JPH0740138B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0740138B2 JPH0740138B2 JP59146198A JP14619884A JPH0740138B2 JP H0740138 B2 JPH0740138 B2 JP H0740138B2 JP 59146198 A JP59146198 A JP 59146198A JP 14619884 A JP14619884 A JP 14619884A JP H0740138 B2 JPH0740138 B2 JP H0740138B2
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- overcoat layer
- oxygen
- layer
- photoconductive layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真感光体、就中、アモルファスシリコン
感光体に関する。
感光体に関する。
従来技術 ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（amorphous silico
n:以下a-Siと略す）の感光体への応用が注目されてきて
いる。また同様に長波長領域の感度を向上して半導体レ
ーザによる作像を可能とするアモルファスシリコン−ゲ
ルマニウム（以下a-Si:Geと記す）の応用も注目されて
いる。これはa-Siやa-Si:Geが従来のセレンやCdS感光体
と比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等
において一段と優れているためである。
て生成されるアモルファスシリコン（amorphous silico
n:以下a-Siと略す）の感光体への応用が注目されてきて
いる。また同様に長波長領域の感度を向上して半導体レ
ーザによる作像を可能とするアモルファスシリコン−ゲ
ルマニウム（以下a-Si:Geと記す）の応用も注目されて
いる。これはa-Siやa-Si:Geが従来のセレンやCdS感光体
と比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等
において一段と優れているためである。
しかしながら、a-Siやa-Si:Geは暗抵抗が低くそのまま
では電荷保持層を兼ねた光導電層として使用できないと
いう欠点がある。このため、酸素や窒素を含有させてそ
の暗抵抗を向上させることが提案されているが、逆に光
感度が低下するという欠点があり、その含有量も制限が
ある。
では電荷保持層を兼ねた光導電層として使用できないと
いう欠点がある。このため、酸素や窒素を含有させてそ
の暗抵抗を向上させることが提案されているが、逆に光
感度が低下するという欠点があり、その含有量も制限が
ある。
一方、a-Si系感光体における暗抵抗が小さく暗減衰が著
るしく速いという欠点を解消する方法として、オーバー
コート層のa-Siに炭素を含有させ、絶縁層を形成せしめ
て、電荷の保持能を向上させる方法が提案されている
（例えば、特開昭57-115551号公報、特開昭58-108543号
公報）。特開昭57-115551号公報に記載の技術はa-Siに
高濃度（40〜90at％）炭素原子を含有させる方法である
が、炭素含量が高い場合は光疲労や感度低下をきたし、
しかも帯電能を向上させるためには炭素濃度をより高
く、場合によっては70atomic％（以下、at％と記す）以
上とする必要がある。この様な高炭素濃度のオーバーコ
ート層は通常のグロー放電では困難であり、しかも得ら
れた感光体は炭素濃度が高く、光導電層（a-Siまたはa-
Si:Ge）との密着性が劣り、画像に白筋を形成する原因
となる。従って炭素含量をあげて帯電能を向上させるに
は限界がある。
るしく速いという欠点を解消する方法として、オーバー
コート層のa-Siに炭素を含有させ、絶縁層を形成せしめ
て、電荷の保持能を向上させる方法が提案されている
（例えば、特開昭57-115551号公報、特開昭58-108543号
公報）。特開昭57-115551号公報に記載の技術はa-Siに
高濃度（40〜90at％）炭素原子を含有させる方法である
が、炭素含量が高い場合は光疲労や感度低下をきたし、
しかも帯電能を向上させるためには炭素濃度をより高
く、場合によっては70atomic％（以下、at％と記す）以
上とする必要がある。この様な高炭素濃度のオーバーコ
ート層は通常のグロー放電では困難であり、しかも得ら
れた感光体は炭素濃度が高く、光導電層（a-Siまたはa-
Si:Ge）との密着性が劣り、画像に白筋を形成する原因
となる。従って炭素含量をあげて帯電能を向上させるに
は限界がある。
後者はa-Siオーバーコート層内に炭素を30at％以下含有
させるものであり、これによって帯電能の向上を図る方
法である。しかしながら30at％までの炭素の使用では満
足すべき帯電能は得られず、しかも画像流れを生ずる等
満足すべき結果は得られない。
させるものであり、これによって帯電能の向上を図る方
法である。しかしながら30at％までの炭素の使用では満
足すべき帯電能は得られず、しかも画像流れを生ずる等
満足すべき結果は得られない。
発明の目的 本発明はa-Si系感光体における暗抵抗が小さく帯電能に
劣ると云う欠点を解決することを目的とする。さらに従
来この目的で提案されたアモルファスシリコン−炭素
（以下a-Si・Ｃ−Ｈと記す）をオーバーコート層とする
感光体でみられる上記諸欠点がなく、それよりも高い帯
電能を有する感光体を得ることを目的とする。
劣ると云う欠点を解決することを目的とする。さらに従
来この目的で提案されたアモルファスシリコン−炭素
（以下a-Si・Ｃ−Ｈと記す）をオーバーコート層とする
感光体でみられる上記諸欠点がなく、それよりも高い帯
電能を有する感光体を得ることを目的とする。
発明の構成 本発明は導電性基体上に、アモルファスシリコン光導電
層と、炭素、酸素およびIIIA族元素を含有し、炭素の含
有量が５〜70at％、酸素含有量が10at％以下であり、か
つ使用帯電極性とは逆極性の電荷が多数キャリアとなる
ように、負帯電の場合はIIIA族元素を200〜10000ppm、
正帯電用の場合はIIIA族元素を５〜20ppm含有するアモ
ルファスシリコン透光性オーバーコート層とを備えたこ
とを特徴とする電子写真感光体に関する。
層と、炭素、酸素およびIIIA族元素を含有し、炭素の含
有量が５〜70at％、酸素含有量が10at％以下であり、か
つ使用帯電極性とは逆極性の電荷が多数キャリアとなる
ように、負帯電の場合はIIIA族元素を200〜10000ppm、
正帯電用の場合はIIIA族元素を５〜20ppm含有するアモ
ルファスシリコン透光性オーバーコート層とを備えたこ
とを特徴とする電子写真感光体に関する。
以下、本発明につき詳細に説明する。
第１図は本発明に係る感光体の構成の一例を示し、
（１）は導電性基板で、その上に少なくともa-Siを含む
光導電層（２）とa-Siを含み炭素と酸素を含有してなる
絶縁透光性のオーバーコート層（３）を順次積層してな
るものである。
（１）は導電性基板で、その上に少なくともa-Siを含む
光導電層（２）とa-Siを含み炭素と酸素を含有してなる
絶縁透光性のオーバーコート層（３）を順次積層してな
るものである。
基板（１）上に形成されるa-Siを含む光導電層（２）
は、例えば、グロー放電分解法によって10〜100μｍ、
好ましくは10〜60μｍに生成される。一例としてSiH4、
Si2H6ガス等をH2、Ar等をキャリアーガスとして用い減
圧可能な反応室内に送り込み、高周波電力印加の下にグ
ロー放電を起こして基板上に水素を含むa-Si光導電層を
形成させたものであってもよく、更にはGeH4ガスを並行
して送り込み形成したa-Si:Ge光導電層でもよい。もっ
ともこのようにして得られる光導電層は暗抵抗が不充分
に低いので、暗抵抗の向上の目的のために周期律表第II
IA族不純物（好ましくは硼素）、微量の酸素、炭素、窒
素等を含有させてもよい。
は、例えば、グロー放電分解法によって10〜100μｍ、
好ましくは10〜60μｍに生成される。一例としてSiH4、
Si2H6ガス等をH2、Ar等をキャリアーガスとして用い減
圧可能な反応室内に送り込み、高周波電力印加の下にグ
ロー放電を起こして基板上に水素を含むa-Si光導電層を
形成させたものであってもよく、更にはGeH4ガスを並行
して送り込み形成したa-Si:Ge光導電層でもよい。もっ
ともこのようにして得られる光導電層は暗抵抗が不充分
に低いので、暗抵抗の向上の目的のために周期律表第II
IA族不純物（好ましくは硼素）、微量の酸素、炭素、窒
素等を含有させてもよい。
この光導電層（２）と基板との間にアンダーコート層を
設けてもよい。
設けてもよい。
光導電層（２）上に形成されるa-Siを含むオーバーコー
ト層（３）はやはり同様に、例えば、グロー放電分解法
によって厚さ0.01〜３μｍに生成される。このオーバー
コート層（３）はその抵抗値が光導電層（２）より高
く、層全体を通してその抵抗値が略一定であるか或いは
光導電層（２）との界面より厚さ方向に順次高くなるよ
うに形成される。具体的に上記オーバーコート層（３）
はa-Si乃至a-Si:Geに炭素と酸素を含有し、更にIIIA族
元素により極性が調整されている。
ト層（３）はやはり同様に、例えば、グロー放電分解法
によって厚さ0.01〜３μｍに生成される。このオーバー
コート層（３）はその抵抗値が光導電層（２）より高
く、層全体を通してその抵抗値が略一定であるか或いは
光導電層（２）との界面より厚さ方向に順次高くなるよ
うに形成される。具体的に上記オーバーコート層（３）
はa-Si乃至a-Si:Geに炭素と酸素を含有し、更にIIIA族
元素により極性が調整されている。
前述したごとくオーバーコート層のa-Siに炭素を導入し
て、その絶縁性を向上させ光感度特性を改良する技術は
知られているが、この方法で帯電能につき顕著な効果が
得られるまで炭素含量を上げてゆくと、高湿条件の下で
画像上に白斑点模様が発生し反復複写では光導電層との
密着性の劣化に伴う表面コート膜の剥離が実用上の問題
となる。また、炭素量の増大に伴ない表面硬度が低下
し、長期の反復使用に適さない。
て、その絶縁性を向上させ光感度特性を改良する技術は
知られているが、この方法で帯電能につき顕著な効果が
得られるまで炭素含量を上げてゆくと、高湿条件の下で
画像上に白斑点模様が発生し反復複写では光導電層との
密着性の劣化に伴う表面コート膜の剥離が実用上の問題
となる。また、炭素量の増大に伴ない表面硬度が低下
し、長期の反復使用に適さない。
本発明ではオーバーコート層の極性調整を行なうことに
より、適当な炭素含量領域、例えば、５〜70at％（｛Ｃ
原子数／（Si原子数＋Ｃ原子数）｝×100）、より好ま
しくは35〜65at％において、より高い帯電能と光疲労の
除去を達成している。
より、適当な炭素含量領域、例えば、５〜70at％（｛Ｃ
原子数／（Si原子数＋Ｃ原子数）｝×100）、より好ま
しくは35〜65at％において、より高い帯電能と光疲労の
除去を達成している。
本発明におけるオーバーコート層の極性調整は（−）帯
電時においては、オーバーコート層中では、（＋）極性
の電荷が多数キャリアになるよう（Ｐ型）、又（＋）帯
電時においては（−）極性の電荷が多数キャリアとなる
よう（Ｎ型）価電子制御することにより行なう。
電時においては、オーバーコート層中では、（＋）極性
の電荷が多数キャリアになるよう（Ｐ型）、又（＋）帯
電時においては（−）極性の電荷が多数キャリアとなる
よう（Ｎ型）価電子制御することにより行なう。
上記の極性調整により、オーバーコート層に帯電した電
荷は暗中ではオーバーコート層に保持され光導電層への
注入が抑制される一方、露光に際しては光導電層で発生
した光キャリアの表面への注出が容易となる。その結
果、感光体の帯電能は向上し、暗減衰は小さくなる。ま
た、光疲労を抑制することができる。
荷は暗中ではオーバーコート層に保持され光導電層への
注入が抑制される一方、露光に際しては光導電層で発生
した光キャリアの表面への注出が容易となる。その結
果、感光体の帯電能は向上し、暗減衰は小さくなる。ま
た、光疲労を抑制することができる。
価電子制御においてＰ型特性はIIIA族、主として硼素を
200〜10000ppmドープすることによって行なえばよい。
またＮ型は同様に硼素を５〜20ppmドープすることによ
り行なえばよい。強いＰ型、強いＮ型は光疲労の発生原
因となり、却って帯電能の低下を引き起こすため望まし
くない。
200〜10000ppmドープすることによって行なえばよい。
またＮ型は同様に硼素を５〜20ppmドープすることによ
り行なえばよい。強いＰ型、強いＮ型は光疲労の発生原
因となり、却って帯電能の低下を引き起こすため望まし
くない。
本発明のオーバーコート層は炭素の他に酸素を含有す
る。酸素はオーバーコート層（３）の透光性を著しく改
善し、現に実験によればa-Siオーバーコート層に炭素の
みを約40at％含有するものと、40at％の炭素に加え約5a
t％の酸素を含有するオーバーコート層の感光体とでは
後者の方が光感度が約1.8倍も高い。また表面硬度も低
下はなくむしろ向上となっている。更に高湿条件下、反
復複写においても画像流れや白斑点はなく長期に渡り良
好な画像を形成することができる。オーバーコート層
（３）に含有される炭素と酸素の量はそれらが層全体に
渡って略均一に含有される場合と厚さ方向に勾配をもっ
て含有される場合とで異なるが、均一に含有するときは
a-Siに対し約５〜70at％の炭素と、微量から約10at％の
酸素であることが望ましい。炭素および酸素の含有量を
それぞれ最低5at％、および微量（約0.1at％以上）とす
るのは、それ以下ではオーバーコート層の高抵抗化が図
れず光疲労も大きく透光性も不充分であるためで、また
約70at％以上の炭素または10at％以上の酸素を含有する
場合は残留電位が発生したり、画像流れが生じるためで
ある。一方、厚さ方向に勾配をもって含有するときはオ
ーバーコート層の厚さ方向に含有量が徐々に増大するよ
うにし、約１〜60at％の炭素と微量から最大約25at％の
酸素を含有することができる。尚、炭素の含有量を一定
として酸素含有量を徐々に増大するようにしてもよい
し、またその逆でもよい。但し後者の場合は、酸素含有
量を最大10at％としなければならない。
る。酸素はオーバーコート層（３）の透光性を著しく改
善し、現に実験によればa-Siオーバーコート層に炭素の
みを約40at％含有するものと、40at％の炭素に加え約5a
t％の酸素を含有するオーバーコート層の感光体とでは
後者の方が光感度が約1.8倍も高い。また表面硬度も低
下はなくむしろ向上となっている。更に高湿条件下、反
復複写においても画像流れや白斑点はなく長期に渡り良
好な画像を形成することができる。オーバーコート層
（３）に含有される炭素と酸素の量はそれらが層全体に
渡って略均一に含有される場合と厚さ方向に勾配をもっ
て含有される場合とで異なるが、均一に含有するときは
a-Siに対し約５〜70at％の炭素と、微量から約10at％の
酸素であることが望ましい。炭素および酸素の含有量を
それぞれ最低5at％、および微量（約0.1at％以上）とす
るのは、それ以下ではオーバーコート層の高抵抗化が図
れず光疲労も大きく透光性も不充分であるためで、また
約70at％以上の炭素または10at％以上の酸素を含有する
場合は残留電位が発生したり、画像流れが生じるためで
ある。一方、厚さ方向に勾配をもって含有するときはオ
ーバーコート層の厚さ方向に含有量が徐々に増大するよ
うにし、約１〜60at％の炭素と微量から最大約25at％の
酸素を含有することができる。尚、炭素の含有量を一定
として酸素含有量を徐々に増大するようにしてもよい
し、またその逆でもよい。但し後者の場合は、酸素含有
量を最大10at％としなければならない。
発明の効果 本発明で得られる感光体は従来のa-Si・Ｃ−Ｈをオーバ
ーコートした感光体に比べ優れた帯電能を有し暗減衰が
少なく、光疲労がない。また、炭素濃度を低くしても優
れた帯電能を示すため炭素濃度を著るしく高くする必要
がなく、従って耐湿性、耐摩耗性等において優れ、かつ
画像に白筋や白斑のない感光体を得ることができる。
ーコートした感光体に比べ優れた帯電能を有し暗減衰が
少なく、光疲労がない。また、炭素濃度を低くしても優
れた帯電能を示すため炭素濃度を著るしく高くする必要
がなく、従って耐湿性、耐摩耗性等において優れ、かつ
画像に白筋や白斑のない感光体を得ることができる。
さらに酸素をドープすることにより、オーバーコート層
と光導電層間の密着性が改良され、さらに低炭素含量の
a-Si・Ｃ−Ｈによって生じ易い光疲労や不透明化の問題
が解消される。
と光導電層間の密着性が改良され、さらに低炭素含量の
a-Si・Ｃ−Ｈによって生じ易い光疲労や不透明化の問題
が解消される。
以下、実施例を挙げて説明する。
実施例１ 第２図に示すグロー放電分解装置において、まず、回転
ポンプ（19）を、それに続いて拡散ポンプ（20）を作動
させ、反応室（21）の内部を10-6Torr程度の高真空にし
た後、第１〜第３及び第５調整弁（９），（10），（1
1），（13）を開放し、第１タンク（４）より、H2ガ
ス、第２タンク（５）より100％SiH4ガス、第３タンク
（６）よりH2で200ppmに希釈されたB2H6ガス、更に第５
タンク（８）よりO2ガスを出力圧ゲージ1kg/cm2の下で
マスフローコントローラ（14），（15），（16），（1
8）内へ流入させた。そして、各マスフローコントロー
ラの目盛を調整して、H2の流量を486.5sccm,SiH4を90sc
cm,B2H6を22.5sccm,O2を1.0sccmとなるように設定して
反応室（21）内へ流入した。夫々の流量が安定した後
に、反応室（21）の内圧が1.0Torrとなるように調整し
た。一方、導電性基板（22）としては直径80mmのアルミ
ニウムドラムを用いて240℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源
（23）を投入し電極板（24）に250wattsの電力（周波数
13.56MHz）を印加してグロー放電を発生させた。このグ
ロー放電を約６時間持続して行い、導電性基板（22）
（第１図（１））上に水素，硼素並びに微量の酸素を含
む厚さ約20μｍのa-Si光導電層（２）を形成した。
ポンプ（19）を、それに続いて拡散ポンプ（20）を作動
させ、反応室（21）の内部を10-6Torr程度の高真空にし
た後、第１〜第３及び第５調整弁（９），（10），（1
1），（13）を開放し、第１タンク（４）より、H2ガ
ス、第２タンク（５）より100％SiH4ガス、第３タンク
（６）よりH2で200ppmに希釈されたB2H6ガス、更に第５
タンク（８）よりO2ガスを出力圧ゲージ1kg/cm2の下で
マスフローコントローラ（14），（15），（16），（1
8）内へ流入させた。そして、各マスフローコントロー
ラの目盛を調整して、H2の流量を486.5sccm,SiH4を90sc
cm,B2H6を22.5sccm,O2を1.0sccmとなるように設定して
反応室（21）内へ流入した。夫々の流量が安定した後
に、反応室（21）の内圧が1.0Torrとなるように調整し
た。一方、導電性基板（22）としては直径80mmのアルミ
ニウムドラムを用いて240℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源
（23）を投入し電極板（24）に250wattsの電力（周波数
13.56MHz）を印加してグロー放電を発生させた。このグ
ロー放電を約６時間持続して行い、導電性基板（22）
（第１図（１））上に水素，硼素並びに微量の酸素を含
む厚さ約20μｍのa-Si光導電層（２）を形成した。
a-Si光導電層が形成されると、高周波電源（23）から電
力印加を停止するとともに、マスフローコントローラの
流量を０設定にし、反応室（21）内を十分脱気した。そ
の後、第１タンク（４）よりH2ガスを486.5sccm、第２
タンク（５）より100％SiH4ガスを90sccm、第３タンク
（６）よりB2H6ガスを90sccmおよび第４タンク（７）よ
りC2H4ガスを135sccm、第５タンク（８）よりO2ガスを1
0sccmを反応室内部に流入させ、内圧を1.0Torrに調整し
た下で高周波電源を投入して250wattsの電力を印加し
た。２分間放電を続け約0.1μｍのオーバーコート層
（３）を形成した。尚、このときの炭素含有量は約40at
％であった。
力印加を停止するとともに、マスフローコントローラの
流量を０設定にし、反応室（21）内を十分脱気した。そ
の後、第１タンク（４）よりH2ガスを486.5sccm、第２
タンク（５）より100％SiH4ガスを90sccm、第３タンク
（６）よりB2H6ガスを90sccmおよび第４タンク（７）よ
りC2H4ガスを135sccm、第５タンク（８）よりO2ガスを1
0sccmを反応室内部に流入させ、内圧を1.0Torrに調整し
た下で高周波電源を投入して250wattsの電力を印加し
た。２分間放電を続け約0.1μｍのオーバーコート層
（３）を形成した。尚、このときの炭素含有量は約40at
％であった。
こうして得られた感光体を粉像転写型複写機（EP650Z:
ミノルタカメラ（株））製にセットし、（＋）帯電にて
コピーしたところ解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明
な高濃度の画像が得られた。また、50,000枚の連続複写
を行なっても画像特性の低下は認められず最後まで良好
なコピーが得られた。更に30℃、85％という高温、高湿
の条件での複写でもその電子写真特性、画像特性は室温
条件下と何ら変わることはなかった。
ミノルタカメラ（株））製にセットし、（＋）帯電にて
コピーしたところ解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明
な高濃度の画像が得られた。また、50,000枚の連続複写
を行なっても画像特性の低下は認められず最後まで良好
なコピーが得られた。更に30℃、85％という高温、高湿
の条件での複写でもその電子写真特性、画像特性は室温
条件下と何ら変わることはなかった。
実施例２〜４および参考例１、２ オーバーコート層の反応ガスの種類および量を変える以
外実施例１と同様にして感光体を作成した。ガスの種
類、量および得られた感光体の電子写真特性を表−１に
示す。
外実施例１と同様にして感光体を作成した。ガスの種
類、量および得られた感光体の電子写真特性を表−１に
示す。
第１図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第２図は
本発明に係る感光体を製造するためのグロー放電分解装
置の概略構成を示す図である。 （２）……a-Si光導電層、（３）……オーバーコート
層、（４）〜（８）……第１〜第５タンク、（21）反応
室、（22）……導電性基板、（23）……高周波電源。
本発明に係る感光体を製造するためのグロー放電分解装
置の概略構成を示す図である。 （２）……a-Si光導電層、（３）……オーバーコート
層、（４）〜（８）……第１〜第５タンク、（21）反応
室、（22）……導電性基板、（23）……高周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−52180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−215658（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−168051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−185346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−115553（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−119356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−219560（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上に、アモルファスシリコン光
導電層と、炭素、酸素およびIIIA族元素を含有し、炭素
の含有量が５〜70at％、酸素含有量が10at％以下であ
り、かつ使用帯電極性とは逆極性の電荷が多数キャリア
となるように、負帯電の場合はIIIA族元素を200〜10000
ppm、正帯電用の場合はIIIA族元素を５〜20ppm含有する
アモルファスシリコン透光性オーバーコート層とを備え
たことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146198A JPH0740138B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
| US06/753,596 US4642278A (en) | 1984-07-14 | 1985-07-10 | Photosensitive member with an insulating layer of amorphous silicon |
| DE19853524968 DE3524968A1 (de) | 1984-07-14 | 1985-07-12 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146198A JPH0740138B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6125154A JPS6125154A (ja) | 1986-02-04 |
| JPH0740138B2 true JPH0740138B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15402343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146198A Expired - Lifetime JPH0740138B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642278A (ja) |
| JP (1) | JPH0740138B2 (ja) |
| DE (1) | DE3524968A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0778638B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-08-23 | キヤノン株式会社 | 光受容部材 |
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| US5159389A (en) * | 1988-08-30 | 1992-10-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrostatic latent image apparatus |
| US5504559A (en) * | 1993-08-30 | 1996-04-02 | Minolta Co., Ltd. | Method for image formation |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
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| GB2115570B (en) * | 1981-12-28 | 1985-07-10 | Canon Kk | Photoconductive member |
-
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- 1984-07-14 JP JP59146198A patent/JPH0740138B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-07-10 US US06/753,596 patent/US4642278A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-12 DE DE19853524968 patent/DE3524968A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
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|---|---|
| US4642278A (en) | 1987-02-10 |
| DE3524968A1 (de) | 1986-01-16 |
| JPS6125154A (ja) | 1986-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |