JPH0733596A - 針状単結晶体複合品 - Google Patents
針状単結晶体複合品Info
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- JPH0733596A JPH0733596A JP18504893A JP18504893A JPH0733596A JP H0733596 A JPH0733596 A JP H0733596A JP 18504893 A JP18504893 A JP 18504893A JP 18504893 A JP18504893 A JP 18504893A JP H0733596 A JPH0733596 A JP H0733596A
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路の電気特性測定用プローブピ
ン等に使用できる、座屈荷重が大きく、剛性に優れた針
状単結晶体複合品及びその組立物を得る。 【構成】 基板上に、ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体
を形成し、該針状単結晶体の少なくとも側面を０．１〜
１０μｍ厚みの導電性膜で被覆した後、該導電性針状単
結晶体が樹脂面から１０〜５００μｍ突出するように樹
脂で包埋したことを特徴とする針状単結晶体複合品及び
それを用いた電気特性測定用組立物。
ン等に使用できる、座屈荷重が大きく、剛性に優れた針
状単結晶体複合品及びその組立物を得る。 【構成】 基板上に、ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体
を形成し、該針状単結晶体の少なくとも側面を０．１〜
１０μｍ厚みの導電性膜で被覆した後、該導電性針状単
結晶体が樹脂面から１０〜５００μｍ突出するように樹
脂で包埋したことを特徴とする針状単結晶体複合品及び
それを用いた電気特性測定用組立物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の電気
特性測定用プローブピン、微小真空デバイスや電子銃、
或いは走査型トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡をはじめ
とする走査型プローブ顕微鏡のプローブ等に使用でき
る、座屈荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体複合
品に関する。
特性測定用プローブピン、微小真空デバイスや電子銃、
或いは走査型トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡をはじめ
とする走査型プローブ顕微鏡のプローブ等に使用でき
る、座屈荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体複合
品に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、製造段階において不
良品除去のため何度か電気的特性を測定する必要があ
る。例えばＬＳＩの場合、ウエハ内に回路素子を製造し
た段階で、各チップを構成する回路素子の動作をテスト
するための測定が行われ、この後、ウエハから切り取ら
れたチップをパッケージに収容したり、ＴＡＢテープに
実装した状態で、再度動作テストするための測定が行わ
れる。このうち、前者は、通常タングステン等の金属に
よって構成されたプローブピンを有するプローブカード
が使用される。また、後者は、アウターリードが挿入さ
れるソケットを使用することが多いが、ＴＡＢの場合
は、プローブカードが使用されることがある。ところ
で、近年、ＬＳＩの高密度化に伴い、電気的特性測定の
ための端子（パッド）数が増加し、単位面積あたり多数
のプローブピンを設けることが必要になっている。この
ため微細化、高精度化されたプローブピンが求められて
いるが、従来のタングステン等のプローブピンではこれ
に対応できなくなりつつある。
良品除去のため何度か電気的特性を測定する必要があ
る。例えばＬＳＩの場合、ウエハ内に回路素子を製造し
た段階で、各チップを構成する回路素子の動作をテスト
するための測定が行われ、この後、ウエハから切り取ら
れたチップをパッケージに収容したり、ＴＡＢテープに
実装した状態で、再度動作テストするための測定が行わ
れる。このうち、前者は、通常タングステン等の金属に
よって構成されたプローブピンを有するプローブカード
が使用される。また、後者は、アウターリードが挿入さ
れるソケットを使用することが多いが、ＴＡＢの場合
は、プローブカードが使用されることがある。ところ
で、近年、ＬＳＩの高密度化に伴い、電気的特性測定の
ための端子（パッド）数が増加し、単位面積あたり多数
のプローブピンを設けることが必要になっている。この
ため微細化、高精度化されたプローブピンが求められて
いるが、従来のタングステン等のプローブピンではこれ
に対応できなくなりつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体集積
回路の電気特性測定用プローブピン等に使用される座屈
荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体複合品を提供
することを目的とするものである。本発明者等は、半導
体集積回路の電気特性測定用プローブピン等に使用され
る座屈荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体複合品
につき鋭意研究を行った結果、基板上に、ＶＬＳ成長法
にて針状単結晶体を形成し、該針状単結晶体の少なくと
も側面を導電性膜で被覆した後、該導電性針状単結晶体
が樹脂又は低融点ガラス面から１０〜５００μｍ突出す
るように樹脂又は低融点ガラスで包埋した針状単結晶体
複合品に到達し、本発明を完成するに至った。
回路の電気特性測定用プローブピン等に使用される座屈
荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体複合品を提供
することを目的とするものである。本発明者等は、半導
体集積回路の電気特性測定用プローブピン等に使用され
る座屈荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体複合品
につき鋭意研究を行った結果、基板上に、ＶＬＳ成長法
にて針状単結晶体を形成し、該針状単結晶体の少なくと
も側面を導電性膜で被覆した後、該導電性針状単結晶体
が樹脂又は低融点ガラス面から１０〜５００μｍ突出す
るように樹脂又は低融点ガラスで包埋した針状単結晶体
複合品に到達し、本発明を完成するに至った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に、ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体を形成し、該針
状単結晶体の少なくとも側面を０．１〜１０μｍ厚みの
導電性膜で被覆し導電性針状単結晶体を得た後、該導電
性針状単結晶体を樹脂又は低融点ガラスからなる包埋材
料で包埋してなる針状単結晶体複合品で、該導電性針状
単結晶体が、その包埋材料の表面から１０〜５００μｍ
突出するように包埋されたことを特徴とする針状単結晶
体複合品及びそれを用いた電気特性測定用組立物であ
る。
板上に、ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体を形成し、該針
状単結晶体の少なくとも側面を０．１〜１０μｍ厚みの
導電性膜で被覆し導電性針状単結晶体を得た後、該導電
性針状単結晶体を樹脂又は低融点ガラスからなる包埋材
料で包埋してなる針状単結晶体複合品で、該導電性針状
単結晶体が、その包埋材料の表面から１０〜５００μｍ
突出するように包埋されたことを特徴とする針状単結晶
体複合品及びそれを用いた電気特性測定用組立物であ
る。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられる針状単結晶体は、基板上にＶＬＳ成長法にて
形成される。この方法は、( R. S. Wagner and W. C. E
llis：Appl. Phys Letters４（1964）89 )に開示されて
いるものである。図１はかかる針状結晶体の形成方法を
説明するための図である。図１（ａ）に示すように、表
面が（１１１）面であるシリコン単結晶基板１の所定の
位置に金粒子２を載置する。これをSiH4、SiCl4 などの
シリコンを含むガスの雰囲気の中でSi−Au合金の融点以
上に加熱する。Si−Au合金はその融点が低いため、金粒
子２が載置された部分にこの合金の液滴が出来る。この
時、ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中より取り
込まれるが、液状体は他の固体状態に比べてシリコン原
子を取り込み易く、Si−Au合金の液滴中には次第にシリ
コンが過剰になる。この過剰シリコンはシリコン基板１
上にエピタキシャル成長し同図（ｂ）に示すように＜１
１１＞軸方向に沿って、頂部にSi-Au 合金液滴５を有し
つつ、針状結晶体３が成長する。また、針状結晶体３は
単結晶であり、基板１の結晶方位と同一方位を有する。
また、針状結晶体３の直径は液滴の直径とほぼ同一であ
る。尚、以上の結晶成長機構はＶＬＳ（Vapor−liquid
−Solid ）成長法と呼ばれており、以下ＶＬＳ成長法と
記す。
用いられる針状単結晶体は、基板上にＶＬＳ成長法にて
形成される。この方法は、( R. S. Wagner and W. C. E
llis：Appl. Phys Letters４（1964）89 )に開示されて
いるものである。図１はかかる針状結晶体の形成方法を
説明するための図である。図１（ａ）に示すように、表
面が（１１１）面であるシリコン単結晶基板１の所定の
位置に金粒子２を載置する。これをSiH4、SiCl4 などの
シリコンを含むガスの雰囲気の中でSi−Au合金の融点以
上に加熱する。Si−Au合金はその融点が低いため、金粒
子２が載置された部分にこの合金の液滴が出来る。この
時、ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中より取り
込まれるが、液状体は他の固体状態に比べてシリコン原
子を取り込み易く、Si−Au合金の液滴中には次第にシリ
コンが過剰になる。この過剰シリコンはシリコン基板１
上にエピタキシャル成長し同図（ｂ）に示すように＜１
１１＞軸方向に沿って、頂部にSi-Au 合金液滴５を有し
つつ、針状結晶体３が成長する。また、針状結晶体３は
単結晶であり、基板１の結晶方位と同一方位を有する。
また、針状結晶体３の直径は液滴の直径とほぼ同一であ
る。尚、以上の結晶成長機構はＶＬＳ（Vapor−liquid
−Solid ）成長法と呼ばれており、以下ＶＬＳ成長法と
記す。
【０００６】この方法はシリコン単結晶の場合に限ら
ず、他の単結晶の育成にも応用されている。たとえば、
LaB6単結晶の育成はその融点が2530℃と高温で蒸発速度
も大きく、また反応性も高く必ずしも融液成長には適し
ていない。このような観点から、より低温で結晶成長が
可能なＶＬＳ成長が試みられている（Journal of Cryst
al Growth 51（1981）190-194 ）。ところで、Au粒子を
置く替わりにフォトリソグラフ法、メッキ法、蒸着法、
エッチング法などを組み合わせることによりシリコン基
板上にAuを島状にパターン化しＶＬＳ成長を行えば、基
板上の所望の位置に１個以上の針状単結晶体を形成する
ことができ、電気特性測定用プローブピン等に使用する
ことができる。
ず、他の単結晶の育成にも応用されている。たとえば、
LaB6単結晶の育成はその融点が2530℃と高温で蒸発速度
も大きく、また反応性も高く必ずしも融液成長には適し
ていない。このような観点から、より低温で結晶成長が
可能なＶＬＳ成長が試みられている（Journal of Cryst
al Growth 51（1981）190-194 ）。ところで、Au粒子を
置く替わりにフォトリソグラフ法、メッキ法、蒸着法、
エッチング法などを組み合わせることによりシリコン基
板上にAuを島状にパターン化しＶＬＳ成長を行えば、基
板上の所望の位置に１個以上の針状単結晶体を形成する
ことができ、電気特性測定用プローブピン等に使用する
ことができる。
【０００７】本発明の針状単結晶体を構成するものとし
ては、Ｓｉ、ＬａＢ6 、ＧａＡｓ、ＧａＰ，ＷＯ2 、Ｓ
ｉＣ等であり、特に好ましくは、Ｓｉ、ＬａＢ6 であ
る。これら元素又は化合物と合金をつくるものとして
は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＧａであり、
特に好ましくはＡｕ及びＰｔである。本発明の針状単結
晶体は基板上にＶＬＳ成長法にて形成されるが、針状単
結晶体の基板に対する角度は、特に制限はないが、プロ
ーブの寿命等を考えると、基板に対する角度が９０度に
近いことが好ましい。本発明によって用いられる針状単
結晶体の形状は、座屈荷重及び剛性を考慮すると円柱状
又はそれに近いものが好ましく、その直径は５〜３００
μｍの範囲である。そのアスペクト比（高さ／直径）は
１〜５００、特に好ましくは５〜１００である。アスペ
クト比が１以下では、実用的に使用できず、５００以上
では、折れ曲がりやブランチの無い針状単結晶体が得ら
れない。
ては、Ｓｉ、ＬａＢ6 、ＧａＡｓ、ＧａＰ，ＷＯ2 、Ｓ
ｉＣ等であり、特に好ましくは、Ｓｉ、ＬａＢ6 であ
る。これら元素又は化合物と合金をつくるものとして
は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＧａであり、
特に好ましくはＡｕ及びＰｔである。本発明の針状単結
晶体は基板上にＶＬＳ成長法にて形成されるが、針状単
結晶体の基板に対する角度は、特に制限はないが、プロ
ーブの寿命等を考えると、基板に対する角度が９０度に
近いことが好ましい。本発明によって用いられる針状単
結晶体の形状は、座屈荷重及び剛性を考慮すると円柱状
又はそれに近いものが好ましく、その直径は５〜３００
μｍの範囲である。そのアスペクト比（高さ／直径）は
１〜５００、特に好ましくは５〜１００である。アスペ
クト比が１以下では、実用的に使用できず、５００以上
では、折れ曲がりやブランチの無い針状単結晶体が得ら
れない。
【０００８】本発明の導電性針状単結晶体は少なくとも
側面が、０．１μｍ〜１０μｍ厚みの導電性膜で被覆さ
れているものである。導電性膜の厚みが０．１μｍ以下
では導電性膜の破れ、摩擦による剥がれ等が起こり、１
０μｍ以上では、膜の均一性が得られなく、コストも高
くなる。この導電性膜の被覆は、針状単結晶体を蒸着
法、メッキ法、及びデイ ツプ法等で被覆して行われる。
具体的には、針状単結晶体にＮｉーＰ又はＣｒ等の下地
メッキをし、次にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ等の表層メッキ
をする方法がある。表層メッキは導電性の優れた金属を
使用することが好ましい。導電性針状単結晶体の直径は
５〜３００μｍの範囲である。そのアスペクト比（高さ
／直径）は１〜５００、特に好ましくは５〜１００であ
る。
側面が、０．１μｍ〜１０μｍ厚みの導電性膜で被覆さ
れているものである。導電性膜の厚みが０．１μｍ以下
では導電性膜の破れ、摩擦による剥がれ等が起こり、１
０μｍ以上では、膜の均一性が得られなく、コストも高
くなる。この導電性膜の被覆は、針状単結晶体を蒸着
法、メッキ法、及びデイ ツプ法等で被覆して行われる。
具体的には、針状単結晶体にＮｉーＰ又はＣｒ等の下地
メッキをし、次にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ等の表層メッキ
をする方法がある。表層メッキは導電性の優れた金属を
使用することが好ましい。導電性針状単結晶体の直径は
５〜３００μｍの範囲である。そのアスペクト比（高さ
／直径）は１〜５００、特に好ましくは５〜１００であ
る。
【０００９】この導電性膜は針状単結晶体の少なくとも
側面を覆っていることが必要であるが、針状単結晶体の
先端平面部が被覆されていてもよい。さらに、電気特性
測定用プローブピンとして使用する場合は、半導体集積
回路の端子（パッド）と接触する針状単結晶体の先端平
面部が導電性膜で被覆されていることが好ましい。
側面を覆っていることが必要であるが、針状単結晶体の
先端平面部が被覆されていてもよい。さらに、電気特性
測定用プローブピンとして使用する場合は、半導体集積
回路の端子（パッド）と接触する針状単結晶体の先端平
面部が導電性膜で被覆されていることが好ましい。
【００１０】本発明において包埋材料用の樹脂として
は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂がある。熱硬化性樹
脂としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコ
ン系樹脂、ポリイミド系樹脂等があり、熱可塑性樹脂と
しては、オレフィン系樹脂、スチレン系樹脂等がある。
特に好ましくは、エポキシ樹脂である。これらの樹脂に
無機フィラーを添加することができる。無機フィラーと
しては、ＳｉＯ2 、Ａｌ 2 Ｏ3 等が用いられる。本発明
において包埋材料用の低融点ガラスは、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ
3 、ＺｎＯなどを含んだ低融点ガラス（ハンダガラス）
であり、軟化点が３００〜５００℃で、金属・セラミッ
クス・ガラス等の接着に適しており電子管のシール等に
用いられているものである。樹脂又は低融点ガラスによ
る包埋は、その厚み等に特に制限はないが、強度等を考
慮すると、好ましくは、０．１〜２ｍｍの厚さである。
導電性針状単結晶体の位置精度は、０〜１０μｍに保つ
ことが好ましい。又、半導体集積回路の端子との接触の
ために、導電性針状単結晶体が樹脂又は低融点ガラス面
から１０〜５００μｍ突出していることが必要である。
は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂がある。熱硬化性樹
脂としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコ
ン系樹脂、ポリイミド系樹脂等があり、熱可塑性樹脂と
しては、オレフィン系樹脂、スチレン系樹脂等がある。
特に好ましくは、エポキシ樹脂である。これらの樹脂に
無機フィラーを添加することができる。無機フィラーと
しては、ＳｉＯ2 、Ａｌ 2 Ｏ3 等が用いられる。本発明
において包埋材料用の低融点ガラスは、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ
3 、ＺｎＯなどを含んだ低融点ガラス（ハンダガラス）
であり、軟化点が３００〜５００℃で、金属・セラミッ
