JPH0737846A - レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0737846A JPH0737846A JP22489593A JP22489593A JPH0737846A JP H0737846 A JPH0737846 A JP H0737846A JP 22489593 A JP22489593 A JP 22489593A JP 22489593 A JP22489593 A JP 22489593A JP H0737846 A JPH0737846 A JP H0737846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- resist stripping
- organic
- semiconductor device
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 アルカリ性のレジスト剥離液によるレジスト
剥離後に用いるリンス液であって、（ａ）水溶性の１価
の低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または
（ｂ）水溶性の１価の低級アルコールと有機もしくは無
機の酸と水、または（ｃ）有機もしくは無機の酸と水よ
りなる基板に対して非腐食性のリンス液、半導体装置お
よびその製造方法。 【効果】 このリンス液は高密度集積回路の配線材料と
して多用されているＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料のレ
ジスト剥離工程での腐食を完全に防止する。
剥離後に用いるリンス液であって、（ａ）水溶性の１価
の低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または
（ｂ）水溶性の１価の低級アルコールと有機もしくは無
機の酸と水、または（ｃ）有機もしくは無機の酸と水よ
りなる基板に対して非腐食性のリンス液、半導体装置お
よびその製造方法。 【効果】 このリンス液は高密度集積回路の配線材料と
して多用されているＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料のレ
ジスト剥離工程での腐食を完全に防止する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、半導体装置製造の工程中におい
て使用されるアルカリ性のレジスト剥離液によるレジス
ト剥離後に用いるリンス液に関するものである。このリ
ンス液は高密度集積回路の配線材料として多用されてい
るＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料の腐食を発生させない
優れたリンス液である。
て使用されるアルカリ性のレジスト剥離液によるレジス
ト剥離後に用いるリンス液に関するものである。このリ
ンス液は高密度集積回路の配線材料として多用されてい
るＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料の腐食を発生させない
優れたリンス液である。
【０００２】
【背景技術】半導体装置製造の工程中において、所要の
フォトレジストのマスク形成を行った後、エッチングを
行い配線パターンを形成せしめ、次いで、配線パターン
上のレジスト層を含めて不要のレジスト層をレジスト剥
離液により除去し、さらにリンス液により洗浄し、水洗
するというリンス処理が必要とされる。
フォトレジストのマスク形成を行った後、エッチングを
行い配線パターンを形成せしめ、次いで、配線パターン
上のレジスト層を含めて不要のレジスト層をレジスト剥
離液により除去し、さらにリンス液により洗浄し、水洗
するというリンス処理が必要とされる。
【０００３】この場合、レジストを剥離するために用い
られる剥離液としては、酸性またはアルカリ性のレジス
ト剥離液が使用される。酸性のレジスト剥離液の代表的
なものとしてはアルキルベンゼンスルホン酸にフェノー
ル化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素等を配合した剥
離液が市販され、使用されているが、それらの従来品
は、レジストの剥離性は良好であるものの、アルキルベ
ンゼンスルホン酸により高密度集積回路に多用されてい
るＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料表面にピット状の腐食
が発生するという問題点を有している。加えて、毒性の
強いフェノール化合物や環境汚染の原因となる塩素系溶
剤を含有している点も問題とされている。また、アルカ
リ性のレジスト剥離液については、その代表的なものと
して有機アルカリと各種有機溶剤とからなる剥離液が市
販され使用されており、このアルカリ性のレジスト剥離
液は毒性が低く環境汚染への影響も小さいため、近年広
く使用されつつある。しかしながら、アルカリ性のレジ
スト剥離液においても上記の酸性のレジスト剥離液の場
合と同じように、レジストの剥離性は良好であるもの
の、アルカリ性成分によるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材
料表面におけるピット状の腐食の発生という解決すべき
問題点を有している。
られる剥離液としては、酸性またはアルカリ性のレジス
ト剥離液が使用される。酸性のレジスト剥離液の代表的
なものとしてはアルキルベンゼンスルホン酸にフェノー
ル化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素等を配合した剥
離液が市販され、使用されているが、それらの従来品
は、レジストの剥離性は良好であるものの、アルキルベ
ンゼンスルホン酸により高密度集積回路に多用されてい
るＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料表面にピット状の腐食
が発生するという問題点を有している。加えて、毒性の
強いフェノール化合物や環境汚染の原因となる塩素系溶
剤を含有している点も問題とされている。また、アルカ
リ性のレジスト剥離液については、その代表的なものと
して有機アルカリと各種有機溶剤とからなる剥離液が市
販され使用されており、このアルカリ性のレジスト剥離
液は毒性が低く環境汚染への影響も小さいため、近年広
く使用されつつある。しかしながら、アルカリ性のレジ
スト剥離液においても上記の酸性のレジスト剥離液の場
合と同じように、レジストの剥離性は良好であるもの
の、アルカリ性成分によるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材
料表面におけるピット状の腐食の発生という解決すべき
問題点を有している。
【０００４】
【発明の開示】本発明者らは、アルカリ性のレジスト剥
離液を使用する剥離工程において発生するＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の配線材料表面のピット状の腐食の発生の問題を
解決すべく、腐食発生のメカニズムについて研究したと
ころ、このような腐食は、アルカリ性のレジスト剥離液
からリンス液に混入したアルカリ性成分が剥離工程の最
後に行われる水洗工程時に混入し解離するために発生す
るという事実を確認し、このような腐食を防止する方法
について鋭意研究を重ねた結果、（ａ）水溶性の１価の
低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または（ｂ）
水溶性の１価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸
と水、または（ｃ）有機もしくは無機の酸と水よりなる
ことを特徴とする基板に対して非腐食性のリンス液を使
用することによりこのような腐食の発生が完全に防止で
きることを見い出した。本発明はかかる知見に基づいて
完成するに至ったものである。
離液を使用する剥離工程において発生するＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の配線材料表面のピット状の腐食の発生の問題を
解決すべく、腐食発生のメカニズムについて研究したと
ころ、このような腐食は、アルカリ性のレジスト剥離液
からリンス液に混入したアルカリ性成分が剥離工程の最
後に行われる水洗工程時に混入し解離するために発生す
るという事実を確認し、このような腐食を防止する方法
について鋭意研究を重ねた結果、（ａ）水溶性の１価の
低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または（ｂ）
水溶性の１価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸
と水、または（ｃ）有機もしくは無機の酸と水よりなる
ことを特徴とする基板に対して非腐食性のリンス液を使
用することによりこのような腐食の発生が完全に防止で
きることを見い出した。本発明はかかる知見に基づいて
完成するに至ったものである。
【０００５】すなわち、本発明は、アルカリ性のレジス
ト剥離液によるレジスト剥離後に用いるリンス液であっ
て、（ａ）水溶性の１価の低級アルコールと有機もしく
は無機の酸、または（ｂ）水溶性の１価の低級アルコー
ルと有機もしくは無機の酸と水、または（ｃ）有機もし
くは無機の酸と水よりなることを特徴とする基板に対し
て非腐食性のリンス液を提供するものである。さらに本
発明は、かかるリンス液を用いるリンス工程を含む半導
体装置製造方法ならびに該製造方法により製造された半
導体装置を提供するものである。本発明に係るリンス液
を使用することにより、アルカリ性のレジスト剥離液か
らリンス液に混入するアルカリ性成分を中和し、水洗時
におけるアルカリ性成分の解離が完全に抑制されＡｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料の腐食が防止される。したがっ
て、本発明に係るリンス液は、高精度、高密度の回路配
線を作製することを可能にする優れたものである。以下
に、本発明を詳しく説明する。
ト剥離液によるレジスト剥離後に用いるリンス液であっ
て、（ａ）水溶性の１価の低級アルコールと有機もしく
は無機の酸、または（ｂ）水溶性の１価の低級アルコー
ルと有機もしくは無機の酸と水、または（ｃ）有機もし
くは無機の酸と水よりなることを特徴とする基板に対し
て非腐食性のリンス液を提供するものである。さらに本
発明は、かかるリンス液を用いるリンス工程を含む半導
体装置製造方法ならびに該製造方法により製造された半
導体装置を提供するものである。本発明に係るリンス液
を使用することにより、アルカリ性のレジスト剥離液か
らリンス液に混入するアルカリ性成分を中和し、水洗時
におけるアルカリ性成分の解離が完全に抑制されＡｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料の腐食が防止される。したがっ
て、本発明に係るリンス液は、高精度、高密度の回路配
線を作製することを可能にする優れたものである。以下
に、本発明を詳しく説明する。
【０００６】本発明に係るリンス液に用いられる水溶性
の１価の低級アルコールの例としてはイソプロピルアル
コール、ｎ−プロピルアルコール、エタノール、メタノ
ール等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を
組み合わせて用いることができる。
の１価の低級アルコールの例としてはイソプロピルアル
コール、ｎ−プロピルアルコール、エタノール、メタノ
ール等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を
組み合わせて用いることができる。
【０００７】本発明に係るリンス液に用いられる有機ま
たは無機の酸の例としては、酢酸、硫酸、硝酸、しゅう
酸、安息香酸、ドデシルベンゼンスルホン酸またはそれ
らの水溶液等が挙げられる。これらの酸の配合量はアル
カリ性のレジスト剥離液より混入するアルカリ性成分を
中和できる量であり、酸性度の強い酸を必要以上に含有
させるとリンス時に酸が配線材料を腐食することになる
ので配合量はそれぞれの使用に適した量にする。またリ
ンス液における水の配合量は、通常は、リンス液の５０
重量％未満が適当であり、５０重量％以上ではリンス液
中に混入するアルカリ性成分が解離しやすくなり、リン
ス液中でＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料が腐食されやす
くなる傾向が生ずる。
たは無機の酸の例としては、酢酸、硫酸、硝酸、しゅう
酸、安息香酸、ドデシルベンゼンスルホン酸またはそれ
らの水溶液等が挙げられる。これらの酸の配合量はアル
