JPH0738431B2 - How to attach a lead frame to a semiconductor device - Google Patents
How to attach a lead frame to a semiconductor deviceInfo
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- JPH0738431B2 JPH0738431B2 JP2083328A JP8332890A JPH0738431B2 JP H0738431 B2 JPH0738431 B2 JP H0738431B2 JP 2083328 A JP2083328 A JP 2083328A JP 8332890 A JP8332890 A JP 8332890A JP H0738431 B2 JPH0738431 B2 JP H0738431B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミック基板上に半導体チップを搭載した半
導体装置にリードフレームを容易に且つ確実に取り付け
られるようにした半導体装置へのリードフレームの取付
方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of use] The present invention relates to attachment of a lead frame to a semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a ceramic substrate can be easily and surely attached to the semiconductor device. Regarding the method.
［従来の技術］ 例えば、表面実装用のチップキャリア型の半導体装置に
リードフレームを固定する際には、周知のように、セラ
ミック基板の辺部に形成されているメタライズされた端
子部分に銀ろうを載せ、この銀ろう上にリードフレーム
を構成するリード部分を位置決め固定した後、リード部
分を加熱することによって前記メタライズされた端子部
分とリード部分とが銀ろうを介してろう付け固定され
る。[Prior Art] For example, when fixing a lead frame to a chip carrier type semiconductor device for surface mounting, as is well known, silver brazing is applied to a metallized terminal portion formed on a side portion of a ceramic substrate. After the lead portion constituting the lead frame is positioned and fixed on the silver brazing material, the metallized terminal portion and the lead portion are brazed and fixed via the silver brazing material by heating the lead portion.
第７図にリードフレームを構成するリード部分がセラミ
ック基板上にろう付け固定された状態を示す。第７図に
おいて、参照符号２はセラミック基板であり、このセラ
ミック基板２のメタライズ部分４上にリードフレーム６
を構成するリード部分８が銀ろう10によってろう付け固
定されている。FIG. 7 shows a state in which the lead portions forming the lead frame are brazed and fixed on the ceramic substrate. In FIG. 7, reference numeral 2 is a ceramic substrate, and the lead frame 6 is provided on the metallized portion 4 of the ceramic substrate 2.
The lead portion 8 constituting the above is brazed and fixed by the silver solder 10.
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の従来技術に係る半導体装置へのリ
ードフレームの取付方法では、リードフレーム６のリー
ド部分８を銀ろう10上に位置決め固定する際に、リード
部分８が矢印ＸまたはＹ方向に位置ずれしてしまうこと
がある。半導体装置に搭載される部品の高密度化および
セラミック基板２上に形成されるメタライズ配線の微細
化によってリード部分８の位置決めが困難になってきて
いるからである。そして、リード部分に位置ずれが発生
すると、該リード部分８の接合強度が低下するという問
題が発生する。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described method of attaching a lead frame to a semiconductor device according to the related art, when the lead portion 8 of the lead frame 6 is positioned and fixed on the silver solder 10, the lead portion 8 is formed. May be misaligned in the X or Y direction. This is because the positioning of the lead portion 8 has become difficult due to the high density of the components mounted on the semiconductor device and the miniaturization of the metallized wiring formed on the ceramic substrate 2. When the lead portion is displaced, the bonding strength of the lead portion 8 is reduced.
本発明は前記の課題を解決するためになされたものであ
って、セラミック基板に対して、リードフレームを構成
するリード部分の位置決めが容易且つ確実になり、これ
によって位置ずれが皆無となることからリード部分の接
合強度が向上する半導体装置へのリードフレームの取付
方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and the positioning of the lead portion forming the lead frame with respect to the ceramic substrate becomes easy and reliable, which eliminates any positional deviation. An object of the present invention is to provide a method for attaching a lead frame to a semiconductor device, which improves the bonding strength of the lead portion.
［課題を解決するための手段］ 前記の課題を解決するために、本発明はリードフレーム
を構成する各リード部分の数に対応する数のメタライズ
された導電部分を辺部に有するセラミック基板上に、前
記リードフレームを構成する各リード部分の数に対応す
る数の切欠形状が直方体状を呈する切欠部を辺部に形成
した板部材を、前記導電部分と切欠部とが一致するよう
に重ね合わせて、直方体状の溝部を形成する第１の過程
と、 前記溝部にリードフレームを構成するリード部分を載置
して位置決めする第２の過程と、 位置決めされたリードフレームのリード部分をろう付け
する第３の過程と、 前記板部材を前記セラミック基板から離間させる第４の
過程と、 を有することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to solve the problems described above, the present invention provides a ceramic substrate having, on its sides, a number of metallized conductive parts corresponding to the number of lead parts constituting a lead frame. A plate member having a rectangular parallelepiped cutout corresponding to the number of the lead portions forming the lead frame and having side portions formed with the cutout portions is stacked so that the conductive portion and the cutout portions are aligned with each other. A first step of forming a rectangular parallelepiped groove portion, a second step of placing and positioning the lead portion constituting the lead frame in the groove portion, and brazing the lead portion of the positioned lead frame. And a fourth step of separating the plate member from the ceramic substrate.
［作用］ 上記のように構成される本発明の半導体装置へのリード
フレームの取付方法では、セラミック基板に形成された
メタライズ部分に板部材に形成された切欠部を一致させ
て重ね合わせることで、直方体状の溝部が形成され、こ
の直方体状の溝部にリード部分が確実に位置決めされた
後、ろう付けされるので、リード部分の接合強度が向上
する。[Operation] In the method of attaching a lead frame to a semiconductor device of the present invention configured as described above, the metallized portion formed on the ceramic substrate is aligned with the cutout portion formed on the plate member, and the lead frame is overlapped. Since the rectangular parallelepiped groove is formed and the lead portion is reliably positioned in the rectangular parallelepiped groove, the lead portion is brazed, so that the bonding strength of the lead portion is improved.
［実施例］ 次に、本発明の一実施例に係る半導体装置へのリードフ
レームの取付方法について実施例を挙げ、添付の図面を
参照しながら以下詳細に説明する。[Embodiment] Next, a method of attaching a lead frame to a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第１図において、参照符号20はセラミック基板であり、
このセラミック基板20上にはセラミック材の板部材22お
よびリードフレーム24が位置決めして載置される。ここ
で、リードフレーム24はチップキャリアタイプのリード
フレームであり、タイバー部分26とリード部分28とから
構成されている。In FIG. 1, reference numeral 20 is a ceramic substrate,
A plate member 22 made of a ceramic material and a lead frame 24 are positioned and placed on the ceramic substrate 20. Here, the lead frame 24 is a chip carrier type lead frame, and includes a tie bar portion 26 and a lead portion 28.
一方、セラミック基板20の四つの辺部29にはリードフレ
ーム24を構成する各リード部分28の数に対応する数のメ
タライズ上にニッケルメッキが施された導電部分30が設
けられている。On the other hand, the four side portions 29 of the ceramic substrate 20 are provided with the conductive portions 30 plated with nickel on the metallization in the number corresponding to the number of the lead portions 28 forming the lead frame 24.
また、前記板部材22の四つの辺部32にはリードフレーム
24を構成する各リード部分28の数に対応する数の切欠形
状が直方体状を呈する切欠部34が設けられている。In addition, a lead frame is provided on the four side portions 32 of the plate member 22.
The notch 34 is provided in which the number of notches corresponding to the number of the lead portions 28 forming the 24 is a rectangular parallelepiped.
この切欠部34は、第２図に示すように、その奥行Ｌおよ
び幅Ｗが導電部分30の奥行ｌおよび幅ｗより小さく形成
されており、深さＤは厚みｄ（ｄ≪Ｄ）の導電部分30上
にろう（図示せず）を充填した際にそのろうの高さ以上
の深さに形成されている。As shown in FIG. 2, the notch 34 is formed so that its depth L and width W are smaller than the depth 1 and width w of the conductive portion 30, and the depth D is a conductive layer having a thickness d (d << D). It is formed at a depth equal to or higher than the height of the wax when the wax (not shown) is filled on the portion 30.
本実施例に係る半導体装置へのリードフレームの取付方
法に係る装置は基本的には以上のように構成されるもの
であり、次に、その半導体装置へのリードフレームの取
付方法について説明する。The device relating to the method of attaching the lead frame to the semiconductor device according to this embodiment is basically configured as described above. Next, the method of attaching the lead frame to the semiconductor device will be described.
先ず、第３図に示すように、セラミック基板20上に、板
部材22を、導電部分30と切欠部34とが位置的に一致する
ように重ね合わせて、直方体状の溝部40を形成する（第
１の過程）。First, as shown in FIG. 3, the plate member 22 is superposed on the ceramic substrate 20 so that the conductive portion 30 and the notch portion 34 are aligned with each other to form a rectangular parallelepiped groove portion 40 ( First process).
次に、前記溝部40にこの溝部40の深さＤ未満の深さ（D-
h）（第４図参照）まで、ろう付け用のろう42を充填す
る。Next, in the groove 40, a depth (D-
h) Fill the brazing wax 42 up to (see FIG. 4).
次いで、ろう42が充填された溝部40にリードフレーム24
を構成するリード部分28を載置して位置決めする（第２
の過程）。すなわち、リード部分28は、第４図に示すよ
うに、深さが（D-h）であるろう42上に位置決めされ
る。この場合、リード部分28は深さが（D-h）になった
溝部40の側面部38bによって規制されて溝部40内に容易
且つ確実に位置決めされる。Then, the lead frame 24 is inserted into the groove 40 filled with the brazing material 42.
The lead portion 28 that constitutes the
Process). That is, the lead portion 28 is positioned on the braze 42 having a depth (Dh), as shown in FIG. In this case, the lead portion 28 is regulated by the side surface portion 38b of the groove portion 40 having a depth (Dh), and is easily and reliably positioned in the groove portion 40.
次いで、位置決めされたリードフレーム24のリード部分
28を加熱してろう付けする（第５図参照、第３の過
程）。Then, the lead portion of the lead frame 24 is positioned
28 is heated and brazed (see FIG. 5, third process).
この後、前記板部材22をセラミック基板20から離間させ
る（第６図参照、第４の過程）。Then, the plate member 22 is separated from the ceramic substrate 20 (see FIG. 6, fourth step).
この場合、本実施例によれば、リード部分28をろう42が
充填された溝部40内に容易に且つ確実に位置決めするこ
とができるので、リード部分28の位置ずれが発生せず、
従って、リード部分28の位置ずれに起因するリード接合
強度が低下することはない。In this case, according to the present embodiment, the lead portion 28 can be easily and reliably positioned in the groove portion 40 filled with the brazing 42, so that the lead portion 28 is not displaced,
Therefore, the lead bonding strength due to the displacement of the lead portion 28 does not decrease.
［発明の効果］ 上記実施例から明らかなように、本発明に係る半導体装
置へのリードフレームの取付方法では、辺部に切欠部を
有する板部材をセラミック基板に重ね合わせて直方体状
の溝部を形成し、この溝部にリード部分が確実に位置決
めされた後、ろう付けされるので、リード部分の接合強
度が向上するという効果を有する。[Effects of the Invention] As is apparent from the above-described embodiments, in the method of mounting a lead frame on a semiconductor device according to the present invention, a plate member having cutouts on its sides is superposed on a ceramic substrate to form a rectangular parallelepiped groove. Since the lead portion is formed and the lead portion is surely positioned in the groove portion and then brazed, there is an effect that the bonding strength of the lead portion is improved.
第１図は本発明方法に係るセラミック基板と板部材とリ
ードフレームとの対応関係を示す説明図、 第２図は板部材とセラミック基板の関係を示す一部省略
断面説明図、 第３図はセラミック基板に板部材を重ね合わせた状態を
示す説明図、 第４図は第３図の一部省略Ａ矢視図、 第５図は溝部内のろう上にリードフレームが位置決めさ
れてろう付けされた状態を示す一部省略断面説明図、 第６図はリードフレームがろう付けされた後の状態を示
す一部省略断面説明図、 第７図は従来技術に係るリードフレームがろう付けされ
た後の状態を示す一部省略断面説明図である。 20……セラミック基板 22……板部材 24……リードフレーム 26……タイバー部分 28……リード部分 29……辺部 34……切欠部 40……溝部FIG. 1 is an explanatory view showing a correspondence relationship between a ceramic substrate, a plate member and a lead frame according to the method of the present invention, FIG. 2 is a partially omitted sectional explanatory view showing a relationship between the plate member and the ceramic substrate, and FIG. FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which plate members are superposed on a ceramic substrate, FIG. 4 is a partially omitted view of arrow A in FIG. 3, and FIG. 5 is a brazing process in which a lead frame is positioned and brazed on a braze in a groove. FIG. 6 is a partially omitted sectional explanatory view showing a state after the lead frame is brazed, and FIG. 7 is a partially omitted sectional explanatory view showing a state after the lead frame is brazed 4 is a partially omitted cross-sectional explanatory view showing the state of FIG. 20 …… ceramic substrate 22 …… plate member 24 …… lead frame 26 …… tie bar part 28 …… lead part 29 …… side part 34 …… notch part 40 …… groove part
Claims (1)
数に対応する数のメタライズされた導電部分を辺部に有
するセラミック基板上に、前記リードフレームを構成す
る各リード部分の数に対応する数の切欠形状が直方体状
を呈する切欠部を辺部に形成した板部材を、前記導電部
分と切欠部とが一致するように重ね合わせて、直方体状
の溝部を形成する第１の過程と、 前記溝部にリードフレームを構成するリード部分を載置
して位置決めする第２の過程と、 位置決めされたリードフレームのリード部分をろう付け
する第３の過程と、 前記板部材を前記セラミック基板から離間させる第４の
過程と、 を有する半導体装置へのリードフレームの取付方法。1. A number corresponding to the number of each lead portion constituting the lead frame on a ceramic substrate having a side portion with a number of metallized conductive portions corresponding to the number of each lead portion constituting the lead frame. A first step of forming a rectangular parallelepiped groove portion by superposing a plate member having a rectangular parallelepiped cutout portion formed on a side portion so that the conductive portion and the notch portion are aligned with each other; The second step of placing and positioning the lead portion constituting the lead frame in the groove, the third step of brazing the lead portion of the positioned lead frame, and the step of separating the plate member from the ceramic substrate. A fourth step, and a method of attaching the lead frame to the semiconductor device, which comprises:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2083328A JPH0738431B2 (en) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | How to attach a lead frame to a semiconductor device |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283558A JPH03283558A (en) | 1991-12-13 |
| JPH0738431B2 true JPH0738431B2 (en) | 1995-04-26 |
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| CN115213520B (en) * | 2022-08-19 | 2024-06-28 | 瓷金科技(河南)有限公司 | A fixture for brazing flat package ceramic shell |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2083328A patent/JPH0738431B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPH03283558A (en) | 1991-12-13 |
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