JPH0741393A - 連続鋳造法によるシリコン板の製造方法 - Google Patents
連続鋳造法によるシリコン板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0741393A JPH0741393A JP18623693A JP18623693A JPH0741393A JP H0741393 A JPH0741393 A JP H0741393A JP 18623693 A JP18623693 A JP 18623693A JP 18623693 A JP18623693 A JP 18623693A JP H0741393 A JPH0741393 A JP H0741393A
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- Japan
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- silicon
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- molten
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 上面が開放された水平加熱鋳型１２に溶融シ
リコン１４を供給し、鋳型１２の水平面３６の端部上に
おいて前記溶融シリコン１４を冷却結晶化してシリコン
板２０を形成し、このシリコン板２０を水平方向に連続
的に引き出すことにより、長尺状のシリコン板を製造す
る連続鋳造法であって、前記鋳型１２の材料として窒化
珪素と窒化硼素の混合焼結体を用いることを特徴とす
る。 【効果】 窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体を鋳型材料
として用いることにより、溶融シリコンと鋳型との融着
が回避でき、シリコン板の連続鋳造が可能になる。
リコン１４を供給し、鋳型１２の水平面３６の端部上に
おいて前記溶融シリコン１４を冷却結晶化してシリコン
板２０を形成し、このシリコン板２０を水平方向に連続
的に引き出すことにより、長尺状のシリコン板を製造す
る連続鋳造法であって、前記鋳型１２の材料として窒化
珪素と窒化硼素の混合焼結体を用いることを特徴とす
る。 【効果】 窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体を鋳型材料
として用いることにより、溶融シリコンと鋳型との融着
が回避でき、シリコン板の連続鋳造が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、太陽電池等に
用いられるシリコン（Ｓｉ）板の鋳造方法に関する。
用いられるシリコン（Ｓｉ）板の鋳造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ板は、通常単結晶、多結晶ともにＳ
ｉインゴットをスライスして造られている。しかし、コ
スト低減のため、スライス工程を省略して、溶融Ｓｉか
ら直接にＳｉ板を造る技術が望まれており、過去におい
て、ＥＦＧ（Ｅｄｇｅ−Ｄｅｆｉｎｅｄ，Ｆｉｌｍ−Ｆ
ｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ）法、ＨＲＧ（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａ
ｌ Ｒｉｂｂｏｎ Ｇｒｏｗｔｈ）法、キャストリボン
法等が検討されてきた。
ｉインゴットをスライスして造られている。しかし、コ
スト低減のため、スライス工程を省略して、溶融Ｓｉか
ら直接にＳｉ板を造る技術が望まれており、過去におい
て、ＥＦＧ（Ｅｄｇｅ−Ｄｅｆｉｎｅｄ，Ｆｉｌｍ−Ｆ
ｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ）法、ＨＲＧ（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａ
ｌ Ｒｉｂｂｏｎ Ｇｒｏｗｔｈ）法、キャストリボン
法等が検討されてきた。
【０００３】ＥＦＧ法においては、図３に示すように、
高周波加熱コイル１１０でサセプタ１１２内の石英ルツ
ボ１１６を加熱し、この石英ルツボ１１６においてＳｉ
を溶融させる。溶融Ｓｉ１４は、石英ルツボ１１６内に
垂設された黒鉛ダイ１１８の材料流路を通って引き上げ
られ、サセプタ１１２の外に出てＳｉ板２０となる。し
かし、このＥＦＧ法においては、溶融Ｓｉと濡れ性が良
い黒鉛をダイ材料に用いているため、ダイ材料の黒鉛が
結晶Ｓｉに混入し、Ｓｉ板の高純度化が望めないという
欠点や、Ｓｉ板の平坦性が悪いため、連続生産における
安定性に乏しいという欠点等があった。
高周波加熱コイル１１０でサセプタ１１２内の石英ルツ
ボ１１６を加熱し、この石英ルツボ１１６においてＳｉ
を溶融させる。溶融Ｓｉ１４は、石英ルツボ１１６内に
垂設された黒鉛ダイ１１８の材料流路を通って引き上げ
られ、サセプタ１１２の外に出てＳｉ板２０となる。し
かし、このＥＦＧ法においては、溶融Ｓｉと濡れ性が良
い黒鉛をダイ材料に用いているため、ダイ材料の黒鉛が
結晶Ｓｉに混入し、Ｓｉ板の高純度化が望めないという
欠点や、Ｓｉ板の平坦性が悪いため、連続生産における
安定性に乏しいという欠点等があった。
【０００４】ＨＲＧ法においては、図４に示すように、
発熱体１２２で加熱された溶融槽１２４に溶融Ｓｉ１４
を満たし、この溶融槽１２４の上方に設けた冷却装置１
２６から冷却ガスを吹き付けて、溶融Ｓｉ１４の湯面を
冷却して結晶化させる。結晶化したＳｉ板２０は、ガイ
ドロール１２８によって水平方向に連続的に引き出さ
れ、鋳型ロール１３０によって板厚が調整される。しか
し、このＨＲＧ法においては、Ｓｉ結晶が溶融Ｓｉ１４
の湯面の垂直下方に成長して行くため、Ｓｉ板の厚さの
制御が非常に難しい。
発熱体１２２で加熱された溶融槽１２４に溶融Ｓｉ１４
を満たし、この溶融槽１２４の上方に設けた冷却装置１
２６から冷却ガスを吹き付けて、溶融Ｓｉ１４の湯面を
冷却して結晶化させる。結晶化したＳｉ板２０は、ガイ
ドロール１２８によって水平方向に連続的に引き出さ
れ、鋳型ロール１３０によって板厚が調整される。しか
し、このＨＲＧ法においては、Ｓｉ結晶が溶融Ｓｉ１４
の湯面の垂直下方に成長して行くため、Ｓｉ板の厚さの
制御が非常に難しい。
【０００５】キャストリボン法においては、図５に示す
ように、溶融Ｓｉ１４をアルゴン（Ａｒ）ガスで鋳型１
３２内に押入し、キャビティー１３４内で結晶化したＳ
ｉ板２０を引き出し治具１３６を用いて水平方向に引き
出す。しかし、このキャストリボン法においては、溶融
Ｓｉの凝固時の体積膨張により、キャビティー１３４内
で凝固Ｓｉが引っかかってしまい、連続的に引き出すこ
とができない等の欠点がある。
ように、溶融Ｓｉ１４をアルゴン（Ａｒ）ガスで鋳型１
３２内に押入し、キャビティー１３４内で結晶化したＳ
ｉ板２０を引き出し治具１３６を用いて水平方向に引き
出す。しかし、このキャストリボン法においては、溶融
Ｓｉの凝固時の体積膨張により、キャビティー１３４内
で凝固Ｓｉが引っかかってしまい、連続的に引き出すこ
とができない等の欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、上面が開放された水平加熱鋳型に溶融シリコンを供
給し、鋳型の水平面端部上において前記溶融シリコンを
冷却結晶化してシリコン板を形成し、このシリコン板を
水平方向に連続的に引き出すことにより、シリコン板を
製造する上面開放水平加熱鋳型式連続鋳造法（以下、Ｏ
ＳＣ（Ｏｈｎｏ Ｓｔｒｉｐ Ｃａｓｔｉｎｇ）法と略
す）に注目した。この方法においては、Ｓｉ結晶の成長
面が鋳型と接していないために表面が非常に平坦なＳｉ
板が連続的に形成され、さらには鋳型の水平面の上の溶
湯（溶融Ｓｉ）の深さで板厚が容易に制御でき、しかも
上面開放型の鋳型を用いるために凝固時のＳｉの体積膨
張にも問題なく対応できる。しかしながら、通常に用い
られるセラミックス製の鋳型、すなわち黒鉛、炭化珪
素、窒化珪素、アルミナ、マグネシア、ムライト等の材
料で形成された鋳型を用いると、溶融Ｓｉと反応を生じ
て融着してしまうため、鋳型側からＳｉの結晶化が進行
し、その結果として、板状のＳｉが連続的に鋳造できな
いという欠点があった。また、窒化硼素の焼結体を鋳型
に用いると、Ｓｉとの融着の程度は低下するが、鋳型と
しての機械的強度に劣るため、実用には好ましくなかっ
た。
は、上面が開放された水平加熱鋳型に溶融シリコンを供
給し、鋳型の水平面端部上において前記溶融シリコンを
冷却結晶化してシリコン板を形成し、このシリコン板を
水平方向に連続的に引き出すことにより、シリコン板を
製造する上面開放水平加熱鋳型式連続鋳造法（以下、Ｏ
ＳＣ（Ｏｈｎｏ Ｓｔｒｉｐ Ｃａｓｔｉｎｇ）法と略
す）に注目した。この方法においては、Ｓｉ結晶の成長
面が鋳型と接していないために表面が非常に平坦なＳｉ
板が連続的に形成され、さらには鋳型の水平面の上の溶
湯（溶融Ｓｉ）の深さで板厚が容易に制御でき、しかも
上面開放型の鋳型を用いるために凝固時のＳｉの体積膨
張にも問題なく対応できる。しかしながら、通常に用い
られるセラミックス製の鋳型、すなわち黒鉛、炭化珪
素、窒化珪素、アルミナ、マグネシア、ムライト等の材
料で形成された鋳型を用いると、溶融Ｓｉと反応を生じ
て融着してしまうため、鋳型側からＳｉの結晶化が進行
し、その結果として、板状のＳｉが連続的に鋳造できな
いという欠点があった。また、窒化硼素の焼結体を鋳型
に用いると、Ｓｉとの融着の程度は低下するが、鋳型と
しての機械的強度に劣るため、実用には好ましくなかっ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
の結果、鋳型の材料として窒化珪素と窒化硼素の混合焼
結体を用いることにより、上述の問題点を一挙に解決で
きることを見い出し、本発明を完成するに至った。
の結果、鋳型の材料として窒化珪素と窒化硼素の混合焼
結体を用いることにより、上述の問題点を一挙に解決で
きることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、上面が開放された水
平加熱鋳型に溶融シリコンを供給し、鋳型の水平面端部
上において前記溶融シリコンを冷却結晶化してシリコン
板を形成し、このシリコン板を水平方向に連続的に引き
出すことにより、長尺状のシリコン板を製造する連続鋳
造法であって、前記鋳型の材料として窒化珪素と窒化硼
素の混合焼結体を用いることを特徴とする。
平加熱鋳型に溶融シリコンを供給し、鋳型の水平面端部
上において前記溶融シリコンを冷却結晶化してシリコン
板を形成し、このシリコン板を水平方向に連続的に引き
出すことにより、長尺状のシリコン板を製造する連続鋳
造法であって、前記鋳型の材料として窒化珪素と窒化硼
素の混合焼結体を用いることを特徴とする。
【０００９】この窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体にお
いては、窒化硼素の含有量が、１０重量％未満では、溶
融Ｓｉとの反応が生じ、融着しやすくなるので好ましく
ない。また、８０重量％を超えると、焼結体の機械的強
度が極端に低下してしまうため、鋳型材料として好まし
くない。従って、窒化硼素の含有量は、１０〜８０重量
％が好ましく、２０〜６０重量％がより好ましい。
いては、窒化硼素の含有量が、１０重量％未満では、溶
融Ｓｉとの反応が生じ、融着しやすくなるので好ましく
ない。また、８０重量％を超えると、焼結体の機械的強
度が極端に低下してしまうため、鋳型材料として好まし
くない。従って、窒化硼素の含有量は、１０〜８０重量
％が好ましく、２０〜６０重量％がより好ましい。
【００１０】また、窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体の
鋳型を成形する際、イットリア、アルミナ、窒化アルミ
ニウム等の焼結助材を、１０重量％以下の範囲で添加し
てもよい。
鋳型を成形する際、イットリア、アルミナ、窒化アルミ
ニウム等の焼結助材を、１０重量％以下の範囲で添加し
てもよい。
【００１１】シリコン板を形成しながら水平方向に連続
的に引き出すには、例えば、水平加熱鋳型の出口からダ
ミープレートを鋳型内部に水平方向に挿入し、鋳型内に
供給された溶融Ｓｉとダミープレートの挿入端を接触さ
せ、この接触部分から溶融Ｓｉを水平方向に凝固させな
がら、ダミープレートを鋳型から水平方向に引き出す。
これにより、ダミープレートの挿入端に付着形成された
部分から水平方向に順次凝固形成されて長尺状のＳｉ板
が形成される。
的に引き出すには、例えば、水平加熱鋳型の出口からダ
ミープレートを鋳型内部に水平方向に挿入し、鋳型内に
供給された溶融Ｓｉとダミープレートの挿入端を接触さ
せ、この接触部分から溶融Ｓｉを水平方向に凝固させな
がら、ダミープレートを鋳型から水平方向に引き出す。
これにより、ダミープレートの挿入端に付着形成された
部分から水平方向に順次凝固形成されて長尺状のＳｉ板
が形成される。
【００１２】鋳造雰囲気としては、溶融Ｓｉの表面酸化
を防止するために、通常は、例えばアルゴン、ヘリウ
ム、窒素あるいはそれらの混合ガス等の不活性ガスが用
いられるが、酸化をより一層防止するためには、水素、
一酸化炭素等の還元ガス、もしくはそれらの混合ガス、
または、これらの還元ガスを用いても良い。
を防止するために、通常は、例えばアルゴン、ヘリウ
ム、窒素あるいはそれらの混合ガス等の不活性ガスが用
いられるが、酸化をより一層防止するためには、水素、
一酸化炭素等の還元ガス、もしくはそれらの混合ガス、
または、これらの還元ガスを用いても良い。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を、図面に基づいて詳細に説明
する。
する。
【００１４】図１、２は、本発明の製造方法を実施する
ための装置の一実施例を示す一部省略断面斜視図であ
る。この装置は、Ｓｉを溶融するルツボ１０、Ｓｉ板を
鋳造する水平加熱鋳型１２、ルツボ１０と水平加熱鋳型
１２とを接続してルツボ１０から水平加熱鋳型１２に溶
融Ｓｉ１４を供給するための給湯管１６、水平加熱鋳型
１２の上方に設けた冷却装置１８、および鋳造されたＳ
ｉ板２０を連続的に水平方向に引き出すためのピンチロ
ール２２からなる。
ための装置の一実施例を示す一部省略断面斜視図であ
る。この装置は、Ｓｉを溶融するルツボ１０、Ｓｉ板を
鋳造する水平加熱鋳型１２、ルツボ１０と水平加熱鋳型
１２とを接続してルツボ１０から水平加熱鋳型１２に溶
融Ｓｉ１４を供給するための給湯管１６、水平加熱鋳型
１２の上方に設けた冷却装置１８、および鋳造されたＳ
ｉ板２０を連続的に水平方向に引き出すためのピンチロ
ール２２からなる。
【００１５】ルツボ１０および給湯管１６は、それぞ
れ、その外周に設けた発熱体２４，２６によってＳｉの
溶融温度以上に加熱されている。ルツボ１０の中には、
ルツボ１０の内径より若干小さな外径を有する制御棒２
８が挿入されており、この制御棒２８によりルツボ１０
内の溶融Ｓｉ１４の湯面が一定に保たれている。
れ、その外周に設けた発熱体２４，２６によってＳｉの
溶融温度以上に加熱されている。ルツボ１０の中には、
ルツボ１０の内径より若干小さな外径を有する制御棒２
８が挿入されており、この制御棒２８によりルツボ１０
内の溶融Ｓｉ１４の湯面が一定に保たれている。
【００１６】水平加熱鋳型１２は、窒化硼素の含有量が
２０重量％である窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体（川
崎炉材株式会社製）により形成されており、鋳型温度
は、この水平加熱鋳型１２の下に設けた発熱体３０に供
給される電流量を制御して、Ｓｉの凝固温度以上に調整
される。この水平加熱鋳型１２の底は、溶融Ｓｉの入口
３２において最も深くなっており、出口３４に向かうに
したがって徐々に浅くなり、途中から水平面３６になっ
ている。
２０重量％である窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体（川
崎炉材株式会社製）により形成されており、鋳型温度
は、この水平加熱鋳型１２の下に設けた発熱体３０に供
給される電流量を制御して、Ｓｉの凝固温度以上に調整
される。この水平加熱鋳型１２の底は、溶融Ｓｉの入口
３２において最も深くなっており、出口３４に向かうに
したがって徐々に浅くなり、途中から水平面３６になっ
ている。
【００１７】Ｓｉ板を製造するには、水平加熱鋳型１２
をＳｉの凝固温度以上に維持した状態で、図１に示すよ
うに、黒鉛製のダミープレート３８を水平加熱鋳型１２
の出口３４から内部に向かって水平面３６の途中まで挿
入するとともに、ルツボ１０から溶融Ｓｉ１４を給湯管
１６を介して水平加熱鋳型１２に供給する。そして、黒
鉛製ダミープレートの先端（挿入端）４０に、水平加熱
鋳型の入口３２から流入してきた溶融Ｓｉ１４を接触さ
せる。冷却装置１８のガス吹出し管４２から、黒鉛製ダ
ミープレート３８の上面に、水素を５％含有するアルゴ
ンガスを吹付けて冷却しているので、水平加熱鋳型１２
の内壁面を避けて、溶融Ｓｉ１４は、黒鉛製ダミープレ
ートの先端４０と接触した部分から水平方向に凝固し始
める。次いで、図２に示すように、黒鉛製ダミープレー
ト３８をピンチロール２２を用いて図面において右側に
引き出すことにより、ダミープレートの先端４０に付着
した部分から水平方向に順次形成されたＳｉ板２０は、
ガス吹出し管４２から吹付けられたガスにより冷却さ
れ、連続的に長尺状のＳｉ板が製造される。
をＳｉの凝固温度以上に維持した状態で、図１に示すよ
うに、黒鉛製のダミープレート３８を水平加熱鋳型１２
の出口３４から内部に向かって水平面３６の途中まで挿
入するとともに、ルツボ１０から溶融Ｓｉ１４を給湯管
１６を介して水平加熱鋳型１２に供給する。そして、黒
鉛製ダミープレートの先端（挿入端）４０に、水平加熱
鋳型の入口３２から流入してきた溶融Ｓｉ１４を接触さ
せる。冷却装置１８のガス吹出し管４２から、黒鉛製ダ
ミープレート３８の上面に、水素を５％含有するアルゴ
ンガスを吹付けて冷却しているので、水平加熱鋳型１２
の内壁面を避けて、溶融Ｓｉ１４は、黒鉛製ダミープレ
ートの先端４０と接触した部分から水平方向に凝固し始
める。次いで、図２に示すように、黒鉛製ダミープレー
ト３８をピンチロール２２を用いて図面において右側に
引き出すことにより、ダミープレートの先端４０に付着
した部分から水平方向に順次形成されたＳｉ板２０は、
ガス吹出し管４２から吹付けられたガスにより冷却さ
れ、連続的に長尺状のＳｉ板が製造される。
【００１８】この際、溶融Ｓｉ１４の湯面４４から水平
面３６までの深さによりＳｉ板２０の厚さが規定される
ことになる。従って、制御棒２８のルツボ１０への挿入
程度を変えて湯面４４を調整することにより、Ｓｉ板２
０の厚さを変えることもできる。
面３６までの深さによりＳｉ板２０の厚さが規定される
ことになる。従って、制御棒２８のルツボ１０への挿入
程度を変えて湯面４４を調整することにより、Ｓｉ板２
０の厚さを変えることもできる。
【００１９】なお、本実施例においては、Ｓｉを溶融す
るルツボ１０と水平加熱鋳型１２とは給湯管１６によっ
て接続されているが、これらのルツボ１０と水平加熱鋳
型１２とを、窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体を用いて
一体に成形してもよい。
るルツボ１０と水平加熱鋳型１２とは給湯管１６によっ
て接続されているが、これらのルツボ１０と水平加熱鋳
型１２とを、窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体を用いて
一体に成形してもよい。
【００２０】また、ダミープレート３８として黒鉛板を
用いているが、より高品質のＳｉ結晶板を鋳造するため
には、Ｓｉ単結晶を黒鉛製ダミープレートの先端（挿入
端）に付着したり、Ｓｉ単結晶板自身をダミープレート
として用いることが好ましい。
用いているが、より高品質のＳｉ結晶板を鋳造するため
には、Ｓｉ単結晶を黒鉛製ダミープレートの先端（挿入
端）に付着したり、Ｓｉ単結晶板自身をダミープレート
として用いることが好ましい。
【００２１】さらに、Ｓｉ板の鋳造をより円滑に進める
ために、水平加熱鋳型１２の水平面３６に窒化硼素等の
離型剤を塗布し、鋳造開始時における水平加熱鋳型１２
からの離型性をより高めてもよい。
ために、水平加熱鋳型１２の水平面３６に窒化硼素等の
離型剤を塗布し、鋳造開始時における水平加熱鋳型１２
からの離型性をより高めてもよい。
【００２２】
【発明の効果】窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体を鋳型
材料として用いることにより、溶融Ｓｉと鋳型との融着
が回避でき、ＯＳＣ法によるＳｉ板の連続鋳造が可能に
なる。
材料として用いることにより、溶融Ｓｉと鋳型との融着
が回避でき、ＯＳＣ法によるＳｉ板の連続鋳造が可能に
なる。
【図１】本発明の製造方法を実施するための装置の一実
施例を示す一部省略断面斜視図である。
施例を示す一部省略断面斜視図である。
【図２】本発明の製造方法を実施するための装置の一実
施例を示す一部省略断面斜視図である。
施例を示す一部省略断面斜視図である。
【図３】ＥＦＧ法を説明する概略断面斜視図である。
【図４】ＨＲＧ法を説明する概略断面図である。
【図５】キャストリボン法を説明する概略断面図であ
る。
る。
１０ ルツボ １２ 水平加熱鋳型 １４ 溶融Ｓｉ １６ 給湯管 １８ 冷却装置 ２０ Ｓｉ板 ２２ ピンチロール ２４ 発熱体 ２６ 発熱体 ２８ 制御棒 ３０ 発熱体 ３２ 水平加熱鋳型の入口 ３４ 水平加熱鋳型の出口 ３６ 水平加熱鋳型の水平面 ３８ ダミープレート ４０ ダミープレートの先端 ４２ ガス吹出し管 ４４ 溶融Ｓｉの湯面
Claims (2)
- 【請求項１】 上面が開放された水平加熱鋳型に溶融シ
リコンを供給し、鋳型の水平面端部上において前記溶融
シリコンを冷却結晶化してシリコン板を形成し、このシ
リコン板を水平方向に連続的に引き出すことにより、長
尺状のシリコン板を製造する連続鋳造法であって、前記
鋳型の材料として窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体を用
いることを特徴とするシリコン板の製造方法。 - 【請求項２】 窒化珪素と窒化硼素の混合焼結体におい
て、窒化硼素の含有量が１０〜８０重量％であることを
特徴とする請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18623693A JPH0741393A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 連続鋳造法によるシリコン板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18623693A JPH0741393A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 連続鋳造法によるシリコン板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741393A true JPH0741393A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16184742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18623693A Pending JPH0741393A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 連続鋳造法によるシリコン板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741393A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100086465A1 (en) * | 2007-01-25 | 2010-04-08 | Gen Kojima | Apparatus and method for manufacturing silicon substrate, and silicon substrate |
| KR101194846B1 (ko) * | 2010-06-14 | 2012-10-25 | 한국에너지기술연구원 | 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치 및 방법 |
| KR101396478B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2014-05-19 | 한국에너지기술연구원 | 경사진 일방향응고부를 이용한 폴리실리콘 제조장치 |
| KR101406784B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2014-06-18 | 한국에너지기술연구원 | 실리콘 기판 제조 장치 |
| KR101483693B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2015-01-19 | 한국에너지기술연구원 | 실리콘 기판 제조 장치 |
| KR101524070B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2015-05-29 | 한국에너지기술연구원 | 실리콘 기판 제조 장치 |
| CN107217296A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-09-29 | 常州大学 | 一种硅片水平生长设备和方法 |
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1993
- 1993-07-28 JP JP18623693A patent/JPH0741393A/ja active Pending
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