JPH0737814A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0737814A JPH0737814A JP20299193A JP20299193A JPH0737814A JP H0737814 A JPH0737814 A JP H0737814A JP 20299193 A JP20299193 A JP 20299193A JP 20299193 A JP20299193 A JP 20299193A JP H0737814 A JPH0737814 A JP H0737814A
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- semiconductor wafer
- gap
- film forming
- forming apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、薄膜形成装置において、反応管内に
複数収納された半導体ウエハの外周を流れる原料ガスの
流速を全周に亘つてほぼ均一にする。 【構成】半導体ウエハを搬送保持手段に複数枚搭載して
反応管内に収納したとき、搬送用保持手段に設けた隙間
調整部材によつて半導体ウエハの切欠き部の付近の隙間
をこの付近以外の隙間とほぼ同一にして、半導体ウエハ
の全周の隙間がほぼ均一になるようにしたことにより、
半導体ウエハの外周を流れる原料ガスの流速が全周に亘
つてほぼ均一になる薄膜形成装置を実現できる。これに
より半導体ウエハの表面の成膜速度がほぼ均一になり、
半導体ウエハの表面に従来に比して一段と均一な厚さの
薄膜を形成し得る。
複数収納された半導体ウエハの外周を流れる原料ガスの
流速を全周に亘つてほぼ均一にする。 【構成】半導体ウエハを搬送保持手段に複数枚搭載して
反応管内に収納したとき、搬送用保持手段に設けた隙間
調整部材によつて半導体ウエハの切欠き部の付近の隙間
をこの付近以外の隙間とほぼ同一にして、半導体ウエハ
の全周の隙間がほぼ均一になるようにしたことにより、
半導体ウエハの外周を流れる原料ガスの流速が全周に亘
つてほぼ均一になる薄膜形成装置を実現できる。これに
より半導体ウエハの表面の成膜速度がほぼ均一になり、
半導体ウエハの表面に従来に比して一段と均一な厚さの
薄膜を形成し得る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図１１〜図１５） 発明が解決しようとする課題（図１６） 課題を解決するための手段（図１〜図３） 作用（図１〜図３） 実施例（図１〜図１０） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成装置に関し、特
にシリコンウエハの表面に原料ガスを流して均一な薄膜
を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置
に適用して好適なものである。
にシリコンウエハの表面に原料ガスを流して均一な薄膜
を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置
に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種のＣＶＤ装置においては、
シリコンウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）を一旦石英ボー
トに複数枚搭載し、この石英ボートに搭載した状態で反
応炉の中に収納して反応ガスを流すものがある。図１１
に示す減圧ＣＶＤ装置１は、ヒータ部２を上半部にもつ
と共に、このヒータ部２の下部に搬送用のエレベータ機
構（図示せず）を有する。ＣＶＤ装置１はこのエレベー
タ機構によつてウエハ３を複数枚搭載した石英ボート４
を搬送し、ヒータ部２に内蔵されて加熱される反応炉５
の中に収容するようになされている。
シリコンウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）を一旦石英ボー
トに複数枚搭載し、この石英ボートに搭載した状態で反
応炉の中に収納して反応ガスを流すものがある。図１１
に示す減圧ＣＶＤ装置１は、ヒータ部２を上半部にもつ
と共に、このヒータ部２の下部に搬送用のエレベータ機
構（図示せず）を有する。ＣＶＤ装置１はこのエレベー
タ機構によつてウエハ３を複数枚搭載した石英ボート４
を搬送し、ヒータ部２に内蔵されて加熱される反応炉５
の中に収容するようになされている。
【０００４】反応炉５は、図１２に示すように円筒形状
の石英外管６及び石英外管６の内側に円筒形状の石英内
管７をもつと共に、石英外管６の底部には回転機構部８
をもつ。また反応炉５の内部は30〔Torr〕以下の真空状
態に保たれるようになされている。ウエハ３を複数枚搭
載した石英ボート４は反応炉５の下部よりエレベータで
回転機構部８の装着穴を通つて石英内管７の中に装着さ
れる。石英ボート４が回転機構部８によつて支えられる
と加熱された反応ガスが石英内管７の下から上に流され
る。これにより反応ガスは拡散してそれぞれのウエハ３
の表面に超薄膜を成膜する。
の石英外管６及び石英外管６の内側に円筒形状の石英内
管７をもつと共に、石英外管６の底部には回転機構部８
をもつ。また反応炉５の内部は30〔Torr〕以下の真空状
態に保たれるようになされている。ウエハ３を複数枚搭
載した石英ボート４は反応炉５の下部よりエレベータで
回転機構部８の装着穴を通つて石英内管７の中に装着さ
れる。石英ボート４が回転機構部８によつて支えられる
と加熱された反応ガスが石英内管７の下から上に流され
る。これにより反応ガスは拡散してそれぞれのウエハ３
の表面に超薄膜を成膜する。
【０００５】石英ボート４は、図１３及び図１４に示す
ように上下の１対デイスク９及び１０の間に互いに平行
な４本の支柱１１〜１４及び支柱１１〜１４の補強リブ
１５が設けられている。それぞれの支柱１１〜１４に
は、石英ボート４の断面を上方に見た図１５に示すよう
に幅がウエハ３の厚さとほぼ等しく、深さがそれぞれの
支柱１１〜１４の約半分まで堀り込まれたスロツト１６
が同一間隔で50〜200 個設けられており、これによりこ
のスロツト１６に50〜200 枚のウエハ３をそれぞれ差し
込むことができるようになされている。
ように上下の１対デイスク９及び１０の間に互いに平行
な４本の支柱１１〜１４及び支柱１１〜１４の補強リブ
１５が設けられている。それぞれの支柱１１〜１４に
は、石英ボート４の断面を上方に見た図１５に示すよう
に幅がウエハ３の厚さとほぼ等しく、深さがそれぞれの
支柱１１〜１４の約半分まで堀り込まれたスロツト１６
が同一間隔で50〜200 個設けられており、これによりこ
のスロツト１６に50〜200 枚のウエハ３をそれぞれ差し
込むことができるようになされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで各ウエハ３
は、一旦、円盤形状に形成された後、外周の一部が直線
で切断されて三日月形状部分が切除され、これによりウ
エハ３上に形成される集積回路の位置の基準となる切り
欠き部（以下、これをオリエンテーシヨンフラツトと呼
ぶ）３Ａを与えられる。各ウエハ３は、オリエンテーシ
ヨンフラツト３Ａの向きをウエハ３を挿入する側又はそ
の反対側に全て揃えて石英ボート４に並べられる。
は、一旦、円盤形状に形成された後、外周の一部が直線
で切断されて三日月形状部分が切除され、これによりウ
エハ３上に形成される集積回路の位置の基準となる切り
欠き部（以下、これをオリエンテーシヨンフラツトと呼
ぶ）３Ａを与えられる。各ウエハ３は、オリエンテーシ
ヨンフラツト３Ａの向きをウエハ３を挿入する側又はそ
の反対側に全て揃えて石英ボート４に並べられる。
【０００７】ところが図１６に示すように、石英ボート
４が石英内管７の中に収納されたとき石英内管７の内壁
７Ａとウエハ３の外周との間に形成される隙間は、石英
内管７の断面が円形であることによりオリエンテーシヨ
ンフラツト３Ａの部分では広く、これ以外の部分では均
一になる。これによりオリエンテーシヨンフラツト３Ａ
の部分の隙間を流れる反応ガスの流速が遅くなつてこの
部分に反応ガスが滞留し、オリエンテーシヨンフラツト
３Ａの付近の成膜速度が速くなる。この結果ウエハ３全
体に亘つて均一な膜厚を得ることが難しいという問題が
ある。
４が石英内管７の中に収納されたとき石英内管７の内壁
７Ａとウエハ３の外周との間に形成される隙間は、石英
内管７の断面が円形であることによりオリエンテーシヨ
ンフラツト３Ａの部分では広く、これ以外の部分では均
一になる。これによりオリエンテーシヨンフラツト３Ａ
の部分の隙間を流れる反応ガスの流速が遅くなつてこの
部分に反応ガスが滞留し、オリエンテーシヨンフラツト
３Ａの付近の成膜速度が速くなる。この結果ウエハ３全
体に亘つて均一な膜厚を得ることが難しいという問題が
ある。
【０００８】また薄膜の厚さを均一にするため、反応ガ
スを流しているとき回転機構部８により石英ボート４を
回転させているが、この方法では回転機構部８の回転不
良や回転軸より外気が反応炉５の内部に漏れて真空度の
不良が生じる等の問題が有り、解決策としては未だ不十
分である。
スを流しているとき回転機構部８により石英ボート４を
回転させているが、この方法では回転機構部８の回転不
良や回転軸より外気が反応炉５の内部に漏れて真空度の
不良が生じる等の問題が有り、解決策としては未だ不十
分である。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、反応管内に複数枚収納された半導体ウエハの外周を
流れる原料ガスの流速を全周に亘つてほぼ均一にし得る
薄膜形成装置を提案しようとするものである。
で、反応管内に複数枚収納された半導体ウエハの外周を
流れる原料ガスの流速を全周に亘つてほぼ均一にし得る
薄膜形成装置を提案しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一部に切欠き部３Ａを有する半導
体ウエハ３を複数枚搭載した搬送用保持部材を反応管内
の所定位置に位置決めし、反応管の内壁と半導体ウエハ
３との間に生じた隙間を通じて半導体ウエハ３の表面に
原料ガスを流し込むことにより半導体ウエハ３の表面に
薄膜を形成する薄膜形成装置において、半導体ウエハ３
の切欠き部３Ａと反応管の内壁との間に生じた隙間に隙
間調整部材を配置し、半導体ウエハ３の外周と反応管の
内壁との隙間を全周に亘つてほぼ均一にするようにし
た。
め本発明においては、一部に切欠き部３Ａを有する半導
体ウエハ３を複数枚搭載した搬送用保持部材を反応管内
の所定位置に位置決めし、反応管の内壁と半導体ウエハ
３との間に生じた隙間を通じて半導体ウエハ３の表面に
原料ガスを流し込むことにより半導体ウエハ３の表面に
薄膜を形成する薄膜形成装置において、半導体ウエハ３
の切欠き部３Ａと反応管の内壁との間に生じた隙間に隙
間調整部材を配置し、半導体ウエハ３の外周と反応管の
内壁との隙間を全周に亘つてほぼ均一にするようにし
た。
【００１１】また本発明においては、隙間調整部材２１
は、搬送用保持部材２０に搭載された複数枚の半導体ウ
エハ３の切欠き部３Ａに共通して対向する対向面２１Ａ
を有する棒状の部材２１でなり、対向面２１Ａが複数枚
の半導体ウエハ３の切欠き部３Ａとの間に所定間隔の隙
間を形成するように搬送用保持部材２０に配置されてい
るようにした。
は、搬送用保持部材２０に搭載された複数枚の半導体ウ
エハ３の切欠き部３Ａに共通して対向する対向面２１Ａ
を有する棒状の部材２１でなり、対向面２１Ａが複数枚
の半導体ウエハ３の切欠き部３Ａとの間に所定間隔の隙
間を形成するように搬送用保持部材２０に配置されてい
るようにした。
【００１２】さらに本発明においては、隙間調整部材４
２は、搬送用保持部材４０に搭載された複数枚の半導体
ウエハ３のそれぞれの切欠き部３Ａにほぼ隙間なく当接
して、複数枚の半導体ウエハ３をそれぞれ切欠き部３Ａ
が無い元の形状に近づけるように搬送用保持部材４０に
配置されているようにした。
２は、搬送用保持部材４０に搭載された複数枚の半導体
ウエハ３のそれぞれの切欠き部３Ａにほぼ隙間なく当接
して、複数枚の半導体ウエハ３をそれぞれ切欠き部３Ａ
が無い元の形状に近づけるように搬送用保持部材４０に
配置されているようにした。
【００１３】さらに本発明においては、隙間調整部材３
０Ａは、搬送用保持部材４に搭載された複数枚の半導体
ウエハ３の切欠き部３Ａに共通して対向する対向面３０
Ａを有し、対向面３０Ａが複数枚の半導体ウエハ３の切
欠き部３Ａとの間に所定間隔の隙間を形成するように反
応管３０の内壁に配置されているようにした。
０Ａは、搬送用保持部材４に搭載された複数枚の半導体
ウエハ３の切欠き部３Ａに共通して対向する対向面３０
Ａを有し、対向面３０Ａが複数枚の半導体ウエハ３の切
欠き部３Ａとの間に所定間隔の隙間を形成するように反
応管３０の内壁に配置されているようにした。
【００１４】さらに本発明においては、一部に切欠き部
３Ａを有する半導体ウエハ３を複数枚搭載した搬送用保
持部材４を反応管７内の所定位置に位置決めし、反応管
７の内壁と半導体ウエハ３との間に生じた隙間を通じて
半導体ウエハ３の表面に原料ガスを流し込むことにより
半導体ウエハ３の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置に
おいて、半導体ウエハ３の切欠き部３Ａの向きが揃わな
いように所定の枚数毎位置を変えて搬送保持手段４に複
数枚搭載し、反応管７の内壁と半導体ウエハ３との間に
生じた隙間を通る原料ガスの流れを半導体ウエハ３の全
周に亘つてほぼ均一にするようにした。
３Ａを有する半導体ウエハ３を複数枚搭載した搬送用保
持部材４を反応管７内の所定位置に位置決めし、反応管
７の内壁と半導体ウエハ３との間に生じた隙間を通じて
半導体ウエハ３の表面に原料ガスを流し込むことにより
半導体ウエハ３の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置に
おいて、半導体ウエハ３の切欠き部３Ａの向きが揃わな
いように所定の枚数毎位置を変えて搬送保持手段４に複
数枚搭載し、反応管７の内壁と半導体ウエハ３との間に
生じた隙間を通る原料ガスの流れを半導体ウエハ３の全
周に亘つてほぼ均一にするようにした。
【００１５】
【作用】半導体ウエハ３を搬送用保持手段２０に複数枚
搭載して反応管７内に収納したとき、搬送用保持手段２
０に設けた隙間調整部材２１によつて半導体ウエハ３の
切欠き部３Ａの付近の隙間をこの付近以外の隙間とほぼ
同一にして半導体ウエハ３の全周の隙間がほぼ均一にな
るようにしたことにより、半導体ウエハ３の外周を流れ
る原料ガスの流速が全周に亘つてほぼ均一になる薄膜形
成装置を実現できる。これにより半導体ウエハ３の表面
の成膜速度がほぼ均一になり、半導体ウエハ３の表面に
従来に比して一段と均一な厚さの薄膜を形成し得る。
搭載して反応管７内に収納したとき、搬送用保持手段２
０に設けた隙間調整部材２１によつて半導体ウエハ３の
切欠き部３Ａの付近の隙間をこの付近以外の隙間とほぼ
同一にして半導体ウエハ３の全周の隙間がほぼ均一にな
るようにしたことにより、半導体ウエハ３の外周を流れ
る原料ガスの流速が全周に亘つてほぼ均一になる薄膜形
成装置を実現できる。これにより半導体ウエハ３の表面
の成膜速度がほぼ均一になり、半導体ウエハ３の表面に
従来に比して一段と均一な厚さの薄膜を形成し得る。
【００１６】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１７】図１２との対応部分に同一符号を付して示
す図１において、２０は全体として減圧ＣＶＤ装置の反
応炉５に収納される石英ボートを示し、石英でなる流量
調整支柱２１が上下１対のデイスク９及び１０の間に支
柱１１〜１４と平行に架け渡されている。
す図１において、２０は全体として減圧ＣＶＤ装置の反
応炉５に収納される石英ボートを示し、石英でなる流量
調整支柱２１が上下１対のデイスク９及び１０の間に支
柱１１〜１４と平行に架け渡されている。
【００１８】流量調整支柱２１は、図２に示すようにデ
イスク９及び１０の周辺部のうちウエハ３を挿入する側
９Ａ及び１０Ａとは反対の側９Ｂ及び１０Ｂの奥に取り
付けられている。また流量調整支柱２１は、図３に示す
ように断面が三日月形状でなり、この三日月形状の平面
部２１Ａがウエハ３の挿入される側に向けられている。
これにより流量調整支柱２１は、オリエンテーシヨンフ
ラツト３Ａと対向したとき平面部２１Ａがオリエンテー
シヨンフラツト３Ａと一定の間隔を保つようになされて
いる。
イスク９及び１０の周辺部のうちウエハ３を挿入する側
９Ａ及び１０Ａとは反対の側９Ｂ及び１０Ｂの奥に取り
付けられている。また流量調整支柱２１は、図３に示す
ように断面が三日月形状でなり、この三日月形状の平面
部２１Ａがウエハ３の挿入される側に向けられている。
これにより流量調整支柱２１は、オリエンテーシヨンフ
ラツト３Ａと対向したとき平面部２１Ａがオリエンテー
シヨンフラツト３Ａと一定の間隔を保つようになされて
いる。
【００１９】以上の構成において、複数枚のウエハ３に
薄膜を形成する場合、全てのウエハ３はオリエンテーシ
ヨンフラツト３Ａを流量調整支柱２１に向けて石英ボー
ト２０に搭載され（図３）、この状態で図４に示すよう
に反応炉５の中に収納される。
薄膜を形成する場合、全てのウエハ３はオリエンテーシ
ヨンフラツト３Ａを流量調整支柱２１に向けて石英ボー
ト２０に搭載され（図３）、この状態で図４に示すよう
に反応炉５の中に収納される。
【００２０】石英内管７の中においては石英ボート２０
の流量調整支柱２１がオリエンテーシヨンフラツト３Ａ
の付近の反応ガスが通る隙間を従来の石英ボート４より
も一段と狭くしてこの付近以外の外周部分の隙間とほぼ
同一にする。これによりウエハ３の外周を流れる反応ガ
スの流速は全周に亘つてほぼ同一になり、ウエハ３の表
面には従来に比して一段と均一な厚さの薄膜が形成され
る。また反応ガスが流されているとき石英内管７の中で
石英ボート２０は回転しない。
の流量調整支柱２１がオリエンテーシヨンフラツト３Ａ
の付近の反応ガスが通る隙間を従来の石英ボート４より
も一段と狭くしてこの付近以外の外周部分の隙間とほぼ
同一にする。これによりウエハ３の外周を流れる反応ガ
スの流速は全周に亘つてほぼ同一になり、ウエハ３の表
面には従来に比して一段と均一な厚さの薄膜が形成され
る。また反応ガスが流されているとき石英内管７の中で
石英ボート２０は回転しない。
【００２１】ここで薄膜の厚さの均一性Ｆは、最大膜厚
をＭａｘ、最小膜厚をＭｉｎとすると次式
をＭａｘ、最小膜厚をＭｉｎとすると次式
【数１】 で表すことができる。従来の石英ボート４を用いたとき
の薄膜の均一性は±５％〜±10％程度であつた。これに
対して石英ボート２０を用いるときの薄膜の均一性は±
５％以下となる。
の薄膜の均一性は±５％〜±10％程度であつた。これに
対して石英ボート２０を用いるときの薄膜の均一性は±
５％以下となる。
【００２２】以上の構成によれば、ウエハ３を石英ボー
ト２０に複数枚搭載して石英内管７の中に収納したと
き、石英ボート２０に設けた流量調整支柱２１によつて
オリエンテーシヨンフラツト３Ａの付近の隙間をこの付
近以外の隙間とほぼ同一にしてウエハ３の全周の隙間が
ほぼ均一になるようにしたことにより、ウエハ３の外周
を流れる反応ガスの流速が全周に亘つてほぼ均一にな
る。これによりウエハ３の表面の成膜速度がほぼ均一に
なり、ウエハ３の表面に従来に比して一段と均一な厚さ
の薄膜を形成することができる。
ト２０に複数枚搭載して石英内管７の中に収納したと
き、石英ボート２０に設けた流量調整支柱２１によつて
オリエンテーシヨンフラツト３Ａの付近の隙間をこの付
近以外の隙間とほぼ同一にしてウエハ３の全周の隙間が
ほぼ均一になるようにしたことにより、ウエハ３の外周
を流れる反応ガスの流速が全周に亘つてほぼ均一にな
る。これによりウエハ３の表面の成膜速度がほぼ均一に
なり、ウエハ３の表面に従来に比して一段と均一な厚さ
の薄膜を形成することができる。
【００２３】また反応ガスが流されているとき石英ボー
ト２０を回転させる必要がなく、これにより反応炉５を
石英ボート４の回転機構部８の無い簡易な構成にするこ
とができる。さらに回転機構部８をなくすことにより反
応炉の中の気密の保持が従来に比して一段と容易にな
る。
ト２０を回転させる必要がなく、これにより反応炉５を
石英ボート４の回転機構部８の無い簡易な構成にするこ
とができる。さらに回転機構部８をなくすことにより反
応炉の中の気密の保持が従来に比して一段と容易にな
る。
【００２４】なお上述の実施例においては、オリエンテ
ーシヨンフラツト３Ａの付近の反応ガスの流速を調整す
るために、石英ボート２０に流量調整支柱２１を設けた
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図５に
示すように石英内管３０の内面のうちオリエンテーシヨ
ンフラツト３Ａに対向する対向部３０Ａだけを平面形状
とし、これによりオリエンテーシヨンフラツト３Ａの向
きを揃えた複数枚のウエハ３が石英内管３０に収納され
たときのウエハ３の外周の隙間が均一になるようにして
も良い。この場合にもウエハ３の外周の反応ガスの流速
は全体的にほぼ均一になり上述と同様の効果を得ること
ができる。
ーシヨンフラツト３Ａの付近の反応ガスの流速を調整す
るために、石英ボート２０に流量調整支柱２１を設けた
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図５に
示すように石英内管３０の内面のうちオリエンテーシヨ
ンフラツト３Ａに対向する対向部３０Ａだけを平面形状
とし、これによりオリエンテーシヨンフラツト３Ａの向
きを揃えた複数枚のウエハ３が石英内管３０に収納され
たときのウエハ３の外周の隙間が均一になるようにして
も良い。この場合にもウエハ３の外周の反応ガスの流速
は全体的にほぼ均一になり上述と同様の効果を得ること
ができる。
【００２５】また上述の実施例においては、オリエンテ
ーシヨンフラツト３Ａの付近の反応ガスが通る隙間をこ
の付近以外の隙間とほぼ同一にするために、石英ボート
２０に流量調整支柱２１だけを設けた場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、図１〜図３との対応部分
に同一符号を付した図６〜図８に示すように、石英ボー
ト４０の支柱４１にスロツト１６と同一間隔でオリエン
テーシヨンフラツト３Ａを形成するために切除された三
日月形状の部分と同様の形状でなる補助板４２を複数枚
取り付け、この補助板４２の直線部４２Ａにオリエンテ
