JPH0738138A - 紫外光センサ - Google Patents
紫外光センサInfo
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- JPH0738138A JPH0738138A JP5179519A JP17951993A JPH0738138A JP H0738138 A JPH0738138 A JP H0738138A JP 5179519 A JP5179519 A JP 5179519A JP 17951993 A JP17951993 A JP 17951993A JP H0738138 A JPH0738138 A JP H0738138A
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- film
- substrate
- sensitivity
- sic
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- Pending
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 13
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 単結晶Ｓｉ基板上にスパッタ法によりＩＴＯ
膜を５０ｎｍ堆積し、続いてプラズマＣＶＤ法によりｎ
型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を２０ｎｍ、真性ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
を５０ｎｍ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を５ｎｍそれぞれ成
膜した後、最後にＩＴＯ膜を５０ｎｍ堆積した。ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ半導体接合ダイオードと単結晶Ｓｉ基板との間
に透明導電膜ＩＴＯを設けることで、５００ｎｍ〜８０
０ｎｍの波長領域の光感度を５０％以上低下させた。 【効果】 紫外域での光感度が高く、可視〜赤外域の光
感度を抑制した紫外光センサを低コストで実現すること
ができる。
膜を５０ｎｍ堆積し、続いてプラズマＣＶＤ法によりｎ
型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を２０ｎｍ、真性ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
を５０ｎｍ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を５ｎｍそれぞれ成
膜した後、最後にＩＴＯ膜を５０ｎｍ堆積した。ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ半導体接合ダイオードと単結晶Ｓｉ基板との間
に透明導電膜ＩＴＯを設けることで、５００ｎｍ〜８０
０ｎｍの波長領域の光感度を５０％以上低下させた。 【効果】 紫外域での光感度が高く、可視〜赤外域の光
感度を抑制した紫外光センサを低コストで実現すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外光センサに関し、
特に紫外域の感度が高く、赤外域の感度が低い紫外光セ
ンサに関する。
特に紫外域の感度が高く、赤外域の感度が低い紫外光セ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の紫外光センサとして、Ｓ
ｉを用いたｐ−ｎ接合ダイオードやＧａＡｓ等を用いた
ショットキーダイオード等が試作されている。特にＧａ
ＡｓＰを用いたショットキーダイオードは、紫外光照射
下の安定性に優れ、低暗電流であるという特徴から最も
注目されてきた。しかし、コストが高いこと、紫外光の
感度が低いという問題があった。これを解決すべく、紫
外域の吸収係数が高く、低コストで成膜が可能な非晶質
Ｓｉや非晶質ＳｉＣを用いたｐ−ｉ−ｎ接合ダイオード
が検討された。
ｉを用いたｐ−ｎ接合ダイオードやＧａＡｓ等を用いた
ショットキーダイオード等が試作されている。特にＧａ
ＡｓＰを用いたショットキーダイオードは、紫外光照射
下の安定性に優れ、低暗電流であるという特徴から最も
注目されてきた。しかし、コストが高いこと、紫外光の
感度が低いという問題があった。これを解決すべく、紫
外域の吸収係数が高く、低コストで成膜が可能な非晶質
Ｓｉや非晶質ＳｉＣを用いたｐ−ｉ−ｎ接合ダイオード
が検討された。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単結晶
Ｓｉ基板上に直接、前記ｐ−ｉ−ｎ接合ダイオードを形
成すると、基板に侵入した可視〜赤外域の光により励起
されたたフォトキャリアが前記ｐ−ｉ−ｎ接合ダイオー
ドに達し、紫外域以外の不要な波長域の感度を増加させ
るという重大な問題点があった。この問題の対策とし
て、ダイオードの入射光側に光学フィルタを設けること
が考えられるが、これは製造コストの大幅な増加を引き
起こし、安価な紫外光センサを実現することができなか
った。
Ｓｉ基板上に直接、前記ｐ−ｉ−ｎ接合ダイオードを形
成すると、基板に侵入した可視〜赤外域の光により励起
されたたフォトキャリアが前記ｐ−ｉ−ｎ接合ダイオー
ドに達し、紫外域以外の不要な波長域の感度を増加させ
るという重大な問題点があった。この問題の対策とし
て、ダイオードの入射光側に光学フィルタを設けること
が考えられるが、これは製造コストの大幅な増加を引き
起こし、安価な紫外光センサを実現することができなか
った。
【０００４】本発明は、上記従来の問題点を解決し、Ｓ
ｉ基板での光吸収による不要な波長域の感度を低下させ
るためになされたもので、紫外域での感度が高く、可視
〜赤外域での感度が低い紫外光センサを低コストで提供
することを目的とする。
ｉ基板での光吸収による不要な波長域の感度を低下させ
るためになされたもので、紫外域での感度が高く、可視
〜赤外域での感度が低い紫外光センサを低コストで提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の紫外光センサ
は、非晶質半導体接合ダイオードと半導体基板との間に
導電膜を設けることを特徴とする。
は、非晶質半導体接合ダイオードと半導体基板との間に
導電膜を設けることを特徴とする。
【０００６】請求項２の紫外光センサは、請求項１にお
ける導電膜が透明導電膜であることを特徴とする。
ける導電膜が透明導電膜であることを特徴とする。
【０００７】請求項３の紫外光センサは、請求項１にお
ける導電膜が金属材料であることを特徴とする。
ける導電膜が金属材料であることを特徴とする。
【０００８】
【作用】非晶質半導体接合ダイオードと半導体基板との
間に設けた透明導電膜は、光学ギャップが大きく、非晶
質半導体層を透過してきた可視〜赤外域の光を透過し、
この透過光により半導体基板中に生成されたフォトキャ
リアは、透明導電膜の存在により非晶質半導体接合部に
到達することができず、光電流として検知させないよう
作用する。
間に設けた透明導電膜は、光学ギャップが大きく、非晶
質半導体層を透過してきた可視〜赤外域の光を透過し、
この透過光により半導体基板中に生成されたフォトキャ
リアは、透明導電膜の存在により非晶質半導体接合部に
到達することができず、光電流として検知させないよう
作用する。
【０００９】非晶質半導体接合ダイオードと半導体基板
との間に設けた金属膜は、非晶質半導体層を透過してき
た可視〜赤外域の光を反射・吸収し、半導体基板中に光
を侵入させないよう作用する。
との間に設けた金属膜は、非晶質半導体層を透過してき
た可視〜赤外域の光を反射・吸収し、半導体基板中に光
を侵入させないよう作用する。
【００１０】
【実施例】以下に本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。図１は本発明の紫外光センサの一実施例を示す概略
断面図である。 実施例１ 図１において、１は単結晶Ｓｉ基板（半導体基板）、２
はＩＴＯ膜（透明導電膜）、３はｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
（ｎ型非晶質半導体膜）、４は真性ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
（非晶質真性半導体膜）、５はｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
（ｐ型非晶質半導体膜）、６はＩＴＯ膜（透明導電膜）
を示す。
る。図１は本発明の紫外光センサの一実施例を示す概略
断面図である。 実施例１ 図１において、１は単結晶Ｓｉ基板（半導体基板）、２
はＩＴＯ膜（透明導電膜）、３はｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
（ｎ型非晶質半導体膜）、４は真性ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
（非晶質真性半導体膜）、５はｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
（ｐ型非晶質半導体膜）、６はＩＴＯ膜（透明導電膜）
を示す。
【００１１】基板として単結晶Ｓｉ基板１を用い、この
基板１の上にスパッタ法により透明導電膜としてＩＴＯ
膜２を５０ｎｍの厚さに堆積した。続いてプラズマＣＶ
Ｄ法によりｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜３を２０ｎｍ、真性ａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜４を５０ｎｍ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜５
を５ｎｍそれぞれ成膜した。最後に透明導電膜としてＩ
ＴＯ膜６を５０ｎｍ堆積した。これを試料Ａとする。
基板１の上にスパッタ法により透明導電膜としてＩＴＯ
膜２を５０ｎｍの厚さに堆積した。続いてプラズマＣＶ
Ｄ法によりｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜３を２０ｎｍ、真性ａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜４を５０ｎｍ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜５
を５ｎｍそれぞれ成膜した。最後に透明導電膜としてＩ
ＴＯ膜６を５０ｎｍ堆積した。これを試料Ａとする。
【００１２】比較のためＩＴＯ膜２がない試料Ｂを作製
し、両者の分光感度を比較した。その結果、２００ｎｍ
〜４００ｎｍの波長領域において両者の光感度に大きな
変化は認められず、５００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域
において、試料Ａの光感度は試料Ｂの５０％以下に低下
した。なお、試料Ａ、Ｂの２００ｎｍ〜４００ｎｍの波
長領域における光感度は、従来のＧａＡｓＰによるショ
ットキーダイオードにおけるそれと比較して１５０〜２
００％増加した。 実施例２ 図２は本発明の紫外光センサの他の実施例を示す概略断
面図である。図２において、１は単結晶Ｓｉ基板（半導
体基板）、７はＣｒ膜（金属膜）、３はｎ型ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜（ｎ型非晶質半導体膜）、４は真性ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜（非晶質真性半導体膜）、５はｐ型ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜（ｐ型非晶質半導体膜）、６はＩＴＯ膜（透明
導電膜）を示す。
し、両者の分光感度を比較した。その結果、２００ｎｍ
〜４００ｎｍの波長領域において両者の光感度に大きな
変化は認められず、５００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域
において、試料Ａの光感度は試料Ｂの５０％以下に低下
した。なお、試料Ａ、Ｂの２００ｎｍ〜４００ｎｍの波
長領域における光感度は、従来のＧａＡｓＰによるショ
ットキーダイオードにおけるそれと比較して１５０〜２
００％増加した。 実施例２ 図２は本発明の紫外光センサの他の実施例を示す概略断
面図である。図２において、１は単結晶Ｓｉ基板（半導
体基板）、７はＣｒ膜（金属膜）、３はｎ型ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜（ｎ型非晶質半導体膜）、４は真性ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜（非晶質真性半導体膜）、５はｐ型ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜（ｐ型非晶質半導体膜）、６はＩＴＯ膜（透明
導電膜）を示す。
【００１３】基板として単結晶Ｓｉ基板１を用い、この
基板１の上にスパッタ法により導電膜としてＣｒ膜７を
５０ｎｍの厚さに堆積した。続いてプラズマＣＶＤ法に
よりｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜３を２０ｎｍ、真性ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜４を５０ｎｍ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜５を５ｎ
ｍそれぞれ成膜した。最後に透明導電膜としてＩＴＯ膜
６を５０ｎｍ堆積した。これを試料Ｃとする。
基板１の上にスパッタ法により導電膜としてＣｒ膜７を
５０ｎｍの厚さに堆積した。続いてプラズマＣＶＤ法に
よりｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜３を２０ｎｍ、真性ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜４を５０ｎｍ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜５を５ｎ
ｍそれぞれ成膜した。最後に透明導電膜としてＩＴＯ膜
６を５０ｎｍ堆積した。これを試料Ｃとする。
【００１４】比較のためＣｒ膜７がない試料Ｄを作製
し、両者の分光感度を比較した。その結果、２００ｎｍ
〜４００ｎｍの波長領域において両者の光感度に大きな
変化は認められず、５００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域
において、試料Ｃの光感度は試料Ｄの５０％以下に低下
した。なお、試料Ｃ、Ｄの２００ｎｍ〜４００ｎｍの波
長領域における光感度は、従来のＧａＡｓＰによるショ
ットキーダイオードにおけるそれと比較して１５０〜２
００％増加した。
し、両者の分光感度を比較した。その結果、２００ｎｍ
〜４００ｎｍの波長領域において両者の光感度に大きな
変化は認められず、５００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域
において、試料Ｃの光感度は試料Ｄの５０％以下に低下
した。なお、試料Ｃ、Ｄの２００ｎｍ〜４００ｎｍの波
長領域における光感度は、従来のＧａＡｓＰによるショ
ットキーダイオードにおけるそれと比較して１５０〜２
００％増加した。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、紫外域での光感度が高
い紫外光センサが実現できる。また、本発明によれば、
高価な光学フィルタを用いることなく可視〜赤外域の光
感度を抑制した紫外光センサを実現できる。
い紫外光センサが実現できる。また、本発明によれば、
高価な光学フィルタを用いることなく可視〜赤外域の光
感度を抑制した紫外光センサを実現できる。
【図１】本発明の紫外光センサの一実施例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の紫外光センサの他の実施例を示す概略
断面図である。
断面図である。
１ 単結晶Ｓｉ基板 ２ ＩＴＯ膜 ３ ｎ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜 ４ 真性ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜 ５ ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜 ６ ＩＴＯ膜 ７ Ｃｒ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 修平 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 山本 晃永 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 非晶質半導体接合ダイオードと半導体基
板との間に導電膜を設けることを特徴とする紫外光セン
サ。 - 【請求項２】 請求項１における導電膜が透明導電膜で
あることを特徴とする紫外光センサ。 - 【請求項３】 請求項１における導電膜が金属材料であ
ることを特徴とする紫外光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5179519A JPH0738138A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 紫外光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5179519A JPH0738138A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 紫外光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738138A true JPH0738138A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16067204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5179519A Pending JPH0738138A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 紫外光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738138A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186587A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光検出素子 |
| US7173232B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-02-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light detection device and mounting method thereof |
| US9029625B2 (en) | 2005-03-03 | 2015-05-12 | Paul Hartmann Ag | Film dressing with improved application assistance |
| US9271873B2 (en) | 2005-03-03 | 2016-03-01 | Paul Hartmann Ag | Film dressing comprising an application aid |
| WO2016143020A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器およびそれを用いた放射線検出装置 |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP5179519A patent/JPH0738138A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186587A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光検出素子 |
| US7173232B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-02-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light detection device and mounting method thereof |
| US9029625B2 (en) | 2005-03-03 | 2015-05-12 | Paul Hartmann Ag | Film dressing with improved application assistance |
| US9271873B2 (en) | 2005-03-03 | 2016-03-01 | Paul Hartmann Ag | Film dressing comprising an application aid |
| WO2016143020A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器およびそれを用いた放射線検出装置 |
| WO2016143156A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器およびそれを用いた放射線検出装置 |
| JPWO2016143156A1 (ja) * | 2015-03-09 | 2017-06-15 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器およびそれを用いた放射線検出装置 |
| US11119228B2 (en) | 2015-03-09 | 2021-09-14 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector and radiation detection device using the same |
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