JPH0741386A - ダイヤモンド状被膜基板およびその形成方法 - Google Patents
ダイヤモンド状被膜基板およびその形成方法Info
- Publication number
- JPH0741386A JPH0741386A JP18808493A JP18808493A JPH0741386A JP H0741386 A JPH0741386 A JP H0741386A JP 18808493 A JP18808493 A JP 18808493A JP 18808493 A JP18808493 A JP 18808493A JP H0741386 A JPH0741386 A JP H0741386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diamond
- intermediate layer
- plasma
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気かみそり刃等の基板とダイヤモンド状被
膜との密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発
生を低減させたダイヤモンド状被膜基板およびその形成
方法を提供する。 【構成】 真空チャンバ８内に配置されたＮi、若しく
はＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼からなる
基板７に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同時
に、蒸発源13からＲu原子を前記基板７に向けて放射す
ることによって、前記基板７の表面にＲuからなる中間
層を形成する第１工程と、前記真空チャンバ８内に供給
した炭素を含む反応ガスをプラズマ化し、該プラズマを
前記中間層に向けて放射することによって、該中間層の
表面にダイヤモンド状被膜を形成する第２工程と、を順
次行いダイヤモンド状被膜をＲuを主成分とする中間層
を介して前記基板７上に設ける。
膜との密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発
生を低減させたダイヤモンド状被膜基板およびその形成
方法を提供する。 【構成】 真空チャンバ８内に配置されたＮi、若しく
はＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼からなる
基板７に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同時
に、蒸発源13からＲu原子を前記基板７に向けて放射す
ることによって、前記基板７の表面にＲuからなる中間
層を形成する第１工程と、前記真空チャンバ８内に供給
した炭素を含む反応ガスをプラズマ化し、該プラズマを
前記中間層に向けて放射することによって、該中間層の
表面にダイヤモンド状被膜を形成する第２工程と、を順
次行いダイヤモンド状被膜をＲuを主成分とする中間層
を介して前記基板７上に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気かみそり刃等の基
板表面に、その特性の向上、及び表面保護の目的でダイ
ヤモンド状被膜を形成するものに関し、特に基板とダイ
ヤモンド状被膜との密着性に優れたダイヤモンド状被膜
基板およびその形成方法に関する。
板表面に、その特性の向上、及び表面保護の目的でダイ
ヤモンド状被膜を形成するものに関し、特に基板とダイ
ヤモンド状被膜との密着性に優れたダイヤモンド状被膜
基板およびその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板とダイヤモンド状被膜との密
着性を向上させるために、その基板とダイヤモンド状被
膜との間に中間層を形成させるものが提案されており、
例えば特開平１−３１７１９７号公報には、プラズマＣ
ＶＤ法により基板上にシリコン（Ｓi）を主成分とする
中間層を形成し、その中間層の上にダイヤモンド状被膜
を形成する技術が示されている。これにより、セラミッ
クス基板やＳi基板などの基板上に直接ダイヤモンド状
被膜を形成した場合に比べて基板に対するダイヤモンド
状被膜の密着性を向上させることが可能であった。
着性を向上させるために、その基板とダイヤモンド状被
膜との間に中間層を形成させるものが提案されており、
例えば特開平１−３１７１９７号公報には、プラズマＣ
ＶＤ法により基板上にシリコン（Ｓi）を主成分とする
中間層を形成し、その中間層の上にダイヤモンド状被膜
を形成する技術が示されている。これにより、セラミッ
クス基板やＳi基板などの基板上に直接ダイヤモンド状
被膜を形成した場合に比べて基板に対するダイヤモンド
状被膜の密着性を向上させることが可能であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術はセラミックス基板やＳi基板などの基板上にダ
イヤモンド状被膜を形成する場合を想定しており、電気
かみそり刃等に良く用いられるニッケル（Ｎi）、アル
ミニウム（Ａl）、又はステンレス鋼にダイヤモンド状
被膜を形成する場合については検討されておらず、例え
ばＮi基板にＳiＣやＳi3Ｎ4らなる中間層を形成し、そ
の上にダイヤモンド状被膜を形成した場合には、密着強
度不足のためにダイヤモンド状被膜の剥離が発生する場
合があった。
来技術はセラミックス基板やＳi基板などの基板上にダ
イヤモンド状被膜を形成する場合を想定しており、電気
かみそり刃等に良く用いられるニッケル（Ｎi）、アル
ミニウム（Ａl）、又はステンレス鋼にダイヤモンド状
被膜を形成する場合については検討されておらず、例え
ばＮi基板にＳiＣやＳi3Ｎ4らなる中間層を形成し、そ
の上にダイヤモンド状被膜を形成した場合には、密着強
度不足のためにダイヤモンド状被膜の剥離が発生する場
合があった。
【０００４】従って、電気かみそり刃等の基板に対して
どのような種類の中間層が最も適しているのか不明瞭で
あった。
どのような種類の中間層が最も適しているのか不明瞭で
あった。
【０００５】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
であって、電気かみそり刃等の基板とダイヤモンド状被
膜との密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発
生を低減させたダイヤモンド状被膜基板およびその形成