ーシヨンフラツト３Ａを当接させてそれぞれのウエハ３
を石英ボート４０に複数枚搭載することによつて、石英
内管７に収納された複数枚のウエハ３の外周の隙間が全
周に亘つてほぼ均一になるようにしても良い。この場合
にもウエハ３の周辺の反応ガスの流速は全周に亘つてほ
ぼ均一になり上述と同様の効果を得ることができる。
ーシヨンフラツト３Ａの付近の反応ガスが通る隙間をこ
の付近以外の隙間とほぼ同一にするために、石英ボート
２０に流量調整支柱２１だけを設けた場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、図１〜図３との対応部分
に同一符号を付した図６〜図８に示すように、石英ボー
ト４０の支柱４１にスロツト１６と同一間隔でオリエン
テーシヨンフラツト３Ａを形成するために切除された三
日月形状の部分と同様の形状でなる補助板４２を複数枚
取り付け、この補助板４２の直線部４２Ａにオリエンテ
ーシヨンフラツト３Ａを当接させてそれぞれのウエハ３
を石英ボート４０に複数枚搭載することによつて、石英
内管７に収納された複数枚のウエハ３の外周の隙間が全
周に亘つてほぼ均一になるようにしても良い。この場合
にもウエハ３の周辺の反応ガスの流速は全周に亘つてほ
ぼ均一になり上述と同様の効果を得ることができる。
【００２６】さらに上述の実施例においては、流量調整
支柱２１が断面三日月形状でなる場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、図３との対応部分に同一符
号を付した図９に示すように石英ボート５０の流量調整
支柱５１のうちオリエンテーシヨンフラツト３Ａに対向
する対向部５１Ａが曲面形状でなる場合にも適用でき
る。
支柱２１が断面三日月形状でなる場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、図３との対応部分に同一符
号を付した図９に示すように石英ボート５０の流量調整
支柱５１のうちオリエンテーシヨンフラツト３Ａに対向
する対向部５１Ａが曲面形状でなる場合にも適用でき
る。
【００２７】さらに上述の実施例においては、石英ボー
ト２０に流量調整支柱２１を設ける場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、図１０に示すように、ウエ
ハ３を石英ボート４に複数枚搭載するときオリエンテー
シヨンフラツト３Ａの向きを１枚毎に 180°反転させて
搭載し、この状態で石英ボート４を反応炉５の中に収納
するようにしても良い。この場合にもウエハ３の外周の
反応ガスの流速は全周に亘つてほぼ均一になり上述と同
様の効果を得ることができる。
ト２０に流量調整支柱２１を設ける場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、図１０に示すように、ウエ
ハ３を石英ボート４に複数枚搭載するときオリエンテー
シヨンフラツト３Ａの向きを１枚毎に 180°反転させて
搭載し、この状態で石英ボート４を反応炉５の中に収納
するようにしても良い。この場合にもウエハ３の外周の
反応ガスの流速は全周に亘つてほぼ均一になり上述と同
様の効果を得ることができる。
【００２８】さらに上述の実施例においては、本発明を
減圧ＣＶＤ装置に適用した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、ウエハを搬送用保持手段に複数枚搭
載した状態で反応炉の中に収納し、この反応炉の中に原
料ガスを流すことによつてそれぞれのウエハに薄膜を形
成するＣＶＤ装置に広く適用できる。
減圧ＣＶＤ装置に適用した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、ウエハを搬送用保持手段に複数枚搭
載した状態で反応炉の中に収納し、この反応炉の中に原
料ガスを流すことによつてそれぞれのウエハに薄膜を形
成するＣＶＤ装置に広く適用できる。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、半導体ウ
エハを搬送保持手段に複数枚搭載して反応管内に収納し
たとき、搬送用保持手段に設けた隙間調整部材によつて
半導体ウエハの切欠き部の付近の隙間をこの付近以外の
隙間とほぼ同一にして、半導体ウエハの全周の隙間がほ
ぼ均一になるようにしたことにより、半導体ウエハの外
周を流れる原料ガスの流速が全周に亘つてほぼ均一にな
る薄膜形成装置を実現できる。これにより半導体ウエハ
の表面の成膜速度がほぼ均一になり、半導体ウエハの表
面に従来に比して一段と均一な厚さの薄膜を形成し得
る。
エハを搬送保持手段に複数枚搭載して反応管内に収納し
たとき、搬送用保持手段に設けた隙間調整部材によつて
半導体ウエハの切欠き部の付近の隙間をこの付近以外の
隙間とほぼ同一にして、半導体ウエハの全周の隙間がほ
ぼ均一になるようにしたことにより、半導体ウエハの外
周を流れる原料ガスの流速が全周に亘つてほぼ均一にな
る薄膜形成装置を実現できる。これにより半導体ウエハ
の表面の成膜速度がほぼ均一になり、半導体ウエハの表
面に従来に比して一段と均一な厚さの薄膜を形成し得
る。
【図１】本発明による薄膜形成装置の一実施例による石
英ボートを示す正面図である。
英ボートを示す正面図である。
【図２】その側面図である。
【図３】石英ボートの説明に供する断面図である。
【図４】石英内管の中に収納されたウエハと周辺との隙
間の状態の説明に供する断面図である。
間の状態の説明に供する断面図である。
【図５】他の実施例による石英内管の中に収納されたウ
エハと周辺との隙間の状態を示す断面図である。
エハと周辺との隙間の状態を示す断面図である。
【図６】他の実施例による石英ボートを示す正面図であ
る。
る。
【図７】その側面図である。
【図８】石英ボートをVIVI断面より見た断面図である。
【図９】他の実施例による石英ボートを示す断面図であ
る。
る。
【図１０】他の実施例によるウエハの搭載状態を示す略
線図である。
線図である。
【図１１】ＣＶＤ装置を示す略線図である。
【図１２】ＣＶＤ装置の中の反応炉の説明に供する斜視
図である。
図である。
【図１３】従来の石英ボートの説明に供する正面図であ
る。
る。
【図１４】その側面図である。
【図１５】石英ボートをＸIII ＸIII 断面よりみた断面
図である。
図である。
【図１６】石英内管の中に収納されたウエハと周辺との
従来の隙間の状態を示す断面図である。
従来の隙間の状態を示す断面図である。
１……減圧ＣＶＤ装置、２……ヒータ部、３……ウエ
ハ、３Ａ……オリエンテーシヨンフラツト、４、２０、
４０、５０……石英ボート、５……反応炉、６……石英
外管、７、３０……石英内管、８……回転機構部、９、
１０……デイスク、１１〜１４……支柱、１５……補強
リブ、１６……スロツト、２１、５１……流量調整支
柱、２１Ａ……平面部、３０Ａ、５１Ａ……対向部、４
１……支柱、４２……補助板、４２Ａ……直線部。
ハ、３Ａ……オリエンテーシヨンフラツト、４、２０、
４０、５０……石英ボート、５……反応炉、６……石英
外管、７、３０……石英内管、８……回転機構部、９、
１０……デイスク、１１〜１４……支柱、１５……補強
リブ、１６……スロツト、２１、５１……流量調整支
柱、２１Ａ……平面部、３０Ａ、５１Ａ……対向部、４
１……支柱、４２……補助板、４２Ａ……直線部。
Claims (5)
- 【請求項１】一部に切欠き部を有する半導体ウエハを複
数枚搭載した搬送用保持部材を反応管内の所定位置に位
置決めし、上記反応管の内壁と上記半導体ウエハとの間
に生じた隙間を通じて上記半導体ウエハの表面に原料ガ
スを流し込むことにより上記半導体ウエハの表面に薄膜
を形成する薄膜形成装置において、 上記半導体ウエハの切欠き部と上記反応管の内壁との間
に生じた隙間に隙間調整部材を配置し、上記半導体ウエ
ハの外周と上記反応管の内壁との隙間を全周に亘つてほ
ぼ均一にすることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】上記隙間調整部材は、 上記搬送用保持部材に搭載された複数枚の上記半導体ウ
エハの切欠き部に共通して対向する対向面を有する棒状
の部材でなり、当該対向面が複数枚の上記半導体ウエハ
の切欠き部との間に所定間隔の隙間を形成するように上
記搬送用保持部材に配置されていることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】上記隙間調整部材は、 上記搬送用保持部材に搭載された複数枚の上記半導体ウ
エハのそれぞれの切欠き部にほぼ隙間なく当接して、複
数枚の上記半導体ウエハをそれぞれ上記切欠き部が無い
元の形状に近づけるように上記搬送用保持部材に配置さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項４】上記隙間調整部材は、 上記搬送用保持部材に搭載された複数枚の上記半導体ウ
エハの切欠き部に共通して対向する対向面を有し、当該
対向面が複数枚の上記半導体ウエハの切欠き部との間に
