JPH07335924A - ソーラモジュールの製造方法 - Google Patents

ソーラモジュールの製造方法

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JPH07335924A
JPH07335924A JP7142174A JP14217495A JPH07335924A JP H07335924 A JPH07335924 A JP H07335924A JP 7142174 A JP7142174 A JP 7142174A JP 14217495 A JP14217495 A JP 14217495A JP H07335924 A JPH07335924 A JP H07335924A
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solar cell
line
laser
solar
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JP7142174A
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Wilhelm Kusian
クージアン ヴィルヘルム
Wilfried Juergens
ユルゲンス ヴィルフリート
August Lerchenberger
レルヒェンベルガー アウグスト
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Original Assignee
Siemens Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 積層構造の薄膜ソーラセルのための簡単かつ
確実に実施できる構造化方法を提供する。 【構成】 パルス化されたレーザを、透過性基板と透過
性の電極層を貫通させて半導体材料へ照射する。これに
より半導体材料は透過性の層から切除され、場合によっ
てはその上に位置する別の材料から成る層領域もいっし
ょに除去される。互いに平行な構造化ラインの配列は、
最小の所要面積または最大の構造化安定性が得られるよ
う最適化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透過性の基板上に、集
積されて結線された薄膜ソーラセル積層体と、あわせて
３つのＴＣＯ電極面とが設けられており、それぞれ２つ
の電極面の間に、ストライプ状に構造化されたｐｉｎな
いしｎｉｐソーラセルを備えた１つの面が配置されてお
り、積層されて互いに上下の位置関係におかれたソーラ
セルが並列に接続されており、各積層体は互いに直列に
接続されている、ソーラモジュールの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜太陽電池の光利用度を改善するため
に、複数の薄膜太陽電池を上下に積み重ねて析出するこ
とができる。バンドギャップに作用が及ぼされるよう種
々異なるドーピングを行うことで、それぞれ異なるスペ
クトル範囲で吸収を行う太陽電池を形成することができ
る。このことにより、自然の太陽スペクトルを光起電力
による電流発生のためにいっそう良好に利用できるよう
になる。
【０００３】しかし、同じ形式の薄膜太陽電池を上下に
積み重ねた積層太陽電池でも、１つの層から成る太陽電
池に対し利点を有する。層全体の厚さが同等でありした
がって光の吸収も同等であるならば、このような積層太
陽電池を用いることでいっそう改善された総効率が得ら
れ、殊に老化特性（Staebler-Wronski-効果 ）が著しく
改善される。
【０００４】積層太陽電池は光学的に直列に接続されて
おり、その際、透過性材料の使用で相応の光透過性が保
証されている。電気的にはこれらの太陽電池は、互いに
絶縁してその場合には個別に接触接続することができる
し、あるいは直列に接続することができる。しかし、積
層体中で電気的に直列に結線するのに必要な電流整合
は、殊に広い面積のソーラモジュールの場合にはかろう
じて実施できる程度である。このためドイツ連邦共和国
特許出願公開第４２０３１２３号公報では、個々の太陽
電池を互いに逆の極性で配置しそれらを電気的に並列に
結線することが提案されている。適切な構造化により１
つのソーラモジュール全体を集積して製造することもで
き、この場合、個々の層は互いに直列に接続されてい
る。
【０００５】しかし、この種の積層太陽電池のソーラモ
ジュールを構造化する場合には問題点が生じる。それと
いうのは個々の層を互いに固有に構造化しなければなら
ず、このことで固有の物質除去プロセスが必要になるか
らである。レーザによる構造化プロセスの場合、貫通の
深さをコントロールするのはきわめて難しい。しかも、
レーザの作用により半導体において構造変化の生じる可
能性があり、これにより太陽電池内に不所望な電流伝達
経路が生じてしまい、それによって短絡の生じるおそれ
がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、簡単かつ確実に実施でき上述の欠点を回避するよ
うにした、この種の積層太陽電池を構造化するための改
善された方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および利点】本発明によれ
ばこの課題は、常にそのつど１つの面を面全体にわたる
層の析出により形成し、次に当該面を、互いに平行な所
定の構造化ラインに沿って構造化し、ソーラセル面およ
び両方の上方の電極面を、レーザにより裏面から基板を
通って照射させて構造化し、１つのソーラセル面におけ
るレーザビームの吸収により溝状のカットラインを形成
させながら半導体を切除し、前記構造化ラインを、Ｐ１
−Ｐ２−Ｐ５−Ｐ４−Ｐ３の順序配列が得られるよう、
それぞれ互いに平行にずらして配置することにより解決
される。
【０００８】本発明による方法によれば、クリーンな構
造化つまりきれいなエッジを有する溝状のカットライン
を形成することができる。このためにいかなる物質を気
化する必要もない；むしろ、レーザを吸収する半導体層
が、その下に位置するレーザを吸収しない層から除去さ
れる。切除により自由になった機械的エネルギーは、そ
の上に位置する複数の層領域もいっしょに除去するのに
十分である。この場合、たとえば５０ｐｓの持続時間を
有する個々のレーザスポットであれば、レーザビームが
フォーカシングされたときに半導体材料を完全に除去す
るのに十分である。ソーラモジュールの構造化に必要な
エネルギーは形成すべきカットラインの深さとは無関係
であるので、この方法を迅速に、そして比較的にエネル
ギーを節約して実施することができる。
【０００９】この場合、カットエッジは実際に、不所望
な電流経路を形成しひいては短絡を生じさせるおそれの
ある相変化を有していない。
【００１０】しかも本発明による方法によれば、いかに
してソーラモジュールの構造化ラインを活性的な半導体
面において最小の所要面積で確実に実施できるかが示さ
れている。このことにより、最大の出力したがってソー
ラモジュールのための最大の効率が保証される。
【００１１】ソーラモジュールの５つの面における層の
形成は、それぞれ面全体にわたり公知の方式にしたがっ
て行われる。そのつど１つの面の層を析出した後、構造
化ステップが行われ、その際、層中に互いに平行なカッ
トラインが形成される。
【００１２】この方法のためには透過性の基板が必要で
ある。第１の面はＴＣＯ電極層であり、これは慣用のダ
イレクトなレーザ照射により機械的に、あるいはリフト
オフ（Lift-Off）プロセスにより構造化される。
【００１３】第２の面は、ソーラセルを形成するための
ｐｉｎダイオード構造をもつ半導体層である。この層の
析出のために、それ自体公知のプラズマによる薄膜析出
プロセスが用いられる。第２の面の構造は、基板ならび
に第１の面のＴＣＯ電極層を貫通するビーム照射により
行われる。ＴＣＯ電極層と半導体層との境界面における
レーザスポットにおいて半導体が局部的に加熱すること
により、切除が行われる。
【００１４】第３の面はやはりＴＣＯ電極層である。こ
の層の構造化は、その下に位置する半導体層といっしょ
に背面からのレーザ照射によって切除されることで行わ
れる。
【００１５】第４の面はまたもやソーラセル面であっ
て、ここではｎｉｐダイオード構造の半導体が形成され
る。このことにより、両方のソーラセル面のソーラセル
が並列に結線される。第４の面の構造化は、第１のソー
ラセル面と同じようにして行われる。ここでは、第２の
面（第１のソーラセル面）において第４のカットライン
の領域で半導体層が取り除かれていれば、第４の面の半
導体層へじかにビーム照射できる。しかしながら、第４
の面をその下に位置する第２の面といっしょに、第２の
面の半導体層へのビーム照射による共通の切除によって
除去できる。
【００１６】第５の面として再びＴＣＯ電極層が被着さ
れる。この層の構造化は第４の面とともに切除すること
により、あるいは第４の面の構造化と同様に第２の面と
いっしょに切除することにより行われる。
【００１７】構造化ラインの適切な配置ないしは相応に
セットされたカットラインにより、カットラインの”深
さ”に関する可能な変形が得られる。この場合、第５の
面（第３の電極面）の構造化はたとえば、第４の面（第
２のソーラセル面）のカットラインが第２の面（第１の
ソーラセル面）のための第２のカットラインの領域に位
置しているならば、この第４の面といっしょに切除する
ことにより行うことができる。第５の構造化ラインは第
２の構造化ラインに対し側方にずらされているので、第
２のカットラインは第５のカットラインよりも幅広く構
成する必要がある。このことにより、第５のカットライ
ンの領域における第２の面（第１のソーラセル面）の半
導体層はすでにこの先行する構造化ステップで除去され
るようになる。
【００１８】さらに別の可能性として挙げられるのは、
第２の面の構造化のためのカットラインを、これが第４
および第５の構造化ラインによるカットラインとオーバ
ラップするように構成することである。この場合、第４
の面の構造化も第５の面の構造化もレーザ照射領域にお
いて、もっぱら第４の面の半導体層の切除により、ない
しは第４の面をその上に位置する第５の面の電極層とい
っしょに切除することにより行われる。
【００１９】いずれにせよ注意しなければならないこと
は、第１の面と第２の面ないし第３の面と第４の面の構
造化のための構造化ラインを、それらがオーバラップ領
域を有していないように配置する点である。このように
するだけで、種々の電極面間において、個々のソーラセ
ルの電気的な短絡に至るおそれのある不所望な導電的橋
絡が生じないようになる。残りのカットラインは、軽く
重なり合うように配置することができる。
【００２０】しかしながらすべてのカットラインを、互
いにオーバラップしないように配置することもできる。
【００２１】本発明による方法のためのレーザの選択
は、その波長がソーラセルないしはソーラセルの半導体
材料の強い吸収範囲にあるようにして行われる。この目
的で、アモルファスシリコンのためには青いまたは緑の
レーザが必要であり、たとえば周波数の２倍にされたＮ
ｄ；ＹＡＧレーザまたはＮｄ：ＹＬＦレーザが必要であ
る。このレーザのために、ガラスにより構成されミラー
およびレンズから成る光学系を用いることができる。
【００２２】半導体層ないしはそのカットエッジにおけ
る熱負荷をできるかぎり僅かに押さえる目的で、特別に
選び出されたビーム特性と最適に選定されたパルスエネ
ルギーが用いられる。この方法のためにＴＥＭ00−モー
ドを用いた場合、ガウス特性を有するレーザビームの半
径方向における強度分布が得られる。矩形のビーム特性
によりさらに別の利点がもたらされる。一般に、周縁部
において急傾斜で降下する強度を有する特性が好適であ
る。
【００２３】使用される固体レーザに関して、本発明に
よる方法に適したパルス周波数は１〜１００ｋＨｚの範
囲内にある。レーザパルスの減衰するエネルギー密度お
よび切除されていない層領域からの必要な放熱により、
周波数は上方へ向かう方向で制限されている。材料の過
度の加熱を避けるために、レーザパルスの長さは有利に
は２００ｎｓよりも僅かである。好適なレーザパルス長
は２０ｎｓ〜５０ｐｓにある。
【００２４】次に、３つの実施例ならびにそれに対応す
る図面に基づき本発明を詳細に説明する。
【００２５】
【実施例の説明】
第１実施例 図１：第１実施例に関して、個々の構造化ステップのた
めのカットラインは互いにオーバラップしないように配
置される。透過性であってたとえばガラスから成る基板
１上に、第１の面Ｅ１としてＴＣＯ電極層が被着され
る。面Ｅ１の薄い導電性の酸化物はたとえば１μｍの厚
さの酸化錫層から成り、これは導電性を改善するために
アルミニウムまたは硼素によりドーピングされている。
しかしこのＴＣＯ層Ｅ１を、弗素ドーピングされた酸化
錫またはインジウム錫酸化物により構成することもでき
る。
【００２６】電極層Ｅ１の構造化のためにそれらはスト
ライプ状の複数の領域に分割され、たとえば上方からの
直接的なレーザ作用により分割される。レーザは互いに
平行に配置された構造化ラインＰ１に沿って導かれ、こ
れにより溝状の凹欠部Ｓ１の領域において基板１が露出
される。この構造化により生じる第１の電極面Ｅ１の電
極ストライプの幅は、後で形成されるソーラモジュール
において最大効率が得られるように、つまり構造化ライ
ンと活性的な半導体面との間の最適な比率が得られるよ
うに最適化することができる。しかしながら一般的にこ
の電極ストライプＥ１の幅は、基板の幅と、集積されて
結線されたソーラモジュールが発生させるべき電圧にし
たがって選定される。通常、この電極ストライプつまり
は後で形成されるストライプ状の個別ソーラセルに対
し、数ｃｍの幅が選ばれる。
【００２７】図２：次に、第１の電極面Ｅ１の上に面全
体にわたって、たとえばプラズマを用いた気相析出によ
って、１つの薄膜ソーラセルが形成される。このために
アモルファスシリコンがシランから析出され、その際、
ドーピングガスであるボランとホスフィンを相応に混合
することにより、第２の面Ｅ２にｐｉｎ構造（第１のソ
ーラセル面）が形成される。Staebler-Wronski−効果を
避けるために、ソーラセルはたとえば２００ｎｍ以下の
厚さで形成される。
【００２８】図３：次に、面全体にわたって被着された
面Ｅ２のソーラセルは、第２の構造化ラインＰ２に沿っ
て構造化される。この目的で、周波数を２倍にしたＮ
ｄ：ＹＡＧレーザを背面から投射し、第１の面Ｅ１と第
２の面Ｅ２との間の境界面にフォーカシングする。周波
数が１〜１００ｋＨｚでありパルス持続時間がたとえば
５０ｐｓであれば、個々のレーザスポットはフォーカシ
ング領域においてソーラセル面Ｅ２の半導体材料を切除
するのに十分である。基板とレーザとの間における相対
運動により、ソーラモジュールの全長にわたって溝状の
カットラインＳ２が生じるように個々のスポットが相並
んでセットされる。構造化ラインＰ２は構造化ラインＰ
１のすぐ隣りに配置され、これとはオーバラップしてい
ない。図示されている構造により、個々のスポットを相
前後して直線的に配置したときにカットラインＳ２は約
３０〜５０μｍの幅を有しているが、この幅は個々のス
ポットのエネルギーによって変動してよい。
【００２９】図４：次に、第２の面Ｅ２の構造化された
ソーラセルの上に面全体にわたって、第３の面Ｅ３とし
てさらに別の電極層が第１の面Ｅ１の電極と同様にして
析出される。電極面Ｅ３の析出は次のようにして行われ
る。すなわち、ＴＣＯ物質によりカットラインＳ２もい
っしょに満たされ、これによりカットラインＳ３中にあ
る第１の面Ｅ１の電極層とのオーミックコンタクトが形
成されるように行われる。
【００３０】図５：電極面Ｅ３を構造化するためにカッ
トラインＳ３が形成される。この目的で、先に挙げたＮ
ｄ：ＹＡＧレーザを構造化ラインＰ３に沿ってやはり基
板を貫通させてソーラセルＥ２へ投射する。この場合、
Ｅ２の半導体材料はレーザビームの領域でその下にある
電極層Ｅ１から切除され、その際、Ｅ２の上に位置する
電極層Ｅ３もいっしょに除去される。第２の別のカット
ラインを配置するためにオーバラップすることなく十分
なスペースが得られるように、構造化ラインＰ３は、カ
ットラインＳ３の幅の少なくとも３倍だけ構造化ライン
Ｐ２ないしカットラインＳ２に対しずらされる。
【００３１】図６：次に、電極面Ｅ３の上において第４
の面Ｅ４に、ｎｉｐ構造で面全体にわたりソーラセルが
形成される。ｐｎ接合部の配向を除いて、このソーラセ
ルについては第２の面Ｅ２のソーラセルと同じ製造条件
があてはまる。
【００３２】図７：ソーラセル面Ｅ４の構造化のため
に、構造化ラインＰ４に沿って背面から基板を貫通させ
てレーザを投射する。やはりこの場合も、第２の面の半
導体材料がその下に位置する第１の面Ｅ１の電極層から
切除され、その際に第２の面Ｅ２の上に位置する面Ｅ３
およびＥ４の層領域もいっしょに除去される。構造化ラ
インＰ４は、構造化ラインＰ２とＰ３との間においてＰ
３のすぐ隣りに配置されるが、Ｐ３とはオーバラップし
ていない。
【００３３】図８：次に、構造化されたソーラセル面Ｅ
４の上において第５の面Ｅ５に、さらに別のＴＣＯ電極
層が面全体にわたって被着される。電極層Ｅ５は、カッ
トラインＳ４が電極材料で満たされるように析出され、
このことによりカットラインＳ４内で露出された電極面
Ｅ１の表面とのオーム接触が形成される。
【００３４】図９：最後の構造化ステップにおいて、基
板を貫通させて構造化ラインＰ５に沿って新たにレーザ
を投射することにより、相応のカットラインＳ５が形成
される。この場合もソーラセル面Ｅ２の半導体材料中に
入射され、これはレーザの領域でその下に位置する面Ｅ
１の電極層から、その上に位置する層領域とともに除去
される。構造化ラインＰ５は、構造化ラインＰ２と構造
化ラインＰ４との間に位置している。
【００３５】図９には、このようにして露出された積層
セルソーラモジュールが示されている。ソーラセル層Ｅ
２とＥ４のｐｎ接合が互いに逆の極性であることによ
り、各ソーラセルは１つの積層体内では並列に接続され
ており、他方、個々の積層体は互いに直列に接続されて
いる。１つの積層体内において光起電力により生じる電
流は加算されるのに対し、直列接続によりソーラモジュ
ールの電圧は高まり、この場合、ソーラモジュールの総
電圧は、ストライプ状のソーラセル積層体の個数と個々
のセルの電圧との積にほぼ相応する。
【００３６】第２実施例 図１０には、本発明により構造化された完成したソーラ
モジュールが示されており、この場合、構造化ラインＰ
２とＰ５の配置は変えられている。この実施例の場合、
第２の構造化ラインＰ２は、このために使用されるレー
ザビームを相応に拡開して走査することにより、その他
の構造化ラインよりも幅広く構成される。構造化ライン
Ｐ３は構造化ラインＰ４に対し、これらのライン間に構
造化ラインＰ４のためのスペースがなお残るようにずら
される。この方法は構造化ラインの配置を除いて第１実
施例とほぼ同一であり、他方、電極面Ｅ５の構造化にお
いて重大な相違点がある。構造化ラインＰ５は構造化ラ
インＰ２に対してセンタリングされているが、Ｐ２より
も小さい幅を有している。したがってこの構造化に際し
て、レーザビームはソーラセル面Ｅ４まで妨げられるこ
となくその下に位置する透過性の層領域を通って、基板
１、電極面Ｅ１および電極面Ｅ３から貫き進むことがで
きる。このため、電極面Ｅ３の上方で切除が行われる。
このことが有する利点とは一方では、これにより形成さ
れる構造化ラインＳ５は２つの層だけを通って延びてい
ればよく、したがって構造化に際しては２つの層だけを
切除すればよいことである。このことによりクリーンな
構造化が可能になる。他方、構造化ラインを互いにいっ
そう密に選定することができ、これにより構造化ステッ
プによる活性的な半導体面における所要面積が最小化さ
れる。
【００３７】第３実施例 図１１には、第３実施例にしたがって構造化された完成
した積層セルソーラモジュールが示されている。この実
施例の場合、ソーラセル面Ｅ２の構造化は、構造化ライ
ンＰ４とＰ５が構造化ラインＰ２の中にうまく収まるよ
うに、この構造化ラインＰ２にしたがって幅が扇状にさ
れたレーザビームにより行われる。構造化ラインＰ２の
拡開は、幅の広いレーザビームを使用するかまたは（狭
い）レーザビームの走査により行われる。この走査は、
じかに隣り合うように複数のレーザカットを行うことに
より実現される。このことによって、ソーラセル面Ｅ４
と電極面Ｅ５の構造化のためにソーラセル面Ｅ４に直
接、投射することができる。それというのは、この領域
内に位置するソーラセル面Ｅ２の半導体材料はすでに第
２の構造化ステップで取り除かれているからである。し
たがってソーラセル面Ｅ４の構造化はこの層の切除だけ
しか必要とせず、他方、電極面Ｅ５の構造化はソーラセ
ル面Ｅ４の相応の領域の切除により、その上に位置する
電極面Ｅ５と合わせて行われる。この実施例も第１実施
例に比べ、活性的な半導体面における所要面積が最小で
ある点で優れている。しかしこの利点の代償として、カ
ットラインＳ２の幅を広げる必要があるためコストが高
められる。
【００３８】このように本発明によれば、集積されて結
線された積層セルソーラモジュールを形成可能な方法が
提供される。その際にこの方法は、アモルファスシリコ
ンから成るソーラセルに限定されるものではない。むし
ろ本発明による方法は、薄膜方式で製造可能な他のソー
ラセル形式に対しても適用できる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、積層構造の薄膜ソーラ
セルを簡単かつ確実に構造化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの横断面図である。
【図２】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの横断面図である。
【図３】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの横断面図である。
【図４】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの横断面図である。
【図５】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの横断面図である。
【図６】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの断面図である。
【図７】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの断面図である。
【図８】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの断面図である。
【図９】製造の際の１つのステップ中のソーラモジュー
ルの断面図である。
【図１０】構造化された完成したソーラモジュールの１
つの実施形態の断面図である。
【図１１】構造化された完成したソーラモジュールの別
の実施形態の断面図である。
【符号の説明】
Ｓ１〜Ｓ５ カットライン Ｐ１〜Ｐ５ 構造化ライン Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５ 電極面 Ｅ２，Ｅ４ ソーラセル面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アウグスト レルヒェンベルガー ドイツ連邦共和国 ドルフェン エステル ンドルフ 29

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透過性の基板（１）上に、集積されて結
    線された薄膜ソーラセル積層体（Ｅ２，Ｅ４）と、あわ
    せて３つのＴＣＯ電極面（Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５）とが設け
    られており、それぞれ２つの電極面の間に、ストライプ
    状に構造化されたｐｉｎないしｎｉｐソーラセルを備え
    た１つの面が配置されており、積層されて互いに上下の
    位置関係におかれたソーラセルが並列に接続されてお
    り、各積層体は互いに直列に接続されている、ソーラモ
    ジュールの製造方法において、 常にそのつど１つの面（Ｅ１〜Ｅ５）を面全体にわたる
    層の析出により形成し、 次に当該面（Ｅ１〜Ｅ５）を、互いに平行な所定の構造
    化ライン（Ｐ１〜Ｐ５）に沿って構造化し、 ソーラセル面（Ｅ２，Ｅ４）および両方の上方の電極面
    （Ｅ３，Ｅ５）を、レーザにより裏面から基板を通って
    照射させて構造化し、１つのソーラセル面（Ｅ２，Ｅ
    ４）におけるレーザビームの吸収により溝状のカットラ
    イン（Ｓ１〜Ｓ５）を形成させながら半導体を切除し、 前記構造化ライン（Ｐ１〜Ｐ５）を、Ｐ１−Ｐ２−Ｐ５
    −Ｐ４−Ｐ３の順序配列が得られるよう、それぞれ互い
    に平行ずらして配置することを特徴とする、 ソーラモジュールの製造方法。
  2. 【請求項２】 第２の構造化ライン（Ｐ２）に沿ったカ
    ットライン（Ｓ２）を、該カットラインがＰ５によるカ
    ットライン（Ｓ５）とオーバラップするよう、残りの構
    造化ラインに沿ったカットラインよりも幅広く構成す
    る、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 第４および第５の構造化ライン（Ｐ４，
    Ｐ５）によるカットライン（Ｓ４，Ｓ５）は、前記第２
    の構造化ライン（Ｐ２）とオーバラップしている、請求
    項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 Ｐ１およびＰ２ないしＰ３およびＰ４に
    よるそれぞれ隣り合うカットライン（Ｓ１／Ｓ２；Ｓ３
    ／Ｓ４）を、それらが互いに重なり合わないように配置
    する、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 半径方向の強度分布を有するビームを発
    生するレーザを用いる、請求項１〜４のいずれか１項記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 ソーラセルないしはその半導体材料の高
    い吸収範囲にある波長を有するレーザを用いる、請求項
    １〜５のいずれか１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 アモルファスシリコンａ−Ｓｉ：Ｈから
    成るソーラセルまたはアモルファスシリコンを含む合金
    から成るソーラセルを固体レーザにより構造化する、請
    求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
  8. 【請求項８】 ５０ｐｓ〜２０ｎｓのパルス長でパルス
    化されたＮｄ：ＹＡＧレーザまたはＮｄ：ＹＬＦレーザ
    を用いる、請求項７記載の方法。
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