JPH0734344B2 - 電子管のセラミツク気密接合部構造 - Google Patents
電子管のセラミツク気密接合部構造Info
- Publication number
- JPH0734344B2 JPH0734344B2 JP60194104A JP19410485A JPH0734344B2 JP H0734344 B2 JPH0734344 B2 JP H0734344B2 JP 60194104 A JP60194104 A JP 60194104A JP 19410485 A JP19410485 A JP 19410485A JP H0734344 B2 JPH0734344 B2 JP H0734344B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- sealing ring
- metal
- metal support
- electron tube
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、電子管のセラミック気密接合部構造の改良
に関する。
に関する。
例えば大電力多空胴クライストロン、進行波管、ジャイ
ロトロン、大電力マグネトロン、大電力送信管のような
電子管には、それらの電子銃部、共振空胴部、陰極支持
部、あるいは高周波出力部などに、セラミック円筒体と
金属支持板との気密接合部を有する。このようなセラミ
ック円筒体は、多くの場合高電圧を絶縁する部分や、あ
るいは高周波電力が通過される部分に設けられる。この
ためセラミック円筒体は動作時に過熱されないようにす
る必要がある。
ロトロン、大電力マグネトロン、大電力送信管のような
電子管には、それらの電子銃部、共振空胴部、陰極支持
部、あるいは高周波出力部などに、セラミック円筒体と
金属支持板との気密接合部を有する。このようなセラミ
ック円筒体は、多くの場合高電圧を絶縁する部分や、あ
るいは高周波電力が通過される部分に設けられる。この
ためセラミック円筒体は動作時に過熱されないようにす
る必要がある。
例えば大電力多空胴クライストロンの高周波出力部は、
従来第５図に示すような構成になっている。図中の符号
11は出力空胴、12,13はドリフト管、14は空胴壁、15は
コレクタ部、17は出力同軸線路、18はその内導体、18a
は内導体先端部、18bはループ結合部、19は外導体、20
はセラミック円筒体、21,22はこのセラミック円筒体の
両開口部に気密接合された金属支持体、23,24はそれぞ
れセラミック円筒体と金属支持板との間に介在された薄
肉金属からなる封着リング、25,26はセラミック製スペ
ーサリングをあらわしている。この出力部には、矩形導
波管27が接続され、同軸線路から矩形導波管に高周波変
換されて使用される。
従来第５図に示すような構成になっている。図中の符号
11は出力空胴、12,13はドリフト管、14は空胴壁、15は
コレクタ部、17は出力同軸線路、18はその内導体、18a
は内導体先端部、18bはループ結合部、19は外導体、20
はセラミック円筒体、21,22はこのセラミック円筒体の
両開口部に気密接合された金属支持体、23,24はそれぞ
れセラミック円筒体と金属支持板との間に介在された薄
肉金属からなる封着リング、25,26はセラミック製スペ
ーサリングをあらわしている。この出力部には、矩形導
波管27が接続され、同軸線路から矩形導波管に高周波変
換されて使用される。
したがってこのセラミック円筒体を高周波大電力が通過
するため、その高周波損によりセラミック円筒体自身が
発熱し高温となる。また出力空胴や矩形導波管の高周波
損による発生熱の伝導により高温となる。そして十分な
放熱がされないと、セラミック円筒体やとくにその気密
接合部が破損するおそれがある。なお金属支持板に冷却
水の循環路を形成して冷却することもできるが、セラミ
ック円筒体から離れているので十分な冷却効果が得られ
ない。またセラミック円筒体を二重にしてその間隙に冷
却水を通すように構成することも既に知られているが、
冷却水は高周波損失が大きいため、とくに高周波出力部
には使用できない。
するため、その高周波損によりセラミック円筒体自身が
発熱し高温となる。また出力空胴や矩形導波管の高周波
損による発生熱の伝導により高温となる。そして十分な
放熱がされないと、セラミック円筒体やとくにその気密
接合部が破損するおそれがある。なお金属支持板に冷却
水の循環路を形成して冷却することもできるが、セラミ
ック円筒体から離れているので十分な冷却効果が得られ
ない。またセラミック円筒体を二重にしてその間隙に冷
却水を通すように構成することも既に知られているが、
冷却水は高周波損失が大きいため、とくに高周波出力部
には使用できない。
この発明は以上のような不都合を解消し、セラミック筒
体の冷却効果を高め、その気密接合部の過熱による破損
をより一層確実に防止しうる電子管のセラミック筒体気
密接合部構造を提供するものである。
体の冷却効果を高め、その気密接合部の過熱による破損
をより一層確実に防止しうる電子管のセラミック筒体気
密接合部構造を提供するものである。
この発明は、セラミック円筒体の端面に薄肉金属からな
る封着リングが気密接合され、この封着リングの端部が
円板状の金属支持体に気密接合され、更にセラミック円
筒体に気密接合された封着リングの裏面とこれに対向す
る金属支持体との間にセラミック又は金属のバックアッ
プ用スペーサリングが介在されてなり、封着リングは、
その半縦断面においてセラミック円筒体端面に気密接合
された部分からスペーサリングの内外両側面を離隔して
包囲するように両側に折曲げ延長され、これら両延長端
部が上記金属支持体に各々気密接合されてこの封着リン
グと金属支持体とで冷媒通路を形成しており、この冷媒
通路に冷媒を流通させるように構成されてなる電子管の
セラミック気密接合部構造である。それによって、セラ
ミック円筒体が気密接合された薄肉金属の封着リングが
直接強制冷却されるので、セラミック円筒体の冷却効率
が高く、且つこの気密接合部の過熱が防止され、その破
損が一層確実に防止される。
る封着リングが気密接合され、この封着リングの端部が
円板状の金属支持体に気密接合され、更にセラミック円
筒体に気密接合された封着リングの裏面とこれに対向す
る金属支持体との間にセラミック又は金属のバックアッ
プ用スペーサリングが介在されてなり、封着リングは、
その半縦断面においてセラミック円筒体端面に気密接合
された部分からスペーサリングの内外両側面を離隔して
包囲するように両側に折曲げ延長され、これら両延長端
部が上記金属支持体に各々気密接合されてこの封着リン
グと金属支持体とで冷媒通路を形成しており、この冷媒
通路に冷媒を流通させるように構成されてなる電子管の
セラミック気密接合部構造である。それによって、セラ
ミック円筒体が気密接合された薄肉金属の封着リングが
直接強制冷却されるので、セラミック円筒体の冷却効率
が高く、且つこの気密接合部の過熱が防止され、その破
損が一層確実に防止される。
以下図面を参照してその実施例を説明する。なお同一部
分は同一符号であらわす。
分は同一符号であらわす。
第１図乃至第４図に示すように、出力部同軸線路17の外
導体端部に固定された円板状の金属支持板31の外周部
に、コロナリングを兼ねる薄肉金属製封着リング32が気
密ろう接されている。この封着リング32は、コバール
（商品名）のようなセラミックとのろう接性がよい金属
材料で薄肉に形成され、半断面が概略Ｍ字状に折曲げら
れ、内外端部32aが金属支持板31に気密ろう接されてい
る。また上面にセラミック円筒体20の端面がろう接さ
れ、その裏面にバックアップ用のセラミック製スペーサ
リング25がろう接されている。このスペーサリング25の
下端面は支持板31に接して機械的に支持されている。こ
のようにして封着リング25の内部空間が気密になってお
り、円周状の冷媒通路33が形成されている。そして金属
支持板31の対称な２か所に、透孔34,35が穿設され、こ
れに連続してパイプ36,37が接合され、補助支持板38に
連続して冷媒導入口39、排出口40が形成されている。ま
た両支持板間に円周状の支持板冷却通路41が形成され、
これにパイプに形成された透孔42,43が連通している。
セラミック円筒体20の他端部にも、その金属支持板44に
半断面Ｍ字状の封着リング45、通水パイプ46、排水パイ
プ47が接続されている。金属支持板44と封着リング45に
よりその内部に円周状の冷媒通路48が形成されている。
導体端部に固定された円板状の金属支持板31の外周部
に、コロナリングを兼ねる薄肉金属製封着リング32が気
密ろう接されている。この封着リング32は、コバール
（商品名）のようなセラミックとのろう接性がよい金属
材料で薄肉に形成され、半断面が概略Ｍ字状に折曲げら
れ、内外端部32aが金属支持板31に気密ろう接されてい
る。また上面にセラミック円筒体20の端面がろう接さ
れ、その裏面にバックアップ用のセラミック製スペーサ
リング25がろう接されている。このスペーサリング25の
下端面は支持板31に接して機械的に支持されている。こ
のようにして封着リング25の内部空間が気密になってお
り、円周状の冷媒通路33が形成されている。そして金属
支持板31の対称な２か所に、透孔34,35が穿設され、こ
れに連続してパイプ36,37が接合され、補助支持板38に
連続して冷媒導入口39、排出口40が形成されている。ま
た両支持板間に円周状の支持板冷却通路41が形成され、
これにパイプに形成された透孔42,43が連通している。
セラミック円筒体20の他端部にも、その金属支持板44に
半断面Ｍ字状の封着リング45、通水パイプ46、排水パイ
プ47が接続されている。金属支持板44と封着リング45に
よりその内部に円周状の冷媒通路48が形成されている。
こうしてセラミック円筒体の両開口の気密ろう接部が、
冷媒通路に例えば冷却水を循環させることにより直接的
に冷却されるようになっている。すなわち冷媒は第４図
に矢印で示すように導入口から入り両側に分かれてスペ
ーサリングの内側および外側の各通路を流れ、排出口か
ら排出される。なお、スペーサリング25,26は、セラミ
ックに限らず、金属で形成してもよい。このように内外
面が冷媒に接触するこのスペーサリングを熱伝導のよい
金属で形成すれば、一層熱放散効率が向上する。
冷媒通路に例えば冷却水を循環させることにより直接的
に冷却されるようになっている。すなわち冷媒は第４図
に矢印で示すように導入口から入り両側に分かれてスペ
ーサリングの内側および外側の各通路を流れ、排出口か
ら排出される。なお、スペーサリング25,26は、セラミ
ックに限らず、金属で形成してもよい。このように内外
面が冷媒に接触するこのスペーサリングを熱伝導のよい
金属で形成すれば、一層熱放散効率が向上する。
またこの発明は、高周波出力部に適用するに限らず、共
振空胴の誘電体気密容器部分にも、また高電圧が印加さ
れる電子銃部や陰極支持部などの円筒状セラミックと金
属支持板との気密接合部に適用できる。
振空胴の誘電体気密容器部分にも、また高電圧が印加さ
れる電子銃部や陰極支持部などの円筒状セラミックと金
属支持板との気密接合部に適用できる。
以上説明したようにこの発明はセラミック筒体に気密接
合された封着リングと金属支持板とにより冷媒通路が形
成され、この冷媒通路に冷媒を流通させるように構成さ
れてなる電子管のセラミック気密接合部構造である。そ
れによって、セラミック円筒体が気密接合された薄肉金
属の封着リングが直接強制冷却されるので、セラミック
円筒体の冷却効率が高く、且つこの気密接合部の過熱が
防止され、その破損が一層確実に防止される。
合された封着リングと金属支持板とにより冷媒通路が形
成され、この冷媒通路に冷媒を流通させるように構成さ
れてなる電子管のセラミック気密接合部構造である。そ
れによって、セラミック円筒体が気密接合された薄肉金
属の封着リングが直接強制冷却されるので、セラミック
円筒体の冷却効率が高く、且つこの気密接合部の過熱が
防止され、その破損が一層確実に防止される。
第１図はこの発明の実施例を示す要部縦断面図、第２図
はその要部拡大断面図、第３図は第２図の３−３におけ
る断面図、第４図はその冷媒通路の冷媒循環状態を示す
概略図、第５図は従来構造を示す要部半断面図である。 20…セラミック筒体、25,26…スペーサリング、31,44…
金属支持板、32,45…封着リング、33,48…冷媒通路。
はその要部拡大断面図、第３図は第２図の３−３におけ
る断面図、第４図はその冷媒通路の冷媒循環状態を示す
概略図、第５図は従来構造を示す要部半断面図である。 20…セラミック筒体、25,26…スペーサリング、31,44…
金属支持板、32,45…封着リング、33,48…冷媒通路。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック円筒体の端面に薄肉金属からな
る封着リングが気密接合され、この封着リングの端部が
円板状の金属支持体に気密接合され、更に上記セラミッ
ク円筒体に気密接合された封着リングの裏面とこれに対
向する上記金属支持体との間にセラミック又は金属のバ
ックアップ用スペーサリングが介在されてなる電子管の
セラミック気密接合部構造において、 上記封着リングは、その半縦断面において上記セラミッ
ク円筒体端面に気密接合された部分から上記スペーサリ
ングの内外両側面を離隔して包囲するように両側に折曲
げ延長され、これら両延長端部が上記金属支持体に各々
気密接合されて該封着リングと金属支持体とで冷媒通路
を形成しており、この冷媒通路に冷媒を流通させるよう
に構成されてなることを特徴とする電子管のセラミック
気密接合部構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194104A JPH0734344B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 電子管のセラミツク気密接合部構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194104A JPH0734344B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 電子管のセラミツク気密接合部構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255835A JPS6255835A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH0734344B2 true JPH0734344B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16319004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60194104A Expired - Lifetime JPH0734344B2 (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 電子管のセラミツク気密接合部構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734344B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3028461A1 (de) * | 1980-07-26 | 1982-04-08 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Hochbelastbares hf-fenster, insbesondere fuer grossklystrons |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60194104A patent/JPH0734344B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6255835A (ja) | 1987-03-11 |
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