JPH0737533A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH0737533A JPH0737533A JP20192793A JP20192793A JPH0737533A JP H0737533 A JPH0737533 A JP H0737533A JP 20192793 A JP20192793 A JP 20192793A JP 20192793 A JP20192793 A JP 20192793A JP H0737533 A JPH0737533 A JP H0737533A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- panel
- refractive index
- layer
- ray tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電磁波遮蔽性を有するとともに広帯域
に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、第１層目に
ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜１１が形成され、第２層
目にＳｎＯ2 薄膜１２が形成され、第３層目にＳｉＯ2
薄膜１３が形成されている。
に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス１０の外表面には、第１層目に
ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜１１が形成され、第２層
目にＳｎＯ2 薄膜１２が形成され、第３層目にＳｉＯ2
薄膜１３が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
【０００４】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
【０００５】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な陰極線管は、５５０ｎｍ付近の狭い波長域においては
かなり低い反射率を有するが、それ以外の可視域におい
ては反射率が高く、特に４００ｎｍ付近の低波長域にお
いては、外表面に膜を形成していないパネルより高い反
射率を示すようになり、上記したような画像が見えにく
くなるという問題を解決するには未だ不十分である。加
えて、このように狭い波長域においてのみ低い反射率を
有するパネルにあっては、画像を見る人の目に濃い色彩
として感じられるため、疲労感を与えやすいという欠点
がある。
な陰極線管は、５５０ｎｍ付近の狭い波長域においては
かなり低い反射率を有するが、それ以外の可視域におい
ては反射率が高く、特に４００ｎｍ付近の低波長域にお
いては、外表面に膜を形成していないパネルより高い反
射率を示すようになり、上記したような画像が見えにく
くなるという問題を解決するには未だ不十分である。加
えて、このように狭い波長域においてのみ低い反射率を
有するパネルにあっては、画像を見る人の目に濃い色彩
として感じられるため、疲労感を与えやすいという欠点
がある。
【０００７】また、ＳｎＯ2 の膜厚が２００〜４００Å
と薄いために透明導電膜の面抵抗が１×１０6 Ω／□と
高く、不要電磁波を遮蔽するには不十分である。
と薄いために透明導電膜の面抵抗が１×１０6 Ω／□と
高く、不要電磁波を遮蔽するには不十分である。
【０００８】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性を有するとともに広い波長域（以下、広帯域とい
う）に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
蔽性を有するとともに広い波長域（以下、広帯域とい
う）に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
ガラスの屈折率とＳｎＯ2 の屈折率との間の屈折率を有
する材料からなる薄膜が形成され、第２層目にＳｎＯ2
薄膜が形成され、第３層目に第１層目より低い屈折率を
有する材料からなる薄膜が形成されてなることを特徴と
する陰極線管用パネルである。
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
ガラスの屈折率とＳｎＯ2 の屈折率との間の屈折率を有
する材料からなる薄膜が形成され、第２層目にＳｎＯ2
薄膜が形成され、第３層目に第１層目より低い屈折率を
有する材料からなる薄膜が形成されてなることを特徴と
する陰極線管用パネルである。
【００１０】また、第１層目の薄膜がＴｉＯ2 とＳｉＯ
2 の混合物からなり、第３層目の薄膜がＳｉＯ2 からな
ることを特徴とする。
2 の混合物からなり、第３層目の薄膜がＳｉＯ2 からな
ることを特徴とする。
【００１１】さらに、第２層目の薄膜がＣＶＤ法によっ
て形成され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
て形成され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第２層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
第２層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
【００１３】さらに、本発明においては、第１層目の薄
膜として、ガラスの屈折率と第２層目のＳｎＯ2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第３層目
の薄膜として第１層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
膜として、ガラスの屈折率と第２層目のＳｎＯ2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第３層目
の薄膜として第１層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
【００１４】第１層目の薄膜、すなわちガラスの屈折率
（屈折率＝１．５３６）とＳｎＯ2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ、ＣｅＯ2 とＳｉＯ2 との混合
物等が使用可能であり、第３層目の薄膜の材質としては
ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第１層目としてＴ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合物（屈折率＝１．７）の薄膜、
第３層目のとしてＳｉＯ2 （屈折率＝１．４６）の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
（屈折率＝１．５３６）とＳｎＯ2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ、ＣｅＯ2 とＳｉＯ2 との混合
物等が使用可能であり、第３層目の薄膜の材質としては
ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第１層目としてＴ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合物（屈折率＝１．７）の薄膜、
第３層目のとしてＳｉＯ2 （屈折率＝１．４６）の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
【００１５】また、ＳｎＯ2 を形成するＣＶＤ法は他の
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、ＣＶＤ法によりパネルの表面に直接ＳｎＯ2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、３×１０3 Ω／□
の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければならな
い。しかしながら、第１層目の薄膜を形成し、その上に
ＳｎＯ2 薄膜を形成することにより、パネルの表面にア
ルカリ成分が出るのを防止することが可能となり、Ｓｎ
Ｏ2 の膜が薄い膜厚でも３×１０3 Ω／□以下の抵抗値
を安定して得ることが可能である。さらに、この第２層
目の薄膜を構成するＳｎＯ2 には抵抗値を下げる目的で
少量のＳｂ2 Ｏ3 を添加することが可能である。
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、ＣＶＤ法によりパネルの表面に直接ＳｎＯ2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、３×１０3 Ω／□
の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければならな
い。しかしながら、第１層目の薄膜を形成し、その上に
ＳｎＯ2 薄膜を形成することにより、パネルの表面にア
ルカリ成分が出るのを防止することが可能となり、Ｓｎ
Ｏ2 の膜が薄い膜厚でも３×１０3 Ω／□以下の抵抗値
を安定して得ることが可能である。さらに、この第２層
目の薄膜を構成するＳｎＯ2 には抵抗値を下げる目的で
少量のＳｂ2 Ｏ3 を添加することが可能である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１７】（実施例）図１は本発明の陰極線管用パネ
ルの縦断面図である。
ルの縦断面図である。
【００１８】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として８０９Åの膜厚を有
するＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜（屈折率１．７）が
形成され、また第２層目として６８８Åの膜厚を有する
ＳｎＯ2 薄膜１２（屈折率２．０）が形成され、さらに
第３層目として９４２Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１
３（屈折率１．４６）が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として８０９Åの膜厚を有
するＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜（屈折率１．７）が
形成され、また第２層目として６８８Åの膜厚を有する
ＳｎＯ2 薄膜１２（屈折率２．０）が形成され、さらに
第３層目として９４２Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１
３（屈折率１．４６）が形成されている。
【００１９】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２０】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にＴｉＯ2 とＳｉ
Ｏ2 含有のアルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥さ
せた後に焼成することによってＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混
合薄膜１１を形成した。
熱した状態で回転させながら、その上にＴｉＯ2 とＳｉ
Ｏ2 含有のアルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥さ
せた後に焼成することによってＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混
合薄膜１１を形成した。
【００２１】その後、このＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄
膜１１を形成したパネルガラス１０を予熱しておき、こ
の外表面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合
蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によっ
てＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１２を形成した。
膜１１を形成したパネルガラス１０を予熱しておき、こ
の外表面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合
蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によっ
てＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１２を形成した。
【００２２】次いでこのパネルガラス１０を予熱した状
態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、ＳｉＯ2 薄膜１３を形成した。
態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、ＳｉＯ2 薄膜１３を形成した。
【００２３】（比較例）図１に示すようなパネルガラス
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気
（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によって、
３００Åの膜厚を有し、ＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄
膜を形成した。
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気
（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によって、
３００Åの膜厚を有し、ＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄
膜を形成した。
【００２４】次いでこのパネルガラスを予熱した状態
で、回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形
成した。
で、回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形
成した。
【００２５】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の４００〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、
その結果を図２に示した。
の４００〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、
その結果を図２に示した。
【００２６】図２のグラフから明らかなように、実施例
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
【００２７】また、各陰極線管用パネルの面抵抗を測定
したところ、実施例のパネルは１×１０3 Ω／□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が１×１０6 Ω／□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
したところ、実施例のパネルは１×１０3 Ω／□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が１×１０6 Ω／□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
【００２８】尚、上記の膜厚（Å）は、可視域の光の波
長を表すλを５２５ｎｍに設定し、各層の膜の屈折率を
ｎとして、λ／４ｎの条件式によって求めたものであ
る。
長を表すλを５２５ｎｍに設定し、各層の膜の屈折率を
ｎとして、λ／４ｎの条件式によって求めたものであ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、特に広帯域に亙って低
い反射率を有していることから、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能であ
る。
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、特に広帯域に亙って低
い反射率を有していることから、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能であ
る。
【図１】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。
【図２】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１ ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜 １２ ＳｎＯ2 薄膜 １３ ＳｉＯ2 薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 外表面側の第１層目にガラスの屈折率と
ＳｎＯ2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成され、第２層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、
第３層目に第１層目より低い屈折率を有する材料からな
る薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パ
ネル。 - 【請求項２】 第１層目の薄膜がＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の
混合物からなることを特徴とする請求項１記載の陰極線
管用パネル。 - 【請求項３】 第３層目の薄膜がＳｉＯ2 からなること
を特徴とする請求項１記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 第２層目の薄膜がＣＶＤ法によって形成
され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω以下の面抵抗
を有することを特徴とする請求項１記載の陰極線管用パ
ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20192793A JPH0737533A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20192793A JPH0737533A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737533A true JPH0737533A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16449104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20192793A Pending JPH0737533A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737533A (ja) |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP20192793A patent/JPH0737533A/ja active Pending
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