JPH0738431B2 - 半導体装置へのリードフレームの取付方法 - Google Patents
半導体装置へのリードフレームの取付方法Info
- Publication number
- JPH0738431B2 JPH0738431B2 JP2083328A JP8332890A JPH0738431B2 JP H0738431 B2 JPH0738431 B2 JP H0738431B2 JP 2083328 A JP2083328 A JP 2083328A JP 8332890 A JP8332890 A JP 8332890A JP H0738431 B2 JPH0738431 B2 JP H0738431B2
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- JP
- Japan
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- lead frame
- lead
- ceramic substrate
- semiconductor device
- plate member
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミック基板上に半導体チップを搭載した半
導体装置にリードフレームを容易に且つ確実に取り付け
られるようにした半導体装置へのリードフレームの取付
方法に関する。
導体装置にリードフレームを容易に且つ確実に取り付け
られるようにした半導体装置へのリードフレームの取付
方法に関する。
［従来の技術］ 例えば、表面実装用のチップキャリア型の半導体装置に
リードフレームを固定する際には、周知のように、セラ
ミック基板の辺部に形成されているメタライズされた端
子部分に銀ろうを載せ、この銀ろう上にリードフレーム
を構成するリード部分を位置決め固定した後、リード部
分を加熱することによって前記メタライズされた端子部
分とリード部分とが銀ろうを介してろう付け固定され
る。
リードフレームを固定する際には、周知のように、セラ
ミック基板の辺部に形成されているメタライズされた端
子部分に銀ろうを載せ、この銀ろう上にリードフレーム
を構成するリード部分を位置決め固定した後、リード部
分を加熱することによって前記メタライズされた端子部
分とリード部分とが銀ろうを介してろう付け固定され
る。
第７図にリードフレームを構成するリード部分がセラミ
ック基板上にろう付け固定された状態を示す。第７図に
おいて、参照符号２はセラミック基板であり、このセラ
ミック基板２のメタライズ部分４上にリードフレーム６
を構成するリード部分８が銀ろう10によってろう付け固
定されている。
ック基板上にろう付け固定された状態を示す。第７図に
おいて、参照符号２はセラミック基板であり、このセラ
ミック基板２のメタライズ部分４上にリードフレーム６
を構成するリード部分８が銀ろう10によってろう付け固
定されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の従来技術に係る半導体装置へのリ
ードフレームの取付方法では、リードフレーム６のリー
ド部分８を銀ろう10上に位置決め固定する際に、リード
部分８が矢印ＸまたはＹ方向に位置ずれしてしまうこと
がある。半導体装置に搭載される部品の高密度化および
セラミック基板２上に形成されるメタライズ配線の微細
化によってリード部分８の位置決めが困難になってきて
いるからである。そして、リード部分に位置ずれが発生
すると、該リード部分８の接合強度が低下するという問
題が発生する。
ードフレームの取付方法では、リードフレーム６のリー
ド部分８を銀ろう10上に位置決め固定する際に、リード
部分８が矢印ＸまたはＹ方向に位置ずれしてしまうこと
がある。半導体装置に搭載される部品の高密度化および
セラミック基板２上に形成されるメタライズ配線の微細
化によってリード部分８の位置決めが困難になってきて
いるからである。そして、リード部分に位置ずれが発生
すると、該リード部分８の接合強度が低下するという問
題が発生する。
本発明は前記の課題を解決するためになされたものであ
って、セラミック基板に対して、リードフレームを構成
するリード部分の位置決めが容易且つ確実になり、これ
によって位置ずれが皆無となることからリード部分の接
合強度が向上する半導体装置へのリードフレームの取付
方法を提供することを目的とする。
って、セラミック基板に対して、リードフレームを構成
するリード部分の位置決めが容易且つ確実になり、これ
によって位置ずれが皆無となることからリード部分の接
合強度が向上する半導体装置へのリードフレームの取付
方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 前記の課題を解決するために、本発明はリードフレーム
を構成する各リード部分の数に対応する数のメタライズ
された導電部分を辺部に有するセラミック基板上に、前
記リードフレームを構成する各リード部分の数に対応す
る数の切欠形状が直方体状を呈する切欠部を辺部に形成
した板部材を、前記導電部分と切欠部とが一致するよう
に重ね合わせて、直方体状の溝部を形成する第１の過程
と、 前記溝部にリードフレームを構成するリード部分を載置
して位置決めする第２の過程と、 位置決めされたリードフレームのリード部分をろう付け
する第３の過程と、 前記板部材を前記セラミック基板から離間させる第４の
過程と、 を有することを特徴とする。
を構成する各リード部分の数に対応する数のメタライズ
された導電部分を辺部に有するセラミック基板上に、前
記リードフレームを構成する各リード部分の数に対応す
る数の切欠形状が直方体状を呈する切欠部を辺部に形成
した板部材を、前記導電部分と切欠部とが一致するよう
に重ね合わせて、直方体状の溝部を形成する第１の過程
と、 前記溝部にリードフレームを構成するリード部分を載置
して位置決めする第２の過程と、 位置決めされたリードフレームのリード部分をろう付け
する第３の過程と、 前記板部材を前記セラミック基板から離間させる第４の
過程と、 を有することを特徴とする。
［作用］ 上記のように構成される本発明の半導体装置へのリード
フレームの取付方法では、セラミック基板に形成された
メタライズ部分に板部材に形成された切欠部を一致させ
て重ね合わせることで、直方体状の溝部が形成され、こ
の直方体状の溝部にリード部分が確実に位置決めされた
後、ろう付けされるので、リード部分の接合強度が向上
する。
フレームの取付方法では、セラミック基板に形成された
メタライズ部分に板部材に形成された切欠部を一致させ
て重ね合わせることで、直方体状の溝部が形成され、こ
の直方体状の溝部にリード部分が確実に位置決めされた
後、ろう付けされるので、リード部分の接合強度が向上
する。
［実施例］ 次に、本発明の一実施例に係る半導体装置へのリードフ
レームの取付方法について実施例を挙げ、添付の図面を
参照しながら以下詳細に説明する。
レームの取付方法について実施例を挙げ、添付の図面を
参照しながら以下詳細に説明する。
第１図において、参照符号20はセラミック基板であり、
このセラミック基板20上にはセラミック材の板部材22お
よびリードフレーム24が位置決めして載置される。ここ
で、リードフレーム24はチップキャリアタイプのリード
フレームであり、タイバー部分26とリード部分28とから
構成されている。
このセラミック基板20上にはセラミック材の板部材22お
よびリードフレーム24が位置決めして載置される。ここ
で、リードフレーム24はチップキャリアタイプのリード
フレームであり、タイバー部分26とリード部分28とから
構成されている。
一方、セラミック基板20の四つの辺部29にはリードフレ
ーム24を構成する各リード部分28の数に対応する数のメ
タライズ上にニッケルメッキが施された導電部分30が設
けられている。
ーム24を構成する各リード部分28の数に対応する数のメ
タライズ上にニッケルメッキが施された導電部分30が設
けられている。
また、前記板部材22の四つの辺部32にはリードフレーム
24を構成する各リード部分28の数に対応する数の切欠形
状が直方体状を呈する切欠部34が設けられている。
24を構成する各リード部分28の数に対応する数の切欠形
状が直方体状を呈する切欠部34が設けられている。
この切欠部34は、第２図に示すように、その奥行Ｌおよ
び幅Ｗが導電部分30の奥行ｌおよび幅ｗより小さく形成
されており、深さＤは厚みｄ（ｄ≪Ｄ）の導電部分30上
にろう（図示せず）を充填した際にそのろうの高さ以上
の深さに形成されている。
び幅Ｗが導電部分30の奥行ｌおよび幅ｗより小さく形成
されており、深さＤは厚みｄ（ｄ≪Ｄ）の導電部分30上
にろう（図示せず）を充填した際にそのろうの高さ以上
の深さに形成されている。
本実施例に係る半導体装置へのリードフレームの取付方
法に係る装置は基本的には以上のように構成されるもの
であり、次に、その半導体装置へのリードフレームの取
付方法について説明する。
法に係る装置は基本的には以上のように構成されるもの
であり、次に、その半導体装置へのリードフレームの取
付方法について説明する。
先ず、第３図に示すように、セラミック基板20上に、板
部材22を、導電部分30と切欠部34とが位置的に一致する
ように重ね合わせて、直方体状の溝部40を形成する（第
１の過程）。
部材22を、導電部分30と切欠部34とが位置的に一致する
ように重ね合わせて、直方体状の溝部40を形成する（第
１の過程）。
次に、前記溝部40にこの溝部40の深さＤ未満の深さ（D-
h）（第４図参照）まで、ろう付け用のろう42を充填す
る。
h）（第４図参照）まで、ろう付け用のろう42を充填す
る。
次いで、ろう42が充填された溝部40にリードフレーム24
を構成するリード部分28を載置して位置決めする（第２
の過程）。すなわち、リード部分28は、第４図に示すよ
うに、深さが（D-h）であるろう42上に位置決めされ
る。この場合、リード部分28は深さが（D-h）になった
溝部40の側面部38bによって規制されて溝部40内に容易
且つ確実に位置決めされる。
を構成するリード部分28を載置して位置決めする（第２
の過程）。すなわち、リード部分28は、第４図に示すよ
うに、深さが（D-h）であるろう42上に位置決めされ
る。この場合、リード部分28は深さが（D-h）になった
溝部40の側面部38bによって規制されて溝部40内に容易
且つ確実に位置決めされる。
次いで、位置決めされたリードフレーム24のリード部分
28を加熱してろう付けする（第５図参照、第３の過
程）。
28を加熱してろう付けする（第５図参照、第３の過
程）。
この後、前記板部材22をセラミック基板20から離間させ
る（第６図参照、第４の過程）。
る（第６図参照、第４の過程）。
この場合、本実施例によれば、リード部分28をろう42が
充填された溝部40内に容易に且つ確実に位置決めするこ
とができるので、リード部分28の位置ずれが発生せず、
従って、リード部分28の位置ずれに起因するリード接合
強度が低下することはない。
充填された溝部40内に容易に且つ確実に位置決めするこ
とができるので、リード部分28の位置ずれが発生せず、
従って、リード部分28の位置ずれに起因するリード接合
強度が低下することはない。
［発明の効果］ 上記実施例から明らかなように、本発明に係る半導体装
置へのリードフレームの取付方法では、辺部に切欠部を
有する板部材をセラミック基板に重ね合わせて直方体状
の溝部を形成し、この溝部にリード部分が確実に位置決
めされた後、ろう付けされるので、リード部分の接合強
度が向上するという効果を有する。
置へのリードフレームの取付方法では、辺部に切欠部を
有する板部材をセラミック基板に重ね合わせて直方体状
の溝部を形成し、この溝部にリード部分が確実に位置決
めされた後、ろう付けされるので、リード部分の接合強
度が向上するという効果を有する。
第１図は本発明方法に係るセラミック基板と板部材とリ
ードフレームとの対応関係を示す説明図、 第２図は板部材とセラミック基板の関係を示す一部省略
断面説明図、 第３図はセラミック基板に板部材を重ね合わせた状態を
示す説明図、 第４図は第３図の一部省略Ａ矢視図、 第５図は溝部内のろう上にリードフレームが位置決めさ
れてろう付けされた状態を示す一部省略断面説明図、 第６図はリードフレームがろう付けされた後の状態を示
す一部省略断面説明図、 第７図は従来技術に係るリードフレームがろう付けされ
た後の状態を示す一部省略断面説明図である。 20……セラミック基板 22……板部材 24……リードフレーム 26……タイバー部分 28……リード部分 29……辺部 34……切欠部 40……溝部
ードフレームとの対応関係を示す説明図、 第２図は板部材とセラミック基板の関係を示す一部省略
断面説明図、 第３図はセラミック基板に板部材を重ね合わせた状態を
示す説明図、 第４図は第３図の一部省略Ａ矢視図、 第５図は溝部内のろう上にリードフレームが位置決めさ
れてろう付けされた状態を示す一部省略断面説明図、 第６図はリードフレームがろう付けされた後の状態を示
す一部省略断面説明図、 第７図は従来技術に係るリードフレームがろう付けされ
た後の状態を示す一部省略断面説明図である。 20……セラミック基板 22……板部材 24……リードフレーム 26……タイバー部分 28……リード部分 29……辺部 34……切欠部 40……溝部
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームを構成する各リード部分の
数に対応する数のメタライズされた導電部分を辺部に有
するセラミック基板上に、前記リードフレームを構成す
る各リード部分の数に対応する数の切欠形状が直方体状
を呈する切欠部を辺部に形成した板部材を、前記導電部
分と切欠部とが一致するように重ね合わせて、直方体状
の溝部を形成する第１の過程と、 前記溝部にリードフレームを構成するリード部分を載置
して位置決めする第２の過程と、 位置決めされたリードフレームのリード部分をろう付け
する第３の過程と、 前記板部材を前記セラミック基板から離間させる第４の
過程と、 を有する半導体装置へのリードフレームの取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2083328A JPH0738431B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置へのリードフレームの取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2083328A JPH0738431B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置へのリードフレームの取付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283558A JPH03283558A (ja) | 1991-12-13 |
| JPH0738431B2 true JPH0738431B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=13799365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2083328A Expired - Lifetime JPH0738431B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置へのリードフレームの取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738431B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113380719B (zh) * | 2020-03-09 | 2025-07-18 | 珠海格力电器股份有限公司 | 陶瓷基板结构、智能功率模块及其制备方法 |
| CN115213520B (zh) * | 2022-08-19 | 2024-06-28 | 瓷金科技(河南)有限公司 | 一种扁平封装式陶瓷管壳钎焊用夹具 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2083328A patent/JPH0738431B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03283558A (ja) | 1991-12-13 |
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