JPH0562712B2 - - Google Patents
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- JPH0562712B2 JPH0562712B2 JP60062122A JP6212285A JPH0562712B2 JP H0562712 B2 JPH0562712 B2 JP H0562712B2 JP 60062122 A JP60062122 A JP 60062122A JP 6212285 A JP6212285 A JP 6212285A JP H0562712 B2 JPH0562712 B2 JP H0562712B2
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- radiation
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、放射線検出装置に係わり、特に光検
出素子の機能を持たせて放射線検出感度の向上を
図つた放射線検出装置に関する。
出素子の機能を持たせて放射線検出感度の向上を
図つた放射線検出装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、Ｘ線等の放射線を検出するものとして、
半導体からなる各種の放射線検出装置が用いられ
ている。第４図に半導体放射線検出装置の一例を
示す。図中４１はＷコリメータ、４２はAl電極、
４３はＮ−Si、４４はAu電極、４５はNaI（Tl）
シンチレータ、４６は電流増幅器をそれぞれ示し
ている。この装置を、Ｘ線に対して直角方向に多
段に構成したものが、多チヤンネル放射線検出装
置であるが、主にＸ線CT（コンピユータ・トモグ
ラフイ）装置へ適用されるものである。これは、
Ｎ−Si４３及び電極４２，４４からなる検出部で
直接的にＸ線を検出するだけではなく、検出部を
通過したＸ線をさらに利用してNaI（Tl）シンチ
レータ４５を発光させ、この光（図中破線矢印で
示す）を再度検出部で受光して感度の増加をはか
つている。従つて、検出部はＸ線検出及び光検出
と云う２つの役割を有している。
半導体からなる各種の放射線検出装置が用いられ
ている。第４図に半導体放射線検出装置の一例を
示す。図中４１はＷコリメータ、４２はAl電極、
４３はＮ−Si、４４はAu電極、４５はNaI（Tl）
シンチレータ、４６は電流増幅器をそれぞれ示し
ている。この装置を、Ｘ線に対して直角方向に多
段に構成したものが、多チヤンネル放射線検出装
置であるが、主にＸ線CT（コンピユータ・トモグ
ラフイ）装置へ適用されるものである。これは、
Ｎ−Si４３及び電極４２，４４からなる検出部で
直接的にＸ線を検出するだけではなく、検出部を
通過したＸ線をさらに利用してNaI（Tl）シンチ
レータ４５を発光させ、この光（図中破線矢印で
示す）を再度検出部で受光して感度の増加をはか
つている。従つて、検出部はＸ線検出及び光検出
と云う２つの役割を有している。
この半導体放射線検出装置の問題点は、次の点
にある。即ち、光に対する有感部分である空乏層
はAu電極４４側のみに形成されており、Al電極
４２側へ入射する光に対しては殆ど感度がなく、
光の利用効率が低い点である。
にある。即ち、光に対する有感部分である空乏層
はAu電極４４側のみに形成されており、Al電極
４２側へ入射する光に対しては殆ど感度がなく、
光の利用効率が低い点である。
第５図は、上記した問題点を改善した半導体放
射線検出装置の一例を示す断面図である（特開昭
58−118163号公報）。この装置は、前記検出部の
Al電極４２上にN+a−Si：Ｈ（Ｎ型アモルフアス
シリコン層）５１、ａ−Si：Ｈ（ノンドープアモ
ルフアスシリコン層）５２及びAu電極５３を積
層したものである。この構造において、Ｘ線をＮ
−Si４３で検出し、且つAu電極４４の下に形成
される空乏層によりNaI（Tl）シンチレータ４５
からの光（図中破線で示す）を受光する点は、第
４図に示すものと同様である。しかし、Al電極
４２上に堆積されているアモルフアスシリコン層
５１，５２はシヨツトキー型アモルフアス光検出
素子として動作し、NaI（Tl）シンチレータ４５
からの光をさらに検出することができるために、
第４図に示した半導体放射線検出装置を凌ぐ感度
特性を有する。
射線検出装置の一例を示す断面図である（特開昭
58−118163号公報）。この装置は、前記検出部の
Al電極４２上にN+a−Si：Ｈ（Ｎ型アモルフアス
シリコン層）５１、ａ−Si：Ｈ（ノンドープアモ
ルフアスシリコン層）５２及びAu電極５３を積
層したものである。この構造において、Ｘ線をＮ
−Si４３で検出し、且つAu電極４４の下に形成
される空乏層によりNaI（Tl）シンチレータ４５
からの光（図中破線で示す）を受光する点は、第
４図に示すものと同様である。しかし、Al電極
４２上に堆積されているアモルフアスシリコン層
５１，５２はシヨツトキー型アモルフアス光検出
素子として動作し、NaI（Tl）シンチレータ４５
からの光をさらに検出することができるために、
第４図に示した半導体放射線検出装置を凌ぐ感度
特性を有する。
しかしながら、この種の装置にあつても、次の
ような問題があつた。即ち、NaI（Tl）シンチレ
ータ４５はＸ線を受けて受光するが、発光ピーク
は410［ｎｍ］付近にあり、この波長での発光強度
を100［％］とすると、波長500［ｎｍ］においても
30〜40［％］程度の発光強度を有する。一方、上
記シヨツトキー型アモルフアス光検出素子の光に
対する感度は、500〜600［ｎｍ］にピークを持つ
ている。従つて、前記シンチレータ４５の発光の
500［ｎｍ］以上の光を十分に利用できる特性とな
つている。これに対し、Ｎ−Si４３に形成されて
いるAu電極４４による空乏層での光に対する感
度は、一般に700〜800［ｎｍ］付近の波長にその
ピークを持つているので、700［ｎｍ］以下の波長
になると感度が大きく低下する傾向にあり、500
［ｎｍ］付近での感度は非常に小さいことが判つ
ている。このため、前記シンチレータ発光による
光の利用度は非常に小さい。また、上記検出部に
用いているＮ−Siは高価であり、且つ大口径の結
晶を作成できないと云う問題があり、必然的に前
記装置は小さくなる。さらに、シヨツトキー電極
に用いているAuが高価であり、製造コストが高
い等の問題があつた。
ような問題があつた。即ち、NaI（Tl）シンチレ
ータ４５はＸ線を受けて受光するが、発光ピーク
は410［ｎｍ］付近にあり、この波長での発光強度
を100［％］とすると、波長500［ｎｍ］においても
30〜40［％］程度の発光強度を有する。一方、上
記シヨツトキー型アモルフアス光検出素子の光に
対する感度は、500〜600［ｎｍ］にピークを持つ
ている。従つて、前記シンチレータ４５の発光の
500［ｎｍ］以上の光を十分に利用できる特性とな
つている。これに対し、Ｎ−Si４３に形成されて
いるAu電極４４による空乏層での光に対する感
度は、一般に700〜800［ｎｍ］付近の波長にその
ピークを持つているので、700［ｎｍ］以下の波長
になると感度が大きく低下する傾向にあり、500
［ｎｍ］付近での感度は非常に小さいことが判つ
ている。このため、前記シンチレータ発光による
光の利用度は非常に小さい。また、上記検出部に
用いているＮ−Siは高価であり、且つ大口径の結
晶を作成できないと云う問題があり、必然的に前
記装置は小さくなる。さらに、シヨツトキー電極
に用いているAuが高価であり、製造コストが高
い等の問題があつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、シンチレータと組合わ
せて使用した場合に非常に高い検出感度を有し、
また任意の大きさのものを廉価に実現することの
できる放射線検出装置を提供することにある。
その目的とするところは、シンチレータと組合わ
せて使用した場合に非常に高い検出感度を有し、
また任意の大きさのものを廉価に実現することの
できる放射線検出装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、透光性基板の両面にアモルフ
アス半導体層を形成し、該半導体層に放射線及び
光の検出素子としての機能を持たせることにあ
る。
アス半導体層を形成し、該半導体層に放射線及び
光の検出素子としての機能を持たせることにあ
る。
即ち本発明は、光検出素子の機能を持たせて検
出感度の向上をはかつた放射線検出装置におい
て、両面に透明導電膜が形成された透光性基板
と、この基板の両面に形成されたアモルフアス半
導体層と、上記基板及び半導体層に対しこれらに
入射する放射線の入射側と反対側に配置され、上
記基板及び半導体層を通過した放射線を照射され
て光を放出するシンチレータとを具備し、前記半
導体層に放射線検出素子と光検出素子との両方の
機能を兼備えさせるようにしたものである。
出感度の向上をはかつた放射線検出装置におい
