JPH0734495B2 - オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ - Google Patents

オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ

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JPH0734495B2
JPH0734495B2 JP1050196A JP5019689A JPH0734495B2 JP H0734495 B2 JPH0734495 B2 JP H0734495B2 JP 1050196 A JP1050196 A JP 1050196A JP 5019689 A JP5019689 A JP 5019689A JP H0734495 B2 JPH0734495 B2 JP H0734495B2
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optoelectronic
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イー．ブロンダー グレッグ
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アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
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    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明はオプトエレクトロニック集積回路（optoelectr
onic integrated circuit、OEIC）、より詳細には、個
々のチップがベース上に搭載され、これらが互いに光学
的及び／あるいは電気的に接続されたハイブリッドバー
ジョンのOEICに対するサブアセンブリに関する。これら
のチップ自体は、レーザーダイオードあるいは光ダイオ
ードのような離散デバイスであることも、p-i-n光ダイ
オードと電界効果形トランジスタ（pinFET）との組み合
せのような集積デバイスであることも、あるいは送信回
路ないし受信回路のような集積回路であることも考えら
れる。
電子技術においては、印刷回路（PC）ボードは基本的技
術であり、TVセットからコンピュータに至るまで、また
家庭から衛星にいたるまであらゆる所にみられる。PCボ
ードは個々の電子チップ及び要素を絶縁基板、例えば、
ファイバーガラスあるいはセラミックボード上に堆積さ
れた金属化パターンにて相互接続することを可能にす
る。この技術は非常に成熟しており、これらボードは比
較的簡単にしかも高信頼度に製造でき、コストも問題な
い。これと対照的に、光学及びオプトエレクトロニック
技術はまだ幼児期にある。離散デバイスが市場に氾濫し
ているが、しかし、これら要素は典型的には、ハイーテ
クIII-V族化合物プロセスから製造され、また特別の技
術及び装置を用いて金属あるいはセラミックハウジング
内にパッケージ化され、それだけ値段も高い。離散デバ
イスの収率は比較的低く、また、オプトエレクトロニッ
ク要素の集積化は研究中ではあるが、近い将来を考える
かぎり、さらに収率が低下することが予見される。この
ため、個々の光学及び電子チップを簡単に製造でき、比
較的コストも小さな方法にて、光学的及び電気的に相互
接続及びパッケージ化できる電子デバイスに対するPCボ
ードアプローチに匹敵する別のアプローチに対する必要
性が存在する。
発明の概要 本発明の一面によると、オプトエレクトロニックチップ
が単結晶半導体ベース上に搭載され、これらがこの半導
体材料上に一緒に形成された導波路及び結合器によって
電気的に互いに接続される。このベース上に形成された
集積回路は、例えば、トランシーバとして機能する。
１つの実施態様においては、単結晶半導体のふたがこの
ベース上に搭載されるが、これは、これら要素を光学的
及び／あるいは電気的に隔離する空胴を含む包囲を形成
する。
もう１つの実施態様においては、このベース上の導波路
の少なくとも１つがこのふたの下をこの包囲の外側にの
び、これによって、ファイバが包囲を突き抜けることを
要求されることなく導波路に結合できる。
１つの関連する実施態様においては、ファイバを導波路
に整合させるため整合フィクスチャーがこのベースの一
端に搭載される。
さらにもう１つの実施態様においては、半導体レーザー
がこのレーザーを導波路の１つに整合するための溝にか
み合うメサをもつ。
好ましくは、このベース、ふた及びフィクスチャーは集
積回路分野において開発された比較的成熟した技術を活
用できるようにシリコンから製造される。この場合、導
波路はシリカから製造され、0.7-1.6μｍのシングモー
ド光伝搬の最も一般的なレンジをカバーするように設計
できる。この形式の場合、本発明は“シリコン光学ベン
チ（sillcon optical bench）”技術を利用するもので
あるともみなすことができる。
本発明は、本発明のさまざまな特徴及び目的とともに、
以下の詳細な説明を図面を参照にして読むことによって
簡単に理解できるものである。ここで、図面は説明を完
結にするため略図であり、実寸でないことに注意する。
実施例 第１図には単結晶の半導体基板、好ましくは、当分野に
おいて成熟した処理技術及び標準化された市販の装置が
使用できるシリコン基板上に形成されたオプトエレクト
ロニックトランシーバが示される。このトランシーバ
は、これが他の回路、例えば、送信機あるいは受信機内
に見ることができる殆んどのオプトエレクトロニックチ
ップを代表する傾向があるために解説の目的としてのみ
示される。一般に、シリコンベース10は少なくとも１つ
の酸化された（例えば、SiO2の層12を形成する）主面12
を持つ。これに加えて、このトランシーバはさまざまな
オプトエレクトロニックチップを光学的に相互接続する
ためにこのシリコンベース上に一緒に形成された複数の
シングルモードあるいはマルチモードシリカ導波路を含
む。一例として、これら導波路は伝送導波路14及び光結
合器20及び23を含む。導波路14はレーザーダイオード16
を光ファイバ18に結合する。シングルモードアプリケー
ションに対するエバネセントフィールド結合器として示
される結合器20は、光ファイバ18を受信光ダイオード24
に結合するための導波路セグメント22及びレーザー16を
パワーモニタ光ダイオード28に光学的に結合するための
導波路セグメント26を持つ。これもエバネセントフィー
ルド結合器として示されるもう１つの結合器23は、導波
路14からのパワーの一部を後に説明される１つの機能で
ある位置25の所に光テストポイントを提供するためにタ
ップする。マルチモードアプリケーションに対しては、
結合器20-23は好ましくはエバネセントフィールド結合
器ではなく周知のＹ−結合器の形態をもつ。
ベース10上の酸化層12はこの上に形成されたさまざまな
電気コンタクトを電気的に隔離し、また導波路内の光学
モードのエバネセント部分をベースから光学的に隔離す
る。
第６図に示されるように、このシリカ導波路は、典型的
には、下側クラッド32と上側クラッド34によって包囲さ
れる概むね半円形のコア30を持つ。このコアの半円形状
は導波路14（第１図）内のモードをファイバ18内のモー
ドとマッチさせ、シングルモード伝搬のために約５μｍ
の直径をもつ。好ましくは、下側クラッド32はシリコン
ベース10の表面を酸化することによって形成され、コア
は化学蒸着によってホスフォシリケートガラスを堆積さ
せ、このガラスをコアを形成するようにパターン化し、
次にパターン化されたコアを半円の形状が形成されるよ
うに流動させることによって形成される。上側クラッド
34が次にシリカを堆積し、このシリカガラスを密圧する
ことによって形成される。このタイプの導波路は、光通
信に重要な波長レンジ、つまり、0.7-1.6μｍにおい
て、0.03dB以下の光学損失をもつ。結合器は第７図に示
されるように、２つのコアを隣に置き、片方の導波路の
エバネセントフィールドが光パワーを片方から他方に移
すのに十分に他方のエバネセントフィールドと重複する
ようにされる。
上に説明の光学チップに加えて、このトランシーバは電
子回路チップ、例えば、レーザーダイオード16に接続さ
れたレーザードライバ回路40及び電気的に受信光ダイオ
ード24及びモニタ光ダイオード28の両方に接続された受
信回路42を含む。これら光ダイオードの図示されるよう
な配置は、要求される場合、エコーの相殺に有効であ
る。ただし、回路40及び光ダイオード28を導波路14の同
一サイドに置き、このクロスオーバー電気接続７を回避
することもできる。ただし、導波路のクラッドの厚さが
この接続内の金属による大きな吸収を避けるのに十分に
厚いという条件の下で、このクロスオーバーを使用する
こともできる。
以下の議論は主に光学チップ、より詳細には、これらが
シリカ導波路に光学的にいかに結合されるかに向けられ
る。
シリカ導波路の光検出器への結合が第2-5図に示され
る。１つ実施態様においては、第２図及び第４図に示さ
れるように、光検出器24はベース10上にフラットに置か
れ、導波路22の上に下側の電極44、並びに電極44と光ダ
イオード24の間に置かれた半田隆起によって持上げられ
る（第４図）。導波路22内の光の方向を変えるため、溝
の軸が導波路の軸を横断するような方法でコア30内に溝
11がエッチングされ（第２図）、導波路の端から遠い方
の１つの側壁が反射器13を形成するように金属化され
る。こうして、導波路の端から放射されてくる光は、こ
の反射器13に当たり、上向きに光ダイオード24に向うよ
うにされる。
別の方法として、第３図に示されるように、導波路22の
端を導波路の下が切り取られた不透明の表面15を形成す
るような形状にすることもできる。これは、トータル内
部反射（total internal reflection）として機能し、
光を導波路24に向ける。
重要なことに、導波路内に伝搬する光の方向をベース10
から上方向に向けるこれら技術は本発明の重要な機能、
つまり、第１図に示されるようなテストポイント25を提
供することを可能にする。テストポイント25は、第２図
及び第３図の光が不透明な反射表面によって上方に向け
られる位置に対応し、これは、アセンブリ機能あるいは
回路動作をモニタするのに使用される。例えば、レーザ
ー16が導波路14に正しく整合しているか否かを決定する
ために、検出器23は導波路14からの光の少量をテストポ
イント25に結合する。適当な位置に光検出器を含むテス
トヘッドがアセンブリの際にベース10の上に位置され
る。レーザーを動作した状態にし、レーザーと導波路と
の整合は、テストポイント25の所の光学パワーが最大化
されることによって達成される。同様に、ベース10上に
他のテストポイントを組み込み、さまざまなテスト及び
測定の遂行を可能にすることができる。これは、トラン
シーバの動作の際に自動的に行なうことも、あるいは現
場で手操作にて、技術者がテストポイント上に適当に設
計されたテストヘッドを位置し、回路内に故障が発生し
たか否か知るために使用することもできる。
別の方法として、第５図に示されるように、光ダイオー
ドはベース10上にフラットに横たえる必要はない。第５
図のケースにおいては、ベース10内に異方的にエッチン
グされたＶ−溝が光ダイオード24を導波路22の端から遠
い方の側壁に沿って位置するのに使用される。この方法
だと、導波路の端から放射されてくる光が直接に光ダイ
オードに当る。この構成は、光ダイオードの斜めの方位
がスプリアス反射が導波路22内に反射し、この導波路に
結合された他の要素、例えば、レーザーを混乱させる可
能性を少なくするという長所をもつ。
レーザーダイオード16の導波路14への結合が第８図及び
第９図に示される。ここで説明される整合スキームは光
学テストポイント25と独立して使用することも、あるい
は必要であればこれとの関連で使用することもできる。
第８図に示されるように、レーザーダイオード16はこの
片方の表面上に形成されたメサ19を持ち、ベース10は導
波路14と軸が整合した溝21をもつ。このメサは特に整合
の目的でレーザー上に形成することも、あるいは他の目
的のためにレーザーの一部分として（例えば、リッジ導
波路レーザーの導波リッジとして）形成することもでき
る。いずれにしろ、メサ19は溝21によってガイドされ、
レーザーダイオードのアクティブ領域17を導波路14に整
合する働きをもつ。このメサ及び溝は、導波路への直接
的で厳密な整合を与えるように設計することも、あるい
は、必要であれば粗い整合のみを与えるように設計する
こともできる。後者の場合は、レーザーダイオード16を
別個のレーザーによって光学的にポンプし（例えば、レ
ーザーダイオード16が1.3μmIn/InGaAsPデバイスである
場合はNd:YAGレーザーによって（図示なし））、導波路
14内に結合される光をファイバ18内に結合される光、あ
るいはテストポイント25内に結合される光をモニタする
ことによって最大化することができる。レーザーダイオ
ード16の光学ポンピングは、レーザーの上側の金属化層
内に開口23を与え、ポンピング放射がこのアクティブ領
域を貫通するようにすることによって達成できる。勿
論、例えば、ベースに搭載する前のテストのためのよう
な他の目的でテストが行なわれ上側の金属化層が必要と
されない場合は、これを全て排除し、開口23を形成する
必要性も排除することもできる。
ファイバ18は導波路14に第10図に示されるようにペアの
タンデムＶ−溝を介して光学的に結合される。相対的に
狭いＶ−溝50が導波路14の光学軸と整合され、このサイ
ズは、ファイバ18（第１図）の裸の部分31を受けるよう
に設計される。一方、大きなＶ−溝52は溝50と軸が整合
され、このサイズは、ファイバ18（第１図）のコーティ
ングされた部分33を受けるように設計される。これらＶ
−溝は、最初に、小さな溝に対する位置をマスクした状
態で大きな溝52を部分的に異方的にエッチングし、次
に、マスクを除去し、大きな溝と小さな溝のエッチング
を同時に完結させる方法によって形成できる。
上に説明の光学サブアセンブリは、第11図及び第12図に
示されるように、ベース10上に搭載されたさまざまなチ
ップを包囲するふた70を提供することによって完結され
る。チップとしては、ここでは、簡潔のために、導波路
80によって結合されたレーザーダイオード９及び94のみ
が示される。溶接密閉の場合は、このふたの周辺をベー
スに接着させる。密閉作業を簡単にするため、ファイバ
18はこの密閉包囲を貫通しない。かわりに、シリコンフ
ィクスチャー76がＶ−溝78を持ち、これがベース10内の
上記のＶ−溝50に整合され、これによってファイバを受
けるチャネルが形成される。このチャネルは、ファイバ
をガイドし、これを密閉包囲内に伸びる導波路80に結合
する機能をもつ。導波路80を収容するためふた内に形成
することもできるが、実際には、密閉を形成するために
使用されるシール剤がノッチを使用することなく導波路
を収容ときの雄ねじの機能を十分に果す。一般に、フィ
クスチャー76とふた70は単一片から作ることもできる
が、好ましくは、示されるように別個に形成される。
第12図は示されるように、ふた70はベース10に平行にベ
ースの対応する寸法より短かい寸法をもち、この上に形
成されるリードがふたの下から突き出し、これへの電気
的アクセスが得られるようにされる。解説の目的で２つ
のセットのリード73及び75のみがここでは示される。
さらに、ふた70は本発明の追加の重要な機能、つまり、
第11図に示されるようなベース10上のチップの光学的及
び電気的隔離を提供するために使用される。長い波長
（例えば、約1.1-1.6μｍ）における光学隔離のために
は、ふたの内側面が、好ましくは、金属化される（図示
なし）。実際には、好ましくは金属が堆積される前にシ
リコンが酸化される。これより短い波長（例えば、約0.
7-0.9μｍ）に対しては、シリコンがこれらの波長では
光を吸収するために金属化は要求されない。いずれの場
合も、このふた70にはペアの別個の間隙72及び74が提供
され、これらはそれぞれふたがかぶせられたときレーザ
ー92及び94を受けるように設計される。こうして、デバ
イスがふたのセグメント（例えば、77）によって分離さ
れ、このセグメントによってこれらデバイスが互いに電
気的及び光学的に隔離される。
このふたは、サブアセンブリをパッケージにカプセル化
するときの成形作業の際のチップの保護、チップの電気
的及び／あるいは光学的隔離等のさまざまな役割を果
す。これに加えて、これは、必要であればチップをパシ
ブ化する目的でこの間隙内に順応コーティングを詰める
のにも使用できる。
これに加えて、ベース10（あるいはフィクスチャー、あ
るいは両者）にこの平行エッジに沿って第12-13図に示
されるようにＶ−溝を提供し、サブアセンブリを装置フ
レームあるいはラック内に差し込むのに使用されるガイ
ド棒90を収容することもできる。勿論、このガイド棒
は、これによって、サブアセンブリがこのフレームある
いはラック装置の一部であるファイバ（例えば、18）に
自動的に結合されるのを助ける機能をもつ。このサブア
センブリはオプトエレクトロニックデバイスが（ふたと
ともに、あるいはふたなしに）その上に搭載され、ファ
イバに光学的に結合されるベースとともに使用でき、こ
れは、ベースが集積回路をもつ実施態様に限定されるも
のではない。
第12図においては、Ｖ−溝100が棒90が収容できるよう
にベース10の平行エッジに沿って形成される。後者は、
ベースに取り付けすることも、あるいは装置フレームの
一部とすることもできる。別の方法として、第13図にお
いては、フィクスチャー76がより広くされ、ベースの幅
を横断するようにされる。フィクスチャー及びベースの
平行エッジは、これらが組み立てられたとき、エッチン
グされた形状が棒90を受けるＶ−溝100を形成するよう
にエッチングされる。製造の点からは、第13図の設計の
方が製造が簡単である。これは、第12図の設計では、ベ
ースの両側からのエッチングが必要であり、このため、
マークの正面と背面との整合が必要となるためである。
上に説明の構成は単に本発明の原理の応用を理解するた
めに与えられた可能なさまざまな実施態様を解説するた
めのものであり、当業者においては、本発明の精神及び
範囲から逸脱することなく、この他のさまざまな構成を
これら原理に従って考えることができることは明白であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１つの実施態様によるオプトエレクト
ロニックトランシーバサブアセンブリの（ふたが除去さ
れた）等大図であり： 第２図〜第５図はベースの部分の断面図であるが、ここ
では、集積されたシリカ導波路内の光が光学テストポイ
ントを提供するため、あるいは光をオンボード光検出器
に結合するためにいかにして上方に偏光されるかが示さ
れ； 第６図は第１図のシリコンベース上に形成されたシリカ
導波路の断面図であり； 第７図は第１図のシリコンベース上に結合器が形成され
る領域内のシリカ導波路のコアの構成を示し； 第８図は第１図の半導体レーザーがこのシリカ導波路に
どのように整合されるか拡大して示した図であり； 第９図は第４図の断面図であり； 第10図は光ファイバを第１図のシリカ導波路に整合及び
結合するために使用されるタンデムＶ−溝構成を示し； 第11図は第１図に示されるタイプのサブアセンブリの断
面図を示す。ただし、簡素化のため２つのデバイス、つ
まり、レザーダイオード及び光ダイオードのみがシリコ
ンベース上に示される。この図面は幾つかの造作を示
す。つまり、デバイスを互いに隔離するふた；ファイバ
が包囲を突き抜けることを要求されないようにふたの下
側を包囲の外側へとのびる導波路；及びベースの一端に
存在するファイバを導波路に整合するための整合フィク
スチャーが示され；そして 第12図〜第13図はこのサブアセンブリがいかにして、PC
ボードの様式で、装置のフレームに差し込むことができ
るように、ガイドロッドに取り付けられるかを示す。 〈主要部分の符号の説明〉 10……シリコンベース 12……主面 14……伝送導波路 16……レーザーダイオード 18……光ファイバ 20、23……光結合器 24……受信光ダイオード 22、26……導波路セグメント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/14 27/15 8832−4Ｍ 31/0232

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】オプトエレクトロニック集積回路サブアセ
    ンブリにおいて、該サブアセンブリが１つの主面及び該
    表面上に形成された絶縁層をもつ単結晶半導体ベース、 該表面上に一緒に形成された光導波路、 該ベース上に搭載され、該導波路に光学的に結合された
    互いに物理的に離れて位置する少なくとも２つのオプト
    エレクトロニックチップ、及び 該ベース上の単結晶半導体のふたを含み、該ふたが該チ
    ップを受けるための少なくとも２つの物理的に離れた空
    胴を含み、該空胴が該チップを互いに電気的及び光学的
    に隔離する該ふた内の材料によって分離されることを特
    徴とするオプトエレクトロニック集積回路サブアセンブ
    リ。
  2. 【請求項２】該ふたが該ベースに溶接密封され、該導波
    路の少なくとも１つが該ふたの下からこの外側にのび、
    さらに、該ふたの外側に該少なくとも１つの導波路を光
    ファイバに結合するための手段が含まれることを特徴と
    する請求項１記載のサブアセンブリ。
  3. 【請求項３】該ふたが該表面に平行に該ベースの対応す
    る寸法より短かな寸法を持ち、さらに、該ベース上に該
    チップから該ふたの下を該ふたの外側にのびる電気コン
    タクトが含まれることを特徴とする請求項１記載のサブ
    アセンブリ。
  4. 【請求項４】該ベースあるいは該ふたの平行エッジがガ
    イドロツドを受けるように設計された溝を含むことを特
    徴とする請求項１記載のサブアセンブリ。
  5. 【請求項５】該導波路がこれへのペアの光学結合器を形
    成する１つの伝送導波路及び１つの二次導波路を含み、 該チップが該結合器の１つに光学的に接続された受信光
    検出器、該結合器のもう１つに光学的に結合されたモニ
    タ光検出器、及び該伝送導波路の一端に結合された１つ
    のレーザーダイオードを含み、さらに 該伝送導波路の他端の所に置かれたファイバ整合手段が
    含まれることを特徴とする請求項１記載のサブアセンブ
    リ。
  6. 【請求項６】該チップの１つが該伝送導波路の一端に光
    学的に結合された１つのレーザーダイオードを含み、さ
    らに 該レーザーダイオードから該伝送導波路に結合される光
    の一部を抽出するための１つの結合器、及び 該結合器の該光の方向を光が該ベースから上の方向に向
    かうテストポイントに向けるための手段が含まれ、これ
    によってこのレーザーの伝送導波路への整合がモニタリ
    ングされることを特徴とする請求項１記載のサブアセン
    ブリ。
  7. 【請求項７】１つの主表面をもつ単結晶半導体ベース、 該表面上に一緒に形成される１つの光導波路、 該表面上に搭載され該導波路に光学的に結合された１つ
    のオプトエレクトロニックチップ、及び 該ベースに密封され該チップを覆う包囲を形成する１つ
    の単結晶半導体のふたを含むオプトエレクトロニック集
    積回路サブアセンブリにおいて、 該ベースあるいは該ふたの平行エッジがガイドロッドを
    受けるように設計された溝を含み、 該導波路が該ふたの下からこの外側にのび、さらに 該包囲の外側に該導波路を光ファイバに結合するための
    手段が含まれることを特徴とするオプトエレクトロニッ
    ク集積回路サブアセンブリ。
  8. 【請求項８】単結晶半導体ベース、及び 該ベース上に搭載されたオプトエレクトロニックデバイ
    スを含むオプトエレクトロニックサブアセンブリにおい
    て、さらに 該デバイスを光ファイバに光学的に結合するための手
    段、及び 該サブアセンブリをガイドするための少なくとも２つの
    離れた平行のロッドを受けるための手段が含まれること
    を特徴とするオプトエレクトロニック集積回路サブアセ
    ンブリ。
  9. 【請求項９】該ベースがペアの平行のエッジを持ち、 該ロッドを受けるための手段が該エッジの個々のなかに
    形成されたＶ−溝を含み、該ロッドの１つが該溝Ｖ−溝
    の個々のなかに位置されることを特徴とする請求項８記
    載のサブアセンブリ。
  10. 【請求項１０】該ベースがペアの平行のエッジを持ち、 該結合手段が該ベースの一端の所に搭載された単結晶半
    導体フィクスチャーを含み、該フィクスチャーが該ベー
    スの該ペアの平行エッジに平行のエッジを持ち、該エッ
    ジがなかに平行のＶ−溝を形成する不透明の表面を持
    ち、そして 該ロッドの１つが該溝の個々のなかに位置できることを
    特徴とする請求項８記載のサブアセンブリ。
  11. 【請求項１１】該フィクスチャーとなかにＶ−溝をもつ
    主面をもつ該ベースが該ファイバを受けるチャネルが形
    成されるように互いに軸を整合して配置されることを特
    徴とする請求項10記載のサブアセンブリ。
  12. 【請求項１２】該ロッドの該Ｖ−溝内に取り付けるため
    の手段が含まれることを特徴とする請求項９乃至10記載
    のサブアセンブリ。
  13. 【請求項１３】１つの主面及び該表面上に形成された１
    つの絶縁層をもつ単結晶シリコンベース、 該表面上に一緒に形成された光導波路、及び 該ベース上に搭載され、該導波路に光学的に結合された
    物理的に互いに離れて位置する少なくとも２つのオプト
    エレクトロニックチップを含むオプトエレクトロニック
    集積回路サブアセンブリにおいて、さらに 該ベース上に単結晶シリコンのふたが含まれ、該ふたが
    該チップを受けるための少なくとも２つの物理的に離れ
    た空胴を含み、該空胴が該チップを互いに電気的及び光
    学的に隔離する該ふた内の材料によって分離され、 該導波路の少なくとも１つが該ふたの下からこの外側に
    のび、 該ふたの外側に該少なくとも１つの導波路を光ファイバ
    に結合するための手段が含まれ、 該ふたが該表面に平行に該ベースの対応する寸法より小
    さい寸法をもち、さらに 該ベース上に該チップから該ふたの下をこの外側にのび
    る電気コンタクトが含まれることを特徴とするオプトエ
    レクトロニック集積回路サブアセンブリ。
  14. 【請求項１４】該導波路がこれへのペアの光学結合器を
    形成する１つの伝送導波路及び１つの二次導波路を含
    み、 該チップが該結合器の１つに光学的に接続された受信光
    検出器、該結合器のもう１つに光学的に結合された１つ
    のモニタ光検出器、及び該伝送導波路の一端に結合され
    たレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項13
    記載のサブアセンブリ。
  15. 【請求項１５】該ベースがなかに溝が形成される主面を
    もち、 該導波路の１つが該溝と軸的に整合され、 該レーザーがその上に形成されたメサを持ち、該メサが
    該溝内に該アクティブ領域を該１つの導波路と整合させ
    るように位置されることを特徴とする請求項14記載のサ
    ブアセンブリ。
  16. 【請求項１６】該ベースがペアの平行エッジ及び該エッ
    ジの個々のなかに形成されたＶ−溝を持ち、該サブアセ
    ンブリに対するガイドロッドが該溝内に位置されること
    を特徴とする請求項13記載のサブアセンブリ。
  17. 【請求項１７】該ベースがペアの平行のエッジを持ち、 該結合手段が該ベースの一端の所に搭載された単結晶シ
    リコンフィクスチャーを含み、該フィクスチャーが該ベ
    ースの該ペアの平行エッジに平行のペアのエッジを持
    ち、該エッジがなかに平行のＶ−溝を形成する不透明の
    表面を持ち、該サブアセンブリのためのガイドロッドが
    該溝内に位置されることを特徴とする請求項13記載のサ
    ブアセンブリ。
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Families Citing this family (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4741796A (en) * 1985-05-29 1988-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for positioning and bonding a solid body to a support base
DE3834335A1 (de) * 1988-10-08 1990-04-12 Telefunken Systemtechnik Halbleiterschaltung
US5073003A (en) * 1988-12-23 1991-12-17 At&T Bell Laboratories Optoelectronic device package method and apparatus
US4998803A (en) * 1989-04-13 1991-03-12 Tacan Corporation Mounting structure for optical and electro-optical components and method of making same
US4969712A (en) * 1989-06-22 1990-11-13 Northern Telecom Limited Optoelectronic apparatus and method for its fabrication
FR2659148B1 (fr) * 1990-03-01 1993-04-16 Commissariat Energie Atomique Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique.
US5023881A (en) * 1990-06-19 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Photonics module and alignment method
US5124281A (en) * 1990-08-27 1992-06-23 At&T Bell Laboratories Method of fabricating a photonics module comprising a spherical lens
US5039190A (en) * 1990-09-07 1991-08-13 At&T Bell Laboratories Apparatus comprising an optical gain device, and method of producing the device
JPH04152725A (ja) * 1990-10-17 1992-05-26 Hitachi Ltd マスタークロック分配方法およびそれを用いた装置
DE4111095C1 (ja) * 1991-04-05 1992-05-27 Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De
US5263111A (en) * 1991-04-15 1993-11-16 Raychem Corporation Optical waveguide structures and formation methods
US5182787A (en) * 1991-04-29 1993-01-26 At&T Bell Laboratories Optical waveguide structure including reflective asymmetric cavity
US5534442A (en) * 1991-05-10 1996-07-09 Northern Telecom Limited Process of providing uniform photoresist thickness on an opto-electronic device
US5125054A (en) * 1991-07-25 1992-06-23 Motorola, Inc. Laminated polymer optical waveguide interface and method of making same
US5179609A (en) * 1991-08-30 1993-01-12 At&T Bell Laboratories Optical assembly including fiber attachment
JP2976642B2 (ja) * 1991-11-07 1999-11-10 日本電気株式会社 光結合回路
DE4142340A1 (de) * 1991-12-20 1993-06-24 Siemens Ag Optoelektronischer ic
JP2773501B2 (ja) * 1991-12-24 1998-07-09 日本電気株式会社 導波路と受光素子の固定構造
JP2755274B2 (ja) * 1991-12-26 1998-05-20 日本電気株式会社 導波路型受光モジュール
JP3024354B2 (ja) * 1992-01-27 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体レーザ
DE69331876T2 (de) * 1992-01-28 2002-11-28 British Telecommunications P.L.C., London Ausrichtung von integrierten optischen Komponenten
US5189296A (en) * 1992-04-03 1993-02-23 International Business Machines Corporation Optical receiver having a low capacitance integrated photodetector
DE4212208A1 (de) * 1992-04-10 1993-10-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung optischer Polymerbauelemente mit integrierter Faser-Chip-Kopplung in Abformtechnik
JPH05333231A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路と光ファイバの接続方法
DE4232608C2 (de) * 1992-09-29 1994-10-06 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Herstellen eines Deckels für eine integriert optische Schaltung
US6090635A (en) * 1992-11-17 2000-07-18 Gte Laboratories Incorporated Method for forming a semiconductor device structure having a laser portion
US5355386A (en) * 1992-11-17 1994-10-11 Gte Laboratories Incorporated Monolithically integrated semiconductor structure and method of fabricating such structure
DE4300652C1 (de) * 1993-01-13 1994-03-31 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer hybrid integrierten optischen Schaltung und Vorrichtung zur Emission von Lichtwellen
US5329392A (en) * 1993-03-19 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Optical communication system with multiple fiber monitoring
GB9306136D0 (en) * 1993-03-24 1993-05-12 Plessey Telecomm Opto-electronic circuits
US5359686A (en) * 1993-03-29 1994-10-25 Motorola, Inc. Interface for coupling optical fibers to electronic circuitry
JP2546506B2 (ja) * 1993-07-27 1996-10-23 日本電気株式会社 光半導体素子と光導波路の結合構造およびその結合方法
JP3302458B2 (ja) * 1993-08-31 2002-07-15 富士通株式会社 集積化光装置及び製造方法
ES2078863B1 (es) * 1993-09-10 1996-08-01 Telefonica Nacional Espana Co Cabeza optica fotodetectora.
US5559914A (en) * 1993-10-19 1996-09-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Components for optical circuits and method of manufacturing the same
EP0654866A3 (en) * 1993-11-23 1997-08-20 Motorola Inc Carrier for connecting a semiconductor cube and manufacturing method.
US5415730A (en) * 1993-12-14 1995-05-16 At&T Corp. Metal coated optical fiber techniques
ES2100791B1 (es) * 1994-02-03 1997-12-16 Telefonica Nacional Espana Co Dispositivo optoelectronico de fotodetectores en guiaonda con diversidad de polarizacion.
SE503905C2 (sv) * 1994-03-16 1996-09-30 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för framställning av en optokomponent samt optokomponent
SE513183C2 (sv) * 1994-03-18 2000-07-24 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för framställning av en optokomponent samt kapslad optokomponent
WO1996000996A1 (en) * 1994-06-30 1996-01-11 The Whitaker Corporation Planar hybrid optical amplifier
US5479540A (en) * 1994-06-30 1995-12-26 The Whitaker Corporation Passively aligned bi-directional optoelectronic transceiver module assembly
FI945124A0 (fi) * 1994-10-31 1994-10-31 Valtion Teknillinen Spektrometer
DE4440935A1 (de) * 1994-11-17 1996-05-23 Ant Nachrichtentech Optische Sende- und Empfangseinrichtung
JPH08166523A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Hitachi Ltd 光アセンブリ
DE4445835C2 (de) * 1994-12-22 2000-01-13 Bosch Gmbh Robert Thermooptischer Schalter, insbesondere Richtkoppler, sowie Verfahren zu seiner Herstellung
AUPN258095A0 (en) * 1995-04-21 1995-05-18 Unisearch Limited Low temperature fabrication of silica-based pecvd channel waveguides
JP3356581B2 (ja) * 1995-05-12 2002-12-16 松下電器産業株式会社 光回路部品及びその製造方法
WO1997002501A1 (en) * 1995-06-30 1997-01-23 The Whitaker Corporation Passive alignment frame using monocrystalline material
JP3147141B2 (ja) * 1995-08-30 2001-03-19 株式会社日立製作所 光アセンブリ
US5933551A (en) * 1995-09-29 1999-08-03 The Whitaker Corp. Bidirectional link submodule with holographic beamsplitter
US5611008A (en) * 1996-01-26 1997-03-11 Hughes Aircraft Company Substrate system for optoelectronic/microwave circuits
US5701372A (en) * 1996-10-22 1997-12-23 Texas Instruments Incorporated Hybrid architecture for integrated optic switchable time delay lines and method of fabricating same
IT1286385B1 (it) * 1996-11-19 1998-07-08 Italtel Spa Procedimento per realizzare l'accoppiamento in un dispositivo optoelettronico tra una fibra ottica ed una guida d'onda e dispositivo
SE508068C2 (sv) * 1996-12-19 1998-08-24 Ericsson Telefon Ab L M Mikroreplikering i metall
GB2315595B (en) * 1997-02-07 1998-06-10 Bookham Technology Ltd Device for re-directing light fromoptical waveguide
DE19748989A1 (de) * 1997-11-06 1999-07-15 Daimler Chrysler Ag Optisches Sende/Empfangsmodul
US6117794A (en) * 1998-01-16 2000-09-12 Lucent Technologies, Inc. Method for improved metal oxide bonding of optical elements
US5981975A (en) * 1998-02-27 1999-11-09 The Whitaker Corporation On-chip alignment fiducials for surface emitting devices
US6240113B1 (en) 1998-02-27 2001-05-29 Litton Systems, Inc. Microlaser-based electro-optic system and associated fabrication method
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US6085007A (en) * 1998-02-27 2000-07-04 Jiang; Ching-Long Passive alignment member for vertical surface emitting/detecting device
AU2984599A (en) * 1998-03-05 1999-09-20 Laser Power Corporation Coupled cavity laser source for telecommunications
US6275317B1 (en) 1998-03-10 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Hybrid integration of a wavelength selectable laser source and optical amplifier/modulator
JP3211770B2 (ja) * 1998-05-11 2001-09-25 日本電気株式会社 固体レーザ装置及びそれを備えた固体レーザ増幅器
US6172997B1 (en) 1998-06-16 2001-01-09 Aculight Corporation Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser
JP2000028865A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザモジュール
US6393183B1 (en) * 1998-08-13 2002-05-21 Eugene Robert Worley Opto-coupler device for packaging optically coupled integrated circuits
SE514478C2 (sv) * 1998-12-15 2001-02-26 Ericsson Telefon Ab L M Optisk mottagar- och sändarmodul
JP2000208853A (ja) * 1999-01-12 2000-07-28 Oki Electric Ind Co Ltd 光ファイバ増幅装置用導波路装置及び光ファイバ増幅装置
JP3637228B2 (ja) * 1999-02-09 2005-04-13 住友電気工業株式会社 光送受信モジュール
JP2000241642A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュール
US6285043B1 (en) 1999-11-01 2001-09-04 The Boeing Company Application-specific optoelectronic integrated circuit
JP4582489B2 (ja) * 2000-01-21 2010-11-17 住友電気工業株式会社 発光装置
JP3680738B2 (ja) * 2001-01-24 2005-08-10 日本電気株式会社 波長多重光通信モジュール
US6392257B1 (en) 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
KR20030011083A (ko) 2000-05-31 2003-02-06 모토로라 인코포레이티드 반도체 디바이스 및 이를 제조하기 위한 방법
AU2001277001A1 (en) 2000-07-24 2002-02-05 Motorola, Inc. Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same
US7345316B2 (en) * 2000-10-25 2008-03-18 Shipley Company, L.L.C. Wafer level packaging for optoelectronic devices
US6932519B2 (en) 2000-11-16 2005-08-23 Shipley Company, L.L.C. Optical device package
US6827503B2 (en) * 2000-12-01 2004-12-07 Shipley Company, L.L.C. Optical device package having a configured frame
US6883977B2 (en) 2000-12-14 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Optical device package for flip-chip mounting
US20020096683A1 (en) 2001-01-19 2002-07-25 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate
US6547445B2 (en) 2001-02-06 2003-04-15 Teradyne, Inc. High-density fiber optic backplane
US6907150B2 (en) * 2001-02-07 2005-06-14 Shipley Company, L.L.C. Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby
US6885786B2 (en) * 2001-02-07 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Combined wet and dry etching process for micromachining of crystalline materials
US20030021572A1 (en) * 2001-02-07 2003-01-30 Steinberg Dan A. V-groove with tapered depth and method for making
US6964804B2 (en) * 2001-02-14 2005-11-15 Shipley Company, L.L.C. Micromachined structures made by combined wet and dry etching
US6608950B2 (en) * 2001-02-14 2003-08-19 Northrop Grumman Corporation Integrated optoelectronic device and method for making same
WO2002082551A1 (en) 2001-04-02 2002-10-17 Motorola, Inc. A semiconductor structure exhibiting reduced leakage current
US20020195417A1 (en) * 2001-04-20 2002-12-26 Steinberg Dan A. Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures
DE10144207B4 (de) * 2001-04-30 2008-05-15 Mergeoptics Gmbh Anordnung mit mindestens zwei unterschiedlichen elektronischen Halbleiterschaltungen und Verwendung der Anordnung zur schnellen Datenübertragung
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6623177B1 (en) * 2001-07-09 2003-09-23 Emc Corporation Systems and methods for providing fiber optic communications between circuit boards
US6992321B2 (en) 2001-07-13 2006-01-31 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials
EP1278086A1 (de) * 2001-07-18 2003-01-22 Alcatel Kugellinse und opto-elektronisches Modul mit derselben
US20030015770A1 (en) * 2001-07-20 2003-01-23 Motorola, Inc. Optical waveguide trenches in composite integrated circuits
US7019332B2 (en) 2001-07-20 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US6855992B2 (en) 2001-07-24 2005-02-15 Motorola Inc. Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same
US20030034491A1 (en) 2001-08-14 2003-02-20 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object
JP2003066290A (ja) * 2001-08-29 2003-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
JP2003069054A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
KR100439088B1 (ko) * 2001-09-14 2004-07-05 한국과학기술원 상호 자기 정렬된 다수의 식각 홈을 가지는 광결합 모듈및 그 제작방법
GB2379995B (en) * 2001-09-21 2005-02-02 Kamelian Ltd An optical coupling
US6818464B2 (en) * 2001-10-17 2004-11-16 Hymite A/S Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes
US20030071327A1 (en) 2001-10-17 2003-04-17 Motorola, Inc. Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator
US6574399B2 (en) * 2001-11-02 2003-06-03 Corning Incorporated Ceramic waferboard for integration of optical/optoelectronic/electronic components
US6856735B2 (en) * 2001-11-06 2005-02-15 Chromux Technologies, Inc. Tap couplers for fiber optic arrays
FR2836559B1 (fr) * 2002-02-28 2004-06-04 Schneider Electric Ind Sa Dispositif de couplage optique, sonde optique et dispositif de communication comportant un tel dispositif de couplage
JP2003303975A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Opnext Japan Inc モニタ用フォトダイオード付光モジュール。
US6657272B2 (en) * 2002-04-19 2003-12-02 Triquint Technology Holding Co. Off-axis silicon substrate for optimized optical coupling
US6916717B2 (en) 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
US6839935B2 (en) * 2002-05-29 2005-01-11 Teradyne, Inc. Methods and apparatus for cleaning optical connectors
US7440179B2 (en) * 2002-05-29 2008-10-21 Alphion Corporation SOA-MZI device fault isolation
US6762941B2 (en) 2002-07-15 2004-07-13 Teradyne, Inc. Techniques for connecting a set of connecting elements using an improved latching apparatus
DE60204561T2 (de) * 2002-07-22 2006-05-11 Agilent Technologies, Inc. (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Palo Alto Überwachungsdatenübertragung in einem optischen Kommunikationssystem
US6832858B2 (en) * 2002-09-13 2004-12-21 Teradyne, Inc. Techniques for forming fiber optic connections in a modularized manner
US7169619B2 (en) 2002-11-19 2007-01-30 Freescale Semiconductor, Inc. Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process
US6885065B2 (en) 2002-11-20 2005-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same
US6806202B2 (en) 2002-12-03 2004-10-19 Motorola, Inc. Method of removing silicon oxide from a surface of a substrate
US7042562B2 (en) * 2002-12-26 2006-05-09 Amphenol Corp. Systems and methods for inspecting an optical interface
US6965128B2 (en) 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
TW595137B (en) * 2003-03-11 2004-06-21 Delta Electronics Inc Active assembly apparatus of planer lightguide circuit
JP2004336025A (ja) * 2003-04-14 2004-11-25 Fujikura Ltd 光モジュール、光モジュール実装基板、光伝送モジュール、双方向光伝送モジュール、光モジュールの製造方法
CN100365775C (zh) 2003-05-23 2008-01-30 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 用于显微机械加工晶体材料的蚀刻方法以及由此方法制备的器件
US6985645B2 (en) * 2003-09-24 2006-01-10 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for integrally packaging optoelectronic devices, IC chips and optical transmission lines
GB0327661D0 (en) * 2003-11-28 2003-12-31 Qinetiq Ltd Optical Amplifier
US7681306B2 (en) * 2004-04-28 2010-03-23 Hymite A/S Method of forming an assembly to house one or more micro components
US7246954B2 (en) * 2004-08-09 2007-07-24 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Ltd. Pte. Opto-electronic housing and optical assembly
WO2006102917A1 (en) 2005-03-31 2006-10-05 Pirelli & C. S.P.A. Method to fabricate a redirecting mirror in optical waveguide devices
US7471855B2 (en) * 2005-07-13 2008-12-30 Alcatel-Lucent Usa Inc. Monlithically coupled waveguide and phototransistor
CN1878035B (zh) * 2006-06-05 2010-04-14 四川飞阳科技有限公司 混和集成硅基光电信号处理芯片
JP4882644B2 (ja) * 2006-08-10 2012-02-22 パナソニック電工株式会社 光電気変換装置
US8269344B2 (en) * 2008-03-28 2012-09-18 Broadcom Corporation Method and system for inter-chip communication via integrated circuit package waveguides
TWI398971B (zh) * 2009-05-27 2013-06-11 億光電子工業股份有限公司 發光二極體封裝結構
US8977088B2 (en) 2010-07-30 2015-03-10 Tyco-Electronics Corporation Interposer with alignment features
US8262297B2 (en) 2010-07-30 2012-09-11 Tyco Electronics Corporation Body having a dedicated lens for imaging an alignment feature
CN106842440A (zh) * 2012-03-05 2017-06-13 纳米精密产品股份有限公司 用于耦合光纤输入/输出的具有结构化反射表面的耦合装置
US20160274318A1 (en) 2012-03-05 2016-09-22 Nanoprecision Products, Inc. Optical bench subassembly having integrated photonic device
US8995805B2 (en) 2012-04-20 2015-03-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing a coupled photonic structure
JP5727538B2 (ja) * 2013-03-25 2015-06-03 日本電信電話株式会社 光導波路素子およびその製造方法
US9647419B2 (en) * 2014-04-16 2017-05-09 Apple Inc. Active silicon optical bench
CN115551664A (zh) * 2020-05-29 2022-12-30 欧瑞康美科（美国）公司 用于制造钎焊合金粉末的hdh (氢化-脱氢化)法
US12153269B2 (en) * 2020-12-23 2024-11-26 Intel Corporation Active optical coupler
US20250208348A1 (en) * 2022-03-28 2025-06-26 Aeponyx Inc. Wavelength locker integration methods and processes exploiting printed photonic structures

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5041559A (ja) * 1973-08-02 1975-04-16
US4114177A (en) * 1975-05-01 1978-09-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optically coupled device with diffusely reflecting enclosure
NL7505629A (nl) * 1975-05-14 1976-11-16 Philips Nv Inrichting voor het koppelen van een lichtbron met een optische vezel.
US4079404A (en) * 1976-12-30 1978-03-14 International Business Machines Corporation Self-aligning support structure for optical components
US4130343A (en) * 1977-02-22 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Coupling arrangements between a light-emitting diode and an optical fiber waveguide and between an optical fiber waveguide and a semiconductor optical detector
US4136928A (en) * 1977-05-06 1979-01-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical integrated circuit including junction laser with oblique mirror
US4186994A (en) * 1978-04-21 1980-02-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Arrangement for coupling between an electrooptic device and an optical fiber
FR2426347A1 (fr) * 1978-05-18 1979-12-14 Thomson Csf Source laser a semi-conducteur et son procede de fabrication
US4210923A (en) * 1979-01-02 1980-07-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Edge illuminated photodetector with optical fiber alignment
US4425146A (en) * 1979-12-17 1984-01-10 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Method of making glass waveguide for optical circuit
JPS5756807A (en) * 1980-09-24 1982-04-05 Canon Inc Thin film waveguide type head
DE3142918A1 (de) * 1981-10-29 1983-05-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Opto-elektrische koppelanordnung
US4500165A (en) * 1982-04-02 1985-02-19 Codenoll Technology Corporation Method and apparatus for aligning optical fibers
US4695858A (en) * 1982-07-19 1987-09-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Duplex optical communication module unit
FR2546311B1 (fr) * 1983-05-17 1986-03-28 France Etat Procede et dispositif de connexion entre une fibre optique et un composant d'optique integree comportant un guide d'onde
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
US5009476A (en) * 1984-01-16 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein
JPS61242069A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 混成光集積回路およびその製造方法
CA1255382A (en) * 1984-08-10 1989-06-06 Masao Kawachi Hybrid optical integrated circuit with alignment guides
DE3531734A1 (de) * 1985-09-05 1987-03-12 Siemens Ag Einrichtung zur positionierung eines halbleiterlasers mit selbstjustierender wirkung fuer eine anzukoppelnde glasfaser
JPS6273437A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 光学式ヘツド装置
ATE50864T1 (de) * 1985-10-16 1990-03-15 British Telecomm Fabry-perot-interferometer.
DE3687162D1 (de) * 1985-12-10 1993-01-07 Siemens Ag Integriert-optischer multiplex-demultiplex-modul fuer die optische nachrichtenuebertragung.
JP3171676B2 (ja) * 1992-06-30 2001-05-28 前田建設工業株式会社 場所打ちコンクリート水平部材の架設工法

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