JPH0737935A - フリップチップの実装方法 - Google Patents
フリップチップの実装方法Info
- Publication number
- JPH0737935A JPH0737935A JP5176387A JP17638793A JPH0737935A JP H0737935 A JPH0737935 A JP H0737935A JP 5176387 A JP5176387 A JP 5176387A JP 17638793 A JP17638793 A JP 17638793A JP H0737935 A JPH0737935 A JP H0737935A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- flip chip
- flip
- mounting method
- conductor wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】各種電子機器に使用されるフリップチップの実
装方法において熱衝撃により発生する応力により接合部
の信頼性の低下を防ぐことを目的とする。 【構成】フリップチップ１上のアルミ電極２にＡｕ電極
３を形成し、絶縁体６上に形成した導体配線４と位置合
せをし、Ａｕ電極３と導体配線４を３．５％Ａｇ・９
６．５％Ｓｎ５よりなる金属接合材により接合すること
を特徴とする。
装方法において熱衝撃により発生する応力により接合部
の信頼性の低下を防ぐことを目的とする。 【構成】フリップチップ１上のアルミ電極２にＡｕ電極
３を形成し、絶縁体６上に形成した導体配線４と位置合
せをし、Ａｕ電極３と導体配線４を３．５％Ａｇ・９
６．５％Ｓｎ５よりなる金属接合材により接合すること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｕ電極と導体配線を接
合するフリップチップの実装方法に関する。
合するフリップチップの実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品はより小型化、より軽量
化を目指して発達している。それにともないフリップチ
ップの実装工法も様々な改良、改善が試みられてきた。
化を目指して発達している。それにともないフリップチ
ップの実装工法も様々な改良、改善が試みられてきた。
【０００３】以下に従来のフリップチップの実装方法に
ついて説明する。図３に示すように、フリップチップ１
上に相互に絶縁材１１で絶縁処理して形設されたアルミ
電極２にＡｕ電極３が形成されている。このＡｕ電極３
に絶縁体６に配設した導体配線４を接触させ、絶縁体６
とフリップチップ１の相互間に光硬化性樹脂１０を挟み
込み、加圧および紫外線の照射により光硬化性樹脂１０
の収縮力で接合する方法がある。
ついて説明する。図３に示すように、フリップチップ１
上に相互に絶縁材１１で絶縁処理して形設されたアルミ
電極２にＡｕ電極３が形成されている。このＡｕ電極３
に絶縁体６に配設した導体配線４を接触させ、絶縁体６
とフリップチップ１の相互間に光硬化性樹脂１０を挟み
込み、加圧および紫外線の照射により光硬化性樹脂１０
の収縮力で接合する方法がある。
【０００４】また図４に示すように、前述のフリップチ
ップ１のＡｕ電極３と絶縁体６の導体配線４とを３７％
Ｐｂ・６３％Ｓｎ１２で接合した後、絶縁材料７で接合
部を封止する方法がある。
ップ１のＡｕ電極３と絶縁体６の導体配線４とを３７％
Ｐｂ・６３％Ｓｎ１２で接合した後、絶縁材料７で接合
部を封止する方法がある。
【０００５】また、図５に示すように、前述のフリップ
チップ１のＡｕ電極３と絶縁体６の導体配線４を位置合
せした絶縁体６とフリップチップ１の相互間に導電性粒
子１３ａを絶縁性接着材１３に分散させた導電性接着材
を挟み込み加圧、および加熱による接合する方法があ
る。
チップ１のＡｕ電極３と絶縁体６の導体配線４を位置合
せした絶縁体６とフリップチップ１の相互間に導電性粒
子１３ａを絶縁性接着材１３に分散させた導電性接着材
を挟み込み加圧、および加熱による接合する方法があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の方法では、熱サイクル試験において、接合部が破断
してしまうという問題を有していた。
来の方法では、熱サイクル試験において、接合部が破断
してしまうという問題を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、熱サイクル時の応力に強く高信頼性を得ることので
きるフリップチップの実装方法を提供することを目的と
する。
で、熱サイクル時の応力に強く高信頼性を得ることので
きるフリップチップの実装方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のフリップチップの実装方法は、フリップチッ
プ上のアルミ電極にＡｕ電極を形成し、前記Ａｕ電極を
絶縁体上に形成した導体配線とを位置合せをし、前記Ａ
ｕ電極と前記導体配線を、３．５％Ａｇ・９６．５％Ｓ
ｎよりなる金属接合材により接合する方法としたもので
ある。
に本発明のフリップチップの実装方法は、フリップチッ
プ上のアルミ電極にＡｕ電極を形成し、前記Ａｕ電極を
絶縁体上に形成した導体配線とを位置合せをし、前記Ａ
ｕ電極と前記導体配線を、３．５％Ａｇ・９６．５％Ｓ
ｎよりなる金属接合材により接合する方法としたもので
ある。
【０００９】
【作用】この方法によれば、熱衝撃試験による応力によ
る接合部の破断を防ぎ、高信頼性を得ることとなる。
る接合部の破断を防ぎ、高信頼性を得ることとなる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。なお、従来例として示したものと同じ構
成部材には同じ符号を用いる。
がら説明する。なお、従来例として示したものと同じ構
成部材には同じ符号を用いる。
【００１１】図１（ａ）に示すように、アルミ電極２が
形成されたフリップチップ１上に同図（ｂ）に示すよう
にＡｕ電極３を形成する。一方同図（ｃ）に示すように
絶縁体６上の導体配線４にクリーム状の３．５％Ａｇ・
９６．５％Ｓｎよりなる金属接合材５を供給する。Ａｕ
電極３と導体４を位置合せした後、熱を加えて金属接合
材５を溶融し、接合する。その後同図（ｄ）に示すよう
に絶縁材料７で封止する。
形成されたフリップチップ１上に同図（ｂ）に示すよう
にＡｕ電極３を形成する。一方同図（ｃ）に示すように
絶縁体６上の導体配線４にクリーム状の３．５％Ａｇ・
９６．５％Ｓｎよりなる金属接合材５を供給する。Ａｕ
電極３と導体４を位置合せした後、熱を加えて金属接合
材５を溶融し、接合する。その後同図（ｄ）に示すよう
に絶縁材料７で封止する。
【００１２】ここで、前記３．５％Ａｇ・９．５６％Ｓ
ｎよりなる金属接合材は、融点が最も低くなる共晶点を
もち、したがって固体と液体が混り合うようなことがな
く、安定した接合材となる。
ｎよりなる金属接合材は、融点が最も低くなる共晶点を
もち、したがって固体と液体が混り合うようなことがな
く、安定した接合材となる。
【００１３】また図２に示すように金属接合材５におい
て、Ｓｎの酸化を防ぐためにＳｎ粒子８上にＡｇ９コー
ティング層を形成し、クリーム状にして導体配線に供給
する。
