JPH06333983A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH06333983A JPH06333983A JP5116679A JP11667993A JPH06333983A JP H06333983 A JPH06333983 A JP H06333983A JP 5116679 A JP5116679 A JP 5116679A JP 11667993 A JP11667993 A JP 11667993A JP H06333983 A JPH06333983 A JP H06333983A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウムあるいはアルミニウムを含む合
金を用いた回路基板の電極と半導体素子との接続を良好
にする。 【構成】 回路基板５の電極６とＩＣチップ１の突起電
極３とを導電性接着剤４により接続し、その接続部の周
辺部に硬化収縮性の合成樹脂からなる充填材７を充填す
る。
金を用いた回路基板の電極と半導体素子との接続を良好
にする。 【構成】 回路基板５の電極６とＩＣチップ１の突起電
極３とを導電性接着剤４により接続し、その接続部の周
辺部に硬化収縮性の合成樹脂からなる充填材７を充填す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップ、ＬＳＩチ
ップ等の半導体素子を実装した半導体装置およびその製
造方法、特にマイクロバンプ方式により半導体素子をフ
ェースダウンさせて回路基板上の電極と接続して実装す
る製造方法に関するものである。
ップ等の半導体素子を実装した半導体装置およびその製
造方法、特にマイクロバンプ方式により半導体素子をフ
ェースダウンさせて回路基板上の電極と接続して実装す
る製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の液晶ディスプレイのような平面型
ディスプレイにあっては、多数の半導体素子を実装する
必要があるので、その実装面積の小型化と効率的使用を
図るため、裸の半導体素子をガラスからなる回路基板上
の端子電極に直付けしている。半導体素子と回路基板の
電極とを電気的に接続する方法としては、半導体素子の
電極パッド上に形成した突起電極を導電性接着剤を用い
て回路基板の電極と接着することにより接続する方法が
従来より知られている。また、液晶ディスプレイなどが
大型化、高精細化してくると、液晶駆動用ＩＣの１チッ
プ当たりの出力数が多くなり、クロックパルス周波数が
高くなるため、配線抵抗や接続抵抗を小さくする取り組
みがなされている。一方、最近では液晶ディスプレイの
電極材料の主流は、インジウム−錫酸化物となって来て
いるが、この電極材料を用いた場合、配線抵抗や接触抵
抗が大きく、電圧降下によって応答速度の低下や正常な
画像表示ができないことがあるため、特に薄膜トランジ
スタを用いた液晶パネルの場合、この現象が見られるた
め、電極材料としてアルミニウムあるいはアルミニウム
を含む合金を用いて低抵抗化を図る動きが現われて来て
いる。
ディスプレイにあっては、多数の半導体素子を実装する
必要があるので、その実装面積の小型化と効率的使用を
図るため、裸の半導体素子をガラスからなる回路基板上
の端子電極に直付けしている。半導体素子と回路基板の
電極とを電気的に接続する方法としては、半導体素子の
電極パッド上に形成した突起電極を導電性接着剤を用い
て回路基板の電極と接着することにより接続する方法が
従来より知られている。また、液晶ディスプレイなどが
大型化、高精細化してくると、液晶駆動用ＩＣの１チッ
プ当たりの出力数が多くなり、クロックパルス周波数が
高くなるため、配線抵抗や接続抵抗を小さくする取り組
みがなされている。一方、最近では液晶ディスプレイの
電極材料の主流は、インジウム−錫酸化物となって来て
いるが、この電極材料を用いた場合、配線抵抗や接触抵
抗が大きく、電圧降下によって応答速度の低下や正常な
画像表示ができないことがあるため、特に薄膜トランジ
スタを用いた液晶パネルの場合、この現象が見られるた
め、電極材料としてアルミニウムあるいはアルミニウム
を含む合金を用いて低抵抗化を図る動きが現われて来て
いる。
【０００３】つぎに、上記の半導体素子を回路基板の電
極に直付けする従来の実装方法および実装した半導体装
置について図２および図３を参照して説明する。図２
（ａ）〜（ｆ）は従来におけるＩＣチップの実装方法の
工程を示したものであり、図３はその実装された半導体
装置の要部断面図である。図において、１はＩＣチップ
で、１５０μｍピッチで配置した約１５０個の電極パッ
ド２上には高さ約７０μｍ、径約８０μｍの金からなる
バンプと言われている突起電極３が形成されている。５
は液晶パネルなどの回路基板で、その端部には、ＩＣチ
ップ１の電極パッド２と同数・同ピッチで膜厚が約３０
００Åのアルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金
からなる電極６が形成されている。１０は平均粒径が約
１μｍの鱗片状の銀からなる導電粒子１１と熱硬化性樹
脂とで構成された導電性接着剤である。１２はシリコー
ン系の熱硬化性の樹脂である。１３は膜形成ブレード１
４を用いて導電性接着剤１０の膜を作成するための支持
体である。
極に直付けする従来の実装方法および実装した半導体装
置について図２および図３を参照して説明する。図２
（ａ）〜（ｆ）は従来におけるＩＣチップの実装方法の
工程を示したものであり、図３はその実装された半導体
装置の要部断面図である。図において、１はＩＣチップ
で、１５０μｍピッチで配置した約１５０個の電極パッ
ド２上には高さ約７０μｍ、径約８０μｍの金からなる
バンプと言われている突起電極３が形成されている。５
は液晶パネルなどの回路基板で、その端部には、ＩＣチ
ップ１の電極パッド２と同数・同ピッチで膜厚が約３０
００Åのアルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金
からなる電極６が形成されている。１０は平均粒径が約
１μｍの鱗片状の銀からなる導電粒子１１と熱硬化性樹
脂とで構成された導電性接着剤である。１２はシリコー
ン系の熱硬化性の樹脂である。１３は膜形成ブレード１
４を用いて導電性接着剤１０の膜を作成するための支持
体である。
【０００４】従来のＩＣチップ実装方法は、まず図２
（ａ）に示すようにＩＣチップ１の上に配置した電極パ
ッド２の上に形成された突起電極３を、図２（ｂ）に示
すように別に用意した支持体１３上に膜形成ブレード１
４を用いて形成された膜厚が約２５μｍの均一な導電性
接着剤１０からなる膜に図２（ｃ）に示すように２秒間
浸積し、ＩＣチップ１の突起電極３に図２（ｄ）に示す
ように導電性接着剤１０を転写・塗布する。その後、図
２（ｅ）に示すように導電性接着剤１０が塗布されたＩ
Ｃチップ１を回路基板５の電極６と位置合わせし、つい
でＩＣチップ１の突起電極３に約１kg／mm2 の押圧を加
えて搭載した後、１２０℃で３時間加熱して導電性接着
剤１０を硬化させてＩＣチップ１の突起電極３と回路基
板５の電極６とを接着接続する。そして、図２（ｆ）で
示すようにＩＣチップ１と回路基板５との間隙に液状の
熱硬化性樹脂を注入し、ついで１２０℃で３時間加熱し
て硬化させ、ＩＣチップ１と回路基板５との間に熱硬化
性樹脂１２を形成してＩＣチップ１の実装を完了する。
上記実装方法により得られた半導体装置は、図３に示す
ように、導電性接着剤１０中の導電粒子１１がＩＣチッ
プ１の電極パッド２に形成された突起電極３と回路基板
５の電極６との表面に接触した状態で両電極３、５間が
接続され、前記接続部位の周辺やＩＣチップ１と回路基
板の間隙には熱硬化性樹脂１２が充填されて封止・絶縁
された構造となっている。
（ａ）に示すようにＩＣチップ１の上に配置した電極パ
ッド２の上に形成された突起電極３を、図２（ｂ）に示
すように別に用意した支持体１３上に膜形成ブレード１
４を用いて形成された膜厚が約２５μｍの均一な導電性
接着剤１０からなる膜に図２（ｃ）に示すように２秒間
浸積し、ＩＣチップ１の突起電極３に図２（ｄ）に示す
ように導電性接着剤１０を転写・塗布する。その後、図
２（ｅ）に示すように導電性接着剤１０が塗布されたＩ
Ｃチップ１を回路基板５の電極６と位置合わせし、つい
でＩＣチップ１の突起電極３に約１kg／mm2 の押圧を加
えて搭載した後、１２０℃で３時間加熱して導電性接着
剤１０を硬化させてＩＣチップ１の突起電極３と回路基
板５の電極６とを接着接続する。そして、図２（ｆ）で
示すようにＩＣチップ１と回路基板５との間隙に液状の
熱硬化性樹脂を注入し、ついで１２０℃で３時間加熱し
て硬化させ、ＩＣチップ１と回路基板５との間に熱硬化
性樹脂１２を形成してＩＣチップ１の実装を完了する。
上記実装方法により得られた半導体装置は、図３に示す
ように、導電性接着剤１０中の導電粒子１１がＩＣチッ
プ１の電極パッド２に形成された突起電極３と回路基板
５の電極６との表面に接触した状態で両電極３、５間が
接続され、前記接続部位の周辺やＩＣチップ１と回路基
板の間隙には熱硬化性樹脂１２が充填されて封止・絶縁
された構造となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体装置においては、回路基板の電極がアルミ
ニウム、あるいはアルミニウムを含む合金で形成されて
いるので、その電極表面には酸化層が形成され易く、し
かも電極表面に固着している導電性接着剤の導電粒子は
回路基板の電極表面に単に接触した状態で固定されてい
るため、アルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金
の酸化層を介して接続されることから接続抵抗が大きく
なり、あるいは突起電極と電極との接続が不充分となっ
て性能が安定しないという問題があった。
従来の半導体装置においては、回路基板の電極がアルミ
ニウム、あるいはアルミニウムを含む合金で形成されて
いるので、その電極表面には酸化層が形成され易く、し
かも電極表面に固着している導電性接着剤の導電粒子は
回路基板の電極表面に単に接触した状態で固定されてい
るため、アルミニウムあるいはアルミニウムを含む合金
の酸化層を介して接続されることから接続抵抗が大きく
なり、あるいは突起電極と電極との接続が不充分となっ
て性能が安定しないという問題があった。
【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、回路
基板の電極にアルミニウムあるいはアルミニウムを含む
合金を用い、この回路基板の電極と半導体素子の電極と
を導電性接着剤を介して接続した場合でも接続抵抗の増
大がなく安定した接続が得られる半導体装置およびその
製造方法を提供することを目的としている。
基板の電極にアルミニウムあるいはアルミニウムを含む
合金を用い、この回路基板の電極と半導体素子の電極と
を導電性接着剤を介して接続した場合でも接続抵抗の増
大がなく安定した接続が得られる半導体装置およびその
製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、回路基板の電極を
アルミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金で構成
し、この電極と半導体素子の突起電極とを導電性粒子を
混入した導電性接着剤により接着、接続し、この両電極
接続部の周辺に硬化収縮性の合成樹脂を充填したもので
ある。
に、本発明の半導体装置においては、回路基板の電極を
アルミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金で構成
し、この電極と半導体素子の突起電極とを導電性粒子を
混入した導電性接着剤により接着、接続し、この両電極
接続部の周辺に硬化収縮性の合成樹脂を充填したもので
ある。
【０００８】そして、本発明の半導体装置の製造方法に
おいては、半導体素子の突起電極に導電性粒子を混入し
た導電性接着剤を塗布し、上記半導体素子の突起電極と
アルミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金からな
る回路基板の電極とを位置合わせして両電極間を導電性
接着剤により接着し、ついでこの両電極接着部の周辺に
硬化収縮性の合成樹脂を注入して硬化させるものであ
る。
おいては、半導体素子の突起電極に導電性粒子を混入し
た導電性接着剤を塗布し、上記半導体素子の突起電極と
アルミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金からな
る回路基板の電極とを位置合わせして両電極間を導電性
接着剤により接着し、ついでこの両電極接着部の周辺に
硬化収縮性の合成樹脂を注入して硬化させるものであ
る。
【０００９】また、硬化収縮性の合成樹脂としては、熱
硬化型、もしくは光硬化型、あるいは熱硬化と光硬化の
併用型のいずれでも使用することができ、収縮力は突起
電極に対して２０kg／mm2 以上あることが好ましくさら
に絶縁性粒子を混入すると収縮力が均一に伝達されてよ
り効果的である。
硬化型、もしくは光硬化型、あるいは熱硬化と光硬化の
併用型のいずれでも使用することができ、収縮力は突起
電極に対して２０kg／mm2 以上あることが好ましくさら
に絶縁性粒子を混入すると収縮力が均一に伝達されてよ
り効果的である。
【００１０】また、導電性接着剤の導電性粒子としては
回路基板の電極素材よりも硬い導電材料からなるものが
好ましくニッケル、ニッケルを含む合金、銀−パラジウ
ム合金の少なくとも一つからなるものであると効果的で
ある。
回路基板の電極素材よりも硬い導電材料からなるものが
好ましくニッケル、ニッケルを含む合金、銀−パラジウ
ム合金の少なくとも一つからなるものであると効果的で
ある。
【００１１】さらに、導電性接着剤の導電性粒子の形状
は、鱗片状、球状、もしくはこれらの混合形状が好まし
い。
は、鱗片状、球状、もしくはこれらの混合形状が好まし
い。
【００１２】
【作用】上記のように構成された本発明によれば回路基
板の電極と半導体素子の突起電極とを導電性接着剤で接
着した部分の周辺に充填した合成樹脂が硬化する時に収
縮して収縮力を発生し、この収縮力により上記電極間に
圧縮力がかかるので、回路基板の電極の表面に酸化膜が
形成されていても、導電性接着剤の導電性粒子が酸化膜
を破って電極と接触し、接続抵抗の増大もなく接続を安
定させるように作用する。
板の電極と半導体素子の突起電極とを導電性接着剤で接
着した部分の周辺に充填した合成樹脂が硬化する時に収
縮して収縮力を発生し、この収縮力により上記電極間に
圧縮力がかかるので、回路基板の電極の表面に酸化膜が
形成されていても、導電性接着剤の導電性粒子が酸化膜
を破って電極と接触し、接続抵抗の増大もなく接続を安
定させるように作用する。
【００１３】そして、電極間に充分な圧縮力をかけるに
は、合成樹脂の収縮力が突起電極に対して２０kg／mm2
以上になるものが好ましく、また均一に収縮力を伝達さ
せるために絶縁性粒子を混入するのが好ましい。
は、合成樹脂の収縮力が突起電極に対して２０kg／mm2
以上になるものが好ましく、また均一に収縮力を伝達さ
せるために絶縁性粒子を混入するのが好ましい。
【００１４】また、導電性接着剤の導電性粒子は、アル
ミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金よりも硬い
導電材料で構成すると導電性粒子が回路基板の電極の表
面に形成された酸化膜を破り、さらに電極の表面に圧入
され、より良好な接続が得られるようになり、さらに導
電性粒子の形状を鱗片状、球状にするとより酸化膜が破
れ易く、電極の表面にも圧入され易くなる。
ミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金よりも硬い
導電材料で構成すると導電性粒子が回路基板の電極の表
面に形成された酸化膜を破り、さらに電極の表面に圧入
され、より良好な接続が得られるようになり、さらに導
電性粒子の形状を鱗片状、球状にするとより酸化膜が破
れ易く、電極の表面にも圧入され易くなる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の一実施例について半導体装置
の要部断面図を示した図１を参照して説明する。
の要部断面図を示した図１を参照して説明する。
【００１６】ＩＣチップ１に１５０μｍピッチで配置し
た約１５０個の電極パッド２に形成した高さ約７０μ
ｍ、径約８０μｍの金からなる突起電極３と、液晶表示
装置を構成する基板である回路基板５に上記電極パッド
２と同数、同ピッチで膜厚が約３０００Åのアルミニウ
ム層で形成した電極６とを導電性接着剤４により接着し
て接続し、ＩＣチップ１と回路基板５との間に硬化収縮
性の合成樹脂からなる充填材７を充填している。
た約１５０個の電極パッド２に形成した高さ約７０μ
ｍ、径約８０μｍの金からなる突起電極３と、液晶表示
装置を構成する基板である回路基板５に上記電極パッド
２と同数、同ピッチで膜厚が約３０００Åのアルミニウ
ム層で形成した電極６とを導電性接着剤４により接着し
て接続し、ＩＣチップ１と回路基板５との間に硬化収縮
性の合成樹脂からなる充填材７を充填している。
【００１７】導電性接着剤４にはアルミニウムより硬く
平均粒径が約５μｍの球状のニッケル粒子８と平均粒径
が約１μｍの鱗片状の銀−白金合金粒子９からなる導電
粒子が混入されており、硬化収縮性の合成樹脂からなる
充填材７としてはＩＣチップ１の突起電極３に対して２
０kg／mm2 以上の硬化収縮力が得られるように、平均粒
径が約５μｍの酸化珪素を５０ｗｔ％含有したエポキシ
系の熱硬化性樹脂を用い、１２０℃で３時間加熱して硬
化させた。この半導体装置の接続抵抗値は、従来の半導
体装置が１０Ω以上あるのに対し、非常に低く数１００
ｍΩであった。充填材７の硬化収縮力の測定は標準化さ
れた測定方法がないため、以下の簡易的な手法で行っ
た。まず、抵抗値測定が可能なＩＣチップ１を導電性接
着剤４により抵抗測定端子を設けた回路基板５の電極６
に接続して導電性接着剤４を１２０℃で３時間加熱硬化
させてサンプルを作成した。そして、前記ＩＣチップ１
の裏面側に金属ブロックを乗せ、金属ブロックの中央部
を点加圧しながらＩＣチップ１と回路基板５との接続抵
抗値を測定することで充填材７の硬化収縮力を求めた。
その結果、加圧力に応じて接続抵抗値は小さくなり、加
圧力が２０kg／mm2 以上で安定し、この時の接続抵抗値
の減少率と充填材７の硬化後の抵抗減少率がほぼ一致し
ていることが分かった。
平均粒径が約５μｍの球状のニッケル粒子８と平均粒径
が約１μｍの鱗片状の銀−白金合金粒子９からなる導電
粒子が混入されており、硬化収縮性の合成樹脂からなる
充填材７としてはＩＣチップ１の突起電極３に対して２
０kg／mm2 以上の硬化収縮力が得られるように、平均粒
径が約５μｍの酸化珪素を５０ｗｔ％含有したエポキシ
系の熱硬化性樹脂を用い、１２０℃で３時間加熱して硬
化させた。この半導体装置の接続抵抗値は、従来の半導
体装置が１０Ω以上あるのに対し、非常に低く数１００
ｍΩであった。充填材７の硬化収縮力の測定は標準化さ
れた測定方法がないため、以下の簡易的な手法で行っ
た。まず、抵抗値測定が可能なＩＣチップ１を導電性接
着剤４により抵抗測定端子を設けた回路基板５の電極６
に接続して導電性接着剤４を１２０℃で３時間加熱硬化
させてサンプルを作成した。そして、前記ＩＣチップ１
の裏面側に金属ブロックを乗せ、金属ブロックの中央部
を点加圧しながらＩＣチップ１と回路基板５との接続抵
抗値を測定することで充填材７の硬化収縮力を求めた。
その結果、加圧力に応じて接続抵抗値は小さくなり、加
圧力が２０kg／mm2 以上で安定し、この時の接続抵抗値
の減少率と充填材７の硬化後の抵抗減少率がほぼ一致し
ていることが分かった。
【００１８】接続部位の周辺やＩＣチップ１と回路基板
５の間隙に充填した合成樹脂の収縮力により導電性接着
剤４に混入されている球状のニッケル粒子８や鱗片状の
銀−白金合金粒子９の一部分が回路基板５の電極６に圧
入されて埋没している。上記のようにして得た半導体装
置について、回路基板５からＩＣチップ１を取り外し
て、接続箇所の表面を顕微鏡観察すると突起電極３に対
向する回路基板５の電極６の表面に酸化層を破った凹部
が数カ所確認された。
５の間隙に充填した合成樹脂の収縮力により導電性接着
剤４に混入されている球状のニッケル粒子８や鱗片状の
銀−白金合金粒子９の一部分が回路基板５の電極６に圧
入されて埋没している。上記のようにして得た半導体装
置について、回路基板５からＩＣチップ１を取り外し
て、接続箇所の表面を顕微鏡観察すると突起電極３に対
向する回路基板５の電極６の表面に酸化層を破った凹部
が数カ所確認された。
【００１９】なお、本実施例では、充填材７に熱硬化型
樹脂を用いたが、光硬化型樹脂あるいは光硬化と熱硬化
の併用型樹脂を用いても同様の結果を得ており、また、
導電性接着剤４に鱗片状と球状の導電粒子を用いている
が、鱗片状あるいは球状のみからなる導電粒子を用いて
も同様の結果を得ている。
樹脂を用いたが、光硬化型樹脂あるいは光硬化と熱硬化
の併用型樹脂を用いても同様の結果を得ており、また、
導電性接着剤４に鱗片状と球状の導電粒子を用いている
が、鱗片状あるいは球状のみからなる導電粒子を用いて
も同様の結果を得ている。
【００２０】さらに、導電粒子には銀−白金合金粒子と
ニッケル粒子の混合物をもちいたが、これら単独であっ
ても同様の結果を得ており、また回路基板５の電極６を
アルミニウムを含む合金で構成した場合も同様の結果が
得られている。
ニッケル粒子の混合物をもちいたが、これら単独であっ
ても同様の結果を得ており、また回路基板５の電極６を
アルミニウムを含む合金で構成した場合も同様の結果が
得られている。
【００２１】また、上記半導体装置はつぎの様な工程で
製造し、その製造工程は、ＩＣチップ１の電極パッド２
の上に形成された複数の突起電極３に導電性接着剤４を
転写塗布する工程と、回路基板５の上に形成されたアル
ミニウムからなる電極６と前記ＩＣチップ１の突起電極
３との位置合わせする工程と、前記ＩＣチップ１をフェ
イスダウンさせて前記回路基板５の上に加圧圧着させ、
導電性接着剤４を加熱硬化させて前記突起電極３と電極
６とを接着する工程と、前記ＩＣチップ１と回路基板５
との間隙に硬化収縮性の合成樹脂を注入して加熱硬化さ
せる工程とにより構成しているものである。
製造し、その製造工程は、ＩＣチップ１の電極パッド２
の上に形成された複数の突起電極３に導電性接着剤４を
転写塗布する工程と、回路基板５の上に形成されたアル
ミニウムからなる電極６と前記ＩＣチップ１の突起電極
３との位置合わせする工程と、前記ＩＣチップ１をフェ
イスダウンさせて前記回路基板５の上に加圧圧着させ、
導電性接着剤４を加熱硬化させて前記突起電極３と電極
６とを接着する工程と、前記ＩＣチップ１と回路基板５
との間隙に硬化収縮性の合成樹脂を注入して加熱硬化さ
せる工程とにより構成しているものである。
【００２２】以上のように上記実施例によれば、導電性
接着剤４中の導電粒子を充填材７の硬化収縮力すなわち
突起電極３に対して２０kg／mm2 以上の圧縮のアルミニ
ウムからなる回路基板５の電極６に圧着させることで回
路基板５の電極６とＩＣチップ１の接続抵抗が小さくな
り性能が安定した半導体装置が得られる。
接着剤４中の導電粒子を充填材７の硬化収縮力すなわち
突起電極３に対して２０kg／mm2 以上の圧縮のアルミニ
ウムからなる回路基板５の電極６に圧着させることで回
路基板５の電極６とＩＣチップ１の接続抵抗が小さくな
り性能が安定した半導体装置が得られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、つぎに記載するような効果を奏する。導電
性接着剤を介して接続した半導体素子の突起電極と回路
基板の電極との接続部周辺に充填した硬化収縮性の合成
樹脂の硬化収縮力により、導電性接着剤の導電粒子の一
部が回路基板の電極に圧着され、回路基板の電極の表面
に酸化層が形成されていても回路基板の電極とＩＣチッ
プとの接続抵抗が低くなり、信頼性の高い接続が実現で
き、性能が安定した半導体装置が提供できるものであ
る。
ているので、つぎに記載するような効果を奏する。導電
性接着剤を介して接続した半導体素子の突起電極と回路
基板の電極との接続部周辺に充填した硬化収縮性の合成
樹脂の硬化収縮力により、導電性接着剤の導電粒子の一
部が回路基板の電極に圧着され、回路基板の電極の表面
に酸化層が形成されていても回路基板の電極とＩＣチッ
プとの接続抵抗が低くなり、信頼性の高い接続が実現で
き、性能が安定した半導体装置が提供できるものであ
る。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の要部断
面図
面図
【図２】従来における半導体装置の製造工程の概略説明
図
図
【図３】従来における半導体装置の要部断面図
１ ＩＣチップ ２ 電極パッド ３ 突起電極 ４ 導電性接着剤 ５ 回路基板 ６ 電極 ７ 充填材 ８ ニッケル粒子 ９ 銀−白金合金粒子
Claims (14)
- 【請求項１】回路基板の電極をアルミニウム、もしくは
アルミニウムを含む合金で構成し、この電極と半導体素
子の突起電極とを導電性粒子を混入した導電性接着剤に
より接着・接続し、この両電極の接続周辺部に硬化収縮
性の合成樹脂を充填してなる半導体装置。 - 【請求項２】回路基板が液晶表示装置の構成部位である
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】硬化収縮性の合成樹脂が熱硬化型合成樹
脂、光硬化型合成樹脂および熱硬化と光硬化の併用型合
成樹脂の群から選ばれた一種の合成樹脂である請求項１
記載の半導体装置。 - 【請求項４】硬化収縮性の合成樹脂が絶縁性粒子を含む
樹脂である請求項１又は３記載の半導体装置。 - 【請求項５】導電性接着剤の導電性粒子が回路基板の電
極素材よりも硬い導電材料である請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項６】導電性接着剤の導電性粒子がニッケル、ニ
ッケルを含む合金、銀−パラジウム合金の群から選ばれ
た少なくとも一つである請求項１又は５記載の半導体装
置。 - 【請求項７】導電性接着剤の導電性粒子が鱗片状粒子、
球状粒子、およびそれらの混合粒子の群から選ばれた粒
子である請求項１、５又は６のいずれかに記載の半導体
装置。 - 【請求項８】半導体素子の突起電極に、導電性粒子を混
入した導電性接着剤を塗布し、上記半導体素子の突起電
極とアルミニウム、もしくはアルミニウムを含む合金製
の回路基板の電極とを位置合わせして両電極間を導電性
接着剤により接着し、ついでこの両電極の接着部周辺に
硬化収縮性の合成樹脂を注入して硬化させることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】硬化収縮性の合成樹脂の収縮力が、突起電
極に対して２０kg／mm 2 以上である請求項８記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１０】硬化収縮性の合成樹脂が熱硬化型合成樹
脂、光硬化型合成樹脂、および熱硬化と光硬化の併用型
合成樹脂の群から選ばれた一種の合成樹脂である請求項
８又は９記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】硬化収縮性の合成樹脂が絶縁性粒子を含
む樹脂である請求項８ないし１０のいずれかに記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】導電性接着剤の導電性粒子が回路基板の
電極素材よりも硬い導電材料である請求項８記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１３】導電性接着剤の導電性粒子がニッケル、
ニッケルを含む合金、銀−パラジウム合金の群から選ば
れた少なくとも一つの金属である請求項８又は１２記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】導電性接着剤の導電性粒子が鱗片状粒
子、球状粒子、およびそれらの混合粒子の群から選ばれ
た一種の粒子である請求項８、１２又は１３のいずれか
に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5116679A JPH06333983A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5116679A JPH06333983A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333983A true JPH06333983A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14693200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5116679A Pending JPH06333983A (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333983A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6188127B1 (en) | 1995-02-24 | 2001-02-13 | Nec Corporation | Semiconductor packing stack module and method of producing the same |
| JP2002042098A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | アルミニウム導体と電子部品の接続構造および方法ならびにそれを用いたｉｃカードとその製造方法 |
| KR20030047085A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 엘지전선 주식회사 | 니켈 금속을 연결수단으로 이용한 전자부품 및 접속방법 |
| KR100591461B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2006-06-20 | (주)실리콘화일 | 두 반도체 기판의 알루미늄 전극 접합방법 |
| JP2012156528A (ja) * | 2012-03-22 | 2012-08-16 | Spansion Llc | 積層型半導体装置及び積層型半導体装置の製造方法 |
| CN111180318A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 一种用原位粘接技术提高集成电路中键合质量的方法 |
-
1993
- 1993-05-19 JP JP5116679A patent/JPH06333983A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2006093386A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Siliconfile Technologies Inc. | Method of bonding aluminum electrodes of two semiconductor substrates |
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| CN111180318A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 一种用原位粘接技术提高集成电路中键合质量的方法 |
| CN111180318B (zh) * | 2020-01-06 | 2023-08-11 | 贵州振华风光半导体股份有限公司 | 一种用原位粘接技术提高集成电路中键合质量的方法 |
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