カリ性のレジスト剥離液より混入するアルカリ性成分を
中和できる量であり、酸性度の強い酸を必要以上に含有
させるとリンス時に酸が配線材料を腐食することになる
ので配合量はそれぞれの使用に適した量にする。またリ
ンス液における水の配合量は、通常は、リンス液の５０
重量％未満が適当であり、５０重量％以上ではリンス液
中に混入するアルカリ性成分が解離しやすくなり、リン
ス液中でＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の配線材料が腐食されやす
くなる傾向が生ずる。
【０００８】本発明に係るリンス液には他の成分を配合
することができる。それらの他の成分の例としては、表
面張力を低下させるため、あるいは基板へのレジストの
再付着を防止するための界面活性剤があげられる。ま
た、糖類を添加することもできる。
することができる。それらの他の成分の例としては、表
面張力を低下させるため、あるいは基板へのレジストの
再付着を防止するための界面活性剤があげられる。ま
た、糖類を添加することもできる。
【０００９】以下に、本発明の実施例を比較例とともに
掲げる。なお、第１表は、腐食により発生したピット数
の光学顕微鏡による評価結果を示すものである。
掲げる。なお、第１表は、腐食により発生したピット数
の光学顕微鏡による評価結果を示すものである。
【００１０】実施例及び比較例 例中において使用された剥離液及びリンス液の組成は第
１表に示されている。シリコンウェハー上にＴｉＷ（下
層）／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（上層）の２層膜を形成し、ポ
ジ型フォトレジストを１．８μｍの膜厚となるように塗
布した。次にオーブン中、９０℃で１０分間プレベーク
した。レジストパターニング後、１４０℃で３０分間ポ
ストベークを行い、各アルカリ性のレジスト剥離液に、
ウェハーを１００℃で１０分間浸漬した。レジスト剥離
後、各リンス液で３分間リンスを行い３分間水洗後乾燥
し、腐食により発生したピット数を光学顕微鏡を用いて
評価した。これらの結果は第１表中に示されている。
１表に示されている。シリコンウェハー上にＴｉＷ（下
層）／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（上層）の２層膜を形成し、ポ
ジ型フォトレジストを１．８μｍの膜厚となるように塗
布した。次にオーブン中、９０℃で１０分間プレベーク
した。レジストパターニング後、１４０℃で３０分間ポ
ストベークを行い、各アルカリ性のレジスト剥離液に、
ウェハーを１００℃で１０分間浸漬した。レジスト剥離
後、各リンス液で３分間リンスを行い３分間水洗後乾燥
し、腐食により発生したピット数を光学顕微鏡を用いて
評価した。これらの結果は第１表中に示されている。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】 註： ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＭＥＡ： モノエタノールアミン ＤＭＩ： １，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＩＰＡ： イソプロピルアルコール ＭｅＯＨ：メチルアルコール ＥｔＯＨ：エチルアルコール
【００１３】本発明に係るリンス液を用いた例（実施例
１〜１３）においては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕの腐食は観察
されていないのに対し、従来品による場合（比較例１〜
３）においては著しく腐食が発生していることが認めら
れた。
１〜１３）においては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕの腐食は観察
されていないのに対し、従来品による場合（比較例１〜
３）においては著しく腐食が発生していることが認めら
れた。
【００１４】実施例１４ 次に本発明に係るリンス液を適用した半導体装置の製造
例を図１〜３を参照して説明する。
例を図１〜３を参照して説明する。
【００１５】まず、Ｓｉ基板１の上に絶縁膜であるＣＶ
Ｄ酸化膜２を形成せしめる。その上に第１層金属膜であ
るＴｉＷ層３、第２層金属膜であるＣＶＤ−Ｗ層４、第
３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層５を順次形成させ
る（図１参照）。膜厚はＣＶＤ酸化膜２が４５００Å、
第１層金属膜３が６００Å、第２層金属膜４が５０００
Å、第３層金属膜５が８０００Åである。またＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ層５としては、Ｓｉ含有率、１重量％、Ｃｕ含
有率、０．５重量％のものが用いられた。
Ｄ酸化膜２を形成せしめる。その上に第１層金属膜であ
るＴｉＷ層３、第２層金属膜であるＣＶＤ−Ｗ層４、第
３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層５を順次形成させ
る（図１参照）。膜厚はＣＶＤ酸化膜２が４５００Å、
第１層金属膜３が６００Å、第２層金属膜４が５０００
Å、第３層金属膜５が８０００Åである。またＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ層５としては、Ｓｉ含有率、１重量％、Ｃｕ含
有率、０．５重量％のものが用いられた。
【００１６】第３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層５
上にポジ型フォトレジスト６を塗布（コーティング）
し、露光し、ポジ型フォトレジストのマスクを形成せし
める（図２参照）。このポジ型フォトレジスト６はノボ
ラック系樹脂を主成分としたものであり、膜厚は１８０
００Åである。またポジ型フォトレジストのマスクを形
成後１４０℃で３０分間ベークを行った。
上にポジ型フォトレジスト６を塗布（コーティング）
し、露光し、ポジ型フォトレジストのマスクを形成せし
める（図２参照）。このポジ型フォトレジスト６はノボ
ラック系樹脂を主成分としたものであり、膜厚は１８０
００Åである。またポジ型フォトレジストのマスクを形
成後１４０℃で３０分間ベークを行った。
【００１７】次に、エッチングによってマスクを覆われ
ていない領域（非マスク領域）の導電層を取り除き、次
いで、マスクの作用をしていたポジ型フォトレジストを
アッシングによりその大部分を除去せしめる（図３参
照）。この際、パターニングされた導電層表面等にはレ
ジスト残渣７が残るがこれをジメチルスルホキシド／モ
ノエタノールアミン／１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノン＝７０／２５／５（重量％）の剥離液を用いて
除去する。ついで酢酸０．３３３ｍｏｌ／リットルを含
有するイソプロピルアルコールからなるリンス液でリン
スした後水洗する。
ていない領域（非マスク領域）の導電層を取り除き、次
いで、マスクの作用をしていたポジ型フォトレジストを
アッシングによりその大部分を除去せしめる（図３参
照）。この際、パターニングされた導電層表面等にはレ
ジスト残渣７が残るがこれをジメチルスルホキシド／モ
ノエタノールアミン／１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノン＝７０／２５／５（重量％）の剥離液を用いて
除去する。ついで酢酸０．３３３ｍｏｌ／リットルを含
有するイソプロピルアルコールからなるリンス液でリン
スした後水洗する。
【００１８】本発明に係るリンス液は、高い洗浄能力を
有し、かつ、配線材料のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層を腐食しな
い。第１表にも示された結果からみられるとおり、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ層表面における腐食により発生したピット
の数により、本発明に係るリンス液の優れていることが
明らかに示されている。本発明に係るリンス液に使用さ
れる各成分は、いずれも、取り扱い上、人体に対し危険
性のないものであるので、このリンス液の実用性は極め
て大きい。
有し、かつ、配線材料のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層を腐食しな
い。第１表にも示された結果からみられるとおり、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ層表面における腐食により発生したピット
の数により、本発明に係るリンス液の優れていることが
明らかに示されている。本発明に係るリンス液に使用さ
れる各成分は、いずれも、取り扱い上、人体に対し危険
性のないものであるので、このリンス液の実用性は極め
て大きい。
【図１】半導体装置の製造過程について半導体基板上の
各層を模式的に示す断面図である。
各層を模式的に示す断面図である。
【図２】半導体装置の製造過程について半導体基板上の
各層を模式的に示す断面図である。
各層を模式的に示す断面図である。
【図３】半導体装置の製造過程について半導体基板上の
各層を模式的に示す断面図である。
各層を模式的に示す断面図である。
【図４】半導体装置の製造過程について半導体基板上の
各層を模式的に示す断面図である。
各層を模式的に示す断面図である。
１ Ｓｉ基板 ２ ＣＶＤ酸化膜 ３ 第１層金属膜 ４ 第２層金属膜 ５ 第３層金属膜 ６ ポジ型フォトレジスト ７ レジスト残渣
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 正男 埼玉県草加市稲荷１−７−１ 関東化学株 式会社中央研究所内 (72)発明者 森 清人 埼玉県草加市稲荷１−７−１ 関東化学株 式会社中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリ性のレジスト剥離液によるレジ
スト剥離後に用いるリンス液であって、（ａ）水溶性の
１価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または
（ｂ）水溶性の１価の低級アルコールと有機もしくは無
機の酸と水、または（ｃ）有機もしくは無機の酸と水よ
りなることを特徴とする基板に対して非腐食性のリンス
液。 - 【請求項２】 半導体基板上の所定の領域に少なくとも
銅を含むアルミニウム基体から成る導電層を形成する工
程と、 前記導電層上にレジストを用いて所要のマスク形成を行
い、非マスク領域の前記導電層をエッチングする工程
と、 マスク形成された前記レジストを、アルカリ性のレジス
ト剥離液により前記導電層上から剥離する工程と前記請
求項１記載のリンス液によるリンス工程を含む半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の製造方法によって製造さ
れた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22489593A JPH0737846A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22489593A JPH0737846A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737846A true JPH0737846A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16820844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22489593A Withdrawn JPH0737846A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737846A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024965A4 (en) * | 1997-09-23 | 2000-09-20 | Arch Spec Chem Inc | PROCESS FOR REMOVING RESIDUES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| US6310020B1 (en) | 1998-11-13 | 2001-10-30 | Kao Corporation | Stripping composition for resist |
| US6319801B1 (en) * | 1997-11-28 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Method for cleaning a substrate and cleaning solution |
| US6713232B2 (en) | 2000-06-15 | 2004-03-30 | Kao Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with improved removal of resist residues |
| JP2005070118A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトリソグラフィー用リンス液および基板の処理方法 |
| US7534752B2 (en) | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP22489593A patent/JPH0737846A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534752B2 (en) | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
| EP1024965A4 (en) * | 1997-09-23 | 2000-09-20 | Arch Spec Chem Inc | PROCESS FOR REMOVING RESIDUES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| KR100399160B1 (ko) * | 1997-09-23 | 2003-09-26 | 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 | 반도체 기판으로부터 잔사를 제거하는 방법 |
| US6319801B1 (en) * | 1997-11-28 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Method for cleaning a substrate and cleaning solution |
| US6310020B1 (en) | 1998-11-13 | 2001-10-30 | Kao Corporation | Stripping composition for resist |
| US6713232B2 (en) | 2000-06-15 | 2004-03-30 | Kao Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with improved removal of resist residues |
| JP2005070118A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトリソグラフィー用リンス液および基板の処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3302120B2 (ja) | レジスト用剥離液 | |
| US7534752B2 (en) | Post plasma ashing wafer cleaning formulation | |
| JP3264405B2 (ja) | 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 | |
| CN1298827C (zh) | 含水的溶脱和洗涤组合物 | |
| JP4373457B2 (ja) | フォトレジストのための組成物及び方法 | |
| JP3255551B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JP2002523546A (ja) | 非腐食性のストリッピングおよびクリーニング組成物 | |
| TW200938624A (en) | Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid | |
| JPS5852578B2 (ja) | エッチング耐性重合体の剥離剤 | |
| JPH05259066A (ja) | ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 | |
| JPH04350660A (ja) | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 | |
| JPH09319098A (ja) | レジスト膜用剥離液 | |
| US5885901A (en) | Rinsing solution after resist stripping process and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4689855B2 (ja) | 残渣剥離剤組成物およびその使用方法 | |
| JPH0737846A (ja) | レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法 | |
| TWI360729B (en) | Photoresist residue remover composition and semico | |
| JP3449651B2 (ja) | レジスト剥離液組成物 | |
| JP2005535784A (ja) | 清浄液 | |
| JP4375722B2 (ja) | 銅配線用残渣洗浄剤 | |
| KR100630338B1 (ko) | 사이드월 제거용 조성물 및 사이드월 제거방법 | |
| JP3476367B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 | |
| JP4165209B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP2000056478A (ja) | サイドウォール除去液 | |
| JPH0962013A (ja) | 半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4483114B2 (ja) | レジスト剥離剤 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |