JPH073746B2 - ブロッホラインの検出方法 - Google Patents
ブロッホラインの検出方法Info
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- JPH073746B2 JPH073746B2 JP61226824A JP22682486A JPH073746B2 JP H073746 B2 JPH073746 B2 JP H073746B2 JP 61226824 A JP61226824 A JP 61226824A JP 22682486 A JP22682486 A JP 22682486A JP H073746 B2 JPH073746 B2 JP H073746B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- domain
- bloch line
- stripe
- bloch
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、固体メモリー、特にブロッホラインメモリー
に於けるブロッホラインの検出方法に関する。
に於けるブロッホラインの検出方法に関する。
＜従来技術＞ 現在、コンピューター用外部メモリ、電子ファイルメモ
リ、静止面ファイルメモリ等には、磁気テープ、ウイン
チェスターディスク、フロッピーディスク、光ディス
ク、光磁気ディスク、磁気バブルメモリ等の各種メモリ
デバイスが使用されている。前記メモリデバイスの中
で、磁気バブルメモリを除く他のメモリは、テープ及び
ディスク等の記録媒体と記録、再生用のヘッドとの相対
運動を必ず伴なっていた。従って、高密度化に対して、
トラッキング、媒体とヘッドとの走行及び摩耗の問題や
埃及び振動の問題、また光ディスク及び光磁気ディスク
においてはフォーカッシングの問題等が生じていた。
リ、静止面ファイルメモリ等には、磁気テープ、ウイン
チェスターディスク、フロッピーディスク、光ディス
ク、光磁気ディスク、磁気バブルメモリ等の各種メモリ
デバイスが使用されている。前記メモリデバイスの中
で、磁気バブルメモリを除く他のメモリは、テープ及び
ディスク等の記録媒体と記録、再生用のヘッドとの相対
運動を必ず伴なっていた。従って、高密度化に対して、
トラッキング、媒体とヘッドとの走行及び摩耗の問題や
埃及び振動の問題、また光ディスク及び光磁気ディスク
においてはフォーカッシングの問題等が生じていた。
一方、磁気バブルメモリは機械的駆動部を必要とせず、
且つ高信頼性を有しており高密度化には有利であると考
えられていた。しかし、磁気バブルメモリは、膜面に垂
直な磁化容易軸を持つ磁性ガーネット膜に生じる円形の
磁区（バブル）を１ビツトとして用いる為に、現在のガ
ーネット膜の材料特性から制限される最小バブル（直径
0.3μｍ）を使用しても、１チップ当り数十Mbitがが記
録密度の限界であり、ガーネットに替えるヘキサフエラ
イト、アモルファス合金等の材料が使用可能にならない
限りは、磁気バブルメモリに於ける高密度化は困難であ
る。
且つ高信頼性を有しており高密度化には有利であると考
えられていた。しかし、磁気バブルメモリは、膜面に垂
直な磁化容易軸を持つ磁性ガーネット膜に生じる円形の
磁区（バブル）を１ビツトとして用いる為に、現在のガ
ーネット膜の材料特性から制限される最小バブル（直径
0.3μｍ）を使用しても、１チップ当り数十Mbitがが記
録密度の限界であり、ガーネットに替えるヘキサフエラ
イト、アモルファス合金等の材料が使用可能にならない
限りは、磁気バブルメモリに於ける高密度化は困難であ
る。
最近、上記磁気バブルメモリに於ける記録密度の限界を
越える為に、ブロッホラインメモリが注目を浴びてい
る。ブロッホラインメモリは、磁性ガーネット膜に生じ
る磁区の周囲に存在する磁壁内に於いて、磁壁内の磁化
の捩れの方向が逆向きになる遷移領域即ちブロッホ磁壁
造にはさまれたネール磁壁で形成される領域（ブロッホ
ライン）を１ビットとして用いるもので、円形の磁区
（バブル）を１ビットとして用いる磁気バブルメモリと
比較して、二桁近い高密度化が可能である。例えば、バ
ブル径0.5μｍのガーネット膜を使用した場合、１チッ
プ当たり1.6GBitの記憶容量が達成可能である。
越える為に、ブロッホラインメモリが注目を浴びてい
る。ブロッホラインメモリは、磁性ガーネット膜に生じ
る磁区の周囲に存在する磁壁内に於いて、磁壁内の磁化
の捩れの方向が逆向きになる遷移領域即ちブロッホ磁壁
造にはさまれたネール磁壁で形成される領域（ブロッホ
ライン）を１ビットとして用いるもので、円形の磁区
（バブル）を１ビットとして用いる磁気バブルメモリと
比較して、二桁近い高密度化が可能である。例えば、バ
ブル径0.5μｍのガーネット膜を使用した場合、１チッ
プ当たり1.6GBitの記憶容量が達成可能である。
第１図は従来のブロッホラインメモリの概略図を示し、
１はGGG,NBGGG等の希土類ガーネットから成る基板、２
は基板１上にLPE法（液相エピタキシャル成長法）等に
より成膜された磁性ガーネット膜、３はストライプ磁
区、４は磁性ガーネット膜３上にパターン化された導体
ラインであり、メモリ全体には図中矢印の方向にバイア
ス磁界ＨＢが印加されている。ストライプ磁区３の磁壁
には、情報が一対のブロッホラインの有無によって記憶
され、ブロッホライン対が有る場合は“1"、無に場合は
“0"に対応している。該ブロッホライン対はストライプ
磁区３に設けられた安定点、即ちポテンシャルウェルに
規則正しく存在しており、基板面に垂直なパルス磁界を
印加する事により、各々隣りのポテンシャルウェルへと
順次転送される。上記ブロッホラインメモリから情報を
読み出す方法、つまりブロッホライン対の有無の検出法
を以下に述べる。
１はGGG,NBGGG等の希土類ガーネットから成る基板、２
は基板１上にLPE法（液相エピタキシャル成長法）等に
より成膜された磁性ガーネット膜、３はストライプ磁
区、４は磁性ガーネット膜３上にパターン化された導体
ラインであり、メモリ全体には図中矢印の方向にバイア
ス磁界ＨＢが印加されている。ストライプ磁区３の磁壁
には、情報が一対のブロッホラインの有無によって記憶
され、ブロッホライン対が有る場合は“1"、無に場合は
“0"に対応している。該ブロッホライン対はストライプ
磁区３に設けられた安定点、即ちポテンシャルウェルに
規則正しく存在しており、基板面に垂直なパルス磁界を
印加する事により、各々隣りのポテンシャルウェルへと
順次転送される。上記ブロッホラインメモリから情報を
読み出す方法、つまりブロッホライン対の有無の検出法
を以下に述べる。
第２図は従来のブロッホライン検出方法の説明図であ
り、第１図と同様のものには同番号を附し、５は磁壁、
６は分離したバルブ、７はブロッホラインを示す。尚、
磁壁５中の矢印は磁壁中心部での磁化の向きを、導体ラ
イン４中の矢印は電流の向きを表わしている。
り、第１図と同様のものには同番号を附し、５は磁壁、
６は分離したバルブ、７はブロッホラインを示す。尚、
磁壁５中の矢印は磁壁中心部での磁化の向きを、導体ラ
イン４中の矢印は電流の向きを表わしている。
第２図（Ａ）において、磁性ガーネット膜２上にストラ
イプ磁区３が形成されており、磁壁５にブロッホライン
７が存在している。但し、ここではポテンシャルウェル
は図示されていない、ストライプ磁区３を横切って二本
の導体ライン４が設けられており、図中矢印のように互
いに逆向きのパルス電流を流すと、導体ライン４を流れ
る電流が作る磁界はストライプ磁区３の磁化方向と逆方
向となるために、二本の導体ライン４にはさままれた磁
区は縮小し図中破線で示す如く磁壁５が移動する。さら
に電流量を増加させた場合、第２図（Ｂ）に示す様に両
方の磁壁が合体してストライプ磁区３の先端はバブル６
となり分離する。電流を止めた後は、残ったストライプ
磁区３の先端には分離前と同様のブロッホラインが生
じ、磁区の大きさも回復する。第２図、（Ｃ）はブロッ
ホラインが存在しない場合を示しており、このとき、導
体ライン４に電流を印加すると、ブロッホラインが存在
する第２図（Ａ），（Ｂ）の場合同様二本の導体ライン
４にはさまれた位置の磁壁を移動させることが可能であ
り、また、更に電流量を増加させることにより両側の磁
壁を合体できる。しかし、ブロッホラインが存在する第
２図（Ａ）と同図（Ｃ）において、二本の導体ラインに
はさまれた両方の磁壁内の磁化方向が、（Ａ）の場合は
同じ方向で（Ｃ）の場合は逆方向となっており、このた
め、両磁壁を合体する際に該磁壁の磁化の間に働く相互
作用（交換相互作用）が異なり、ブロッホライン７が存
在する場合の方が存在しない場合より磁壁を合体させる
ための電流値が小さくなる。従って、導体ライン４に印
加する電流を、ブロッホラインが存在する場合に磁壁を
合体するのに必要な電流値と、存在しない場合に必要な
電流値の間に選ぶ事により、ブロッホライン７の有無を
分離したバブル６の有無に対応させる事が可能であり、
バブル６を従来の磁気バブルメモリと同様の方法で検出
することによってブロッホライン７の有無を判別でき
る。
イプ磁区３が形成されており、磁壁５にブロッホライン
７が存在している。但し、ここではポテンシャルウェル
は図示されていない、ストライプ磁区３を横切って二本
の導体ライン４が設けられており、図中矢印のように互
いに逆向きのパルス電流を流すと、導体ライン４を流れ
る電流が作る磁界はストライプ磁区３の磁化方向と逆方
向となるために、二本の導体ライン４にはさままれた磁
区は縮小し図中破線で示す如く磁壁５が移動する。さら
に電流量を増加させた場合、第２図（Ｂ）に示す様に両
方の磁壁が合体してストライプ磁区３の先端はバブル６
となり分離する。電流を止めた後は、残ったストライプ
磁区３の先端には分離前と同様のブロッホラインが生
じ、磁区の大きさも回復する。第２図、（Ｃ）はブロッ
ホラインが存在しない場合を示しており、このとき、導
体ライン４に電流を印加すると、ブロッホラインが存在
する第２図（Ａ），（Ｂ）の場合同様二本の導体ライン
４にはさまれた位置の磁壁を移動させることが可能であ
り、また、更に電流量を増加させることにより両側の磁
壁を合体できる。しかし、ブロッホラインが存在する第
２図（Ａ）と同図（Ｃ）において、二本の導体ラインに
はさまれた両方の磁壁内の磁化方向が、（Ａ）の場合は
同じ方向で（Ｃ）の場合は逆方向となっており、このた
め、両磁壁を合体する際に該磁壁の磁化の間に働く相互
作用（交換相互作用）が異なり、ブロッホライン７が存
在する場合の方が存在しない場合より磁壁を合体させる
ための電流値が小さくなる。従って、導体ライン４に印
加する電流を、ブロッホラインが存在する場合に磁壁を
合体するのに必要な電流値と、存在しない場合に必要な
電流値の間に選ぶ事により、ブロッホライン７の有無を
分離したバブル６の有無に対応させる事が可能であり、
バブル６を従来の磁気バブルメモリと同様の方法で検出
することによってブロッホライン７の有無を判別でき
る。
以下説明した従来のブロッホラインの検出方法では、ブ
ロッホラインの検出の度にストライプ磁区を分離する必
要が有り、その上、分離したバブルを外部回転磁界、電
流駆動方式等の方法で転送、検出しなければならない為
に、構成が複雑で且つ検出速度の高速化が望めなかっ
た。又、消費電力が大きいという欠点を有していた。
ロッホラインの検出の度にストライプ磁区を分離する必
要が有り、その上、分離したバブルを外部回転磁界、電
流駆動方式等の方法で転送、検出しなければならない為
に、構成が複雑で且つ検出速度の高速化が望めなかっ
た。又、消費電力が大きいという欠点を有していた。
＜発明の概要＞ 本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑み、高速且つ低
消費電力のブロッホラインの検出方法を提供することに
ある。
消費電力のブロッホラインの検出方法を提供することに
ある。
上記目的を達成するために、膜面に垂直な方向磁化容易
軸を有する磁性薄膜中に形成されたストライプ磁区の先
端の磁壁に於けるブロッホラインの有無を検出する方法
でであって、前記膜面に平行な面内磁界を前記ストライ
プ磁区に垂直に印加することにより前記ストライプ磁区
を変動せしめ、前記変動するストライプ磁区に偏光光束
を入射させ、前記ストライプ磁区の変動に伴う前記偏光
光束の偏光状態の変化を検出することにより前記ブロッ
ホラインの有無を検出するようにしている。
軸を有する磁性薄膜中に形成されたストライプ磁区の先
端の磁壁に於けるブロッホラインの有無を検出する方法
でであって、前記膜面に平行な面内磁界を前記ストライ
プ磁区に垂直に印加することにより前記ストライプ磁区
を変動せしめ、前記変動するストライプ磁区に偏光光束
を入射させ、前記ストライプ磁区の変動に伴う前記偏光
光束の偏光状態の変化を検出することにより前記ブロッ
ホラインの有無を検出するようにしている。
尚、本発明の更なる特徴は以下に示す実施例に記載され
ている。
ている。
＜実施例＞ 本発明の方法を使用するブロッホラインメモリは、例え
ばストライプ磁区に垂直な面内磁界を発生させる導体パ
ターンを有している。該導体パターンに電流を流すと該
ストライプ磁区の磁壁の磁気モーメントにジヤイロ力が
加わり該磁壁が移動する。この時、該ストライプ磁区の
先端におけるブロッホラインの有無に依存して該ストラ
イプ磁区の相対する磁壁の磁気モーメントの向きが違う
為、磁壁移動する該ストライプ磁区の形状の変動のモー
ドが異なる。
ばストライプ磁区に垂直な面内磁界を発生させる導体パ
ターンを有している。該導体パターンに電流を流すと該
ストライプ磁区の磁壁の磁気モーメントにジヤイロ力が
加わり該磁壁が移動する。この時、該ストライプ磁区の
先端におけるブロッホラインの有無に依存して該ストラ
イプ磁区の相対する磁壁の磁気モーメントの向きが違う
為、磁壁移動する該ストライプ磁区の形状の変動のモー
ドが異なる。
本発明は前記モードの違いを偏光光束を使って検出する
ことを特徴としている。
ことを特徴としている。
以下、本発明の方法の具体的な説明を行なう。
第３図，第４図，第５図は本発明に係るブロッホライン
の検出方法の一例を示す説明図で、第３図はブロッホラ
イン検出時のストライプ磁区の状態を、第４図はブロッ
ホライン検出用の光学系の構成例を、第５図は導体パタ
ーンに流す電流と光検出器の出力を示した図である。
の検出方法の一例を示す説明図で、第３図はブロッホラ
イン検出時のストライプ磁区の状態を、第４図はブロッ
ホライン検出用の光学系の構成例を、第５図は導体パタ
ーンに流す電流と光検出器の出力を示した図である。
第３図〜第５図の符番の内１〜７は第１図及び第２図と
同様のものを指し、８は光スポット、９は導体ライン、
10は導体ライン９に流れる電流の向き、11は半導体レー
ザなどの発光部、12は発光部11から出射した発散光束を
平行光束にするコリメーターレンズ、13は偏光板、14は
ストライプ磁区３の所定の位置に光スポット８を形成す
るための集光レンズ、15は検光子、16は光検出器、14′
は光検出器16に検光子15を通過した光を集める集光レン
ズである。
同様のものを指し、８は光スポット、９は導体ライン、
10は導体ライン９に流れる電流の向き、11は半導体レー
ザなどの発光部、12は発光部11から出射した発散光束を
平行光束にするコリメーターレンズ、13は偏光板、14は
ストライプ磁区３の所定の位置に光スポット８を形成す
るための集光レンズ、15は検光子、16は光検出器、14′
は光検出器16に検光子15を通過した光を集める集光レン
ズである。
第３図において（YSmLuCa）３（FeGe）5O12や（YSmLuG
d）３（FeGa）5O12等の磁性ガーネット膜２に紙面に対
して上から下向きに垂直バイアス磁界ＨＢが印加してあ
り、磁性ガーネット膜２にストライプ磁区３が形成され
ている。第３図（Ａ）はストライプ磁区３の先端にブロ
ッホライン７が存在する場合であり、相対する磁壁５の
磁気モーメントは同じ向きを向いている。ここで、導体
ライン９に第５図（Ａ）に示すような電流を10の方向に
流すと磁壁５の磁気モーメントはジャイロ力を受け、磁
壁５は第３図（Ａ）に示す如く破線と実線の間を往復運
動する。すると光スポット８を通過する偏光光束はフア
ラデー効果によって偏光面の回転角が変化し、光検出器
16の出力は第５図（Ｂ）のようになる。
d）３（FeGa）5O12等の磁性ガーネット膜２に紙面に対
して上から下向きに垂直バイアス磁界ＨＢが印加してあ
り、磁性ガーネット膜２にストライプ磁区３が形成され
ている。第３図（Ａ）はストライプ磁区３の先端にブロ
ッホライン７が存在する場合であり、相対する磁壁５の
磁気モーメントは同じ向きを向いている。ここで、導体
ライン９に第５図（Ａ）に示すような電流を10の方向に
流すと磁壁５の磁気モーメントはジャイロ力を受け、磁
壁５は第３図（Ａ）に示す如く破線と実線の間を往復運
動する。すると光スポット８を通過する偏光光束はフア
ラデー効果によって偏光面の回転角が変化し、光検出器
16の出力は第５図（Ｂ）のようになる。
これに対し第３図（Ｂ）はブロッホライン７が存在せず
相対する磁壁５の磁気モーメントの向きは反平行になっ
ている場合である。ここで導体ライン９に第３図（Ｂ）
のような電流を10の方向に流すと磁壁５の磁気モーメン
トはやはりジャイロ力を受け破線と実線の間を往復運動
をするが、磁壁５の運動の仕方はブロッホラインを有す
る第３図（Ａ）とは違っていて、光検出器16の出力は第
５図（Ｃ）のようになる。
相対する磁壁５の磁気モーメントの向きは反平行になっ
ている場合である。ここで導体ライン９に第３図（Ｂ）
のような電流を10の方向に流すと磁壁５の磁気モーメン
トはやはりジャイロ力を受け破線と実線の間を往復運動
をするが、磁壁５の運動の仕方はブロッホラインを有す
る第３図（Ａ）とは違っていて、光検出器16の出力は第
５図（Ｃ）のようになる。
第５図（Ｃ）の周波数は第５図（Ｂ）の２倍になってい
る。このようにしてブロッホラインの有無を光検出器16
の出力の違いとして検出できる。即ち、本実施例では、
光検出器16で得られる信号の周波数の違いがブロッホラ
インの有無に対応している。
る。このようにしてブロッホラインの有無を光検出器16
の出力の違いとして検出できる。即ち、本実施例では、
光検出器16で得られる信号の周波数の違いがブロッホラ
インの有無に対応している。
第６図、第７図、第８図、第９図、第10図、第11図は本
発明で用いる導体ライン９の具体的な例である。図中の
符号は前記実施例と同様の部材を指し示している。
発明で用いる導体ライン９の具体的な例である。図中の
符号は前記実施例と同様の部材を指し示している。
第６図ではストライプ磁区３全体に同じ向きに磁場がか
かる。第７図ではストライプ磁区３の一部に同じ向きに
磁場がかかる。第８図ではストライプ磁区３全体に１つ
おきに反平行の磁場がかかり、電流10が一定ならば磁場
の強さは第６図より大きい。第９図ではストライプ磁区
３の一部に１つおきに反平行に磁場がかかり、電流10が
一定ならば磁場の強さは第７図より大きい。第10図では
ストライプ磁区３全体に同じ向きの磁場がかかり、電流
10が一定ならば磁場の強さは第６図より大きい。第11図
では、ストライプ磁区３の一部に同じ向きの磁場がかか
り、電流10が一定ならば磁場の強さは第７図より大き
い。
かる。第７図ではストライプ磁区３の一部に同じ向きに
磁場がかかる。第８図ではストライプ磁区３全体に１つ
おきに反平行の磁場がかかり、電流10が一定ならば磁場
の強さは第６図より大きい。第９図ではストライプ磁区
３の一部に１つおきに反平行に磁場がかかり、電流10が
一定ならば磁場の強さは第７図より大きい。第10図では
ストライプ磁区３全体に同じ向きの磁場がかかり、電流
10が一定ならば磁場の強さは第６図より大きい。第11図
では、ストライプ磁区３の一部に同じ向きの磁場がかか
り、電流10が一定ならば磁場の強さは第７図より大き
い。
さらに第６図〜第10図の組み合わせても容易に考えられ
る。
る。
＜発明の効果＞ 以上説明したように本発明に係るブロッホラインの検出
方法は、バブルへの変換が不要であり大容量を有するブ
ロッホラインメモリの高速検出を可能にし、低消費電力
を達成しうる検出方法である。
方法は、バブルへの変換が不要であり大容量を有するブ
ロッホラインメモリの高速検出を可能にし、低消費電力
を達成しうる検出方法である。
第１図は従来のブロッホラインメモリの構成図。第２図
は従来のブロッホライン検出方法を示す図。第３図、第
４図、第５図は本発明に係るブロッホラインの検出方法
の説明図である。第６図〜第11図は導体ラインの具体例
を示す図。 １……基板 ２……磁性ガーネツト膜 ３……ストライプ磁区 ４……導体ライン ５……磁壁 ６……磁気バブル ７……ブロッホライン ８……光スポット ９……導体ライン 10……導体ラインの電流の向き 11……発光部 12……コリメーターレンズ 13……偏光板 14,14′……集光レンズ 15……検光子
は従来のブロッホライン検出方法を示す図。第３図、第
４図、第５図は本発明に係るブロッホラインの検出方法
の説明図である。第６図〜第11図は導体ラインの具体例
を示す図。 １……基板 ２……磁性ガーネツト膜 ３……ストライプ磁区 ４……導体ライン ５……磁壁 ６……磁気バブル ７……ブロッホライン ８……光スポット ９……導体ライン 10……導体ラインの電流の向き 11……発光部 12……コリメーターレンズ 13……偏光板 14,14′……集光レンズ 15……検光子
フロントページの続き (72)発明者 米田 弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 新見 晄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金子 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 渡辺 信男 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−131290（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁
性薄膜中に形成されたストライブ磁区の先端の磁壁に於
けるブロッホラインの有無を検出する方法であって、前
記膜面に平行な面内磁界を前記ストライプ磁区に垂直に
印加することにより前記ストライプ磁区を変動せしめ、
前記変動するストライプ磁区に偏光光束を入射させ、前
記ストライプ磁区の変動に伴う前記偏光光束の偏光状態
の変化を検出することにより前記ブロッホラインの有無
を検出するブロッホラインの検出方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226824A JPH073746B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ブロッホラインの検出方法 |
| DE19873731824 DE3731824A1 (de) | 1986-09-24 | 1987-09-22 | Verfahren und einrichtung zum ermitteln einer blochlinie in einer magnetischen domaenenwand |
| FR878713116A FR2604281B1 (fr) | 1986-09-24 | 1987-09-23 | Procede et dispositif pour detecter la presence de lignes de bloch dans une paroi magnetique et memoire a lignes de bloch |
| US07/602,372 US5105383A (en) | 1986-09-24 | 1990-10-25 | Method for detecting the presence of bloch lines in a magnetic wall |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226824A JPH073746B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ブロッホラインの検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381675A JPS6381675A (ja) | 1988-04-12 |
| JPH073746B2 true JPH073746B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16851162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61226824A Expired - Fee Related JPH073746B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ブロッホラインの検出方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5105383A (ja) |
| JP (1) | JPH073746B2 (ja) |
| DE (1) | DE3731824A1 (ja) |
| FR (1) | FR2604281B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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