JPH0736952B2 - メタライズ金属層の表面被覆構造 - Google Patents
メタライズ金属層の表面被覆構造Info
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- JPH0736952B2 JPH0736952B2 JP61283391A JP28339186A JPH0736952B2 JP H0736952 B2 JPH0736952 B2 JP H0736952B2 JP 61283391 A JP61283391 A JP 61283391A JP 28339186 A JP28339186 A JP 28339186A JP H0736952 B2 JPH0736952 B2 JP H0736952B2
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- metallized metal
- metallized
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメタライズ金属層の表面被覆構造に関し、より
詳細には半導体集積回路素子を収納する半導体素子収納
用パッケージや多層配線基板等の電子部品におけるメタ
ライズ金属層の表面被覆構造に関するものである。
詳細には半導体集積回路素子を収納する半導体素子収納
用パッケージや多層配線基板等の電子部品におけるメタ
ライズ金属層の表面被覆構造に関するものである。
従来、電子部品、例えば半導体集積回路素子を収納する
ためのリードレスパッケージ（チップキャリア）は第２
図に示すようにセラミック、ガラス等の電気絶縁材料か
ら成り，その上面に蓋体をロウ付けするための、また外
周部、即ち側面及び底面に半導体集積回路素子を外部電
気回路に接続するためのタングステン（Ｗ）、モリブデ
ン（Mo）等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属層
12a,12bを形成した絶縁基体11と蓋体13とから構成され
ており、絶縁基体11と蓋体13から成る絶縁容器内部に半
導体集積回路素子14を収納するとともに蓋体13を絶縁基
体11にロウ付けし絶縁容器の内部を気密封止することに
よって半導体装置となる。
ためのリードレスパッケージ（チップキャリア）は第２
図に示すようにセラミック、ガラス等の電気絶縁材料か
ら成り，その上面に蓋体をロウ付けするための、また外
周部、即ち側面及び底面に半導体集積回路素子を外部電
気回路に接続するためのタングステン（Ｗ）、モリブデ
ン（Mo）等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属層
12a,12bを形成した絶縁基体11と蓋体13とから構成され
ており、絶縁基体11と蓋体13から成る絶縁容器内部に半
導体集積回路素子14を収納するとともに蓋体13を絶縁基
体11にロウ付けし絶縁容器の内部を気密封止することに
よって半導体装置となる。
この従来のチップキャリアは内部に収納した半導体集積
回路素子14を外部電気回路に接続するために絶縁基体11
底面部のメタライズ金属層12bは外部電気配線基板15の
配線導体16にロウ材17を介しロウ付け取着され、絶縁基
体11底面部のメタライズ金属層12bにはその表面にロウ
付け強度を強固とするためのニッケル（Ni）及び金（A
u）から成る金属層がめっきにより被覆されている。
回路素子14を外部電気回路に接続するために絶縁基体11
底面部のメタライズ金属層12bは外部電気配線基板15の
配線導体16にロウ材17を介しロウ付け取着され、絶縁基
体11底面部のメタライズ金属層12bにはその表面にロウ
付け強度を強固とするためのニッケル（Ni）及び金（A
u）から成る金属層がめっきにより被覆されている。
また同時に絶縁基体11上面のメタライズ金属層12aにも
蓋体13のロウ付けを強固とし、絶縁容器の気密封止を完
全とするためにロウ材の濡れ性が良いニッケル（Ni）及
び金（Au）がめっきにより被覆されている。
蓋体13のロウ付けを強固とし、絶縁容器の気密封止を完
全とするためにロウ材の濡れ性が良いニッケル（Ni）及
び金（Au）がめっきにより被覆されている。
しかしながら、絶縁基体11には直接めっきができないこ
と及びめっき液の循環が悪いこと等からメタライズ金属
層12a,12bの側面で絶縁基体11表面近傍部分にはニッケ
ルめっき層を被覆させることができず、ニッケルめっき
層と絶縁基体11との間にわずかな隙間が形成される。そ
のためにこの隙間の一部に大気中に含まれる水分等が付
着するとニッケルめっき層に酸素濃度の相違に起因する
隙間腐蝕作用を生じ、ニッケルめっき層に酸化物（錆）
や水酸化物を生成し変色させることがある。
と及びめっき液の循環が悪いこと等からメタライズ金属
層12a,12bの側面で絶縁基体11表面近傍部分にはニッケ
ルめっき層を被覆させることができず、ニッケルめっき
層と絶縁基体11との間にわずかな隙間が形成される。そ
のためにこの隙間の一部に大気中に含まれる水分等が付
着するとニッケルめっき層に酸素濃度の相違に起因する
隙間腐蝕作用を生じ、ニッケルめっき層に酸化物（錆）
や水酸化物を生成し変色させることがある。
更にこの酸化物（錆）及び水酸化物は導電性で、かつ拡
散し易いという性質を有することから、例えば多数のメ
タライズ金属層12bが近接して形成されているチップキ
ャリアにおいては前記酸化物（錆）や水酸化物の拡散に
より隣接するメタライズ金属層12b間が短絡し、電子部
品としての機能に支障を来すという重大な欠点を誘発す
る。
散し易いという性質を有することから、例えば多数のメ
タライズ金属層12bが近接して形成されているチップキ
ャリアにおいては前記酸化物（錆）や水酸化物の拡散に
より隣接するメタライズ金属層12b間が短絡し、電子部
品としての機能に支障を来すという重大な欠点を誘発す
る。
そこで、かかる欠点を解消するために、メタライズ金属
層の表面に被覆されるニッケルの金属層に代えて、化学
的に安定で導電性の錆を発生することがなく、ロウ材と
極めて反応性（濡れ性）の良い白金、パラジウム（Pd）
もしくはそれらの合金を主成分とする金属層をめっきに
より被覆させることを本出願人は先に提案した。
層の表面に被覆されるニッケルの金属層に代えて、化学
的に安定で導電性の錆を発生することがなく、ロウ材と
極めて反応性（濡れ性）の良い白金、パラジウム（Pd）
もしくはそれらの合金を主成分とする金属層をめっきに
より被覆させることを本出願人は先に提案した。
しかしながら、上記白金、パラジウムもしくはそれらの
合金を主成分とする金属層を直接タングステン，モリブ
デン等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属層上に
めっきにより形成すると、該めっき金属層における隙間
腐蝕作用は有効に防止し得るものの、白金、パラジウム
もしくはそれらの合金を主成分とする金属は均一電着性
に劣ることからメタライズ金属層上に均一厚みに被覆さ
せることができず、そのため、めっき金属層に外部より
機械的な応力が印加されると該めっき金属層の一部がメ
タライズ金属層より剥離し、これが半導体集積回路素子
の特性をチェックするバーンインテスト（半導体集積回
路素子に高温の熱履歴を加えて特性変化を調べるテス
ト）等を行った場合に助長されて、めっき金属層のうち
蓋体がロウ付けされる部位や外部電気回路の配線導体に
ロウ付けされる部分のものがメタライズ金属層より完全
に剥離してしまい、その結果、半導体装置の外部電気回
路への取着接続が不完全となったり、絶縁容器の気密封
止が破れるという問題を有していた。
合金を主成分とする金属層を直接タングステン，モリブ
デン等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属層上に
めっきにより形成すると、該めっき金属層における隙間
腐蝕作用は有効に防止し得るものの、白金、パラジウム
もしくはそれらの合金を主成分とする金属は均一電着性
に劣ることからメタライズ金属層上に均一厚みに被覆さ
せることができず、そのため、めっき金属層に外部より
機械的な応力が印加されると該めっき金属層の一部がメ
タライズ金属層より剥離し、これが半導体集積回路素子
の特性をチェックするバーンインテスト（半導体集積回
路素子に高温の熱履歴を加えて特性変化を調べるテス
ト）等を行った場合に助長されて、めっき金属層のうち
蓋体がロウ付けされる部位や外部電気回路の配線導体に
ロウ付けされる部分のものがメタライズ金属層より完全
に剥離してしまい、その結果、半導体装置の外部電気回
路への取着接続が不完全となったり、絶縁容器の気密封
止が破れるという問題を有していた。
本発明は前記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
半導体集積回路素子をチェックするバーンインテスト等
を行ったとしても絶縁容器の気密封止が破れることがな
く、また半導体装置等の電子部品を外部電気回路に確実
に接続することが可能なメタライズ金属層の表面被覆構
造を提供することにある。
半導体集積回路素子をチェックするバーンインテスト等
を行ったとしても絶縁容器の気密封止が破れることがな
く、また半導体装置等の電子部品を外部電気回路に確実
に接続することが可能なメタライズ金属層の表面被覆構
造を提供することにある。
本発明は絶縁基体上のメタライズ金属層表面に、コバル
ト（Co）を主成分とする第１の金属層と白金（Pt）を主
成分とする第２の金属層との少なくとも二層から成る金
属層を層着被覆したことを特徴とするものである。
ト（Co）を主成分とする第１の金属層と白金（Pt）を主
成分とする第２の金属層との少なくとも二層から成る金
属層を層着被覆したことを特徴とするものである。
本発明においてメタライズ金属層表面に、コバルトを主
成分とする第１の金属層を設け、その上に白金を主成分
とする第２の金属層を層着被覆した場合、該コバルはメ
タライズ金属層及び白金を主成分とする金属層のいずれ
とも密着力大として層着被覆することができ、かつニッ
ケルと比較して前記隙間腐蝕作用を受け難いという特性
を有し、更に化学的に安定な金属層を得ることができ
る。
成分とする第１の金属層を設け、その上に白金を主成分
とする第２の金属層を層着被覆した場合、該コバルはメ
タライズ金属層及び白金を主成分とする金属層のいずれ
とも密着力大として層着被覆することができ、かつニッ
ケルと比較して前記隙間腐蝕作用を受け難いという特性
を有し、更に化学的に安定な金属層を得ることができ
る。
次に本発明を第１図に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明のメタライズ金属層の表面被覆構造を説
明するためにチップキャリア（半導体集積回路素子を収
納するためのリードレスパッケージ）を例にとって示し
た要部拡大断面図である。図において、１はセラミッ
ク，ガラス等の電気絶縁材料から成る絶縁基体、５は蓋
体である。この絶縁基体１と蓋体５で半導体集積回路素
子６を収納する絶縁容器を構成する。前記絶縁基体１は
その上面中央部に半導体集積回路素子６を収納するため
の空所を形成する段状の凹部を有しており、凹部底面に
半導体集積回路素子６が接着材を介し取着されている。
明するためにチップキャリア（半導体集積回路素子を収
納するためのリードレスパッケージ）を例にとって示し
た要部拡大断面図である。図において、１はセラミッ
ク，ガラス等の電気絶縁材料から成る絶縁基体、５は蓋
体である。この絶縁基体１と蓋体５で半導体集積回路素
子６を収納する絶縁容器を構成する。前記絶縁基体１は
その上面中央部に半導体集積回路素子６を収納するため
の空所を形成する段状の凹部を有しており、凹部底面に
半導体集積回路素子６が接着材を介し取着されている。
また、前記絶縁基体１には凹部底面及び凹部段状上面か
ら側面を介し底面にかけてメタライズ金属層２が形成さ
れており、メタライズ金属層２の凹部段状上面部には半
導体集積回路素子６の電極がワイヤ７を介し電気的に接
続される。
ら側面を介し底面にかけてメタライズ金属層２が形成さ
れており、メタライズ金属層２の凹部段状上面部には半
導体集積回路素子６の電極がワイヤ７を介し電気的に接
続される。
前記メタライズ金属層２はタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末から成り、従来周知のスクリーン印刷
等の厚膜手法を採用することによって絶縁基体１の外周
部に形成される。
の高融点金属粉末から成り、従来周知のスクリーン印刷
等の厚膜手法を採用することによって絶縁基体１の外周
部に形成される。
また、前記メタライズ金属層２の絶縁基体１凹部底面
部、段状上面部及び側底面部にはコバルトを主成分とす
る第１の金属層３と白金を主成分とする第２の金属層４
がそれぞれめっき等により層着されており、メタライズ
金属層２はコバルトを主成分とする金属層と白金を主成
分とする金属層の二層により被覆されている。
部、段状上面部及び側底面部にはコバルトを主成分とす
る第１の金属層３と白金を主成分とする第２の金属層４
がそれぞれめっき等により層着されており、メタライズ
金属層２はコバルトを主成分とする金属層と白金を主成
分とする金属層の二層により被覆されている。
また、前記絶縁基体１の上面にはセラミック、ガラス等
の電気絶縁材料から成るシールリング８が取着されてお
り、該シールリング８の上面にはメタライズ金属層2aが
前記手法と同様の手法により形成され、その上面部には
コバルトを主成分とする第１の金属層3aと白金を主成分
とする第２の金属層4aが層着被覆されている。
の電気絶縁材料から成るシールリング８が取着されてお
り、該シールリング８の上面にはメタライズ金属層2aが
前記手法と同様の手法により形成され、その上面部には
コバルトを主成分とする第１の金属層3aと白金を主成分
とする第２の金属層4aが層着被覆されている。
前記第２の金属層4a上にはコバール（Fe−Ni−Co合金）
に金（Au）めっきを施した蓋体５が金（Au）−スズ（S
n）合金のロウ材を介して取着されており、これにより
チップキャリア内部の空所は外気から完全に気密に封止
され最終製品である半導体装置となる。
に金（Au）めっきを施した蓋体５が金（Au）−スズ（S
n）合金のロウ材を介して取着されており、これにより
チップキャリア内部の空所は外気から完全に気密に封止
され最終製品である半導体装置となる。
かくして、本発明によれば絶縁容器の外周部及びシール
リングの上面部に形成したメタライズ金属層表面に密着
力が大であるコバルトを主成分とする金属層と化学的に
安定な白金を主成分とする金属層を少なくとも二層設け
たことにより、隙間腐蝕作用を受けることは勿論、メタ
ライズ金属層とめっき金属層の密着強度を大としてめっ
き金属層がメタライズ金属層より剥離するのを皆無とな
し、同時に絶縁基体と蓋体のロウ付け及び半導体装置と
外部電気配線基板とのロウ付けを極めて強固となすこと
ができる。
リングの上面部に形成したメタライズ金属層表面に密着
力が大であるコバルトを主成分とする金属層と化学的に
安定な白金を主成分とする金属層を少なくとも二層設け
たことにより、隙間腐蝕作用を受けることは勿論、メタ
ライズ金属層とめっき金属層の密着強度を大としてめっ
き金属層がメタライズ金属層より剥離するのを皆無とな
し、同時に絶縁基体と蓋体のロウ付け及び半導体装置と
外部電気配線基板とのロウ付けを極めて強固となすこと
ができる。
尚、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、
例えばリード付きの半導体素子収納用パッケージや多層
配線基板等のメタライズ金属層を有する電子部品にも適
用することができる。
例えばリード付きの半導体素子収納用パッケージや多層
配線基板等のメタライズ金属層を有する電子部品にも適
用することができる。
次に本発明の作用効果を以下に示す実験例に基づき説明
する。
する。
（Ｉ）評価試料 アルミナから成る生セラミック体を第１図に示すチップ
キャリアの形状に合わせて成型するとともにその底面に
長さ1.5mm,幅0.5mm,厚み20μｍのパターンを40個、また
上面に幅1.2mm,厚み20μｍの環状のパターン１個をタン
グステン、モリブデン，マンガン等から成るメタライズ
用ペーストを使用して印刷形成するとともにこれを還元
雰囲気（窒素−水素雰囲気）中、約1400〜1600℃の温度
で焼成し、セラミック体表面にメタライズ金属層を形成
する。次に前記各メタライズ金属層表面に第１表に示す
如く白金，コバルト，ニッケル−金をめっきにより被覆
させたもの（以上，比較例）及びコバルト−白金めっき
により被覆させたもの（本発明品）を製作し、これを各
評価テスト用の試料として夫々100個準備した。
キャリアの形状に合わせて成型するとともにその底面に
長さ1.5mm,幅0.5mm,厚み20μｍのパターンを40個、また
上面に幅1.2mm,厚み20μｍの環状のパターン１個をタン
グステン、モリブデン，マンガン等から成るメタライズ
用ペーストを使用して印刷形成するとともにこれを還元
雰囲気（窒素−水素雰囲気）中、約1400〜1600℃の温度
で焼成し、セラミック体表面にメタライズ金属層を形成
する。次に前記各メタライズ金属層表面に第１表に示す
如く白金，コバルト，ニッケル−金をめっきにより被覆
させたもの（以上，比較例）及びコバルト−白金めっき
により被覆させたもの（本発明品）を製作し、これを各
評価テスト用の試料として夫々100個準備した。
そして次に、上記評価試料を使用して以下の評価テスト
を行った。その結果を第１表に示す。
を行った。その結果を第１表に示す。
（II）隙間腐蝕テスト 上記評価試料25個を、半導体集積回路素子を取着する際
に印加される温度及び絶縁容器を気密封止する際に印加
される温度を想定して順次、450℃の温度に２分間、430
℃の温度に10分間保持し、その後、MIL−STD−883−100
4に規定の温湿度サイクル試験を240時間（10サイクル）
行うとともにメタライズ金属層及びその表面に施しため
っき層を顕微鏡により観察し、変色しているものの数を
調べて、変色の発生率を算出した。
に印加される温度及び絶縁容器を気密封止する際に印加
される温度を想定して順次、450℃の温度に２分間、430
℃の温度に10分間保持し、その後、MIL−STD−883−100
4に規定の温湿度サイクル試験を240時間（10サイクル）
行うとともにメタライズ金属層及びその表面に施しため
っき層を顕微鏡により観察し、変色しているものの数を
調べて、変色の発生率を算出した。
（III）半田付け性テスト 上記評価試料25個を前記（II）隙間腐蝕テストと同様順
次、450℃の温度に２分間,430℃の温度に10分間保持
し、その後MIL−STD−883C 2003.2の半田付着度に規定
された方法により、評価試料表面を８時間水蒸気に曝
し、245±５℃に制御された溶融状態の共晶半田中に５
秒間浸漬し、メタライズ金属層に対する半田の濡れ面積
が95％以上のものを良品とし、その百分率を求めた。
次、450℃の温度に２分間,430℃の温度に10分間保持
し、その後MIL−STD−883C 2003.2の半田付着度に規定
された方法により、評価試料表面を８時間水蒸気に曝
し、245±５℃に制御された溶融状態の共晶半田中に５
秒間浸漬し、メタライズ金属層に対する半田の濡れ面積
が95％以上のものを良品とし、その百分率を求めた。
（IV）ロウ付け強度テスト 上記評価試料25個を前記（II）隙間腐蝕テストと同様順
次、450℃の温度に２分間,430℃の温度に10分間保持
し、その後、各試料底面のメタライズ金属層に直径0.5m
mφの銅線を半田により取着する。次にこれを半導体集
積回路の特性をチェックするバーンインテストを想定し
て175℃の温度に168時間保持し、その後、銅線をメタラ
イズ金属層に対し垂直方向に引張ってロウ付け強度を調
べ、その平値を算出した。
次、450℃の温度に２分間,430℃の温度に10分間保持
し、その後、各試料底面のメタライズ金属層に直径0.5m
mφの銅線を半田により取着する。次にこれを半導体集
積回路の特性をチェックするバーンインテストを想定し
て175℃の温度に168時間保持し、その後、銅線をメタラ
イズ金属層に対し垂直方向に引張ってロウ付け強度を調
べ、その平値を算出した。
（Ｖ）気密封止テスト 上記評価試料25個を前記（II）隙間腐蝕テストと同様、
450℃の温度に２分間保持した後、試料上面の環状メタ
ライズ金属層に金−スズ合金のロウ材を用いて金めっき
されたコバールの板を接合し、絶縁基体の内部空所を気
密に封止する。そしてその後、−65℃と＋150℃の温度
サイクルを30サイクル、3000Gの衝撃試験を10サイクル
及びバーンインテストを想定して175℃の温度に168時間
保持し、しかる後、ヘリウム（He）ガスを利用したリー
ク検査装置により絶縁基体の内部空所の気密性を調べ良
品率を算出した。
450℃の温度に２分間保持した後、試料上面の環状メタ
ライズ金属層に金−スズ合金のロウ材を用いて金めっき
されたコバールの板を接合し、絶縁基体の内部空所を気
密に封止する。そしてその後、−65℃と＋150℃の温度
サイクルを30サイクル、3000Gの衝撃試験を10サイクル
及びバーンインテストを想定して175℃の温度に168時間
保持し、しかる後、ヘリウム（He）ガスを利用したリー
ク検査装置により絶縁基体の内部空所の気密性を調べ良
品率を算出した。
第１表から判るように、従来のメタライズ金属層表面に
ニッケル−金の金属層をめっきにより被覆させた試料番
号15はニッケルの熱拡散及び隙間腐蝕作用により変色の
発生率が84％と高く、半田付け良品率が24％と極めて低
く、気密封止の良品率も92％と低い。またコバルトの金
属層のみを形成した試料番号14はコバルトの金属層表面
の著しい酸化のため、変色発生率は100％となり、ロウ
付け強度も2.1Kg/mm2と低く、半田付け性、気密封止の
いずれも極めて不良率が高い。
ニッケル−金の金属層をめっきにより被覆させた試料番
号15はニッケルの熱拡散及び隙間腐蝕作用により変色の
発生率が84％と高く、半田付け良品率が24％と極めて低
く、気密封止の良品率も92％と低い。またコバルトの金
属層のみを形成した試料番号14はコバルトの金属層表面
の著しい酸化のため、変色発生率は100％となり、ロウ
付け強度も2.1Kg/mm2と低く、半田付け性、気密封止の
いずれも極めて不良率が高い。
一方、メタライズ金属層表面に直接白金の金属層を設け
た試料番号１では白金の均一電着性に劣ることに起因し
て、ロウ付け強度が1.9Kg/mm2と極めて低く、気密封止
の良品率も76％と低い。
た試料番号１では白金の均一電着性に劣ることに起因し
て、ロウ付け強度が1.9Kg/mm2と極めて低く、気密封止
の良品率も76％と低い。
これらに対し、本発明によれば変色発生率は皆無であ
り、またロウ付け強度は3.7Kg/mm2以上と高く、半田付
け良品率も96％以上と優れ、気密封止の良品率がいずれ
も100％と極めて高く、良好な特性であることが判明し
た。
り、またロウ付け強度は3.7Kg/mm2以上と高く、半田付
け良品率も96％以上と優れ、気密封止の良品率がいずれ
も100％と極めて高く、良好な特性であることが判明し
た。
以上の如く、本発明のメタライズ金属層の表面被覆構造
では耐熱性及び耐湿性に優れ、電子部品としての機能に
支障を来す隙間腐蝕作用は勿論、変色の発生や気密封止
の劣化が皆無であり、かつロウ材との反応性に優れた高
信頼性の電子部品が得られる。
では耐熱性及び耐湿性に優れ、電子部品としての機能に
支障を来す隙間腐蝕作用は勿論、変色の発生や気密封止
の劣化が皆無であり、かつロウ材との反応性に優れた高
信頼性の電子部品が得られる。
第１図は本発明に係るメタライズ金属層の表面被覆構造
を説明するためにチップキャリアを例に採って示した要
部拡大断面図、第２図は従来のチップキャリアの断面図
である。 1,11……絶縁基体 2,2a,12……メタライズ金属層 3,3a……第１の金属層 4,4a……第２の金属層 5,13……蓋体
を説明するためにチップキャリアを例に採って示した要
部拡大断面図、第２図は従来のチップキャリアの断面図
である。 1,11……絶縁基体 2,2a,12……メタライズ金属層 3,3a……第１の金属層 4,4a……第２の金属層 5,13……蓋体
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体上のメタライズ金属層表面に、コ
バルト（Co）を主成分とする第１の金属層と白金（Pt）
を主成分とする第２の金属層との少なくとも二層から成
る金属層を層着被覆したことを特徴とするメタライズ金
属層の表面被覆構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283391A JPH0736952B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | メタライズ金属層の表面被覆構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283391A JPH0736952B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | メタライズ金属層の表面被覆構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137574A JPS63137574A (ja) | 1988-06-09 |
| JPH0736952B2 true JPH0736952B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=17664912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283391A Expired - Lifetime JPH0736952B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | メタライズ金属層の表面被覆構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736952B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2866962B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1999-03-08 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
| JP6167494B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用容器の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器及び移動体機器 |
| JP6787662B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2020-11-18 | 京セラ株式会社 | シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法 |
| CN105689833B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-02-23 | 株洲天微技术有限公司 | 一种微电路模块壳体与盖板的钎焊密封封盖方法及结构 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283391A patent/JPH0736952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63137574A (ja) | 1988-06-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |