JPH0734482Y2

JPH0734482Y2 - 光磁気デイスク装置

Info

Publication number: JPH0734482Y2
Application number: JP1989057355U
Authority: JP
Inventors: 哲司川嶌; 五郎藤田; 渡辺　　哲
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1989-05-18
Filing date: 1989-05-18
Publication date: 1995-08-02
Anticipated expiration: 2004-05-18
Also published as: JPH02149102U

Description

【考案の詳細な説明】以下の順序で本考案を説明する。

Ａ産業上の利用分野Ｂ考案の概要Ｃ従来の技術Ｄ考案が解決しようとする問題点（第10図）Ｅ問題点を解決するための手段（第１図及び第７図）Ｆ作用（第１図及び第７図）Ｇ実施例（第１図〜第19図）（G1）概略構成（G1−１）第１の構成（第１図）（G1−２）第２の構成（第２図及び第３図）（G1−３）第３の構成（第４図）（G1−４）第４の構成（第５図及び第６図）（G2）実施例の構成（第７図〜第９図）（G3）他の実施例（第７図〜第９図）Ｈ考案の効果Ａ産業上の利用分野本考案は光磁気デイスク装置に関し、例えば記録情報に
応じて極性が反転する変調磁界を印加して、所望の情報
を熱磁気記録するようになされた光磁気デイスク装置に
適用して好適なものである。

Ｂ考案の概要本考案は、光磁気デイスク装置において、圧電アクチユ
エータを用いて、光磁気デイスクに対する磁気ヘツド及
び対物レンズの位置を所定位置に保持することにより、
圧電アクチユエータによつて磁気ヘツド及び対物レンズ
の両方を一括して制御でき、この結果磁気ヘツドの駆動
電流を低減することができると共に簡易な構成で磁気ヘ
ツド及び対物レンズを所望位置に位置合せできる。

Ｃ従来の技術従来、光磁気デイスク装置においては、記録情報に応じ
て磁気ヘツドを駆動すると共に光ビームを間欠的に照射
することにより、当該記録情報に応じて極性が反転する
変調磁界を印加した状態で、光磁気デイスクの温度を局
所的に高くするようになされ、これにより当該変調磁界
の極性で垂直磁化膜を配向させるようになされている。

Ｄ考案が解決しようとする問題点ところで、光磁気デイスクに対して磁気ヘツドを近接し
て配置することができれば、小さな駆動電流で光磁気デ
イスクに強い変調磁界を印加し得、その分磁気ヘツドの
駆動電流を低減することができる。

ところが第10図に示すように、実際上光磁気デイスク１
においては、光磁気デイスク１がばらついたり、当該光
磁気デイスク１をスピンドルモータ３に固定する際にチ
ヤツキングエンボス間にごみ等が挟まるおそれがあり、
この場合光磁気デイスク１が面ぶれして磁気ヘツド２を
損傷するおそれがある。

従つて、結局光磁気デイスク１に対して磁気ヘツド２を
近接して配置し得ず、その分磁気ヘツド２の駆動電流が
大きくなる問題があつた。

この問題を解決する方法に１つとして、例えば光ヘツド
のように電磁力を利用したアクチユエータ（以下電磁ア
クチユエータと呼ぶ）に磁気ヘツド２を搭載し、光磁気
デイスク１の面ぶれに応じて磁気ヘツド２の位置を変位
させる方法が考えられる。

ところが電磁アクチユエータを用いる場合においては、
全体の構成が大型化するだけでなく、当該電磁アクチユ
エータの漏洩磁束が変調磁界に重畳されて光磁気デイス
ク１に印加されるおそれがある。

本考案は以上の点を考慮してなされたもので、光磁気デ
イスクに磁気ヘツドを近接して配置して駆動電流を低減
し得ると共に、簡易な構成の光磁気デイスク装置を提案
しようとするものである。