方法を提供することを目的とする。
であって、電気かみそり刃等の基板とダイヤモンド状被
膜との密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発
生を低減させたダイヤモンド状被膜基板およびその形成
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するために手段】本発明のダイヤモンド状
被膜基板は、ダイヤモンド状被膜をＲuを主成分とする
中間層を介してＮi、若しくはＡlを主成分とする基板
上、又はステンレス鋼からなる基板上に設けたことを特
徴し、また、その中間層を組成比率が傾斜構造を有する
ＲuとＣの混合層とすることを特徴とする。
被膜基板は、ダイヤモンド状被膜をＲuを主成分とする
中間層を介してＮi、若しくはＡlを主成分とする基板
上、又はステンレス鋼からなる基板上に設けたことを特
徴し、また、その中間層を組成比率が傾斜構造を有する
ＲuとＣの混合層とすることを特徴とする。
【０００７】そして、本発明の第１のダイヤモンド状被
膜基板形成方法は、真空チャンバ内に配置されたＮi、
若しくはＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼か
らなる基板に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同
時に、蒸発源からＲu原子を前記基板に向けて放射する
ことによって、前記基板の表面にＲuからなる中間層を
形成する第１工程と、前記真空チャンバ内に供給した炭
素を含む反応ガスをプラズマ化し、該プラズマを前記中
間層に向けて放射することによって、該中間層の表面に
ダイヤモンド状被膜を形成する第２工程と、からなるこ
とを特徴とする。
膜基板形成方法は、真空チャンバ内に配置されたＮi、
若しくはＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼か
らなる基板に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同
時に、蒸発源からＲu原子を前記基板に向けて放射する
ことによって、前記基板の表面にＲuからなる中間層を
形成する第１工程と、前記真空チャンバ内に供給した炭
素を含む反応ガスをプラズマ化し、該プラズマを前記中
間層に向けて放射することによって、該中間層の表面に
ダイヤモンド状被膜を形成する第２工程と、からなるこ
とを特徴とする。
【０００８】また、本発明の第２のダイヤモンド状被膜
基板形成方法は、ガス供給量が所定値まで漸次増加する
ように真空チャンバ内に供給した炭素を含む反応ガスを
プラズマ化し、該プラズマを前記真空チャンバ内に配置
されたＮi、若しくはＡlを主成分とする基板、又はステ
ンレス鋼からなる基板に向けて放射すると共に、前記基
板に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同時に、蒸
発源からＲu原子を蒸発速度が零値まで漸次低減するよ
うに前記基板に向けて放射することによって、前記基板
の表面にＲuとＣの混合層からなる中間層を形成する第
１工程と、前記真空チャンバ内に供給した炭素を含む反
応ガスをプラズマ化し、該プラズマを前記中間層に向け
て放射することによって、該中間層の表面にダイヤモン
ド状被膜を形成する第２工程と、からなることを特徴と
する。
基板形成方法は、ガス供給量が所定値まで漸次増加する
ように真空チャンバ内に供給した炭素を含む反応ガスを
プラズマ化し、該プラズマを前記真空チャンバ内に配置
されたＮi、若しくはＡlを主成分とする基板、又はステ
ンレス鋼からなる基板に向けて放射すると共に、前記基
板に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同時に、蒸
発源からＲu原子を蒸発速度が零値まで漸次低減するよ
うに前記基板に向けて放射することによって、前記基板
の表面にＲuとＣの混合層からなる中間層を形成する第
１工程と、前記真空チャンバ内に供給した炭素を含む反
応ガスをプラズマ化し、該プラズマを前記中間層に向け
て放射することによって、該中間層の表面にダイヤモン
ド状被膜を形成する第２工程と、からなることを特徴と
する。
【０００９】
【作用】本発明によれば、Ｎi、若しくはＡlを主成分と
する基板、又はステンレス鋼からなる基板とダイヤモン
ド状被膜との密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の
剥離発生を低減させたダイヤモンド状被膜基板が形成さ
れる。
する基板、又はステンレス鋼からなる基板とダイヤモン
ド状被膜との密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の
剥離発生を低減させたダイヤモンド状被膜基板が形成さ
れる。
【００１０】また、本発明のダイヤモンド状被膜基板形
成方法によれば、第１工程において中間層の形成にイオ
ンのエネルギーを利用するため、イオン注入により中間
層が基板と強固に密着する。
成方法によれば、第１工程において中間層の形成にイオ
ンのエネルギーを利用するため、イオン注入により中間
層が基板と強固に密着する。
【００１１】更に、本発明の第２のダイヤモンド状被膜
基板形成方法によれば、組成比率が傾斜構造を有する中
間層が形成される。
基板形成方法によれば、組成比率が傾斜構造を有する中
間層が形成される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明をその一実施例を示す図面に基
づいて説明する。図１は、本発明のダイヤモンド状被膜
基板を形成するための装置を示す概略断面図である。
づいて説明する。図１は、本発明のダイヤモンド状被膜
基板を形成するための装置を示す概略断面図である。
【００１３】同図において、１はマイクロ波供給手段で
あり、マイクロ波供給手段１で発生されたマイクロ波
は、導波管２、マイクロ波導入窓３を通って、プラズマ
発生室４に導かれる。５はプラズマ発生室４にアルゴン
（Ａr）ガスなどの放電ガスを導入させる放電ガス導入
管、６はプラズマ発生室４の周囲に配置されたプラズマ
磁界発生装置であり、マイクロ波による高周波磁界とプ
ラズマ磁界発生装置６からの磁界を作用させて、プラズ
マ発生室４に高密度のプラズマを形成する。そして、こ
のプラズマはプラズマ磁界発生装置６による発散磁界に
沿って基板７を配した真空チャンバ８に導かれる。
あり、マイクロ波供給手段１で発生されたマイクロ波
は、導波管２、マイクロ波導入窓３を通って、プラズマ
発生室４に導かれる。５はプラズマ発生室４にアルゴン
（Ａr）ガスなどの放電ガスを導入させる放電ガス導入
管、６はプラズマ発生室４の周囲に配置されたプラズマ
磁界発生装置であり、マイクロ波による高周波磁界とプ
ラズマ磁界発生装置６からの磁界を作用させて、プラズ
マ発生室４に高密度のプラズマを形成する。そして、こ
のプラズマはプラズマ磁界発生装置６による発散磁界に
沿って基板７を配した真空チャンバ８に導かれる。
【００１４】従って、上述のマイクロ波供給手段１、導
波管２、マイクロ波導入窓３、プラズマ発生室４、放電
ガス導入管５、プラズマ磁界発生装置６により構成され
たＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ装
置からのプラズマ流が基板７に放射されることになる。
波管２、マイクロ波導入窓３、プラズマ発生室４、放電
ガス導入管５、プラズマ磁界発生装置６により構成され
たＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ装
置からのプラズマ流が基板７に放射されることになる。
【００１５】ここで、基板７は真空チャンバ８の背面に
対して垂直に枢着された軸（図示せず）の回りに回転自
在に設けられた筒状基板ホルダ９の周側面に装着された
基板であり、複数個の基板７が等間隔で取付けられてい
る。尚、本実施例では、基板７としてニッケル（Ｎi）
基板を用い、基板ホルダ９の周側面に数十個装着してい
る。この結果、一回の真空排気によって処理できる基板
の個数が増大できることになる。
対して垂直に枢着された軸（図示せず）の回りに回転自
在に設けられた筒状基板ホルダ９の周側面に装着された
基板であり、複数個の基板７が等間隔で取付けられてい
る。尚、本実施例では、基板７としてニッケル（Ｎi）
基板を用い、基板ホルダ９の周側面に数十個装着してい
る。この結果、一回の真空排気によって処理できる基板
の個数が増大できることになる。
【００１６】10は真空チャンバ８内に原料ガスとしてメ
タン（ＣＨ4）ガスを導入させる反応ガス導入管であ
り、後述するガス導入部10ａと、ガス放出部10ｂにより
構成され、その導入されたＣＨ4ガスはプラズマの作用
により分解される。11は高周波電源（13.56MHz）であ
り、所定の高周波電圧（ＲＦ電圧）を基板ホルダ９に印
加し、基板７に負の自己バイアス（−50Ｖ）を発生させ
ている。これは、プラズマ中における電界によるイオン
の移動速度は電子に比べて遅いため、ＲＦ電圧印加中の
電位の振れに対して、電子は追随するが、イオンが追随
できないことを利用している。従って、ＲＦ電圧を基板
７に印加することにより、基板７に電子が多く放射さ
れ、基板７に負の自己バイアスが発生することになり、
プラズマ中の正イオンが引き込まれ、基板７上にダイヤ
モンド状被膜が形成される。
タン（ＣＨ4）ガスを導入させる反応ガス導入管であ
り、後述するガス導入部10ａと、ガス放出部10ｂにより
構成され、その導入されたＣＨ4ガスはプラズマの作用
により分解される。11は高周波電源（13.56MHz）であ
り、所定の高周波電圧（ＲＦ電圧）を基板ホルダ９に印
加し、基板７に負の自己バイアス（−50Ｖ）を発生させ
ている。これは、プラズマ中における電界によるイオン
の移動速度は電子に比べて遅いため、ＲＦ電圧印加中の
電位の振れに対して、電子は追随するが、イオンが追随
できないことを利用している。従って、ＲＦ電圧を基板
７に印加することにより、基板７に電子が多く放射さ
れ、基板７に負の自己バイアスが発生することになり、
プラズマ中の正イオンが引き込まれ、基板７上にダイヤ
モンド状被膜が形成される。
【００１７】12は基板ホルダ９の周側面を囲繞するよう
に所定距離隔てて設けられた金属製の筒状シールドカバ
ーであり、接地電極に接続されている。このシールドカ
バー12は、被膜形成時に基板ホルダ９に印加されるＲＦ
電圧によって被膜形成個所以外の基板ホルダ９と真空チ
ャンバ８との間で放電が発生するのを防止するために設
けられており、基板ホルダ９とシールドカバー12との間
隙が電子の平均自由行程以下の距離となるように配置し
ている。これは、基板ホルダ９とシールドカバー12との
間隙を電子の平均自由行程以下、即ち、何らかの原因で
発生した電子が電界により加速され、気体原子と衝突せ
ずに移動できる平均距離以下に設定することにより、電
子が気体原子と衝突する確率を下げ、雪崩的に電離が進
行するのを防止している。
に所定距離隔てて設けられた金属製の筒状シールドカバ
ーであり、接地電極に接続されている。このシールドカ
バー12は、被膜形成時に基板ホルダ９に印加されるＲＦ
電圧によって被膜形成個所以外の基板ホルダ９と真空チ
ャンバ８との間で放電が発生するのを防止するために設
けられており、基板ホルダ９とシールドカバー12との間
隙が電子の平均自由行程以下の距離となるように配置し
ている。これは、基板ホルダ９とシールドカバー12との
間隙を電子の平均自由行程以下、即ち、何らかの原因で
発生した電子が電界により加速され、気体原子と衝突せ
ずに移動できる平均距離以下に設定することにより、電
子が気体原子と衝突する確率を下げ、雪崩的に電離が進
行するのを防止している。
【００１８】従って、被膜形成個所以外での放電発生を
防止するためには、基板ホルダ９とシールドカバー12と
の間隙を電子の平均自由行程以下の距離に設定する必要
があり、特に電子の平均自由行程の1/10以下の距離の場
合には効果がある。尚、本実施例では基板ホルダ９とシ
ールドカバー12との間隙を電子の平均自由行程の1/10以
下となる約5mmとした。
防止するためには、基板ホルダ９とシールドカバー12と
の間隙を電子の平均自由行程以下の距離に設定する必要
があり、特に電子の平均自由行程の1/10以下の距離の場
合には効果がある。尚、本実施例では基板ホルダ９とシ
ールドカバー12との間隙を電子の平均自由行程の1/10以
下となる約5mmとした。
【００１９】13は電子ビームにより中間層の構成材料と
なるルテニウム（Ｒu）原子を蒸発させて基板７に向け
て放射する蒸発源、14は蒸発源13から蒸発した構成材料
にエネルギーを付与するために、不活性ガスを供給し、
そのイオンを放射するイオンガンである。尚、本実施例
では不活性ガスとしてＡrガスを供給している。
なるルテニウム（Ｒu）原子を蒸発させて基板７に向け
て放射する蒸発源、14は蒸発源13から蒸発した構成材料
にエネルギーを付与するために、不活性ガスを供給し、
そのイオンを放射するイオンガンである。尚、本実施例
では不活性ガスとしてＡrガスを供給している。
【００２０】15はプラズマ発生室４下方のシールドカバ
ー12上部に設けられた第１開口部であって、その第１開
口部15を通ってプラズマ発生室４からの引き出されたプ
ラズマ流が筒状基板ホルダ９に装着された基板７に放射
されるようになっている。16はシールドカバー12下部に
設けられた第２開口部であって、その第２開口部16を通
って蒸発源13、及びイオンガン14からの構成材料、及び
Ａrイオンが基板ホルダ９に装着された基板７に放射さ
れるようになっている。
ー12上部に設けられた第１開口部であって、その第１開
口部15を通ってプラズマ発生室４からの引き出されたプ
ラズマ流が筒状基板ホルダ９に装着された基板７に放射
されるようになっている。16はシールドカバー12下部に
設けられた第２開口部であって、その第２開口部16を通
って蒸発源13、及びイオンガン14からの構成材料、及び
Ａrイオンが基板ホルダ９に装着された基板７に放射さ
れるようになっている。
【００２１】また、上記反応ガス導入管10は、図２に示
すように、外部から真空チャンバ８内にＣＨ4ガスを導
入するガス導入部10ａと、この導入部10ａにＴ字状に接
続されたガス放出部10ｂにより構成されている。そし
て、ガス放出部10ｂは基板ホルダ９の回転方向に対して
垂直に配置され、且つ第１開口部15上方の前記回転方向
の上流側に位置するように取付けられている。ガス放出
部10ｂには、前記回転方向に向けて下方約45度の方向に
複数個の孔17（本実施例では、８個）が形成されてお
り、その孔17のピッチは、ガス導入部10ａ側が最も大き
く、ガス導入部10ａから遠ざかるに従い徐々に小さくな
っている。これにより、導入部10ａから導入されたＣＨ
4ガスは放出部10ｂの各孔17から均等に噴出する。
すように、外部から真空チャンバ８内にＣＨ4ガスを導
入するガス導入部10ａと、この導入部10ａにＴ字状に接
続されたガス放出部10ｂにより構成されている。そし
て、ガス放出部10ｂは基板ホルダ９の回転方向に対して
垂直に配置され、且つ第１開口部15上方の前記回転方向
の上流側に位置するように取付けられている。ガス放出
部10ｂには、前記回転方向に向けて下方約45度の方向に
複数個の孔17（本実施例では、８個）が形成されてお
り、その孔17のピッチは、ガス導入部10ａ側が最も大き
く、ガス導入部10ａから遠ざかるに従い徐々に小さくな
っている。これにより、導入部10ａから導入されたＣＨ
4ガスは放出部10ｂの各孔17から均等に噴出する。
【００２２】以上のように、基板７の表面にＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置による被膜形成手段と、蒸発源13、及び
イオンガン14による被膜形成手段とを有するため、ダイ
ヤモンド状被膜形成工程、及び中間層形成工程を個別に
制御でき、基板上に所望の中間層を容易に形成すること
ができる。
ズマＣＶＤ装置による被膜形成手段と、蒸発源13、及び
イオンガン14による被膜形成手段とを有するため、ダイ
ヤモンド状被膜形成工程、及び中間層形成工程を個別に
制御でき、基板上に所望の中間層を容易に形成すること
ができる。
【００２３】次に、上記図１実施例装置を用いてＮi基
板７の表面にＲuを主成分とする中間層を設け、その上
にダイヤモンド状被膜を形成する方法について、中間層
としてＲu層を形成する場合と、Ｒuと炭素（Ｃ）の混合
層を形成する場合について、夫々第１、及び第２実施例
として以下に説明する。
板７の表面にＲuを主成分とする中間層を設け、その上
にダイヤモンド状被膜を形成する方法について、中間層
としてＲu層を形成する場合と、Ｒuと炭素（Ｃ）の混合
層を形成する場合について、夫々第１、及び第２実施例
として以下に説明する。
【００２４】先ず、第１実施例として基板７の表面にＲ
u層の中間層を設け、その上にダイヤモンド状被膜を形
成する場合について説明する。
u層の中間層を設け、その上にダイヤモンド状被膜を形
成する場合について説明する。
【００２５】初めに、基板ホルダ９の周側面に数十個の
Ｎi基板７を等間隔で装着する。そして、真空チャンバ
８内を10-5〜10-7Torrに排気し、基板ホルダ９を約10rp
mの速度で回転させる。次に、イオンガン14にＡrガスを
供給して、Ａrイオンを取り出して、これを基板１３の
表面に放射する。この時のＡrイオンの加速電圧は400e
V、イオン電流密度は0.3mA/cm2に設定した。一方、Ａr
イオンの放射と同時に蒸発源13を駆動し、Ｒu原子を蒸
発させて基板７の表面に放射する。この時のＲuの蒸発
速度は基板７上での成膜速度に換算して420Å/minに設
定した。
Ｎi基板７を等間隔で装着する。そして、真空チャンバ
８内を10-5〜10-7Torrに排気し、基板ホルダ９を約10rp
mの速度で回転させる。次に、イオンガン14にＡrガスを
供給して、Ａrイオンを取り出して、これを基板１３の
表面に放射する。この時のＡrイオンの加速電圧は400e
V、イオン電流密度は0.3mA/cm2に設定した。一方、Ａr
イオンの放射と同時に蒸発源13を駆動し、Ｒu原子を蒸
発させて基板７の表面に放射する。この時のＲuの蒸発
速度は基板７上での成膜速度に換算して420Å/minに設
定した。
【００２６】以上の工程を５分程度行い、基板７の表面
に膜厚200ÅのＲu層の中間層を形成した。
に膜厚200ÅのＲu層の中間層を形成した。
【００２７】次に、蒸発源13、及びイオンガン14からの
Ｒu原子及びＡrイオンの放射を止め、ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置の放電ガス導入管５からＡrガスを流量40sccm
で供給すると共に、マイクロ波供給手段１から2.45GH
z，100Wのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室４内
に形成されたＡrプラズマを基板７の表面に放射する。
これと同時に、基板７に発生する自己バイアスが−50V
となるように、高周波電源11から13.56MHzのＲＦ電圧を
基板ホルダ１２に印加し、反応ガス導入管10からＣＨ4
ガスを流量100sccmで供給する。
Ｒu原子及びＡrイオンの放射を止め、ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置の放電ガス導入管５からＡrガスを流量40sccm
で供給すると共に、マイクロ波供給手段１から2.45GH
z，100Wのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室４内
に形成されたＡrプラズマを基板７の表面に放射する。
これと同時に、基板７に発生する自己バイアスが−50V
となるように、高周波電源11から13.56MHzのＲＦ電圧を
基板ホルダ１２に印加し、反応ガス導入管10からＣＨ4
ガスを流量100sccmで供給する。
【００２８】以上の工程を15分程度行い、基板７に形成
された中間層の上に膜厚1200Åのダイヤモンド状被膜を
形成した。従って、上記二つの工程の結果、基板７の表
面にＲu層の中間層を介してダイヤモンド状被膜が形成
されることになる。
された中間層の上に膜厚1200Åのダイヤモンド状被膜を
形成した。従って、上記二つの工程の結果、基板７の表
面にＲu層の中間層を介してダイヤモンド状被膜が形成
されることになる。
【００２９】次に、第２実施例として基板７の表面にＲ
uとＣの混合層となる中間層を設け、その上にダイヤモ
ンド状被膜を形成する場合について説明する。
uとＣの混合層となる中間層を設け、その上にダイヤモ
ンド状被膜を形成する場合について説明する。
【００３０】先ず、上記第１実施例の場合と同様に、基
板ホルダ９の周側面に数十個のＮi基板７を等間隔で装
着し、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torrに排気して、
基板ホルダ９を約10rpmの速度で回転させる。
板ホルダ９の周側面に数十個のＮi基板７を等間隔で装
着し、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torrに排気して、
基板ホルダ９を約10rpmの速度で回転させる。
【００３１】次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の放電ガ
ス導入管５からＡrガスを流量40sccmで供給すると共
に、マイクロ波供給手段１から2.45GHz，100Wのマイク
ロ波を供給して、プラズマ発生室４内に形成されたＡr
プラズマを基板７の表面に放射する。これと同時に、基
板７に発生する自己バイアスが−50Vとなるように、高
周波電源１０から13.56MHzのＲＦ電圧を基板ホルダ９に
印加し、反応ガス導入管10からＣＨ4ガスを供給する。
この時のＣＨ4ガスの供給流量を、図３に示すように時
間経過に従い漸次増加させ、５分経過時に100sccmにな
るように設定した。
ス導入管５からＡrガスを流量40sccmで供給すると共
に、マイクロ波供給手段１から2.45GHz，100Wのマイク
ロ波を供給して、プラズマ発生室４内に形成されたＡr
プラズマを基板７の表面に放射する。これと同時に、基
板７に発生する自己バイアスが−50Vとなるように、高
周波電源１０から13.56MHzのＲＦ電圧を基板ホルダ９に
印加し、反応ガス導入管10からＣＨ4ガスを供給する。
この時のＣＨ4ガスの供給流量を、図３に示すように時
間経過に従い漸次増加させ、５分経過時に100sccmにな
るように設定した。
【００３２】そして、このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に
よる被膜形成処理と同時に、基板７の表面にイオンガン
14からＡrイオンを放射すると共に、蒸発源13からＲu原
子を放射させる。この時のＡrイオンの加速電圧を400e
V、イオン電流密度を0.3mA/cm 2に設定し、Ｒuの蒸発速
度を図４に示すように、基板７上での成膜速度に換算し
て420Å/minから時間経過に従い漸次減少させ、５分経
過後には0Å/minになるように設定した。そして、Ｒuの
蒸発速度が0Å/minになった時点、即ち５分経過時に イ
オンガン14からのＡrイオンの放射を止める。
よる被膜形成処理と同時に、基板７の表面にイオンガン
14からＡrイオンを放射すると共に、蒸発源13からＲu原
子を放射させる。この時のＡrイオンの加速電圧を400e
V、イオン電流密度を0.3mA/cm 2に設定し、Ｒuの蒸発速
度を図４に示すように、基板７上での成膜速度に換算し
て420Å/minから時間経過に従い漸次減少させ、５分経
過後には0Å/minになるように設定した。そして、Ｒuの
蒸発速度が0Å/minになった時点、即ち５分経過時に イ
オンガン14からのＡrイオンの放射を止める。
【００３３】以上の工程を５分程度行い、基板７の表面
に合計膜厚200ÅのＲuとＣの混合層構造で、且つＲu含
有量が基板７の表面から離れるに従い漸次減少すると共
に、Ｃ含有量が基板７の表面から離れるに従い漸次増加
する中間層を形成した。
に合計膜厚200ÅのＲuとＣの混合層構造で、且つＲu含
有量が基板７の表面から離れるに従い漸次減少すると共
に、Ｃ含有量が基板７の表面から離れるに従い漸次増加
する中間層を形成した。
【００３４】次に、反応ガス導入管10から供給するＣＨ
4ガスの供給流量を100sccm一定に設定し、上記工程にお
けるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置による被膜形成処理を引
き続き行う。
4ガスの供給流量を100sccm一定に設定し、上記工程にお
けるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置による被膜形成処理を引
き続き行う。
【００３５】以上の工程を15分程度行い、基板７の形成
された中間層の上に膜厚1200Åのダイヤモンド状被膜を
形成した。
された中間層の上に膜厚1200Åのダイヤモンド状被膜を
形成した。
【００３６】従って、上記二つの工程の結果、基板１３
の表面に組成比率が傾斜構造を有するＲuとＣの混合層
の中間層を介してダイヤモンド状被膜が形成されること
になる。
の表面に組成比率が傾斜構造を有するＲuとＣの混合層
の中間層を介してダイヤモンド状被膜が形成されること
になる。
【００３７】次に、表１に(イ)上記第１実施例において
中間層形成の第１工程を行わず、ダイヤモンド状被膜形
成の第２工程のみを15分程度行い、Ｎi基板上に直接ダ
イヤモンド状被膜を形成した場合と、(ロ)上記第１実施
例を用いてＮi基板上にＲu層の中間層を形成し、その上
にダイヤモンド状被膜を形成した場合と、(ハ)上記第２
実施例を用いてＮi基板上にＲuとＣの混合層の中間層を
形成し、その上にダイヤモンド状被膜を形成した場合
と、(ニ)上記第１実施例において蒸発源13からＲu原子
の代わりにＳi原子を蒸発させてＮi基板上にＳi層の中
間層を形成し、その上にダイヤモンド状被膜を形成した
場合の密着性評価試験の結果を示す。尚、評価試験はビ
ッカース圧子を用いた一定荷重（荷重＝1kg）の押し込
み試験により行い、表１はこの試験によりＮi基板上の
ダイヤモンド状被膜に剥離が発生した個数を表してい
る。但し、各被膜処理に対する試験基板個数を夫々50個
とした。
中間層形成の第１工程を行わず、ダイヤモンド状被膜形
成の第２工程のみを15分程度行い、Ｎi基板上に直接ダ
イヤモンド状被膜を形成した場合と、(ロ)上記第１実施
例を用いてＮi基板上にＲu層の中間層を形成し、その上
にダイヤモンド状被膜を形成した場合と、(ハ)上記第２
実施例を用いてＮi基板上にＲuとＣの混合層の中間層を
形成し、その上にダイヤモンド状被膜を形成した場合
と、(ニ)上記第１実施例において蒸発源13からＲu原子
の代わりにＳi原子を蒸発させてＮi基板上にＳi層の中
間層を形成し、その上にダイヤモンド状被膜を形成した
場合の密着性評価試験の結果を示す。尚、評価試験はビ
ッカース圧子を用いた一定荷重（荷重＝1kg）の押し込
み試験により行い、表１はこの試験によりＮi基板上の
ダイヤモンド状被膜に剥離が発生した個数を表してい
る。但し、各被膜処理に対する試験基板個数を夫々50個
とした。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１より、処理(イ)の場合には剥離発生個
数が43個と多くなっており、中間層を設けずにＮi基板
上に直接ダイヤモンド状被膜を形成した場合には、ダイ
ヤモンド状被膜の密着性が悪いことがわかる。これに対
して、中間層を形成し、その上にダイヤモンド状被膜を
形成した処理(ロ)〜(ニ)の場合には、剥離発生個数が夫
々７個，０個，16個と処理(イ)の場合に比べてかなり低
い値となっており、明らかにダイヤモンド状被膜の密着
性が向上していることがわかる。この要因の一つは、従
来、基板７とダイヤモンド状被膜との熱膨張係数の差に
より生じていた熱応力を中間層の存在により緩和させる
ためである、と考えられる。
数が43個と多くなっており、中間層を設けずにＮi基板
上に直接ダイヤモンド状被膜を形成した場合には、ダイ
ヤモンド状被膜の密着性が悪いことがわかる。これに対
して、中間層を形成し、その上にダイヤモンド状被膜を
形成した処理(ロ)〜(ニ)の場合には、剥離発生個数が夫
々７個，０個，16個と処理(イ)の場合に比べてかなり低
い値となっており、明らかにダイヤモンド状被膜の密着
性が向上していることがわかる。この要因の一つは、従
来、基板７とダイヤモンド状被膜との熱膨張係数の差に
より生じていた熱応力を中間層の存在により緩和させる
ためである、と考えられる。
【００４０】また、Ｎi基板上にＲu層の中間層を形成
し、その上にダイヤモンド状被膜を形成した処理(ロ)の
場合には剥離発生個数が７個であるのに対し、Ｎi基板
上にＳi層の中間層を形成し、その上にダイヤモンド状
被膜を形成した処理(ニ)の場合には剥離発生個数が16個
となっており、従来、セラミックス基板やＳi基板に対
するダイヤモンド状被膜形成時の中間層として最適であ
ると言われているＳi層よりＮi基板に対してはＲu層の
ほうが被膜間の密着性が優れていることがわかる。特
に、処理（ハ）の場合、即ち、Ｎi基板上に組成比率が
傾斜構造を有するＲuとＣの混合層の中間層を形成し、
その上にダイヤモンド状被膜を形成した場合には、剥離
発生個数が０個であり、被膜間の密着性が優れているこ
とがわかる。これは、中間層を含量比率が傾斜構造を有
するＲuとＣの混合層とすることにより、被膜間での界
面発生が防止されるためである、と考えられる。
し、その上にダイヤモンド状被膜を形成した処理(ロ)の
場合には剥離発生個数が７個であるのに対し、Ｎi基板
上にＳi層の中間層を形成し、その上にダイヤモンド状
被膜を形成した処理(ニ)の場合には剥離発生個数が16個
となっており、従来、セラミックス基板やＳi基板に対
するダイヤモンド状被膜形成時の中間層として最適であ
ると言われているＳi層よりＮi基板に対してはＲu層の
ほうが被膜間の密着性が優れていることがわかる。特
に、処理（ハ）の場合、即ち、Ｎi基板上に組成比率が
傾斜構造を有するＲuとＣの混合層の中間層を形成し、
その上にダイヤモンド状被膜を形成した場合には、剥離
発生個数が０個であり、被膜間の密着性が優れているこ
とがわかる。これは、中間層を含量比率が傾斜構造を有
するＲuとＣの混合層とすることにより、被膜間での界
面発生が防止されるためである、と考えられる。
【００４１】更に、基板７としてＡl、ステンレス鋼を
用いた場合についても、同様の評価試験を行ったが、上
記Ｎi基板の場合と略同様の結果が得られた。
用いた場合についても、同様の評価試験を行ったが、上
記Ｎi基板の場合と略同様の結果が得られた。
【００４２】従って、Ｎi、Ａl、又はステンレス鋼から
なる基板上にダイヤモンド状被膜を形成する場合には、
Ｒuを含む中間層を設け、その上にダイヤモンド状被膜
を形成することにより、基板とダイヤモンド状被膜との
密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発生が低
減できることになる。更に、中間層を組成比率が傾斜構
造を有するＲuとＣの混合層とすることにより、基板と
ダイヤモンド状被膜との密着性を一層向上させることが
可能となる。
なる基板上にダイヤモンド状被膜を形成する場合には、
Ｒuを含む中間層を設け、その上にダイヤモンド状被膜
を形成することにより、基板とダイヤモンド状被膜との
密着性を向上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発生が低
減できることになる。更に、中間層を組成比率が傾斜構
造を有するＲuとＣの混合層とすることにより、基板と
ダイヤモンド状被膜との密着性を一層向上させることが
可能となる。
【００４３】尚、上記実施例では、ダイヤモンド状被膜
形成のためにＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いた場合に
ついて説明したが、その他の各種プラズマＣＶＤ装置、
例えば高周波プラズマＣＶＤ装置やＤＣプラズマＣＶＤ
装置などを用いても構わない。
形成のためにＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いた場合に
ついて説明したが、その他の各種プラズマＣＶＤ装置、
例えば高周波プラズマＣＶＤ装置やＤＣプラズマＣＶＤ
装置などを用いても構わない。
【００４４】また、上記実施例では、基板上にＲuを主
成分とする中間層を形成するため、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置の他に、蒸発源13、及びイオンガン14を用いて被
膜形成する場合について説明したが、この他に、メッキ
処理により基板上にＲuを主成分とする中間層を形成し
たり、あるいは上記ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の反応ガ
ス導入管10からＲuを含む原料ガスを供給して基板上に
Ｒuを主成分とする中間層を形成させても構わない。但
し、この場合には上記実施例の場合に比べて、中間層の
膜質制御が難しく、また、若干密着性が劣る虞れがあ
る。
成分とする中間層を形成するため、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置の他に、蒸発源13、及びイオンガン14を用いて被
膜形成する場合について説明したが、この他に、メッキ
処理により基板上にＲuを主成分とする中間層を形成し
たり、あるいは上記ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の反応ガ
ス導入管10からＲuを含む原料ガスを供給して基板上に
Ｒuを主成分とする中間層を形成させても構わない。但
し、この場合には上記実施例の場合に比べて、中間層の
膜質制御が難しく、また、若干密着性が劣る虞れがあ
る。
【００４５】
【発明の効果】以上述べた通り本発明によれば、Ｎi、
若しくはＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼か
らなる基板とダイヤモンド状被膜との間にＲuを主成分
とする中間層を介在させたので、この両者の密着性を向
上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発生を低減させたダ
イヤモンド状被膜基板を形成することができる。
若しくはＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼か
らなる基板とダイヤモンド状被膜との間にＲuを主成分
とする中間層を介在させたので、この両者の密着性を向
上させ、ダイヤモンド状被膜の剥離発生を低減させたダ
イヤモンド状被膜基板を形成することができる。
【００４６】また、本発明のダイヤモンド状被膜基板形
成方法によれば、第１工程において中間層の形成にイオ
ンのエネルギーを利用するため、イオン注入により中間
層を基板に強固に密着させることができる。
成方法によれば、第１工程において中間層の形成にイオ
ンのエネルギーを利用するため、イオン注入により中間
層を基板に強固に密着させることができる。
【００４７】更に、本発明の第２のダイヤモンド状被膜
基板形成方法によれば、組成比率を傾斜構造とした中間
層が形成されるので、基板とダイヤモンド状被膜との密
着性がより一層向上させることが可能となる。
基板形成方法によれば、組成比率を傾斜構造とした中間
層が形成されるので、基板とダイヤモンド状被膜との密
着性がより一層向上させることが可能となる。
【図１】本発明一実施例としての硬質炭素被膜形成のた
めの装置を示す概略断面図である。
めの装置を示す概略断面図である。
【図２】反応ガス導入管の平面図である。
【図３】図１実施例の装置を用いた場合の、時間と反応
ガス導入管10から供給するＣＨ 4ガスの流量との関係を
示す図である。
ガス導入管10から供給するＣＨ 4ガスの流量との関係を
示す図である。
【図４】図１実施例の装置を用いた場合の、時間と蒸発
源13から放射するＲuの蒸発速度との関係を示す図であ
る。
源13から放射するＲuの蒸発速度との関係を示す図であ
る。
１ マイクロ波供給手段 ２ 導波管 ３ マイクロ波導入窓 ４ プラズマ発生室 ５ 放電ガス導入管 ６ 磁界発生手段 ７ 基板 ８ 真空チャンバ ９ 筒状基板ホルダ 10 反応ガス導入管 11 高周波電源 12 筒状シールドカバー 13 蒸発源 14 イオンガン 15 第１開口部 16 第２開口部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木山 精一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】ダイヤモンド状被膜をＲuを主成分とする
中間層を介してＮi、若しくはＡlを主成分とする基板
上、又はステンレス鋼からなる基板上に設けたことを特
徴とするダイヤモンド状被膜基板。 - 【請求項２】前記中間層は組成比率が傾斜構造を有する
ＲuとＣの混合層であることを特徴とする請求項１記載
のダイヤモンド状被膜基板。 - 【請求項３】真空チャンバ内に配置されたＮi、若しく
はＡlを主成分とする基板、又はステンレス鋼からなる
基板に向けて不活性ガスのイオンを放射すると同時に、
蒸発源からＲu原子を前記基板に向けて放射することに
よって、前記基板の表面にＲuからなる中間層を形成す
る第１工程と、 前記真空チャンバ内に供給した炭素を含む反応ガスをプ
ラズマ化し、該プラズマを前記中間層に向けて放射する
ことによって、該中間層の表面にダイヤモンド状被膜を
形成する第２工程と、からなるダイヤモンド状被膜基板
形成方法。 - 【請求項４】ガス供給量が所定値まで漸次増加するよう
に真空チャンバ内に供給した炭素を含む反応ガスをプラ
ズマ化し、該プラズマを前記真空チャンバ内に配置され
たＮi、若しくはＡlを主成分とする基板、又はステンレ
ス鋼からなる基板に向けて放射すると共に、前記基板に
向けて不活性ガスのイオンを放射すると同時に、蒸発源
からＲu原子を蒸発速度が零値まで漸次低減するように
前記基板に向けて放射することによって、前記基板の表
面にＲuとＣの混合層からなる中間層を形成する第１工
程と、 前記真空チャンバ内に供給した炭素を含む反応ガスをプ
ラズマ化し、該プラズマを前記中間層に向けて放射する
ことによって、該中間層の表面にダイヤモンド状被膜を
形成する第２工程と、からなるダイヤモンド状被膜基板
形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18808493A JPH0741386A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | ダイヤモンド状被膜基板およびその形成方法 |
| US08/259,480 US5626963A (en) | 1993-07-07 | 1994-06-14 | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
| DE19944423184 DE4423184C2 (de) | 1993-07-07 | 1994-07-01 | Mit einer harten Kohlenstoffschicht beschichtetes Substrat sowie Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
| KR1019940016062A KR100325560B1 (ko) | 1993-07-07 | 1994-07-06 | 경질탄소피막기판및그형성방법및장치 |
| US08/464,544 US5629086A (en) | 1993-07-07 | 1995-06-05 | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
| US08/464,545 US5695832A (en) | 1993-07-07 | 1995-06-05 | Method of forming a hard-carbon-film-coated substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18808493A JPH0741386A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | ダイヤモンド状被膜基板およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741386A true JPH0741386A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16217427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18808493A Pending JPH0741386A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-29 | ダイヤモンド状被膜基板およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1109775C (zh) * | 1996-09-06 | 2003-05-28 | 三洋电机株式会社 | 一种硬碳膜 |
| JP2007531997A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18808493A patent/JPH0741386A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1109775C (zh) * | 1996-09-06 | 2003-05-28 | 三洋电机株式会社 | 一种硬碳膜 |
| JP2007531997A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6066399A (en) | Hard carbon thin film and method of forming the same | |
| US4683149A (en) | Film forming process | |
| US5695832A (en) | Method of forming a hard-carbon-film-coated substrate | |
| US6660342B1 (en) | Pulsed electromagnetic energy method for forming a film | |
| JPS58221271A (ja) | イオンプレ−テイング法による被膜形成方法 | |
| JPH08188873A (ja) | 多層光学フィルムを形成するための方法及び装置 | |
| JP3025743B2 (ja) | 硬質炭素被膜形成装置 | |
| JP2777543B2 (ja) | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 | |
| JPH0741386A (ja) | ダイヤモンド状被膜基板およびその形成方法 | |
| JP3649873B2 (ja) | Ｃｖｄ法による薄膜形成方法および薄膜ならびに摺動部品 | |
| JPH07330490A (ja) | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 | |
| US6071595A (en) | Substrate with low secondary emissions | |
| CN100395371C (zh) | 微波等离子体增强弧辉渗镀涂层的装置及工艺 | |
| KR100325560B1 (ko) | 경질탄소피막기판및그형성방법및장치 | |
| JPH11245371A (ja) | マスク、及びスキージ | |
| JPH1087397A (ja) | 硬質炭素被膜、及び該被膜を用いた電気シェーバー刃 | |
| JP3056827B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素保護膜を有する物品とその製造方法 | |
| JP3172384B2 (ja) | 硬質炭素被膜形成装置及びこれを用いた被膜形成方法 | |
| JP2001220670A (ja) | プラズマスパッタリング装置 | |
| JP2975817B2 (ja) | ダイヤモンド状被膜形成方法 | |
| JPH10259481A (ja) | 非晶質炭素系被膜の形成方法 | |
| RU2272088C1 (ru) | Способ вакуумного ионно-плазменного нанесения многослойных композитов, содержащих сложные карбиды | |
| JPH1072285A (ja) | ダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置および形成方法 | |
| JPH08209339A (ja) | イオンプレーティング法及び装置 | |
| JPS58185418A (ja) | 厚いカ−ボン膜の成膜方法 |