所定間隔の隙間を形成するように上記反応管の内壁に配
置されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形
成装置。 - 【請求項５】一部に切欠き部を有する半導体ウエハを複
数枚搭載した搬送用保持部材を反応管内の所定位置に位
置決めし、上記反応管の内壁と上記半導体ウエハとの間
に生じた隙間を通じて上記半導体ウエハの表面に原料ガ
スを流し込むことにより上記半導体ウエハの表面に薄膜
を形成する薄膜形成装置において、 上記半導体ウエハの切欠き部の向きが揃わないように所
定の枚数毎位置を変えて上記搬送保持手段に複数枚搭載
し、上記反応管の内壁と上記半導体ウエハとの間に生じ
た隙間を通る上記原料ガスの流れを上記半導体ウエハの
全周に亘つてほぼ均一にすることを特徴とする薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20299193A JPH0737814A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20299193A JPH0737814A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737814A true JPH0737814A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16466525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20299193A Pending JPH0737814A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737814A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794416A (ja) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Nec Corp | 化学気相成長装置 |
| JP2007221000A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR20130128815A (ko) * | 2012-05-18 | 2013-11-27 | 엘지이노텍 주식회사 | Ｃｖｄ 반응기용 서셉터 |
| CN108695138A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 株式会社日立国际电气 | 衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
| CN119040857A (zh) * | 2024-09-11 | 2024-11-29 | 杭州欧诺半导体设备有限公司 | 一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法 |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP20299193A patent/JPH0737814A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794416A (ja) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Nec Corp | 化学気相成長装置 |
| JP2007221000A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR20130128815A (ko) * | 2012-05-18 | 2013-11-27 | 엘지이노텍 주식회사 | Ｃｖｄ 반응기용 서셉터 |
| CN108695138A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 株式会社日立国际电气 | 衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
| CN119040857A (zh) * | 2024-09-11 | 2024-11-29 | 杭州欧诺半导体设备有限公司 | 一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法 |
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