Ｅ問題点を解決するための手段かかる問題点を解決するため本考案においては、光磁気
デイスク12に磁気ヘツド80を介して磁界を与えると共に
対物レンズ16を介して光ビームL1を照射することによ
り、光磁気デイスク12上に所望の情報を記録し、または
光磁気デイスク12上に記録された情報を再生する光磁気
デイスク装置において、光磁気デイスク12の表面の変位
量を検出する変位量検出手段28と、変位量検出手段28の
検出結果S_Kに応じて、磁気ヘツド80と共に対物レンズ16
の位置を光磁気デイスク12に対して所定位置に保持する
圧電アクチユエータ81とを設けるようにする。

Ｆ作用圧電アクチユエータ40で、光磁気デイスク12に対する磁
気ヘツド30の位置を所定位置に保持するようにすれば、
簡易な構成で磁気ヘツド40を光磁気デイスク12に近接し
て配置することができる。

さらにこのとき、磁気ヘツド80に加えて対物レンズ16も
同時に圧電アクチユエータ81によつて保持するようにし
たことにより、簡易な構成で磁気ヘツド80及び対物レン
ズ16を光磁気デイスク12に近接した所望位置に保持する
ことができる。

Ｇ実施例以下図面について、本考案の一実施例を詳述する。

（G1）概略構成（G1−１）第１の構成先ず第１図を用いて、本考案の実施例を説明する前に本
考案の前提となる光磁気デイスク装置の概略構成を説明
する。光磁気デイスク装置10はスピンドルモータ11で回
転駆動される光磁気デイスク12に、所定の情報を記録再
生する。

すなわち光磁気デイスク装置10は、所定の駆動信号及び
トラツキングエラー信号に基づいて、光ヘツド14を光磁
気デイスク12の半径方向に駆動すると共に、フオーカス
エラー信号に基づいて対物レンズ16を駆動するようにな
されている。

光ヘツド14は、半導体レーザ18から射出された光ビーム
LA1をレンズ20及び偏光ビームスプリツタ22を介して対
物レンズ16に与え、これにより所定のスポツト形状で、
光ビームLA1を光磁気デイスク12上に集光するようにな
されている。

さらに光ヘツド14は、光磁気デイスク12から得られる反
射光ビームを、対物レンズ16を介して偏光ビームスプリ
ツタ22に与え、これにより光ビームLA1から反射光ビー
ムを分離した後、集光レンズ24を介して受光素子26に与
えるようになされている。

これにより、受光素子26の出力信号から記録情報を再生
し得ると共に、トラツキングエラー信号及びフオーカス
エラー信号を検出し得るようになされている。

さらに光ヘツド14においては、発光ダイオード及びフオ
トデイテクタで構成された距離検出センサ28を、所定の
基準位置に配置するようになされ、これにより当該基準
位置から光磁気デイスク12までの距離に応じて信号レベ
ルが変化する距離検出信号S_Kを出力するようになされて
いる。

従つて当該距離検出信号S_Kの信号レベルに応じて、光磁
気デイスク12の表面の変位量（すなわち面ぶれの量でな
る）を検出することができる。

かくしてこの実施例においては、当該距離検出信号S_Kに
応じて磁気ヘツド30を変位させることにより、磁気ヘツ
ド30を光磁気デイスク12に近接した所定位置に配置し
て、少ない駆動電流で所定の変調磁界を印加するように
なされている。

すなわち距離検出センサ28は、距離検出信号S_Kを増幅回
路32及び位相補償回路34を介して差動増幅回路36に与え
る。

差動増幅回路36は、所定の基準電圧V_REFと距離検出信号
S_Kとの誤差信号を圧電素子を利用したアクチユエータ
（以下圧電アクチユエータと呼ぶ）40に出力し、これに
より光磁気デイスク12に対して、磁気ヘツド30の位置を
所定距離に保持するようになされている。

すなわち圧電アクチユエータ40は、光ヘツド14と連動し
て光磁気デイスク12の半径方向に移動するようになさ
れ、その先端部に光ヘツド14と対向して磁気ヘツド30を
保持するようになされている。

さらに圧電アクチユエータ40は、圧電素子を積層したバ
イモルフで構成され、これにより当該圧電素子の印加電
圧に応じて、先端部が上下に変位するようになされてい
る。

従つて磁気ヘツド30においては、所定の基準電圧V_REFと
距離検出信号S_Kとの誤差信号を圧電素子に印加すること
により、光磁気デイスク12に対して、基準電圧V_REFで決
まる所定距離だけ離間した位置に保持され、これにより
磁気ヘツド30を光磁気デイスク12に近接して配置するこ
とができる。

実際上、このように圧電素子を利用した圧電アクチユエ
ータ40においては、構造が簡単で電磁アクチユエータの
ように漏洩磁界が発生しない特徴がある。

従つて、磁気ヘツド30を圧電アクチユエータ40で駆動す
れば、簡易な構成で、かつ少ない駆動電流で確実に変調
磁界を印加することができる。

さらに駆動電流を低減し得ることから、その分当該光磁
気デイスク装置10の消費電力を低減することができる。

さらにこのように圧電アクチユデータ40で磁気ヘツド30
を所定位置に保持するようにすれば、光磁気デイスク12
の変換時等において、磁気ヘツド30を光磁気デイスク12
から簡易に離間し得、これにより交換作業を簡略化する
ことができる。

以上の構成によれば、圧電アクチユエータ40で磁気ヘツ
ド30を駆動することにより、簡易な構成で磁気ヘツド30
を光磁気デイスク12に近接して配置し得、かくして駆動
電流の小さな光磁気デイスク装置10を得ることができ
る。

（G1−２）第２の構成第１図との対応部分に同一符号を付して示す第２図は、
本考案の前提となる光磁気デイスク装置の第２の構成を
示す。光磁気デイスク装置45は距離検出センサ28を所定
位置に固定したものである。

すなわち第３図に示すように、光磁気デイスク装置にお
いては、光磁気デイスク12をスピンドルモータに取り付
ける際に、チヤツキングエンボス46との間にごみ47等が
挟まれ、その結果面ぶれが生じる場合が多い。

この場合光磁気デイスク12の回転中心Ｏからの距離ｘに
比例して面ぶれ量Ｍが変化することから、例えば光磁気
デイスク12の最外周での面ぶれ量M_Gを検出することがで
きれば、所望の記録トラツクにおける面ぶれ量を求める
ことができる。

従つて実用上十分な範囲で、光磁気デイスク12自体のそ
り等が小さい場合においては、この実施例のように所定
位置に固定した距離検出センサ28で光磁気デイスク12の
面ぶれを検出し、当該検出結果に応じて磁気ヘツド30を
駆動するようにしても、光磁気デイスク12に対して磁気
ヘツド30を所定位置に保持することができる。

すなわち光磁気デイスク装置45においては、位相補償回
路34から出力される距離検出信号S_Kを補正回路48に与え
る。

補正回路48は、制御回路（図示せず）から出力される光
ヘツド49の位置情報D_Iに基づいて、光ビームLA1の照射
位置における距離検出信号S_KHを作成し、当該距離検出
信号S_KHを差動増幅回路36に出力する。

これにより磁気ヘツド30においては、光ヘツド49の位置
情報D_Iに基づいて作成された距離検出信号S_KHと、所定
の基準電圧V_REFとの誤差信号により、光磁気デイスク12
に対して所定位置に保持されるようになされ、かくして
磁気ヘツド30を光磁気デイスク12に近接して配置するこ
とができる。

第２図の構成によれば、距離検出センサ28を所定位置に
固定するようにしても、第１の実施例と同様の効果を得
ることができる。

（G1−３）第３の構成第１図との対応部分に同一符号を付して示す第４図は、
本考案の前提となる光磁気デイスク装置の第３の構成を
示し、圧電アクチユエータ40に距離検出センサ28を取り
付けるようにしたものである。

すなわち磁気ヘツド30に近接して距離検出センサ28を配
置するようにすれば、直接光磁気デイスク12に対する磁
気ヘツド30の距離の変位を検出するとこができる。

従つて距離検出センサ28から出力される距離検出信号S
_KIに基づいて、圧電アクチユエータ40を駆動することに
より、光磁気デイスク12に対して磁気ヘツド30を所定位
置に保持することができる。

第４図の構成によれば、距離検出センサ28を磁気ヘツド
30側に配置するようにしても、第１の実施例と同様の効
果を得ることができる。

（G1−４）第４の構成第５図は、本考案の前提となる光磁気デイスク装置の第
４の構成を示し、所定位置に固定された光情報検出部52
から光ビームLA1を射出し、当該光ビームLA1を所定位置
で折り曲げた後、対物レンズで集光することにより、光
磁気デイスク12上の所定の記録トラツクに光スポツトを
形成するようになされている。

すなわち光磁気デイスク装置50は、所定の駆動信号及び
トラツキングエラー信号に応じて、光磁気デイスク12の
半径方向に変位するようになされたリニアアクチユエー
タ（図示せず）を有し、第６図に示されたヘツド部56が
当該リニアアクチユエータの先端に搭載されるようにな
されている。

ヘツド部56は、断面Ｌ字状の取付基台58上に、ミラー60
を搭載するようになされ、これにより光磁気デイスク12
の方向に光ビームLA1を折り曲げるようになされてい
る。

さらにヘツド56においては、ミラー60で折り曲げられた
光ビームLA1の光軸方向に、可動するようになされた電
磁アクチユエータ61を有し、当該電磁アクチユエータ61
をバネ64で保持すると共に、当該電磁アクチユエータ61
で対物レンズ16を駆動するようになされている。

これにより、光磁気デイスク装置50においては、フオー
カスエラー信号に基づいて電磁アクチユエータ61を駆動
することにより、所定のビーム形状で光ビームLA1を光
磁気デイスク12上に集光するようになされている。

さらにヘツド部56においては、対物レンズ16及び光磁気
デイスク12間に圧電アクチユエータ66を有し、当該圧電
アクチユエータ66の先端部に磁気ヘツド68を配置するよ
うになされている。

すなわち磁気ヘツド68は、中央部に貫通穴68Aを有し、
当該貫通穴68Aを取り巻くように所定の巻線が捲回され
るようになされている。

これにより当該巻線に駆動電流を与えて、光磁気デイス
ク12に所定の変調磁界を印加し得るようになされてい
る。

さらに、圧電アクチユエータ66の中央部は、貫通穴66A
が設けられ、貫通穴66A及び68Aを介して、光磁気デイス
ク12に光ビームLA1を照射するようになされている。

かくしてこの実施例によれば、光磁気デイスク12の片面
側から光ビーム及び変調磁界を印加し得、その分光ヘツ
ド及び磁気ヘツドをそれぞれ光磁気デイスク12の両面に
配置する場合に比して、当該光磁気デイスク装置50の構
成を簡略化することができる。

さらに片面から光ビーム及び変調磁界を印加し得ること
から、必要に応じて両面に垂直磁化膜を形成した光磁気
デイスクを用いることにより、当該光磁気デイスクの両
面に所望の情報を熱磁気記録し得、その分光磁気デイス
ク装置50の記録密度を向上することができる。

実際上このように光ビーム及び変調磁界を、光磁気デイ
スク12の片面から印加する場合において、磁気ヘツド68
を光磁気デイスク12に対して近接した位置に保持するた
めには、ヘツド部56の構成が複雑になることを避け得な
い。