クス・ガラス等の接着に適しており電子管のシール等に
用いられているものである。樹脂又は低融点ガラスによ
る包埋は、その厚み等に特に制限はないが、強度等を考
慮すると、好ましくは、０．１〜２ｍｍの厚さである。
導電性針状単結晶体の位置精度は、０〜１０μｍに保つ
ことが好ましい。又、半導体集積回路の端子との接触の
ために、導電性針状単結晶体が樹脂又は低融点ガラス面
から１０〜５００μｍ突出していることが必要である。
【００１１】また、ＶＬＳ成長法にて形成された針状単
結晶体は、必然的に先端合金部を有するが、半導体集積
回路の電気特性測定用プローブピン等に使用する場合、
先端合金部が存在すると座屈荷重が小さく、これを除去
したものを使用することが好ましい。先端合金部の除去
は、工程の任意の段階で行うことができる。例えば、
（１）ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体を形成した後、
（２）導電性膜の被覆後、（３）樹脂包埋後等である。
また、先端合金部を除去するときに、高さを揃える等の
ために、針状単結晶体の一部を除去してもよい。
結晶体は、必然的に先端合金部を有するが、半導体集積
回路の電気特性測定用プローブピン等に使用する場合、
先端合金部が存在すると座屈荷重が小さく、これを除去
したものを使用することが好ましい。先端合金部の除去
は、工程の任意の段階で行うことができる。例えば、
（１）ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体を形成した後、
（２）導電性膜の被覆後、（３）樹脂包埋後等である。
また、先端合金部を除去するときに、高さを揃える等の
ために、針状単結晶体の一部を除去してもよい。
【００１２】図２にて、針状単結晶体複合品の一般的な
製造工程を説明する。（Ａ）はＶＬＳ成長法にて形成さ
れた針状単結晶体であり、１は単結晶基板、３は針状単
結晶、５は先端合金部を示す。（Ｂ）は針状単結晶体の
側面に導電性膜を被覆した状態を示す。（Ｃ）は先端合
金部を除去した後の状態を示す。（Ｄ）は先端平面に導
電性膜を被覆した状態を示す。（Ｅ）は針状単結晶体を
樹脂で包埋した状態を示す。
製造工程を説明する。（Ａ）はＶＬＳ成長法にて形成さ
れた針状単結晶体であり、１は単結晶基板、３は針状単
結晶、５は先端合金部を示す。（Ｂ）は針状単結晶体の
側面に導電性膜を被覆した状態を示す。（Ｃ）は先端合
金部を除去した後の状態を示す。（Ｄ）は先端平面に導
電性膜を被覆した状態を示す。（Ｅ）は針状単結晶体を
樹脂で包埋した状態を示す。
【００１３】図３は、針状単結晶体複合品を用いた電気
特性測定用組立物を示す。（Ａ）は支持基板に針状単結
晶体複合品を取付け、配線した状態を上方より見た図を
示す。（Ｂ）はプローブピン、支持基板及び半導体集積
回路基板の位置関係を示す断面図である。以上、説明し
たとおり、本発明により得られる針状単結晶体複合品
は、基板上にＶＬＳ成長法により形成した針状単結晶体
に導電性膜を被覆し、これを樹脂で包埋することによっ
て得られるもので、座屈荷重が大きく、剛性に優れたも
のであり、電気特性測定用プローブピン等に使用可能な
ものである。
特性測定用組立物を示す。（Ａ）は支持基板に針状単結
晶体複合品を取付け、配線した状態を上方より見た図を
示す。（Ｂ）はプローブピン、支持基板及び半導体集積
回路基板の位置関係を示す断面図である。以上、説明し
たとおり、本発明により得られる針状単結晶体複合品
は、基板上にＶＬＳ成長法により形成した針状単結晶体
に導電性膜を被覆し、これを樹脂で包埋することによっ
て得られるもので、座屈荷重が大きく、剛性に優れたも
のであり、電気特性測定用プローブピン等に使用可能な
ものである。
【００１４】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 実施例１ 厚さ５００μｍのＳｉＯ2 絶縁基板を反応管内で１００
０℃に加熱し、モノシランと水素の混合ガスを流し、Ｓ
ｉＯ2 絶縁基板上に厚さ５０μｍのシリコン単結晶膜を
形成する。この基板上にフォトリソグラフ法、エッチン
グ法及びメッキ法などの方法でＡｕパターンを形成し
た。ＶＬＳ成長法により、基板上に直径２５μｍ、高さ
６００μｍのシリコン針状単結晶体を形成した。この針
状単結晶体の基部に連続して下地シリコン単結晶膜をエ
ッチングして配線パターンを作った。前記、針状単結晶
体及び配線パターン部に、ＮｉーＰ化学メッキを施し、
ついで電気メッキにより１μｍのＡｕメッキをつけた。
次に、研磨用ワックスで針状単結晶体を包埋し、つい
で、＃４０００ラッピングシートを用い、湿式研磨によ
り針状単結晶体先端合金部を除去すると同時に高さを５
００μｍに揃えた。
０℃に加熱し、モノシランと水素の混合ガスを流し、Ｓ
