JPH0742131U - 半導体ウェハのダイシング位置認識方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、ダイシング位置の演算プログラムが
容易に作成され得ると共に、半導体チップの位置が短時
間に且つ正確に認識され得るようにした、ダイシング位
置認識方式を提供することを目的とする。 【構成】半導体ウェハ１０から個々の半導体チップ１１
にダイシングする際、各半導体チップ上に備えられたパ
ターンをパターン認識することにより、該半導体チップ
の位置を検出し、この位置からダイシング位置を演算し
て、ダイシング位置に沿ってダイシングを行なう、半導
体ウェハのダイシング位置認識方式において、各半導体
チップ１１上の不活性領域１１ｂに、位置認識用パター
ン１２が形成されていて、この位置認識用パターン１１
をパターン認識することにより、各半導体チップの位置
が検出され得るように、半導体ウェハのダイシング位置
認識方式を構成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体製造工程にて、半導体ウェハから半導体チップにダイシング する際に、ダイシング位置を認識するための方式に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

一般に、半導体ウェハは、図５に示すように、構成されている。即ち、図５に おいて、半導体ウェハ１は、所定の半導体製造工程を経て、その表面に、複数個 の半導体チップ２が形成されている。これらの半導体チップ２は、それぞれ境界 部分に沿ってダイシングすることにより、個々の半導体チップ２に分離せしめら れ、その後パッケージングされることより、半導体チップ製品として完成するよ うになっている。

【０００３】 従来、半導体ウェハ１から個々の半導体チップ２にダイシングする際には、図 ６に示すように、先づ各半導体チップ２に形成されたアルミニウム等から成るパ ターン３のうち、特定部分３ａの形状と、そして該半導体チップ２の寸法が、ダ イシング装置の制御部に記憶せしめられる。ここで、このダイシング装置の制御 部には、上記特定部分３ａの位置と半導体チップ２の寸法から、半導体ウェハ１ のダイシング位置を指定するプログラムが組み込まれている。

【０００４】 このような構成によれば、ダイシング装置のテーブル上に半導体ウェハ１を載 置することにより、該ダイシング装置は、制御部の制御によって、そのテーブル を移動させて、該半導体ウェハ１上に、記憶している特定部分３ａと同じパター ンをパターン認識することにより、ダイシング位置を検出し、そのダイシング位 置が、ダイシング装置のダイシング刃に持ち来たされるように、該テーブルを移 動調整した後、ダイシング刃によって、半導体ウェハ１のダイシング位置に沿っ てダイシングする。

【０００５】 かくして、半導体ウェハ１から、個々の半導体チップ２が互いに分離せしめら れ得るようになっている。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、このような構成のダイシング位置認識方式においては、個々の 半導体チップ２の構成により、半導体チップ２内での特定部分３ａの位置が異な ることがあり、当該特定部分３ａからダイシング位置を求めるプログラムが複雑 になり、プログラム作成時間が比較的長くなってしまうという問題があった。

【０００７】 また、特定部分３ａの認識のための時間が比較的長くなると共に、特定部分３ ａに似た形状のパターンが、半導体チップ２上に存在する場合には、誤認識する ことがあるという問題もあった。

【０００８】 さらに、特定部分３ａとしては、半導体チップ２上に形成されているパターン を利用しているため、例えばパターン３上に段差等がある場合には、パターン認 識の際に照射する光が、正しく反射せずに、乱反射してしまうことがあり、特定 部分３ａの認識精度が低下してしまうという問題もあった。

【０００９】 さらにまた、一つの半導体チップ２上のすべてのパターンに、特定部分３ａと 同じパターンが存在している場合には、該特定部分３ａを正確に認識することが できず、半導体チップ２自体をダイシングしてしまうことがあった。

【００１０】 本考案は、以上の点に鑑み、ダイシング位置の演算プログラムが容易に作成さ れ得ると共に、半導体チップの位置が短時間に且つ正確に認識され得るようにし た、ダイシング位置認識方式を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

上記目的は、本考案によれば、半導体ウェハから個々の半導体チップにダイシ ングする際、各半導体チップ上に備えられたパターンをパターン認識することに より、該半導体チップの位置を検出し、この位置からダイシング位置を演算して 、ダイシング位置に沿ってダイシングを行なう、半導体ウェハのダイシング位置 認識方式において、各半導体チップ上の不活性領域に、位置認識用パターンが形 成されていて、この位置認識用パターンをパターン認識することにより、各半導 体チップの位置が検出され得ることを特徴とする、半導体ウェハのダイシング位 置認識方式により、達成される。

【００１２】

【作用】

上記構成によれば、各半導体チップ上の不活性領域に、位置認識用パターンが 形成されているので、この位置認識用パターンは、各半導体チップにて同一箇所 に形成され得ることになる。従って、異なる構成の半導体チップの場合であって も、半導体チップの輪郭に対する位置認識用パターンの位置が変わらない。これ により、半導体チップの寸法が同じ場合には、ダイシング位置は一義的に決まる ので、ダイシング位置を求めるプログラムは、簡単になり、短時間で容易に作成 され得ることになる。

【００１３】 また、位置認識用パターンの形状として、例えば縦方向及び横方向に関して、 それぞれ３乃至４本のラインを有するような形状、例えば「凹」，「凸」字等の 形状のパターンを選定することにより、当該位置認識用パターンは、誤認識され るようなことなく、短時間で且つ確実に認識され得ることになる。

【００１４】 さらに、上記位置認識用パターンは、半導体チップの不活性領域に形成されて いるので、他のパターンと交差する等の理由によって、段差を生ずるようなこと はない。従って、パターン認識の際に照射される光が、正確に反射せしめられ得 ることになるので、高精度の認識が行なわれ得ることになる。

【００１５】 最後に、一つの半導体チップ上のすべてのパターンに、同じパターンが存在し ている場合であっても、位置認識用パターンにより、ダイシング位置を決めるよ うになっているので、半導体チップ自体をダイシングしてしまうことが排除され 、完全自動ダイシング加工が可能となる。

【００１６】

【実施例】

以下、図面に示した実施例に基づいて、本考案を詳細に説明する。 図１は、本考案によるダイシング位置認識方式を適用した半導体ウェハの一実 施例を示している。図１において、半導体ウェハ１０は、従来と同様に、所定の 半導体製造工程を経て、その表面に、複数個の半導体チップ１１が形成されてい る。これらの半導体チップ１１は、それぞれ境界部分に沿ってダイシングするこ とにより、個々の半導体チップ１１に分離せしめられ、その後パッケージングさ れることより、半導体チップ製品として完成するようになっている。

【００１７】 以上の構成は、従来と同様の構成であるが、本考案実施例においては、半導体 ウェハ１０上の個々の半導体チップ１１は、図２に示すように、内側の活性領域 １１ａに、通常の各種回路を構成すべきパターン（図示せず）が形成されている と共に、周囲の不活性領域１１ｂに、位置認識用パターン１２が形成されている 。

【００１８】 この位置認識用パターン１２は、例えば図３に示すように、構成されている。 即ち、図３において、位置認識用パターン１２は、パターン認識が確実に行なわ れ得るように、縦方向及び横方向に関して、それぞれ３乃至４本のラインを有す るように、例えば図示の場合には、「凹」及び「凸」字状の形状に形成されてい る。

【００１９】 尚、図３において、中央の「７」の形状の位置認識用パターンは、例えば半導 体チップ１１自体の寸法を示すために、便宜的に備えられているものである。

【００２０】 本考案実施例によるダイシング位置認識方式における半導体ウェハ１０は、以 上のように構成されており、図５及び図６に示した従来の場合と同様の構成のダ イシング装置によって、ダイシングが行なわれる。

【００２１】 その際、先づ各半導体チップ１１に形成された位置認識用パターン１２の形状 と、そして該半導体チップ１１の寸法が、ダイシング装置の制御部に記憶せしめ られる。ここで、このダイシング装置の制御部には、上記位置認識用パターン１ ２の位置と半導体チップ１１の寸法から、半導体ウェハ１０のダイシング位置を 指定するプログラムが組み込まれている。この場合、半導体チップ１１の寸法か ら、位置認識用パターン１２の位置が一義的に決まるので、上記プログラムは、 簡単であり、短時間で容易に作成され得ることになる。

【００２２】 そして、ダイシング装置のテーブル上に半導体ウェハ１０を載置することによ り、該ダイシング装置は、制御部の制御によって、そのテーブルを移動させて、 該半導体ウェハ１０上に、記憶しているパターンと同じ形状の位置認識用パター ン１２をパターン認識する。

【００２３】 この場合、位置認識用パターン１２は、その形状が、「凹」，「凸」字状であ ることから、縦方向及び横方向に関して、それぞれ３乃至４本のラインを有する ので、半導体チップ１１上のパターンと混同して誤認識されるようなことはなく 、短時間で且つ確実に認識され得る。

【００２４】 その後、該位置認識用パターン１２の位置に基づいて、プログラムに従ってダ イシング位置を演算し、そのダイシング位置が、ダイシング装置のダイシング刃 に持ち来たされるように、該テーブルを移動調整した後、ダイシング刃によって 、半導体ウェハ１０のダイシング位置に沿ってダイシングする。

【００２５】 かくして、半導体ウェハ１０から、個々の半導体チップ１１が互いに分離せし められ得る。

【００２６】 この場合、上記位置認識用パターン１２は、半導体チップ１１の不活性領域１ １ｂに形成されているので、段差を生ずるようなことはなく、パターン認識の際 に照射される光が、正確に反射せしめられ得るので、高精度の認識が行なわれ得 ることになる。

【００２７】 さらに、一つの半導体チップ１１上のすべてのパターンに、同じパターンが存 在している場合であっても、位置認識用パターン１２により、ダイシング位置を 決めるようになっているので、半導体チップ１１自体をダイシングしてしまうこ とが排除され、完全自動ダイシング加工が可能となる。

【００２８】 図４は、本考案によるダイシング位置認識方式を適用した半導体ウェハの他の 実施例を示している。即ち、図４において、半導体ウェハ２０は、図１の場合と 同様に、所定の半導体製造工程を経て、その表面に、複数個の半導体チップ２１ が形成されている。

【００２９】 この場合、上記半導体チップ２１のうち、二つの半導体チップ２１を一組とし て、各組の二つの半導体チップ２１ａ，２１ｂに対して、一つの位置認識用パタ ーン２２が、形成されている。図示の場合には、この位置認識用パターン２２は 、半導体チップ２１ａの不活性領域に形成されている。

【００３０】 このような構成の実施例によれば、先づ各組の半導体チップ２１ａ，２１ｂに 形成された位置認識用パターン２２の形状と、そして該半導体チップ２１ａ，２ １ｂの寸法が、ダイシング装置の制御部に記憶せしめられる。ここで、このダイ シング装置の制御部には、上記位置認識用パターン２２の位置と半導体チップ２ １ａ，２１ｂの寸法から、半導体ウェハ１０のダイシング位置を指定するプログ ラムが組み込まれている。かくして、図１及び図２の実施例の場合と同様にして 、半導体ウェハ２０のダイシングが行なわれ、各半導体チップ２１が、個々に分 離せしめられ得ることになる。

【００３１】

【考案の効果】

以上述べたように、本考案によれば、ダイシング位置の演算プログラムが容易 に作成され得ると共に、半導体チップの位置が短時間に且つ正確に認識され得る ようにした、極めて優れたダイシング位置認識方式が提供され得ることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案による半導体ウェハのダイシング位置認
識方式を適用した半導体ウェハの一実施例を示す平面図
である。

【図２】図１の半導体ウェハの一つのチップの領域を示
す部分拡大平面図である。

【図３】図１の半導体ウェハの各チップに形成された位
置認識用パターンの拡大図である。

【図４】本考案による半導体ウェハのダイシング位置認
識方式を適用した半導体ウェハの他の実施例における一
つのチップ領域を示す部分拡大平面図である。

【図５】従来の半導体ウェハのダイシング位置認識方式
における半導体ウェハの一例を示す平面図である。

【図６】図５の半導体ウェハの一つのチップの領域を示
す部分拡大平面図である。

【符号の説明】

１０，２０ 半導体ウェハ １１，２１ 半導体チップ １１ａ 活性領域 １１ｂ 不活性領域 １２ 位置認識用パターン ２２ 位置認識用パターン

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハから個々の半導体チップに
   ダイシングする際、各半導体チップ上に備えられたパタ
   ーンをパターン認識することにより、該半導体チップの
   位置を検出し、この位置からダイシング位置を演算し
   て、ダイシング位置に沿ってダイシングを行なう、半導
   体ウェハのダイシング位置認識方式において、 各半導体チップ上の不活性領域に、位置認識用パターン
   が形成されていて、この位置認識用パターンをパターン
   認識することにより、各半導体チップの位置が検出され
   得ることを特徴とする、半導体ウェハのダイシング位置
   認識方式。