て、両面に透明導電膜が形成された透光性基板
と、この基板の両面に形成されたアモルフアス半
導体層と、上記基板及び半導体層に対しこれらに
入射する放射線の入射側と反対側に配置され、上
記基板及び半導体層を通過した放射線を照射され
て光を放出するシンチレータとを具備し、前記半
導体層に放射線検出素子と光検出素子との両方の
機能を兼備えさせるようにしたものである。
本発明によれば、アモルフアス半導体層からな
る検出部で直接的にＸ線を検出するだけでなく、
該検出部を通過したＸ線をさらに利用してシンチ
レータを発光させ、この光の大部分をダイレクト
に再度検出部で受光して感度の増大をはかること
ができる。しかも、基板を透光性としているの
で、基板の両面の半導体層には基板側からも光が
入射することになり、これにより感度のより一層
の増大をはかることができる。このため、非常に
優れた感度特性を得ることができる。また、アモ
ルフアス半導体層は非常に薄くて済み、且つプラ
ズマ反応を利用しているため、基板の大きさの選
択性に富んでおり、さらに容易に形成することが
できる。このため、装置の製造コストを低減する
ことも可能である。
る検出部で直接的にＸ線を検出するだけでなく、
該検出部を通過したＸ線をさらに利用してシンチ
レータを発光させ、この光の大部分をダイレクト
に再度検出部で受光して感度の増大をはかること
ができる。しかも、基板を透光性としているの
で、基板の両面の半導体層には基板側からも光が
入射することになり、これにより感度のより一層
の増大をはかることができる。このため、非常に
優れた感度特性を得ることができる。また、アモ
ルフアス半導体層は非常に薄くて済み、且つプラ
ズマ反応を利用しているため、基板の大きさの選
択性に富んでおり、さらに容易に形成することが
できる。このため、装置の製造コストを低減する
ことも可能である。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第１図は本発明の参考例に係わる放射線検出装
置を示す概略構成図である。図中１０はＸ線検出
素子及び光検出検出素子の両方の機能を備えた検
出部であり、この検出部１０は２枚のＷコリメー
タ２１間に配置されている。なお、検出部１０は
後述する如くAl基板１１、アモルフアスシリコ
ン層１２，１３，１４及びSnO2膜１５等から形
成されている。検出部１０のＸ線入射側と反対側
には、NaI（Tl）シンチレータ２５が配置されて
いる。シンチレータ２５は検出部１０を通過した
Ｘ線の入射により光を発生するもので、その光は
検出部１０に照射される。そして、検出部１０の
検出信号は、電流増幅器２６を介して出力される
ものとなつている。
置を示す概略構成図である。図中１０はＸ線検出
素子及び光検出検出素子の両方の機能を備えた検
出部であり、この検出部１０は２枚のＷコリメー
タ２１間に配置されている。なお、検出部１０は
後述する如くAl基板１１、アモルフアスシリコ
ン層１２，１３，１４及びSnO2膜１５等から形
成されている。検出部１０のＸ線入射側と反対側
には、NaI（Tl）シンチレータ２５が配置されて
いる。シンチレータ２５は検出部１０を通過した
Ｘ線の入射により光を発生するもので、その光は
検出部１０に照射される。そして、検出部１０の
検出信号は、電流増幅器２６を介して出力される
ものとなつている。
さて、前記検出部１０は第２図ａ，ｂに示す如
くして形成される。まず、第２図ａに示す如くＸ
線に対する透光性基板としてのAl基板（導電性
基板）１１の両面にＮ型ａ−Si：Ｈ（Ｎ型アモル
フアスシリコン層）１２ａ，１２ｂ、Ｉ型ａ−
Si：Ｈ（ノンドープアモルフアスシリコン層）１
３ａ，１３ｂ及びＰ型ａ−Si：Ｈ（Ｐ型アモルフ
アスシリコン層）１４ａ，１４ｂをグロー放電分
解プラズマCVD法等により順次堆積形成する。
次いで、第２図ｂに示す如くSnO2膜１５ａ，１
５ｂをスパツタ或いは蒸着法等により堆積するこ
とにより形成される。
くして形成される。まず、第２図ａに示す如くＸ
線に対する透光性基板としてのAl基板（導電性
基板）１１の両面にＮ型ａ−Si：Ｈ（Ｎ型アモル
フアスシリコン層）１２ａ，１２ｂ、Ｉ型ａ−
Si：Ｈ（ノンドープアモルフアスシリコン層）１
３ａ，１３ｂ及びＰ型ａ−Si：Ｈ（Ｐ型アモルフ
アスシリコン層）１４ａ，１４ｂをグロー放電分
解プラズマCVD法等により順次堆積形成する。
次いで、第２図ｂに示す如くSnO2膜１５ａ，１
５ｂをスパツタ或いは蒸着法等により堆積するこ
とにより形成される。
ここで、検出部１０はＸ線入射側から見て
SnO2／ｐ−ｉ−ｎ（ａ−Si）／Al／ｎ−ｉ−ｐ
（ａ−Si）／SnO2構造となつており、Al基板１１
を介してPINダイオードの並列接続構造となつて
いる。つまり、検出部１０はＸ線入射側の検出部
１０ｂとシンチレータ側の検出部１０ａとに分割
形成されている。なお、Al基板１１はそのシン
チレータ側を特に鏡面仕上げしているが、鏡面仕
上げを両面に施しても何等差支えない。また、Ｗ
コリメータ２１の内面にAl等をコーテイングし
ておき、光の反射効率を上げるようにしてもよ
い。
SnO2／ｐ−ｉ−ｎ（ａ−Si）／Al／ｎ−ｉ−ｐ
（ａ−Si）／SnO2構造となつており、Al基板１１
を介してPINダイオードの並列接続構造となつて
いる。つまり、検出部１０はＸ線入射側の検出部
１０ｂとシンチレータ側の検出部１０ａとに分割
形成されている。なお、Al基板１１はそのシン
チレータ側を特に鏡面仕上げしているが、鏡面仕
上げを両面に施しても何等差支えない。また、Ｗ
コリメータ２１の内面にAl等をコーテイングし
ておき、光の反射効率を上げるようにしてもよ
い。
本参考例において、ｐ、ｉ、ｎの各アモルフア
スシリコン層の膜厚は各々100［Å］以上、５［μ
ｍ］以上、100［Å］以上としているが、アモルフ
アスシリコン層１３に限つてはＸ線の検出分とシ
ンチレータ発光による光の検出分を考慮して、Ｘ
線入射側のアモルフアスシリコン層１３ｂとシン
チレータ側のアモルフアスシリコン１３の膜厚を
決定する。このアモルフアスシリコンのＸ線に対
する吸収特性を考慮すると、Ｘ線入射側のアモル
フアスシリコン層１３ｂは５［μｍ］よりも厚く、
できれば10［μｍ］以上の膜厚としてＸ線の直線
検出分をできるだけ多くした方がよい。また、
Al基板１１は所望する放射線検出装置の大きさ
に応じて、その形状及び大きさを選択すればよ
い。
スシリコン層の膜厚は各々100［Å］以上、５［μ
ｍ］以上、100［Å］以上としているが、アモルフ
アスシリコン層１３に限つてはＸ線の検出分とシ
ンチレータ発光による光の検出分を考慮して、Ｘ
線入射側のアモルフアスシリコン層１３ｂとシン
チレータ側のアモルフアスシリコン１３の膜厚を
決定する。このアモルフアスシリコンのＸ線に対
する吸収特性を考慮すると、Ｘ線入射側のアモル
フアスシリコン層１３ｂは５［μｍ］よりも厚く、
できれば10［μｍ］以上の膜厚としてＸ線の直線
検出分をできるだけ多くした方がよい。また、
Al基板１１は所望する放射線検出装置の大きさ
に応じて、その形状及び大きさを選択すればよ
い。
このような構造においては、Ｘ線は最初検出部
１０ｂに入射し、ここでＸ線が検出される。次い
で、検出部１０ｂを通過したＸ線はAl基板１１
を通過して検出部１０ａに入射し、ここでもＸ線
が検出される。そして、検出部１０ｂ，１０ａを
通過したＸ線はシンチレータ２５に入射し、シン
チレータ２５を発光させる。シンチレータ２５か
らの光は、第１図中に破線矢印で示す如く進み、
その大部分は検出部１０ａに入射し、一部の光は
Ｗコリメータ２１で反射して検出部１０ａ，１０
ｂの横から入射する。この光を再度検出部１０
ａ，１０ｂが検出し、さらに検出部１０ａのAl
基板１１の表面に入射した光が反射し検出部１０
ａで再度検出されると云うＸ線検出のプロセスを
とる。
１０ｂに入射し、ここでＸ線が検出される。次い
で、検出部１０ｂを通過したＸ線はAl基板１１
を通過して検出部１０ａに入射し、ここでもＸ線
が検出される。そして、検出部１０ｂ，１０ａを
通過したＸ線はシンチレータ２５に入射し、シン
チレータ２５を発光させる。シンチレータ２５か
らの光は、第１図中に破線矢印で示す如く進み、
その大部分は検出部１０ａに入射し、一部の光は
Ｗコリメータ２１で反射して検出部１０ａ，１０
ｂの横から入射する。この光を再度検出部１０
ａ，１０ｂが検出し、さらに検出部１０ａのAl
基板１１の表面に入射した光が反射し検出部１０
ａで再度検出されると云うＸ線検出のプロセスを
とる。
ここで、シンチレータ発光による光の大部分は
検出部１０ａにダイレクトに入射するために、前
記第４図及び第５図に示した従来装置に比べてそ
の光の利用効率が格段に高くなる。さらに、NaI
（Tl）シンチレータ２５の発光波長は410［ｎｍ］
付近にピークがあるが、500［ｎｍ］付近でもその
発光強度は十分にあり、前記検出部１０の感度特
性（ピーク500〜600nｍであるが、400nｍ程度か
ら感度を有している）から、その光を十分に利用
することができる。
検出部１０ａにダイレクトに入射するために、前
記第４図及び第５図に示した従来装置に比べてそ
の光の利用効率が格段に高くなる。さらに、NaI
（Tl）シンチレータ２５の発光波長は410［ｎｍ］
付近にピークがあるが、500［ｎｍ］付近でもその
発光強度は十分にあり、前記検出部１０の感度特
性（ピーク500〜600nｍであるが、400nｍ程度か
ら感度を有している）から、その光を十分に利用
することができる。
このように本参考例によれば、Al基板１１の
両面にアモルフアスシリコンからなるＸ線及び光
の検出部１０ａ，１０ｂを設けることにより、Ｘ
線の検出感度の大幅な向上をはかり得る。即ち、
Ｘ線に関しては従来装置と同様若しくは若干低い
が、光に対する感度は従来装置より著しく向上す
るので、全体としての感度も向上することにな
る。また、プラズマCVD法を用いてアモルフア
スシリコンを堆積するために、基板の形状及び大
きさを任意に選ぶことができる。さらに、高価な
Au電極等を用いる必要もない。このため、選択
的に富んだ検出部を比較的容易に形成することが
でき、放射線検出装置の製造コストを低減し得る
等の利点がある。
両面にアモルフアスシリコンからなるＸ線及び光
の検出部１０ａ，１０ｂを設けることにより、Ｘ
線の検出感度の大幅な向上をはかり得る。即ち、
Ｘ線に関しては従来装置と同様若しくは若干低い
が、光に対する感度は従来装置より著しく向上す
るので、全体としての感度も向上することにな
る。また、プラズマCVD法を用いてアモルフア
スシリコンを堆積するために、基板の形状及び大
きさを任意に選ぶことができる。さらに、高価な
Au電極等を用いる必要もない。このため、選択
的に富んだ検出部を比較的容易に形成することが
でき、放射線検出装置の製造コストを低減し得る
等の利点がある。
第３図は本発明の一実施例に係わる放射線検出
装置を示す概略構成図である。なお、第１図と同
一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は
省略する。この実施例が先に説明した参考例と異
なる点は、前記Al基板の代りに、絶縁性の透明
基板を用いたことにある。即ち、石英ガラス基板
３１の両面に透明導電膜としてのSnO2膜３２ａ，
３２ｂがそれぞれ形成されている。これらの導電
膜３２ａ，３２ｂ上に形成するのは、アモルフア
スシリコン層１２ａ，１２ｂ，〜，１４ａ，１４
ｂ及びSnO2膜１５ａ，１５ｂであり、先の実施
例と全く同様である。
装置を示す概略構成図である。なお、第１図と同
一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は
省略する。この実施例が先に説明した参考例と異
なる点は、前記Al基板の代りに、絶縁性の透明
基板を用いたことにある。即ち、石英ガラス基板
３１の両面に透明導電膜としてのSnO2膜３２ａ，
３２ｂがそれぞれ形成されている。これらの導電
膜３２ａ，３２ｂ上に形成するのは、アモルフア
スシリコン層１２ａ，１２ｂ，〜，１４ａ，１４
ｂ及びSnO2膜１５ａ，１５ｂであり、先の実施
例と全く同様である。
このような構成であつても、先の参考例と同様
な効果が得られるのは勿論のことである。しか
も、コリメータ２１で反射されて基板３１に入射
した光が基板３１内を伝搬して検出部１０に入射
することになるので、これにより検出感度がより
一層向上する利点がある。
な効果が得られるのは勿論のことである。しか
も、コリメータ２１で反射されて基板３１に入射
した光が基板３１内を伝搬して検出部１０に入射
することになるので、これにより検出感度がより
一層向上する利点がある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記放射線及び光の検出
部構造としては、PIN構造の代りに、シヨツトキ
ー型やPN型としてもよい。また、放射線入射側
から見てnip／Al／pin構造であつてもよい。さ
らに、これらを積層させたタンデム構造としても
有効である。また、放射線入射側から見て、シヨ
ツトキー型／Al／nip型或いはこれと逆の構造と
しても良く、これら種々の組合わせであつてもよ
い。さらに、Ｉ型ａ−Si：Ｈ（ノンドープアモル
フアスシリコン層）にＰ、Ｂ、Ｃ、Zn、Ge等の
微量ドーピングを行つても本発明は有効である。
ものではない。例えば、前記放射線及び光の検出
部構造としては、PIN構造の代りに、シヨツトキ
ー型やPN型としてもよい。また、放射線入射側
から見てnip／Al／pin構造であつてもよい。さ
らに、これらを積層させたタンデム構造としても
有効である。また、放射線入射側から見て、シヨ
ツトキー型／Al／nip型或いはこれと逆の構造と
しても良く、これら種々の組合わせであつてもよ
い。さらに、Ｉ型ａ−Si：Ｈ（ノンドープアモル
フアスシリコン層）にＰ、Ｂ、Ｃ、Zn、Ge等の
微量ドーピングを行つても本発明は有効である。
また、透明導電膜としては、SnO2に限るもの
ではなく、ITO、In2O3を用いてもよい。さらに、
検出部構造としてシヨツトキー型とした場合に
は、Au、Pt、Ti、Ta、Pd等仕事関数の高い金
属を薄くして透明導電膜としても有効である。ま
た、導電性基板としては、Al基板の代りにはBe、
Ｃ等安定で且つ放射線を透過する金属であれば用
いてもよい。同様に、絶縁性基板は石英基板に限
らず、放射線を透過するものであればよい。ま
た、基板を放射線入射側に対して直角方向に配置
しているが、基板を水平方向に配置することも可
能である。さらに、シンチレータやコリメータ等
の材質及び形状は、仕様に応じて適宜変更可能で
ある。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
ではなく、ITO、In2O3を用いてもよい。さらに、
検出部構造としてシヨツトキー型とした場合に
は、Au、Pt、Ti、Ta、Pd等仕事関数の高い金
属を薄くして透明導電膜としても有効である。ま
た、導電性基板としては、Al基板の代りにはBe、
Ｃ等安定で且つ放射線を透過する金属であれば用
いてもよい。同様に、絶縁性基板は石英基板に限
らず、放射線を透過するものであればよい。ま
た、基板を放射線入射側に対して直角方向に配置
しているが、基板を水平方向に配置することも可
能である。さらに、シンチレータやコリメータ等
の材質及び形状は、仕様に応じて適宜変更可能で
ある。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の参考例に係わる放射線検出装
置を示す概略構成図、第２図ａ，ｂは上記装置に
使用した検出部の製造工程を示す断面図、第３図
は本発明の一実施例に係わる放射線検出装置を示
す概略構成図、第４図及び第５図はそれぞれ従来
装置を示す概略構成図である。 １０，１０ａ，１０ｂ……検出部、１１……
Al基板（透光性導電性基板）、１２……Ｎ型アモ
ルフアスシリコン層、１３……ノンドープアモル
フアスシリコン層、１４……Ｐ型アモルフアスシ
リコン層、１５，３２……SnO2膜、２１……Ｗ
コリメータ、２６……電流増幅器、３１……石英
基板（透光性絶縁性基板）。
置を示す概略構成図、第２図ａ，ｂは上記装置に
使用した検出部の製造工程を示す断面図、第３図
は本発明の一実施例に係わる放射線検出装置を示
す概略構成図、第４図及び第５図はそれぞれ従来
装置を示す概略構成図である。 １０，１０ａ，１０ｂ……検出部、１１……
Al基板（透光性導電性基板）、１２……Ｎ型アモ
ルフアスシリコン層、１３……ノンドープアモル
フアスシリコン層、１４……Ｐ型アモルフアスシ
リコン層、１５，３２……SnO2膜、２１……Ｗ
コリメータ、２６……電流増幅器、３１……石英
基板（透光性絶縁性基板）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 両面に透明導電膜が形成された透光性基板
と、この基板の両面に上記透明導電膜を介してそ
れぞれ形成されたアモルフアス半導体層と、上記
基板及び半導体層に対しこれらに入射する放射線
の入射側と反対側に配置され、上記基板及び半導
体層を通過した放射線を照射されて光を放出する
シンチレータとを具備し、前記半導体層は放射線
検出素子と光検出素子との両方の機能を兼ね備え
たものであることを特徴とする放射線検出装置。 ２ 前記基板の主面を入射放射線に対し直角方向
に配置してなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の放射線検出装置。 ３ 前記基板の主面を入射放射線に対し平行方向
に配置してなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の放射線検出装置。 ４ 前記半導体層は、PIN構造を有するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
放射線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062122A JPS61221689A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062122A JPS61221689A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 放射線検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221689A JPS61221689A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0562712B2 true JPH0562712B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=13190938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60062122A Granted JPS61221689A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 放射線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61221689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016150921A1 (de) | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrochromes element mit verbesserter elektrolytschicht |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109269A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体放射線検出器及び半導体放射線撮像装置 |
| JP2006179980A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 撮像装置および撮像システム |
| JP2007170908A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびそれを用いた撮像装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55142262A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Toshiba Corp | Semiconductor radiant ray detector |
| JPS56167240A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-22 | Toshiba Corp | Photoelectric converter |
| JPS58118163A (ja) * | 1982-01-05 | 1983-07-14 | Toshiba Corp | 半導体放射線検出器 |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60062122A patent/JPS61221689A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016150921A1 (de) | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrochromes element mit verbesserter elektrolytschicht |
| US10268096B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-04-23 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Electrochromic element with improved electrolyte layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61221689A (ja) | 1986-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |