JPH0735860B2 - シヤフトのシ−ル装置 - Google Patents
シヤフトのシ−ル装置Info
- Publication number
- JPH0735860B2 JPH0735860B2 JP62043752A JP4375287A JPH0735860B2 JP H0735860 B2 JPH0735860 B2 JP H0735860B2 JP 62043752 A JP62043752 A JP 62043752A JP 4375287 A JP4375287 A JP 4375287A JP H0735860 B2 JPH0735860 B2 JP H0735860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- seal chamber
- shaft
- inner seal
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Sealing Using Fluids, Sealing Without Contact, And Removal Of Oil (AREA)
- Sealing Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体製造装置、例えば、エピタキシャル
成長装置などに用いるシャフトのシール装置に関するも
のである。
成長装置などに用いるシャフトのシール装置に関するも
のである。
従来の技術 一般にシャフトをシールする方法として、オイルシー
ル、メカニカルシール、Ｏリングシールなどがあるが、
特に真空を保持するためのシール方法としては、第４図
に示す様なダブルＯリングが用いられている。
ル、メカニカルシール、Ｏリングシールなどがあるが、
特に真空を保持するためのシール方法としては、第４図
に示す様なダブルＯリングが用いられている。
第４図において、１は、シャフト、２は、リングカバ
ー、３、４は、Ｏリング、５は、第１押さえ部材、６
は、第２押さえ部材、７は、キャップ、８は、液相エピ
タキシャル成長装置の反応室で、シャフト１を直線運
動、又は、回転運動させるときは、キャップ７を回転さ
せてゆるめ、第１および第２押さえ部材５、６によるＯ
リング３、４の締めつけを解除し、又、シールする場合
には、キャップ７を前記と逆方向に回転させ、第１およ
び第２押さえ部材５、６を締めつけＯリング３、４を変
形させ、シャフト１の外周面に強く押し付ける。
ー、３、４は、Ｏリング、５は、第１押さえ部材、６
は、第２押さえ部材、７は、キャップ、８は、液相エピ
タキシャル成長装置の反応室で、シャフト１を直線運
動、又は、回転運動させるときは、キャップ７を回転さ
せてゆるめ、第１および第２押さえ部材５、６によるＯ
リング３、４の締めつけを解除し、又、シールする場合
には、キャップ７を前記と逆方向に回転させ、第１およ
び第２押さえ部材５、６を締めつけＯリング３、４を変
形させ、シャフト１の外周面に強く押し付ける。
発明が解決しようとする問題点 従来例のシャフトのシール方法では、シャフト１の移動
に伴い、シャフト１の表面に付着した酸素が、反応室８
内に侵入する現象、所謂酸素のまき込み現象が発生す
る。
に伴い、シャフト１の表面に付着した酸素が、反応室８
内に侵入する現象、所謂酸素のまき込み現象が発生す
る。
そのため、プロセス時等において、酸素の存在をきわめ
て少量でも嫌う場合、例えば、ある種のエピタキシャル
膜を成長せしめる場合にはこの方法を用いるとデバイス
の歩留りが、あまり良くない。
て少量でも嫌う場合、例えば、ある種のエピタキシャル
膜を成長せしめる場合にはこの方法を用いるとデバイス
の歩留りが、あまり良くない。
この発明は、上記事情に鑑み、シャフトが運動しても外
部から反応室内へ異分子が侵入しないようにすることを
目的とする。
部から反応室内へ異分子が侵入しないようにすることを
目的とする。
問題点を解決するための手段 この発明は、反応室の端部を閉鎖する壁部と、該壁部の
内側に設けられた給排口付内シール室と、該壁部の外側
に前記内シール室と対向して設けられた給排口付外シー
ル室と、該内シール室と壁部と外シール室とを貫通する
シャフトと、該シャフトが嵌着され、かつ外シール室内
に突出する支持アームと、該支持アームの先端部に設け
られたシール部材とを備えたシャフトのシール装置であ
って；前記内シール室内に反応室のキャリアガスと同等
のガスが給気口から導入されるとともに排気口から排出
され、該内シール室内の圧力が前記反応室内のそれより
も低く維持され、外シール室が真空引きされることを特
徴とするシャフトのシール装置である。
内側に設けられた給排口付内シール室と、該壁部の外側
に前記内シール室と対向して設けられた給排口付外シー
ル室と、該内シール室と壁部と外シール室とを貫通する
シャフトと、該シャフトが嵌着され、かつ外シール室内
に突出する支持アームと、該支持アームの先端部に設け
られたシール部材とを備えたシャフトのシール装置であ
って；前記内シール室内に反応室のキャリアガスと同等
のガスが給気口から導入されるとともに排気口から排出
され、該内シール室内の圧力が前記反応室内のそれより
も低く維持され、外シール室が真空引きされることを特
徴とするシャフトのシール装置である。
作用 外シール室の給口を開、排口を閉にし、真空引きしなが
ら反応室内を真空排気した後、プロセスを開始するが、
この時、給口及び排口を開にし、外シール室に不活性ガ
スを流しながらシャフトを運動させ、シャフトの表面に
付着してシール部からリークした酸素を不活性ガスで引
きながら、外部に排出させる。
ら反応室内を真空排気した後、プロセスを開始するが、
この時、給口及び排口を開にし、外シール室に不活性ガ
スを流しながらシャフトを運動させ、シャフトの表面に
付着してシール部からリークした酸素を不活性ガスで引
きながら、外部に排出させる。
実施例 この発明の一実施例を添付図面により説明するが、同一
図面符号は、その名称も機能も同一である。
図面符号は、その名称も機能も同一である。
第１図において、10は、液相エピタキシャル成長装置の
反応室で、この反応室の内壁11には、内シール室12、例
えば、ガス室が気密に設けられ、又、その外壁13には、
外シール室14、例えば、シール予備室が気密に設けられ
ている。
反応室で、この反応室の内壁11には、内シール室12、例
えば、ガス室が気密に設けられ、又、その外壁13には、
外シール室14、例えば、シール予備室が気密に設けられ
ている。
内シール室12および外シール室14には、夫々インレット
配管15、16とアウトレット配管17、18が接続されてい
る。
配管15、16とアウトレット配管17、18が接続されてい
る。
これらの配管15、16には、インレットバルブ15V、16Vが
設けられ、又、配管1718には、アウトバレブ17V、18Vが
設けられている。
設けられ、又、配管1718には、アウトバレブ17V、18Vが
設けられている。
20は、シャフトで、このシャフト20は、内シール室12と
反応室の壁部19と外シール室14とを貫通して設けられ、
壁部19の貫通部とシャフト20との間および外シール室14
の貫通部とシャフト20との間には、夫々シール部材21、
22が設けられている。シール部材21は外シール室14内に
突出する室内支持アームの先端に設けられた壁部19から
離されている。反応室10の熱は内シール室12により壁部
19の貫通部への直接の伝熱が防止され、更に支持アーム
によりシール部材21への伝熱が防止される。そのためシ
ール部材21の熱損傷を防止できる。
反応室の壁部19と外シール室14とを貫通して設けられ、
壁部19の貫通部とシャフト20との間および外シール室14
の貫通部とシャフト20との間には、夫々シール部材21、
22が設けられている。シール部材21は外シール室14内に
突出する室内支持アームの先端に設けられた壁部19から
離されている。反応室10の熱は内シール室12により壁部
19の貫通部への直接の伝熱が防止され、更に支持アーム
によりシール部材21への伝熱が防止される。そのためシ
ール部材21の熱損傷を防止できる。
シール部材22は外シール室から突出する室外支持アーム
の先端に設けられている。
の先端に設けられている。
このように室内支持アーム室外支持アームを設けると、
石英等で形成されているシャフトを該支持アームで保持
できるのでシャフトを安定して摺動することができる。
石英等で形成されているシャフトを該支持アームで保持
できるのでシャフトを安定して摺動することができる。
このシール部材21、22は、夫々２つのＯリング23〜24、
25〜26、即ち、ダブルＯリングを備えており、キャップ
27、28が所定方向に回転すると、押さえ部材29、30が押
圧され、Ｏリング23〜26が締めつけられてシール力が強
くなるが、その逆に回転すると、Ｏリング23〜26の締め
つけが弱まりシール力が弱まる。
25〜26、即ち、ダブルＯリングを備えており、キャップ
27、28が所定方向に回転すると、押さえ部材29、30が押
圧され、Ｏリング23〜26が締めつけられてシール力が強
くなるが、その逆に回転すると、Ｏリング23〜26の締め
つけが弱まりシール力が弱まる。
次に、この実施例の作動について説明する。反応室10の
蓋31を開けカーボンボート32を挿入した後、蓋31を閉
じ、排気手段（図示せず）を開いて、反応室内を真空に
してキャリアガス、例えば、水素H2を導入する。
蓋31を開けカーボンボート32を挿入した後、蓋31を閉
じ、排気手段（図示せず）を開いて、反応室内を真空に
してキャリアガス、例えば、水素H2を導入する。
そして、ベント配管33の検出器（図示せず）により室内
の酸素濃度を測定し、所定値以下の酸素濃度になったこ
とを確認した後、プロセスを開始する。
の酸素濃度を測定し、所定値以下の酸素濃度になったこ
とを確認した後、プロセスを開始する。
反応室内を真空排気する時には、インレットバルブ15
V、16Vを閉、アウトレットバルブ17V、18Vを開にして、
内シール室12と外シール室14を真空引きし、シャフト20
のシール部からリークした酸素O2を室外に排出させる。
V、16Vを閉、アウトレットバルブ17V、18Vを開にして、
内シール室12と外シール室14を真空引きし、シャフト20
のシール部からリークした酸素O2を室外に排出させる。
一方、プロセス（成膜）をする場合には、シャフト20を
間欠的に直線運動させるが、この時インレットバルブ16
Vを閉、アウトレッドバルブ18Vを開にして外シール室14
を真空引きすると共に、インレットバルブ17Vを開と
し、内シール室12へキャリアガスと同等の水素H2を導入
するので、シール部材22からリークして、外シール室14
に侵入した酸素はアウトレット配管18から室外に排出さ
れ、又外シール室14内に酸素が残っていて、シール部材
21からリークし、内シール室12に侵入しても、その酸素
は、アウトレット配管から室外に排出される。
間欠的に直線運動させるが、この時インレットバルブ16
Vを閉、アウトレッドバルブ18Vを開にして外シール室14
を真空引きすると共に、インレットバルブ17Vを開と
し、内シール室12へキャリアガスと同等の水素H2を導入
するので、シール部材22からリークして、外シール室14
に侵入した酸素はアウトレット配管18から室外に排出さ
れ、又外シール室14内に酸素が残っていて、シール部材
21からリークし、内シール室12に侵入しても、その酸素
は、アウトレット配管から室外に排出される。
なお、内シール室12は、反応室10の水素H2が、若干、室
内に流れ込む程度の内圧を維持している。
内に流れ込む程度の内圧を維持している。
又、この時インレットバルブ16V、アウトレッドバルブ1
8Vを開にし、外シール室14に不活性ガス、例えば、N2、
Ar等を導入すると共にインレットバルブ15V、アウトレ
ッドバルブ17Vを開にし内シール室12へキャリアガスと
同等の水素H2を導入しても良い。
8Vを開にし、外シール室14に不活性ガス、例えば、N2、
Ar等を導入すると共にインレットバルブ15V、アウトレ
ッドバルブ17Vを開にし内シール室12へキャリアガスと
同等の水素H2を導入しても良い。
なお、図において34は、キャリアガス導入管、35は、反
応室10内を加熱するヒータ、36は、Ｏリング、37は、メ
ルト用シャフトである。
応室10内を加熱するヒータ、36は、Ｏリング、37は、メ
ルト用シャフトである。
この発明の実施例は、上記に限定されるものではなく、
例えば、シール部材を第３図に示す様に、構成してもよ
い。
例えば、シール部材を第３図に示す様に、構成してもよ
い。
即ち、シャフト20に嵌着され、半径方向に弾状変形する
弾性部材40と、該部材40の外周に設けられ、かつ、給排
口41を備えた流体室42とによりシール部材を構成し、こ
れを反応室の壁部19にボルト43で固定し、給排口41から
流体、例えば、空気を流体室42に供給し、弾性部材40を
半径方向に押圧してシャフト20に押し付けシールするも
ので、流体室42の内圧を変化させることによりシール力
の強さを容易に調整することができる。
弾性部材40と、該部材40の外周に設けられ、かつ、給排
口41を備えた流体室42とによりシール部材を構成し、こ
れを反応室の壁部19にボルト43で固定し、給排口41から
流体、例えば、空気を流体室42に供給し、弾性部材40を
半径方向に押圧してシャフト20に押し付けシールするも
ので、流体室42の内圧を変化させることによりシール力
の強さを容易に調整することができる。
発明の効果 この発明は、以上のように構成したので、次のような顕
著な効果を奏する。
著な効果を奏する。
（１）内シール室内に反応室のキャリアガスと同等のガ
スが給気口から導入されるとともに排気口から排出さ
れ、該内シール室内の圧力が前記反応室内のそれよりも
低く維持されているので、内シール室から反応室内へガ
スが侵入することを防止できる。
スが給気口から導入されるとともに排気口から排出さ
れ、該内シール室内の圧力が前記反応室内のそれよりも
低く維持されているので、内シール室から反応室内へガ
スが侵入することを防止できる。
又、仮に外シール室から酸素等の異分子が内シール室内
に侵入しても室内を流れるガスにより室外に排出され
る。
に侵入しても室内を流れるガスにより室外に排出され
る。
（２）外シール室内に突出する支持アームの先端にシー
ル部材を設けるとともに、外シール室内の圧力が真空引
きにより内シール室内の圧力より低く維持されているの
で、外シール室内に侵入した酸素等の異分子はシール部
材により内シール室内への侵入が防止されるとともに、
真空引きにより室外に排出される。
ル部材を設けるとともに、外シール室内の圧力が真空引
きにより内シール室内の圧力より低く維持されているの
で、外シール室内に侵入した酸素等の異分子はシール部
材により内シール室内への侵入が防止されるとともに、
真空引きにより室外に排出される。
この時、内シール室の内圧より外シール室のそれが低い
ので、該異分子がシール部材を通って内シール室に侵入
することは困難となる。
ので、該異分子がシール部材を通って内シール室に侵入
することは困難となる。
又、仮に該異分子が内シール室に侵入したとしても前述
の様に内シール室内を流れるガスにより室外に排出され
るので反応室内に侵入することはない。
の様に内シール室内を流れるガスにより室外に排出され
るので反応室内に侵入することはない。
（３）シール部材は外シール室内に突出する支持アーム
の先端部に設けられているので、反応室内の熱は内シー
ル室、壁室、支持アームを介してシール部材に到達す
る。そのため、シール部材への伝熱が少ないので、熱破
損を防止できる。
の先端部に設けられているので、反応室内の熱は内シー
ル室、壁室、支持アームを介してシール部材に到達す
る。そのため、シール部材への伝熱が少ないので、熱破
損を防止できる。
（４）反応室内に酸素が侵入することがないので、この
装置を酸素の存在を極端に嫌うエピタキシャル成長装置
などに用いると、デバイスの歩留りを向上させることが
できる。
装置を酸素の存在を極端に嫌うエピタキシャル成長装置
などに用いると、デバイスの歩留りを向上させることが
できる。
第１図は、この発明の実施例を示す縦断面図第２図は、
使用状態を示す図、第３図は、他の実施例を示す縦断面
図、第４図は、従来例を示す縦断面図である。 10……反応室 12……内シール室 14……外シール室 19……壁部 20……シャフト
使用状態を示す図、第３図は、他の実施例を示す縦断面
図、第４図は、従来例を示す縦断面図である。 10……反応室 12……内シール室 14……外シール室 19……壁部 20……シャフト
Claims (1)
- 【請求項１】反応室の端部を閉鎖する壁部と、該壁部の
内側に設けられた給排口付内シール室と、 該壁部の外側に前記内シール室と対向して設けられた給
排口付外シール室と、 該内シール室と壁部と外シール室とを貫通するシャフト
と、 該シャフトが嵌着され、かつ、外シール室内に突出する
支持アームと、 該支持アームの先端部に設けられたシール部材とを備え
たシャフトのシール装置であって： 前記内シール室内に反応室のキャリアガスと同等のガス
が給気口から導入されるとともに排気口から排出され、
該内シール室内の圧力が前記反応室内のそれよりも低く
維持され、外シール室が真空引きされることを特徴とす
るシャフトのシール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62043752A JPH0735860B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | シヤフトのシ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62043752A JPH0735860B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | シヤフトのシ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210471A JPS63210471A (ja) | 1988-09-01 |
| JPH0735860B2 true JPH0735860B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=12672498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62043752A Expired - Fee Related JPH0735860B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | シヤフトのシ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735860B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5189955A (en) * | 1975-02-04 | 1976-08-06 | Kadobubunno shiirusochi | |
| JPS5752453Y2 (ja) * | 1978-03-13 | 1982-11-15 | ||
| JPS5759736Y2 (ja) * | 1978-06-05 | 1982-12-20 | ||
| JPS58184058U (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-07 | 石川島播磨重工業株式会社 | 回転機械のガス漏洩防止装置 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP62043752A patent/JPH0735860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210471A (ja) | 1988-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5356113A (en) | Isolation valve for single crystal pulling apparatus | |
| JPH04269822A (ja) | 熱処理装置の封止構造 | |
| KR870001653A (ko) | 화합물 반도체의 에피텍셜층 성장용의 화학적 유기금속 기상 성장장치 | |
| JP2002334868A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2001015440A (ja) | 半導体製造方法及び装置 | |
| JP3856397B2 (ja) | 半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置 | |
| JPS63210471A (ja) | シヤフトのシ−ル装置 | |
| JPH085549Y2 (ja) | 高品質酸化用外部燃焼ユニット | |
| JP2893588B2 (ja) | 真空炉の蓋の固定方法 | |
| JP3463785B2 (ja) | 封止装置および処理装置 | |
| JPS5841656B2 (ja) | ハンドウタイキソウセイチヨウソウチ | |
| JPH087625Y2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2510047B2 (ja) | 超高真空化学蒸着反応装置 | |
| JPH0714642U (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH1116846A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4364962B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3227280B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS634957Y2 (ja) | ||
| JPH0774104A (ja) | 反応炉 | |
| JP2591590B2 (ja) | 拡散装置の反応ガス導入管と反応管との接合部構造 | |
| JPH0547974B2 (ja) | ||
| JPH01319930A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0316121A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH05280647A (ja) | 真空シール方法 | |
| JP3569376B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |