度特性にも優
れた歪ゲージ用の薄膜抵抗体を提供することを目的とす
る。
抵抗体、さらには歪抵抗特性および抵抗温度特性にも優
れた歪ゲージ用の薄膜抵抗体を提供することを目的とす
る。
（第１発明の説明〕
本第１発明（特許請求の範囲に記載の発明）は、物理的
蒸着法または化学的蒸着法によって形成されたＣｒ６０
〜９８原子％、酸素２〜３０原子％、半導体０〜１０原
子％が均一に分布した薄膜であって、膜厚が０．０１〜
１０μｍであることを特徴とする歪ゲージ用薄膜抵抗体
に関するものである。
蒸着法または化学的蒸着法によって形成されたＣｒ６０
〜９８原子％、酸素２〜３０原子％、半導体０〜１０原
子％が均一に分布した薄膜であって、膜厚が０．０１〜
１０μｍであることを特徴とする歪ゲージ用薄膜抵抗体
に関するものである。
本第１発明に係る歪ゲージ用薄膜抵抗体は、従来ある金
属または合金の歪ゲージに比べ５以上という高いゲージ
率を示す。また、Ｓｉ等の半導体歪ゲージに比べ歪抵抗
の直線性に優れ、抵抗温度係数も±１１００ｐｐ／’Ｃ
以下と小さい。また、１２０°Ｃ前後の温度に長時間保
持しても抵抗変化率がほとんど変わらず優れた高温耐久
性を示す。
属または合金の歪ゲージに比べ５以上という高いゲージ
率を示す。また、Ｓｉ等の半導体歪ゲージに比べ歪抵抗
の直線性に優れ、抵抗温度係数も±１１００ｐｐ／’Ｃ
以下と小さい。また、１２０°Ｃ前後の温度に長時間保
持しても抵抗変化率がほとんど変わらず優れた高温耐久
性を示す。
さらに、従来の金属抵抗体に近い強度が維持されており
、Ｓｉ等の半導体系抵抗体に比べ著しく高い強度を示す
。このような優れた特性を示す理由ははっきり明らかに
されていないが、抵抗温度係数が小さい理由として、酸
素、特に半導体がＣｒの伝導電子の流れを妨げる散乱体
として作用しＣｒの伝導電子の平均自由行程を制御して
いること、組織が極めて微細であること等によるものと
考えられる。また、Ｃｒと添加元素との混合状態が均一
なため高温強度に優れているものと推定される。
、Ｓｉ等の半導体系抵抗体に比べ著しく高い強度を示す
。このような優れた特性を示す理由ははっきり明らかに
されていないが、抵抗温度係数が小さい理由として、酸
素、特に半導体がＣｒの伝導電子の流れを妨げる散乱体
として作用しＣｒの伝導電子の平均自由行程を制御して
いること、組織が極めて微細であること等によるものと
考えられる。また、Ｃｒと添加元素との混合状態が均一
なため高温強度に優れているものと推定される。
したがって、本発明に係る薄膜抵抗体を用いれば、高ゲ
ージ率で高温耐久性に優れた圧力センサ、ロードセル等
への応用も可能である。
ージ率で高温耐久性に優れた圧力センサ、ロードセル等
への応用も可能である。
〔第２発明の説明〕
以下、本第１発明をより具体化した発明（本第２発明と
する）について詳しく説明する。
する）について詳しく説明する。
薄膜抵抗体を構成するＣｒの含有量は、６０〜９８原子
％で、酸素の含有量は２〜３０原子％の範囲が望ましい
。これらの範囲外では、高ゲージ率を得るのが困難であ
る。また、半導体はＳｉゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（
Ｂ）等を用いる。半導体の含有量は、高ゲージ率を保ち
良好な歪抵抗特性・抵抗温度特性を得るために、０〜１
０原子％の範囲が望ましい。Ｃｒ、酸素および半導体は
、少なくともμｍオーダー以下でほぼ均一に分布してい
ないと良好な性質は得られない。
％で、酸素の含有量は２〜３０原子％の範囲が望ましい
。これらの範囲外では、高ゲージ率を得るのが困難であ
る。また、半導体はＳｉゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（
Ｂ）等を用いる。半導体の含有量は、高ゲージ率を保ち
良好な歪抵抗特性・抵抗温度特性を得るために、０〜１
０原子％の範囲が望ましい。Ｃｒ、酸素および半導体は
、少なくともμｍオーダー以下でほぼ均一に分布してい
ないと良好な性質は得られない。
膜厚は連続膜を形成でき安定な歪抵抗特性を得るために
、０．０１μｍ以上で、かつ、膜の内部応力による破壊
を防ぐために１０μｍ以下が望ましい。
、０．０１μｍ以上で、かつ、膜の内部応力による破壊
を防ぐために１０μｍ以下が望ましい。
本第２発明に係る薄膜抵抗体の製造方法は通常の薄膜形
成に用いられるイオンブレーティング法、スパッタリン
グ法、蒸着法やプラズマＣＶＤ法等のＰＶＤ法あるいは
ＣＶＤ法のいずれを用いてもよい。ただし、Ｃｒ、酸素
と半導体の混合状態を緻密かつ均一にするためには、ス
パッタリング法または蒸着法が望ましい。また、Ｃｒ、
酸素と半導体の混合状態を一層均一にするために、薄膜
形成後、２００〜５００°Ｃで１〜２時間程度の熱処理
を施してもよい。薄膜抵抗体中に酸素を含ませるために
は、スパッタリング等の処理雰囲気中に酸素が含有され
ていなければならないが、スパッタリング等のＰＶＤ法
等において雰囲気中に不純物として含まれている程度の
酸素量でよい。
成に用いられるイオンブレーティング法、スパッタリン
グ法、蒸着法やプラズマＣＶＤ法等のＰＶＤ法あるいは
ＣＶＤ法のいずれを用いてもよい。ただし、Ｃｒ、酸素
と半導体の混合状態を緻密かつ均一にするためには、ス
パッタリング法または蒸着法が望ましい。また、Ｃｒ、
酸素と半導体の混合状態を一層均一にするために、薄膜
形成後、２００〜５００°Ｃで１〜２時間程度の熱処理
を施してもよい。薄膜抵抗体中に酸素を含ませるために
は、スパッタリング等の処理雰囲気中に酸素が含有され
ていなければならないが、スパッタリング等のＰＶＤ法
等において雰囲気中に不純物として含まれている程度の
酸素量でよい。
実施例工
第１図に、本実施例によって製作した歪ゲージを示す。
薄膜抵抗体は、二元同時スパッタリング法により形成し
た。まず、コーニング０３１３ガラス基板１に、トリク
レン煮沸洗浄およびアセトン超音波洗浄を施し、乾燥後
スパッタリング装置内に歪ゲージ用ＳＵＳ製マスクを介
して配置し、装置内で５Ｘ１０”Ｔｏｒｒまで真空排気
した。次に、Ａｒガスを上記装置内に５Ｘ １０−’Ｔ
ｏ ｒ ｒ導入し、ＣｒターゲットにＤＣ３００Ｗ、Ｓ
ｉＯターゲットにＲＦ １００Ｗ （１３，５６ＭＨｚ
）の電力を印加し、６分間スパッタリングを行った。こ
のように製作した抵抗体である歪ゲージ膜２の組成をＸ
ＰＳ、厚さを触針式膜厚計によって調査したところ歪ゲ
ージ膜の組成はＣｒ−２４ａｔ％酸素（０）４ａｔ％シ
リコン（Ｓｔ）膜厚は０．１７μｍであった（表）。歪
ゲージ膜を形成した基板を大気中に取り出し、電極用マ
スクを取り付けた後スパッタリング装置内で前記と同様
の方法で、ＡｕターゲットにＤＣ２５０Ｗの電力を印加
し、１分間のスパッタリングを行い、Ａｕ電極膜３を０
．１μｍ形成した。さらに、大気中で３００℃、ｌｈｒ
の熱処理を施した後、Ａｕ電極にリード線４を半田付け
した。このようにして製作した歪ゲージを用いて特性評
価試験を行った。
た。まず、コーニング０３１３ガラス基板１に、トリク
レン煮沸洗浄およびアセトン超音波洗浄を施し、乾燥後
スパッタリング装置内に歪ゲージ用ＳＵＳ製マスクを介
して配置し、装置内で５Ｘ１０”Ｔｏｒｒまで真空排気
した。次に、Ａｒガスを上記装置内に５Ｘ １０−’Ｔ
ｏ ｒ ｒ導入し、ＣｒターゲットにＤＣ３００Ｗ、Ｓ
ｉＯターゲットにＲＦ １００Ｗ （１３，５６ＭＨｚ
）の電力を印加し、６分間スパッタリングを行った。こ
のように製作した抵抗体である歪ゲージ膜２の組成をＸ
ＰＳ、厚さを触針式膜厚計によって調査したところ歪ゲ
ージ膜の組成はＣｒ−２４ａｔ％酸素（０）４ａｔ％シ
リコン（Ｓｔ）膜厚は０．１７μｍであった（表）。歪
ゲージ膜を形成した基板を大気中に取り出し、電極用マ
スクを取り付けた後スパッタリング装置内で前記と同様
の方法で、ＡｕターゲットにＤＣ２５０Ｗの電力を印加
し、１分間のスパッタリングを行い、Ａｕ電極膜３を０
．１μｍ形成した。さらに、大気中で３００℃、ｌｈｒ
の熱処理を施した後、Ａｕ電極にリード線４を半田付け
した。このようにして製作した歪ゲージを用いて特性評
価試験を行った。
歪ゲージとしての特性評価は、歪抵抗特性、抵抗温度特
性、高温放置試験により行った。第３図は、本実施例に
よって製作した歪ゲージの歪と抵抗変化率の関係を示し
たものである。ゲージ率には歪と抵抗変化率の関係を示
す直線の傾きから求めた。抵抗温度特性は、−３０°Ｃ
から１２０°Ｃまで温度を変化させ、抵抗温度係数ＴＣ
Ｒ（ｐｐｍ７°Ｃ）を測定した。また高温放置試験は、
１２０°Ｃで５００ｈｒ放置した後の抵抗変化率ΔＲ（
％）を測定した。表に評価結果を示す。
性、高温放置試験により行った。第３図は、本実施例に
よって製作した歪ゲージの歪と抵抗変化率の関係を示し
たものである。ゲージ率には歪と抵抗変化率の関係を示
す直線の傾きから求めた。抵抗温度特性は、−３０°Ｃ
から１２０°Ｃまで温度を変化させ、抵抗温度係数ＴＣ
Ｒ（ｐｐｍ７°Ｃ）を測定した。また高温放置試験は、
１２０°Ｃで５００ｈｒ放置した後の抵抗変化率ΔＲ（
％）を測定した。表に評価結果を示す。
実施例２〜４
実施例１と同様の方法で、酸素およびＳｔの組成を変え
て歪ゲージ膜を形成した。表に、歪ゲージ膜の組成・膜
厚を示す。つぎに、実施例１と同様の方法で電極・リー
ド線を取り付けて、実施例１と同様の評価試験を実施し
、表に評価結果を示す。
て歪ゲージ膜を形成した。表に、歪ゲージ膜の組成・膜
厚を示す。つぎに、実施例１と同様の方法で電極・リー
ド線を取り付けて、実施例１と同様の評価試験を実施し
、表に評価結果を示す。
比較例
実施例１と同様、二元スパッタリング法を用いて、組成
がＣｒ−１５ａｔ％０−１３ａｔ％ＳｉおよびＣｒ−２
６ａｔ％０ １２ａｔ％Ｓｔである薄膜抵抗体ならびに
従来使われてきた歪ゲージ材であるＮｉ−ＣｒおよびＳ
ｔをガラス基板上に歪ゲージ膜として形成した。表に組
成・膜厚を示す。次に、実施例１と同様の方法で電極・
リード線を取り付けて歪ゲージを製作し、実施例１と同
様の評価試験を実施した。表に評価結果を示す。また、
Ｎｉ−Ｃｒ合金の歪抵抗特性を第３図に示す。
がＣｒ−１５ａｔ％０−１３ａｔ％ＳｉおよびＣｒ−２
６ａｔ％０ １２ａｔ％Ｓｔである薄膜抵抗体ならびに
従来使われてきた歪ゲージ材であるＮｉ−ＣｒおよびＳ
ｔをガラス基板上に歪ゲージ膜として形成した。表に組
成・膜厚を示す。次に、実施例１と同様の方法で電極・
リード線を取り付けて歪ゲージを製作し、実施例１と同
様の評価試験を実施した。表に評価結果を示す。また、
Ｎｉ−Ｃｒ合金の歪抵抗特性を第３図に示す。
評価
表かられかるように、本実施例１〜４に係るＣｒと酸素
ならびにＣｒと酸素とＳｉで構成される歪ゲージ膜は、
比較例のＮｉ−Ｃｒ合金と比べて、３〜５．６倍のゲー
ジ率を有する。すなわち、本実施例の歪ゲージは従来の
金属抵抗型歪ゲージよりも感度が数倍も優れていること
が明らかである。
ならびにＣｒと酸素とＳｉで構成される歪ゲージ膜は、
比較例のＮｉ−Ｃｒ合金と比べて、３〜５．６倍のゲー
ジ率を有する。すなわち、本実施例の歪ゲージは従来の
金属抵抗型歪ゲージよりも感度が数倍も優れていること
が明らかである。
また、Ｃｒ、酸素に対しＳｉを１２％ならびに１３％添
加した比較例５．６はゲージ率が５以下と低く、また、
５ｉ１２％のものは抵抗温度係数も劣っている。これは
、本実施例の歪ゲージでは、Ｃｒに酸素とＳｉが適当量
混合していることにより高いゲージ率を有する薄膜が形
成された効果によるものである。
加した比較例５．６はゲージ率が５以下と低く、また、
５ｉ１２％のものは抵抗温度係数も劣っている。これは
、本実施例の歪ゲージでは、Ｃｒに酸素とＳｉが適当量
混合していることにより高いゲージ率を有する薄膜が形
成された効果によるものである。
さらに、表かられかるようにＣｒと酸素ならびにＣｒと
酸素とＳｉからなる歪ゲージは、比較例のＳｔの歪ゲー
ジと比べ、抵抗温度特性・高温耐久性が優れていること
が明らかである。これは、Ｃｒ中に酸素とＳｔが適当量
混合することにより、Ｃｒの伝導電子の平均自由行程が
短くなり、抵抗温度係数が小さくなったためであると考
えられる。
酸素とＳｉからなる歪ゲージは、比較例のＳｔの歪ゲー
ジと比べ、抵抗温度特性・高温耐久性が優れていること
が明らかである。これは、Ｃｒ中に酸素とＳｔが適当量
混合することにより、Ｃｒの伝導電子の平均自由行程が
短くなり、抵抗温度係数が小さくなったためであると考
えられる。
また、Ｃｒと酸素とＳｔの混合状態が均一なために、高
温放置しても薄膜は安定であった。また第３図から本実
施例により製作した歪ゲージは直線性を維持したままで
歪感度が著しく改善されていることか明らかである。
温放置しても薄膜は安定であった。また第３図から本実
施例により製作した歪ゲージは直線性を維持したままで
歪感度が著しく改善されていることか明らかである。
また、本実施例１および２に係る歪ゲージはＳｉ等の半
導体系の歪ゲージに比し、強度が著しく優れていた。
導体系の歪ゲージに比し、強度が著しく優れていた。
第１図は本発明の実施例において用いた歪ゲージの平面
図、第２図は該歪ゲージの断面図、第３図は実施例１と
比較例１の歪−抵抗変化率の関係を求めた図である。
図、第２図は該歪ゲージの断面図、第３図は実施例１と
比較例１の歪−抵抗変化率の関係を求めた図である。
Claims (1)
- 物理的蒸着法または化学的蒸着法によって形成された
、Ｃｒ６０〜９８原子％、酸素２〜３０原子％、半導体
０〜１０原子％が均一に分布した薄膜であって、膜厚が
０．０１〜１０μｍであることを特徴とする歪ゲージ用
薄膜抵抗体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227740A JPH0770367B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
| EP89116555A EP0359132B1 (en) | 1988-09-12 | 1989-09-07 | Thin film resistor for strain gauge |
| DE68911630T DE68911630T2 (de) | 1988-09-12 | 1989-09-07 | Dünnschichtwiderstand für Dehnungsmesser. |
| US07/404,209 US5001454A (en) | 1988-09-12 | 1989-09-07 | Thin film resistor for strain gauge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227740A JPH0770367B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276201A true JPH0276201A (ja) | 1990-03-15 |
| JPH0770367B2 JPH0770367B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16865626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227740A Expired - Fee Related JPH0770367B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770367B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335911A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Osaka Prefecture | 受圧管一体型圧力センサ |
| JPH0892730A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Nok Corp | クロム−酸素合金薄膜の製造法 |
| KR100396932B1 (ko) * | 1995-03-09 | 2004-06-16 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 규화크롬저항막을포함하는저항소자 |
| JP2019074452A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 薄膜ひずみセンサ材料および薄膜ひずみセンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139992A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-22 | Gould Inc | Distortion meter and method of manufacture thereof |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP63227740A patent/JPH0770367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139992A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-22 | Gould Inc | Distortion meter and method of manufacture thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335911A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Osaka Prefecture | 受圧管一体型圧力センサ |
| JPH0892730A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Nok Corp | クロム−酸素合金薄膜の製造法 |
| KR100396932B1 (ko) * | 1995-03-09 | 2004-06-16 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 규화크롬저항막을포함하는저항소자 |
| JP2019074452A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 薄膜ひずみセンサ材料および薄膜ひずみセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770367B2 (ja) | 1995-07-31 |
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