JPH0738124A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH0738124A JPH0738124A JP5201862A JP20186293A JPH0738124A JP H0738124 A JPH0738124 A JP H0738124A JP 5201862 A JP5201862 A JP 5201862A JP 20186293 A JP20186293 A JP 20186293A JP H0738124 A JPH0738124 A JP H0738124A
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- receiving element
- optical fiber
- stem
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 組み立て時に光軸合わせを行わなくても済む
ようにする。部品点数を削減する。 【構成】 光導波路層１ｂおよび光吸収領域１ｄを有
し、表面にＶ溝１ｆが刻設されている端面入射型半導体
受光素子１を、ステム３内にマウントし、電極１ｅと外
部リード４との間をワイヤボンディングする。スライド
リング５の固着された光ファイバ２の素線２ａをステム
３の開孔に挿入し、受光素子１のＶ溝１ｆ内に配置し、
樹脂で受光素子に固定する。スライドリング５およびキ
ャップ６をステム３に固着する。
ようにする。部品点数を削減する。 【構成】 光導波路層１ｂおよび光吸収領域１ｄを有
し、表面にＶ溝１ｆが刻設されている端面入射型半導体
受光素子１を、ステム３内にマウントし、電極１ｅと外
部リード４との間をワイヤボンディングする。スライド
リング５の固着された光ファイバ２の素線２ａをステム
３の開孔に挿入し、受光素子１のＶ溝１ｆ内に配置し、
樹脂で受光素子に固定する。スライドリング５およびキ
ャップ６をステム３に固着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体受光装置に関
し、特に、光通信システムの受信側等において用いられ
る光ファイバ付半導体受光装置に関する。
し、特に、光通信システムの受信側等において用いられ
る光ファイバ付半導体受光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種光ファイバ付半導体受光装置の第
１の従来例について図３を参照して説明する。同図にお
いて、１１は、ｐｉｎフォトダイオード等からなる半導
体受光素子、１２は光学レンズ、１３は光ファイバ、１
４は、光学レンズ１２を保持するキャップ、１５は、外
部リードの植設されたステム、１６は、一方の外部リー
ドと短絡されてステム１５上に配置されているマウント
ランド、１７は、ステム１５に固着されたホルダ、１８
は、スライドリング、１９は、光ファイバ素線を保持す
るフェルールである。
１の従来例について図３を参照して説明する。同図にお
いて、１１は、ｐｉｎフォトダイオード等からなる半導
体受光素子、１２は光学レンズ、１３は光ファイバ、１
４は、光学レンズ１２を保持するキャップ、１５は、外
部リードの植設されたステム、１６は、一方の外部リー
ドと短絡されてステム１５上に配置されているマウント
ランド、１７は、ステム１５に固着されたホルダ、１８
は、スライドリング、１９は、光ファイバ素線を保持す
るフェルールである。
【０００３】この半導体受光装置は、次のように組み立
てられる。まず、ステム１５上のマウントランド１６に
半導体受光素子１１をマウントし、ワイヤボンディング
を行った後、キャップ１４にてシールする。その際、受
光感度が最大となるようにキャップ１４の位置を調整す
る。ホルダ１７をステム１５上に固着した後、スライド
リング１８を介してフェルール１９をホルダ１７に固定
する。その際、光ファイバ１３の出射端から放射された
光ビームが、光学レンズ１２を介して集光される結像位
置に、半導体受光素子１１の光吸収領域の中心が位置す
るように、光軸に対するズレ角（θ角）の調整を行った
上、光軸（Ｚ軸）上、および光軸に対する垂直面（Ｘ、
Ｙ軸）上でフェルール位置およびスライドリング位置の
調整を行う。
てられる。まず、ステム１５上のマウントランド１６に
半導体受光素子１１をマウントし、ワイヤボンディング
を行った後、キャップ１４にてシールする。その際、受
光感度が最大となるようにキャップ１４の位置を調整す
る。ホルダ１７をステム１５上に固着した後、スライド
リング１８を介してフェルール１９をホルダ１７に固定
する。その際、光ファイバ１３の出射端から放射された
光ビームが、光学レンズ１２を介して集光される結像位
置に、半導体受光素子１１の光吸収領域の中心が位置す
るように、光軸に対するズレ角（θ角）の調整を行った
上、光軸（Ｚ軸）上、および光軸に対する垂直面（Ｘ、
Ｙ軸）上でフェルール位置およびスライドリング位置の
調整を行う。
【０００４】図４（ａ）、（ｂ）は、図３の従来例とは
異なる型の半導体受光装置の斜視図および断面図であ
り、これは、特開平３−１５８８０５号公報にて提案さ
れたものである。この半導体受光装置は、光伝送方向に
対して、概略直角方向に光を出射するように先端が斜め
の切断面２３ａをもつように加工された光ファイバ２３
を、セラミック等からなる基板２１上に設けたＶ溝２２
に挿入・固定し、次いで該基板２１上に受光素子２４を
その受光面が基板２１側に向くように搭載して組み立て
たものである。受光素子２４の搭載時には、受光素子と
光ファイバとの結合効率が最大になるように受光素子２
４の位置が調整される。
異なる型の半導体受光装置の斜視図および断面図であ
り、これは、特開平３−１５８８０５号公報にて提案さ
れたものである。この半導体受光装置は、光伝送方向に
対して、概略直角方向に光を出射するように先端が斜め
の切断面２３ａをもつように加工された光ファイバ２３
を、セラミック等からなる基板２１上に設けたＶ溝２２
に挿入・固定し、次いで該基板２１上に受光素子２４を
その受光面が基板２１側に向くように搭載して組み立て
たものである。受光素子２４の搭載時には、受光素子と
光ファイバとの結合効率が最大になるように受光素子２
４の位置が調整される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光通信システムの拡
充、発展にともない半導体受光装置に対して今後大幅な
需要増が見込まれているが、加入者系等において用いら
れる半導体受光装置については、小型化と低価格化が強
く求められている。図３に示した第１の従来例では、ス
テム１５にマウントした半導体受光素子１１を光学レン
ズ付のキャップ１４にて気密封止する際に、その位置決
めが必要であり、さらに、光ファイバ１３の出射端を、
結合効率が最大となるように、光軸に対するズレ角（θ
角）の調整を行った上、光軸（Ｚ軸）上、および光軸に
対する垂直面（Ｘ、Ｙ軸）での調整が必要であるため、
組立工数がかかる上、最大結合効率を得る光軸調整が困
難であるという欠点を有していた。
充、発展にともない半導体受光装置に対して今後大幅な
需要増が見込まれているが、加入者系等において用いら
れる半導体受光装置については、小型化と低価格化が強
く求められている。図３に示した第１の従来例では、ス
テム１５にマウントした半導体受光素子１１を光学レン
ズ付のキャップ１４にて気密封止する際に、その位置決
めが必要であり、さらに、光ファイバ１３の出射端を、
結合効率が最大となるように、光軸に対するズレ角（θ
角）の調整を行った上、光軸（Ｚ軸）上、および光軸に
対する垂直面（Ｘ、Ｙ軸）での調整が必要であるため、
組立工数がかかる上、最大結合効率を得る光軸調整が困
難であるという欠点を有していた。
【０００６】また、部品として、光学レンズ付キャップ
１４、ステム１５、マウントランド１６、ホルダ１７、
スライドリング１８、フェルール１９等が必要で、部品
点数が多く、高価なものとなっていた。さらに、この従
来例はレンズ結合系であるため、光学結合に必要な距離
として、ペレット−光学レンズ間距離に数１０００μ
ｍ、光学レンズ−光ファイバ出射端間距離に数１００μ
ｍ〜数１０００μｍ程度が必要であり、小型化が困難で
あるという欠点を有していた。
１４、ステム１５、マウントランド１６、ホルダ１７、
スライドリング１８、フェルール１９等が必要で、部品
点数が多く、高価なものとなっていた。さらに、この従
来例はレンズ結合系であるため、光学結合に必要な距離
として、ペレット−光学レンズ間距離に数１０００μ
ｍ、光学レンズ−光ファイバ出射端間距離に数１００μ
ｍ〜数１０００μｍ程度が必要であり、小型化が困難で
あるという欠点を有していた。
【０００７】また、図４に示した第２の従来例では、基
板上のＶ溝に光ファイバを固定し、受光素子を受光面を
下にして基板上にマウントするものであるため、光ファ
イバ出射端−ペレット間の距離は無調整でよいものの、
ペレットの平面上の位置は、光ファイバとの結合効率が
最大になるように２軸方向に調整する必要があった。さ
らに、第２の従来例では、実装基板をも含めて気密封止
を行う必要があるため、受光モジュールが大型化すると
いう欠点もあった。
板上のＶ溝に光ファイバを固定し、受光素子を受光面を
下にして基板上にマウントするものであるため、光ファ
イバ出射端−ペレット間の距離は無調整でよいものの、
ペレットの平面上の位置は、光ファイバとの結合効率が
最大になるように２軸方向に調整する必要があった。さ
らに、第２の従来例では、実装基板をも含めて気密封止
を行う必要があるため、受光モジュールが大型化すると
いう欠点もあった。
【０００８】したがって、この発明の目的とするところ
は、第１に、組み立てに当たって位置、角度の調整を行
う必要のない構造の半導体受光装置を提供することであ
り、第２に、部品点数の削減を図ることであり、第３
に、装置の小型化を図ることである。そして本発明はこ
れらを同時に達成することにより、小型で安価な半導体
受光装置を提供しようとするものである。
は、第１に、組み立てに当たって位置、角度の調整を行
う必要のない構造の半導体受光装置を提供することであ
り、第２に、部品点数の削減を図ることであり、第３
に、装置の小型化を図ることである。そして本発明はこ
れらを同時に達成することにより、小型で安価な半導体
受光装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、ステム上に受光素子が搭載され、
ステム内に導入された光ファイバが前記受光素子と光学
的に結合されている半導体受光装置において、前記受光
素子には、光ファイバ素線を収容できる位置決め用凹部
が形成され、該凹部に収容されている光ファイバ素線か
ら放出された光は直接受光素子内に導入されることを特
徴とする半導体受光装置が提供される。そして好ましく
は、前記位置決め用凹部は、半導体基板の一主面にその
端部から中央部にかけて形成された溝によって構成さ
れ、光ファイバ素線から放出される光は、該溝の端部に
形成される半導体基板の端面から半導体基板内に導入さ
れる。
め、本発明によれば、ステム上に受光素子が搭載され、
ステム内に導入された光ファイバが前記受光素子と光学
的に結合されている半導体受光装置において、前記受光
素子には、光ファイバ素線を収容できる位置決め用凹部
が形成され、該凹部に収容されている光ファイバ素線か
ら放出された光は直接受光素子内に導入されることを特
徴とする半導体受光装置が提供される。そして好ましく
は、前記位置決め用凹部は、半導体基板の一主面にその
端部から中央部にかけて形成された溝によって構成さ
れ、光ファイバ素線から放出される光は、該溝の端部に
形成される半導体基板の端面から半導体基板内に導入さ
れる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明による半導体受光装置の一
実施例を示す断面図である。同図において、１は、半導
体基板１ａ上に光導波路層１ｂおよび光吸収領域１ｄが
設けられ、基板表面にＶ溝１ｆの刻まれている端面入射
型半導体受光素子、２は、中心部に光ファイバ素線２ａ
をもつ光ファイバ、３は、上方が開放され、一側面に光
ファイバ素線を挿入するための開孔が形成されている、
箱型形状のステム、４はステム３に植設された外部リー
ド、５は光ファイバ２を保持するスライドリング、６は
キャップ、７は、光ファイバ素線２ａを受光素子１上に
固定するための樹脂である。端面入射型半導体受光素子
１の製法およびその詳細な構造については後述する。
て説明する。図１は、本発明による半導体受光装置の一
実施例を示す断面図である。同図において、１は、半導
体基板１ａ上に光導波路層１ｂおよび光吸収領域１ｄが
設けられ、基板表面にＶ溝１ｆの刻まれている端面入射
型半導体受光素子、２は、中心部に光ファイバ素線２ａ
をもつ光ファイバ、３は、上方が開放され、一側面に光
ファイバ素線を挿入するための開孔が形成されている、
箱型形状のステム、４はステム３に植設された外部リー
ド、５は光ファイバ２を保持するスライドリング、６は
キャップ、７は、光ファイバ素線２ａを受光素子１上に
固定するための樹脂である。端面入射型半導体受光素子
１の製法およびその詳細な構造については後述する。
【００１１】図１に示される半導体受光装置は、次のよ
うに組み立てられる。表面にＶ溝１ｆの形成されている
受光素子１を、ステム３内に、Ｖ溝１ｆの長辺方向にス
テム３の光ファイバ素線挿入用開孔が位置するようにペ
レットマウントし、ステム３に植設されたリード４と受
光素子の電極１ｅとをワイヤーボンディングする。次い
で、予めスライドリング５の取り付けられた光ファイバ
２の素線２ａをステム３の開孔に挿入し、そして端面入
射型半導体受光素子１上に設けられたＶ溝１ｆ内に素線
２ａを配置する。図２（ａ）は、このときのステム３を
省略して示した斜視図であり、図２（ｂ）、（ｃ）は、
それぞれそのＡ−Ｂ線、Ｃ−Ｄ線の断面図である。その
後、素線２ａを樹脂７にて受光素子１上に固定する。次
に、スライドリング５をステム３の側壁に、またキャッ
プ６をステムの上面に固着する。以上のように、本発明
では、光ファイバ素線２ａを単に受光素子１のＶ溝内に
配置することにより光ファイバ素線と光導波路層１ｂと
の位置合わせが行われるので、組み立て工程が著しく簡
素化される。
うに組み立てられる。表面にＶ溝１ｆの形成されている
受光素子１を、ステム３内に、Ｖ溝１ｆの長辺方向にス
テム３の光ファイバ素線挿入用開孔が位置するようにペ
レットマウントし、ステム３に植設されたリード４と受
光素子の電極１ｅとをワイヤーボンディングする。次い
で、予めスライドリング５の取り付けられた光ファイバ
２の素線２ａをステム３の開孔に挿入し、そして端面入
射型半導体受光素子１上に設けられたＶ溝１ｆ内に素線
２ａを配置する。図２（ａ）は、このときのステム３を
省略して示した斜視図であり、図２（ｂ）、（ｃ）は、
それぞれそのＡ−Ｂ線、Ｃ−Ｄ線の断面図である。その
後、素線２ａを樹脂７にて受光素子１上に固定する。次
に、スライドリング５をステム３の側壁に、またキャッ
プ６をステムの上面に固着する。以上のように、本発明
では、光ファイバ素線２ａを単に受光素子１のＶ溝内に
配置することにより光ファイバ素線と光導波路層１ｂと
の位置合わせが行われるので、組み立て工程が著しく簡
素化される。
【００１２】次に、本実施例において用いられる端面入
射型半導体受光素子１の製造法について図２（ｂ）、
（ｃ）を参照して説明する。ｎ型ＩｎＰからなる半導体
基板１ａ上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相エピタキシャル
成長）法を用いて、光導波路層１ｂとなるＩｎＰ層、ｐ
型ＩｎＰ層１ｃを成長させる。次に、光吸収領域を形成
する領域をエッチング除去し、その部分にｎ型ＩｎＰ
層、ノンドープＩｎＧａＡｓ層、ｐ型ＩｎＰ層を順次選
択的に成長させてｐｉｎ構造の光吸収領域１ｄを形成
し、続いて、半導体基板１ａの下面および光吸収領域１
ｄ上に電極１ｅを形成する。最後に、フォトエッチング
法を用いて、半導体基板の表面に光ファイバ素線２ａを
位置決めするためのＶ溝１ｆを形成する。この受光素子
では、Ｖ溝１ｆを、光導波路層１ｂおよび光吸収領域１
ｄに対して正確な位置、形状に形成することができるの
で、光軸調整を行うことなしに最大の結合効率を実現す
ることができる。
射型半導体受光素子１の製造法について図２（ｂ）、
（ｃ）を参照して説明する。ｎ型ＩｎＰからなる半導体
基板１ａ上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相エピタキシャル
成長）法を用いて、光導波路層１ｂとなるＩｎＰ層、ｐ
型ＩｎＰ層１ｃを成長させる。次に、光吸収領域を形成
する領域をエッチング除去し、その部分にｎ型ＩｎＰ
層、ノンドープＩｎＧａＡｓ層、ｐ型ＩｎＰ層を順次選
択的に成長させてｐｉｎ構造の光吸収領域１ｄを形成
し、続いて、半導体基板１ａの下面および光吸収領域１
ｄ上に電極１ｅを形成する。最後に、フォトエッチング
法を用いて、半導体基板の表面に光ファイバ素線２ａを
位置決めするためのＶ溝１ｆを形成する。この受光素子
では、Ｖ溝１ｆを、光導波路層１ｂおよび光吸収領域１
ｄに対して正確な位置、形状に形成することができるの
で、光軸調整を行うことなしに最大の結合効率を実現す
ることができる。
【００１３】図３に示した従来例では、光学レンズ付き
キャップ１４、ステム１５、マウントランド１６、ホル
ダ１７、スライドリング１８、フェルール１９等多くの
部材が必要であったが、本発明の半導体受光装置では、
ステム３、スライドリング５、キャップ６だけで済み構
成が簡素化され、装置の小型化が実現できる。また、従
来技術のレンズ結合方式では、光学結合に必要な距離と
して、ペレット−光学レンズ間距離に数１０００μｍ、
光学レンズ−光ファイバ出射端距離に数１００μｍ〜数
１０００μｍが必要であったが、本発明では、これらの
距離をおく必要がなくなり、さらに小型化が図られる。
キャップ１４、ステム１５、マウントランド１６、ホル
ダ１７、スライドリング１８、フェルール１９等多くの
部材が必要であったが、本発明の半導体受光装置では、
ステム３、スライドリング５、キャップ６だけで済み構
成が簡素化され、装置の小型化が実現できる。また、従
来技術のレンズ結合方式では、光学結合に必要な距離と
して、ペレット−光学レンズ間距離に数１０００μｍ、
光学レンズ−光ファイバ出射端距離に数１００μｍ〜数
１０００μｍが必要であったが、本発明では、これらの
距離をおく必要がなくなり、さらに小型化が図られる。
【００１４】また、図４の従来例でも、光ファイバに対
し受光素子を２方向に調整することが必要であったが、
本発明では、受光素子自身に光ファイバ素線位置合わせ
用の溝を設けているため、このような調整も必要がなく
なる。また、本発明の半導体受光装置では、気密封止さ
れる部材が受光素子と光ファイバ素線の先端部のみであ
るため、この従来例と比較して受光モジュールの小型軽
量化を図ることができる。
し受光素子を２方向に調整することが必要であったが、
本発明では、受光素子自身に光ファイバ素線位置合わせ
用の溝を設けているため、このような調整も必要がなく
なる。また、本発明の半導体受光装置では、気密封止さ
れる部材が受光素子と光ファイバ素線の先端部のみであ
るため、この従来例と比較して受光モジュールの小型軽
量化を図ることができる。
【００１５】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、実施例では、受
光素子にＶ溝を形成していたがこれを開孔とすることが
でき、また、端面入射型のものに代え表面入射型の受光
素子を用いることができる。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、実施例では、受
光素子にＶ溝を形成していたがこれを開孔とすることが
でき、また、端面入射型のものに代え表面入射型の受光
素子を用いることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体受光装置は、受光素子に光ファイバ素線を位置決め・
固定するための凹部を設け、該凹部に直接光ファイバ素
線を固定するものであるので、本発明によれば、精密な
光軸調整なしに、最大結合効率で、光ファイバを受光素
子と光学結合させることができ、組み立て工数を大幅に
削減することができる。また、部品点数削減によって半
導体受光装置全体の小型軽量化が図られ、光軸の無調整
化および部品点数削減によって低コスト化が可能とな
る。
体受光装置は、受光素子に光ファイバ素線を位置決め・
固定するための凹部を設け、該凹部に直接光ファイバ素
線を固定するものであるので、本発明によれば、精密な
光軸調整なしに、最大結合効率で、光ファイバを受光素
子と光学結合させることができ、組み立て工数を大幅に
削減することができる。また、部品点数削減によって半
導体受光装置全体の小型軽量化が図られ、光軸の無調整
化および部品点数削減によって低コスト化が可能とな
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例の製造工程を説明するための
斜視図と断面図。
斜視図と断面図。
【図３】第１の従来例の断面図。
【図４】第２の従来例の斜視図と断面図。
１ 端面入射型半導体受光素子 １ａ 半導体基板（ｎ型ＩｎＰ基板） １ｂ 光導波路層 １ｃ ｐ型ＩｎＰ層 １ｄ 光吸収領域 １ｅ 電極 １ｆ Ｖ溝 ２、１３ 光ファイバ ２ａ 光ファイバ素線 ３、１５ ステム ４ 外部リード ５、１８ スライドリング ６、１４ キャップ １１ 半導体受光素子 １２ 光学レンズ １６ マウントランド １７ ホルダ １９ フェルール ２１ 基板 ２２ Ｖ溝 ２３ 光ファイバ ２３ａ 光ファイバ先端の切断面 ２４ 受光素子
Claims (3)
- 【請求項１】 ステム上に受光素子が搭載され、ステム
内に導入された光ファイバが前記受光素子と光学的に結
合されている半導体受光装置において、前記受光素子に
は、光ファイバ素線を収容できる位置決め用凹部が形成
され、該凹部に収容されている光ファイバ素線から放出
された光は直接受光素子内に導入されることを特徴とす
る半導体受光装置。 - 【請求項２】 前記位置決め用凹部が、半導体基板の一
主面にその端部から中央部にかけて形成された溝である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体受光装置。 - 【請求項３】 前記受光素子には、前記光ファイバ素線
から放出された光を導波する光導波路が設けられ、該光
導波路の途中に光吸収層が形成されていることを特徴と
する請求項１記載の半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201862A JPH0738124A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201862A JPH0738124A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738124A true JPH0738124A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16448125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5201862A Pending JPH0738124A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738124A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642386A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor photodetector |
| JPS61271875A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| JPH01253285A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP5201862A patent/JPH0738124A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642386A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor photodetector |
| JPS61271875A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| JPH01253285A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
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