ところがこの実施例のように、磁気ヘツド68を圧電アク
チユエータ66で駆動するようにすれば、第１の実施例の
効果に加えて、簡易な構成で光ビームAL1を所定のビー
ム形状で光磁気デイスク12に照射し得ると共に磁気ヘツ
ド68を光磁気デイスク12に近接して配置することがで
き、その分当該光磁気デイスク装置50の構成を簡略化す
ることができる。

さらにヘツド部56全体を小型化し得ることから、ヘツド
部56を駆動するリニアアクチユエータ等も小型化し得、
全体として小型形状の光磁気デイスク装置50を得ること
ができる。

因にこの実施例において光磁気デイスク12は、基板70上
に補助磁界形成用の磁化膜71を形成し、当該磁化膜71上
に垂直磁化膜72及び保護膜73を形成するようになされ、
これにより垂直磁化膜72を所定方向に配向させて情報を
記録するようになされている。

第６図の構成によれば、磁気ヘツド68を圧電アクチユエ
ータ66で駆動することにより、第１の実施例の効果に加
えて、簡易な構成で、対物レンズ16駆動用の電磁アクチ
ユエータ62と共に磁気ヘツド14をリニアアクチユエータ
上に配置し得、光磁気デイスク12の片面側から光ビーム
及び変調磁界を印加することができる。

従つてその分当該光磁気デイスク装置50の構成を簡略化
し得ると共に、必要に応じて記録密度を向上することが
できる。

（G2）実施例の構成第７図は、本考案の実施例による光磁気デイスク装置の
主要部の構成を示し、対物レンズ16及び磁気ヘツド部80
を圧電アクチユエータ81で一体に駆動する。

すなわち光磁気デイスク装置においては、光磁気デイス
ク12の半径方向に移動するようになされたリニアアクチ
ユエータのアーム82に、取り付け部材83でバイモルフ84
を固定するようになされている。

これにより、圧電アクチユエータ81をリニアアクチユエ
ータに取り付け、矢印ｂで示すように、光磁気デイスク
12の半径方向に駆動するようになされている。

バイモルフ84は、共振防止用の緩衝材85を間に挟んで、
２枚の圧電素子84A及び84Bを積層して構成され、これに
より矢印ａで示すように、圧電素子84A及び84Bの印加電
圧V_Eに応じて、先端部が上下方向に変位するようになさ
れている。

さらに第８図に断面を取つて示すように、バイモルフ84
は、先端部に貫通穴86を有し、当該貫通穴86の上部に、
対物レンズ16及び直角プリズム87を搭載するようになさ
れている。

これにより光情報検出部52（第５図）から射出した光ビ
ームLA1を直角プリズム87に入射し、当該光ビームLA1を
光磁気デイスク12側に折り曲げて、対物レンズ16に入射
するようになされている。

これに対して、貫通穴86の下側には、磁気ヘツド部80が
配置されるようになされ、当該磁気ヘツド部80を貫通し
た光ビームが光磁気デイスク12上に集光されるようにな
されている。

すなわち第９図に示すように、磁気ヘツド部80において
は、例えばスパツタリングの手法を用いて透明部材90上
に磁性膜91を形成し、このとき、当該磁性膜91の中央部
に、貫通穴86と同心円状の貫通孔92を形成するようにな
されている。

これにより対物レンズ16に入射した光ビームLA1を、貫
通穴86、透明部材90及び貫通孔92を介して、光磁気デイ
スク12上に集光するようになされている。

さらに磁気ヘツド部80においては、磁性膜91上にコイル
94を印刷するようになされ、所定の駆動電流で当該コイ
ル94を駆動することにより、光磁気デイスク12に変調磁
界を印加するようになされている。

かくして所定の駆動信号及びトラツキングエラー信号に
応じてリニアアクチユエータを駆動することにより、矢
印ｂで示すように光磁気デイスク12の半径方向に圧電ア
クチユエータ81を駆動制御することができ、これにより
光ビームLA1を所定の記録トラツクに移動させてトラツ
キング制御すると共に、当該光ビームLA1の照射位置に
所望の変調磁界を印加することができる。

さらに圧電アクチユエータ81を駆動して対物レンズ16の
位置を磁気ヘツド部80と共に上下方向に変位させること
ができ、これにより圧電アクチユエータ24を所定の駆動
信号で駆動して、光磁気デイスク12に対する対物レンズ
16及び磁気ヘツド部80の位置を、一括して所定位置に保
持することができる。

かくして、磁気ヘツド部80に加えて対物レンズ16を圧電
アクチユエータ81で駆動することにより、磁気ヘツド部
80及び対物レンズ16の駆動機構を共通化することがで
き、その分一段と全体の構成を簡略化して必要に応じて
記録密度を向上することができる。

因にこの実施例において、光磁気デイスク12は、基板95
及び保護膜96で挟まれた垂直磁化膜97に、光ビームLA1
を照射すると共に変調磁界を印加するようになされ、こ
れにより当該光ビームLA1の照射位置に、所望の情報を
熱磁気記録することができる。

第７図の構成によれば、磁気ヘツド部80に加えて対物レ
ンズ16を圧電アクチユエータ81で駆動することにより、
第１の実施例の効果に加えて、さらに一段と簡易な構成
で、光磁気デイスク12の片面側から光ビーム及び変調磁
界を印加することができる。

（G3）他の実施例なお上述の実施例においては、変位量検出手段として発
光ダイオード及びフオトデイテクタを用いる場合につい
て述べたが、本考案はこれに限らず、例えば光磁気デイ
スク12に対する静電容量を検出して当該光磁気デイスク
12までの距離を検出する場合、フオーカスエラー信号を
用いる場合等種々の距離検出方法を広く適用することが
できる。

Ｈ考案の効果上述のように本考案によれば、圧電アクチユエータを用
いて、光磁気デイスクに対する磁気ヘツド及び対物レン
ズの位置を一括して所定位置に保持することにより、磁
気ヘツドの駆動電流を低減し得ると共に、簡易な構成で
光磁気デイスクの同一面側から変調磁界及び光ビームを
印加することができる。この結果消費電力が小さく、か
つ簡易な構成で記録密度の高い光磁気デイスク装置を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光磁気デイスク装置の第１の構成例を示すブロ
ツク図、第２図はその第２の構成例を示すブロツク図、
第３図はその動作の説明に供する略線図、第４図はその
第３の構成例を示す略線図、第５図は第４の構成例を示
す略線的斜視図、第６図はそのヘツド部の構成を示す断
面図、第７図は本考案による実施例の構成を示す略線的
斜視図、第８図はその圧電アクチユエータの構成を示す
断面図、第９図はその磁気ヘツド部の構成を示す略線的
斜視図、第10図は問題点の説明に供する略線的断面図で
ある。１、12……光磁気デイスク、２、30……磁気ヘツド、1
0、45、50……光磁気デイスク装置、14、49……光ヘツ
ド、16……対物レンズ、28……距離検出センサ、40、81
……圧電アクチユエータ、80……磁気ヘツド部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−126401（ＪＰ，Ａ) 特開平１−251359（ＪＰ，Ａ) 特開平２−289982（ＪＰ，Ａ)

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】光磁気デイスクに磁気ヘツドを介して磁界
を与えると共に対物レンズを介して光ビームを照射する
ことにより、上記光磁気デイスク上に所望の情報を記録
し、または上記光磁気デイスク上に記録された情報を再
生する光磁気デイスク装置において、上記光磁気デイスクの表面の変位量を検出する変位量検
出手段と、上記変位量検出手段の検出結果に応じて、上記磁気ヘツ
ドと共に上記対物レンズの位置を上記光磁気デイスクに
対して所定位置に保持する圧電アクチユエータとを具えることを特徴とする光磁気デイスク装置。