ｉＯ2 絶縁基板上に厚さ５０μｍのシリコン単結晶膜を
形成する。この基板上にフォトリソグラフ法、エッチン
グ法及びメッキ法などの方法でＡｕパターンを形成し
た。ＶＬＳ成長法により、基板上に直径２５μｍ、高さ
６００μｍのシリコン針状単結晶体を形成した。この針
状単結晶体の基部に連続して下地シリコン単結晶膜をエ
ッチングして配線パターンを作った。前記、針状単結晶
体及び配線パターン部に、ＮｉーＰ化学メッキを施し、
ついで電気メッキにより１μｍのＡｕメッキをつけた。
次に、研磨用ワックスで針状単結晶体を包埋し、つい
で、＃４０００ラッピングシートを用い、湿式研磨によ
り針状単結晶体先端合金部を除去すると同時に高さを５
００μｍに揃えた。
【００１５】研磨用ワックスをアセトンで溶解した後、
針状単結晶体先端平面に金蒸着膜を付け、さらに、針状
単結晶体全体に１μｍのＲｈメッキを施した。メッキ処
理した針状単結晶体の上方部１００μｍを残し、絶縁基
板表面、配線、導電性針状単結晶体の下方部を硬化型エ
ポキシ樹脂で４００μｍの厚さに包埋した。前記複合品
につき、座屈荷重及び剛性の試験を行った。結果を表１
に示す。また、前記包埋品の配線端部にリード線を取付
け、半導体集積回路の電気特性測定用プローブピンとし
て評価した。１ピンあたり４０ｇの荷重で、Ａｕ端子に
接触させ電気抵抗を測定したところ、ピンの折れもな
く、接触抵抗も１オーム以下であり、実用的に使用可能
なレベルであった。
針状単結晶体先端平面に金蒸着膜を付け、さらに、針状
単結晶体全体に１μｍのＲｈメッキを施した。メッキ処
理した針状単結晶体の上方部１００μｍを残し、絶縁基
板表面、配線、導電性針状単結晶体の下方部を硬化型エ
ポキシ樹脂で４００μｍの厚さに包埋した。前記複合品
につき、座屈荷重及び剛性の試験を行った。結果を表１
に示す。また、前記包埋品の配線端部にリード線を取付
け、半導体集積回路の電気特性測定用プローブピンとし
て評価した。１ピンあたり４０ｇの荷重で、Ａｕ端子に
接触させ電気抵抗を測定したところ、ピンの折れもな
く、接触抵抗も１オーム以下であり、実用的に使用可能
なレベルであった。
【００１６】実施例２ 実施例１の包埋材料において、硬化型エポキシ樹脂を用
いる代わりに、低融点ガラス（軟化温度４００℃、熱膨
張率３．５×１０-6）粉末を溶融後の厚みが２００μｍ
となる様に塗布し、真空加熱炉中で、加熱軟化させ、包
埋した以外は同様に行った。前記複合品につき、座屈荷
重及び剛性の試験を行った。結果を表１に示す。また、
前記包埋品の配線端部にリード線を取付け、半導体集積
回路の電気特性測定用プローブピンとして評価した。１
ピンあたり４０ｇの荷重で、Ａｕ端子に接触させ電気抵
抗を測定したところ、ピンの折れもなく、接触抵抗も１
オーム以下であり、実用的に使用可能なレベルであっ
た。 比較例１ 実施例１に於いて、熱硬化性エポキシ樹脂で包埋をしな
い以外は同様に行った。表１に座屈荷重及び剛性の試験
結果を示す。また、前記包埋品の配線端部にリード線を
取付け、半導体集積回路の電気特性測定用プローブピン
として使用した。すぐにプローブピンがおれて、実用的
に使用不可能であった。
いる代わりに、低融点ガラス（軟化温度４００℃、熱膨
張率３．５×１０-6）粉末を溶融後の厚みが２００μｍ
となる様に塗布し、真空加熱炉中で、加熱軟化させ、包
埋した以外は同様に行った。前記複合品につき、座屈荷
重及び剛性の試験を行った。結果を表１に示す。また、
前記包埋品の配線端部にリード線を取付け、半導体集積
回路の電気特性測定用プローブピンとして評価した。１
ピンあたり４０ｇの荷重で、Ａｕ端子に接触させ電気抵
抗を測定したところ、ピンの折れもなく、接触抵抗も１
オーム以下であり、実用的に使用可能なレベルであっ
た。 比較例１ 実施例１に於いて、熱硬化性エポキシ樹脂で包埋をしな
い以外は同様に行った。表１に座屈荷重及び剛性の試験
結果を示す。また、前記包埋品の配線端部にリード線を
取付け、半導体集積回路の電気特性測定用プローブピン
として使用した。すぐにプローブピンがおれて、実用的
に使用不可能であった。
【００１７】尚、測定は下記の方法で行った。 （座屈荷重）許容荷重１Ｋｇ、精度±１ｇの圧縮強度試
験機を用い、載荷速度１μｍ／ｓｅｃで行った。 （剛性）５０ｇ載荷時に載荷方向と直角に荷重を移動さ
せた時、プローブピンに反発作用を生じた時の荷重の移
動距離で表し、１０μｍ以下を良と判定する。
験機を用い、載荷速度１μｍ／ｓｅｃで行った。 （剛性）５０ｇ載荷時に載荷方向と直角に荷重を移動さ
せた時、プローブピンに反発作用を生じた時の荷重の移
動距離で表し、１０μｍ以下を良と判定する。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体集積回路の電気特性測定用プローブピン等に使用
できる、座屈荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体
複合品及びその組立物を得ることができる。
半導体集積回路の電気特性測定用プローブピン等に使用
できる、座屈荷重が大きく、剛性に優れた針状単結晶体
複合品及びその組立物を得ることができる。
【図１】針状単結晶体の形成方法を説明する図である。
【図２】本発明の針状単結晶体複合品の一般的な製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図３】本発明の針状単結晶体複合品を用いた電気特性
測定用組立物である。
測定用組立物である。
１ 単結晶層を備えた絶縁基板 ２ 金粒子 ３ 針状単結晶体 ４ 導電性膜 ５ 先端合金部（Ａｕ−Ｓｉ合金） ６ 先端部の導電性膜 ７ 包埋用樹脂又は低融点ガラス ８ 絶縁基板 ９ 配線 １０ 支持基板 １１ リード線 １２ 半導体集積回路基板 １３ プローブピン
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｂ 7630−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、ＶＬＳ成長法にて針状単結晶
体を形成し、該針状単結晶体の少なくとも側面を０．１
〜１０μｍ厚みの導電性膜で被覆し導電性針状単結晶体
を得た後、該導電性針状単結晶体を樹脂又は低融点ガラ
スからなる包埋材料で包埋してなる針状単結晶体複合品
で、該導電性針状単結晶体が、その包埋材料の表面から
１０〜５００μｍ突出するように包埋されたことを特徴
とする針状単結晶体複合品。 - 【請求項２】 請求項１記載の針状単結晶体複合品を用
いてなる電気特性測定用組立物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18504893A JPH0733596A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 針状単結晶体複合品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18504893A JPH0733596A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 針状単結晶体複合品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733596A true JPH0733596A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16163889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18504893A Pending JPH0733596A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 針状単結晶体複合品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733596A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007216325A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Toyohashi Univ Of Technology | 中空チューブの作製方法、中空チューブおよび中空チューブを用いた装置 |
| KR101408550B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2014-06-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP18504893A patent/JPH0733596A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007216325A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Toyohashi Univ Of Technology | 中空チューブの作製方法、中空チューブおよび中空チューブを用いた装置 |
| KR101408550B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2014-06-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드 |
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