て、Ｓｎの酸化を防ぐためにＳｎ粒子８上にＡｇ９コー
ティング層を形成し、クリーム状にして導体配線に供給
する。
【００１４】以上のように本実施例によれば、フリップ
チップのアルミ電極上に形成されたＡｕ電極２と、絶縁
体６上の導体配線４を熱衝撃により発生する応力により
接合部が破断することなく高信頼性で接合できる。
チップのアルミ電極上に形成されたＡｕ電極２と、絶縁
体６上の導体配線４を熱衝撃により発生する応力により
接合部が破断することなく高信頼性で接合できる。
【００１５】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明はフリップチップ上のアルミ電極にＡｕ電極
を形成し、絶縁体上に形成した導体配線と位置合せを
し、フリップチップと絶縁体とを３．５％Ａｇ・９６．
５％Ｓｎよりなる金属接合材により接合したため、高信
頼性を得ることができ、その効果は大きい。
に、本発明はフリップチップ上のアルミ電極にＡｕ電極
を形成し、絶縁体上に形成した導体配線と位置合せを
し、フリップチップと絶縁体とを３．５％Ａｇ・９６．
５％Ｓｎよりなる金属接合材により接合したため、高信
頼性を得ることができ、その効果は大きい。
【図１】本発明の実施例のフリップチップの実装方法に
おける各工程を順に示した断面略図
おける各工程を順に示した断面略図
【図２】同接合材料の要部材の断面略図
【図３】従来のフリップチップの実装方法の光硬化性樹
脂で接合した状態を示した断面図
脂で接合した状態を示した断面図
【図４】同フリップチップの実装方法の３．７％Ｐｂ・
６３％Ｓｎで接合した状態を示した断面略図
６３％Ｓｎで接合した状態を示した断面略図
【図５】同フリップチップの実装方法の導電性接着材で
接合した断面略図
接合した断面略図
１ フリップチップ ２ アルミ電極 ３ Ａｕ電極 ４ 導体配線 ５ ３．５％Ａｇ・９６．５％Ｓｎの金属接合材 ６ 絶縁体 ７ 絶縁材料 ８ Ｓｎ粒子 ９ Ａｇコーティング層
Claims (2)
- 【請求項１】 フリップチップ上のアルミ電極にＡｕ電
極を形成し、前記Ａｕ電極と絶縁体上に形成した導体配
線とを位置合せし、前記Ａｕ電極と、前記導体配線を、
ＡｇとＳｎよりなるクリーム状の金属接合材で接合し、
前記金属接合材は共晶組成をなすＡｇ３．５％・Ｓｎ９
６．５％としたことを特徴としたフリップチップの実装
方法。 - 【請求項２】 金属接合材は、Ｓｎ粒子上にＡｇをコー
ティングしてなる請求項１記載のフリップチップの実装
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176387A JPH0737935A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | フリップチップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176387A JPH0737935A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | フリップチップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737935A true JPH0737935A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16012764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176387A Pending JPH0737935A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | フリップチップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737935A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980044255A (ko) * | 1996-12-06 | 1998-09-05 | 황인길 | 플립 칩(Flip Chip)용 기판(Substrate)의 리드 핑거(Lead Finger)구조 |
| US6759258B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-07-06 | Renesas Technology Corp. | Connection device and test system |
| KR100878916B1 (ko) * | 2007-09-17 | 2009-01-15 | 삼성전기주식회사 | 솔더 범프 |
| JP2011252549A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Denso Corp | 自動変速機の制御装置 |
| US10119908B2 (en) | 2015-12-21 | 2018-11-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Particle sensor |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5176387A patent/JPH0737935A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980044255A (ko) * | 1996-12-06 | 1998-09-05 | 황인길 | 플립 칩(Flip Chip)용 기판(Substrate)의 리드 핑거(Lead Finger)구조 |
| US6759258B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-07-06 | Renesas Technology Corp. | Connection device and test system |
| US7285430B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-10-23 | Hitachi, Ltd. | Connection device and test system |
| US7541202B2 (en) | 1997-05-09 | 2009-06-02 | Renesas Technology Corp. | Connection device and test system |
| KR100878916B1 (ko) * | 2007-09-17 | 2009-01-15 | 삼성전기주식회사 | 솔더 범프 |
| JP2011252549A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Denso Corp | 自動変速機の制御装置 |
| US10119908B2 (en) | 2015-12-21 | 2018-11-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Particle sensor |
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