JPH0742146B2 - セメント焼成装置 - Google Patents
セメント焼成装置Info
- Publication number
- JPH0742146B2 JPH0742146B2 JP20455586A JP20455586A JPH0742146B2 JP H0742146 B2 JPH0742146 B2 JP H0742146B2 JP 20455586 A JP20455586 A JP 20455586A JP 20455586 A JP20455586 A JP 20455586A JP H0742146 B2 JPH0742146 B2 JP H0742146B2
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- JP
- Japan
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- raw material
- furnace
- cement
- cement raw
- fluidized bed
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はセメント焼成装置、詳しくは、セメント原料
を、流動層型の炉または噴流層型の炉を用いて造粒し焼
成するセメント焼成装置に関するものである。
を、流動層型の炉または噴流層型の炉を用いて造粒し焼
成するセメント焼成装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来から知られているこの種の装置として、第３図に示
すようなセメント焼成装置がある（特公昭60−13738号
公報参照）。
すようなセメント焼成装置がある（特公昭60−13738号
公報参照）。
第３図において、燃焼排ガスＧによつて、サイクロンC
1,C2,C3,C4からなるサスペンシヨンプレヒータ３で予熱
されたセメント原料Ｃの全量を、炉１の流動層または噴
流層からなる原料層２内に投入して、造粒または造粒と
焼成とを行なうように構成されていた。
1,C2,C3,C4からなるサスペンシヨンプレヒータ３で予熱
されたセメント原料Ｃの全量を、炉１の流動層または噴
流層からなる原料層２内に投入して、造粒または造粒と
焼成とを行なうように構成されていた。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記した従来のセメント焼成装置においては、サスペン
シヨンプレヒータ３でセメント原料Ｃが仮焼される。
シヨンプレヒータ３でセメント原料Ｃが仮焼される。
つまり、 CaCO3→CaO＋CO2 なる化学反応式で表わされるところの仮焼（脱炭酸反
応）が行われる。ここで、CaOへの反応率が仮焼率であ
る。
応）が行われる。ここで、CaOへの反応率が仮焼率であ
る。
そして、セメント原料の全量が上記原料層２内に投入さ
れる従来の装置では、サスペンシヨンプレヒータ３での
セメント原料の仮焼率が低いため、炉１の原料層２内で
仮焼が大きく進むので、原料供給量の変動に伴なつて、
造粒温度が激しく変動し、炉１の安定運転がむずかし
い。
れる従来の装置では、サスペンシヨンプレヒータ３での
セメント原料の仮焼率が低いため、炉１の原料層２内で
仮焼が大きく進むので、原料供給量の変動に伴なつて、
造粒温度が激しく変動し、炉１の安定運転がむずかし
い。
また、吸熱反応である仮焼が炉１の原料層２内で行なわ
れることにより、原料層２内での造粒または焼成速度が
小さく、原料の層内滞留時間を長くとる必要があり、所
期の造粒率あるいは焼成率が悪い。
れることにより、原料層２内での造粒または焼成速度が
小さく、原料の層内滞留時間を長くとる必要があり、所
期の造粒率あるいは焼成率が悪い。
さらに、原料の脱炭酸反応（吸熱反応）のために、多量
の熱が消費されるため、原料層２内に形成される温度域
が形成されにくく、造粒粒径が大きくなりにくいという
問題があつた。
の熱が消費されるため、原料層２内に形成される温度域
が形成されにくく、造粒粒径が大きくなりにくいという
問題があつた。
この発明は上記したような従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、炉の高温フリーボード部を有効に利用して原
料の仮焼率を高めることによつて、安定運転および造粒
率あるいは焼成率の向上を図り得るセメント焼成装置を
提供することを目的としている。
たもので、炉の高温フリーボード部を有効に利用して原
料の仮焼率を高めることによつて、安定運転および造粒
率あるいは焼成率の向上を図り得るセメント焼成装置を
提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明に係るセメント
焼成装置は、予熱されたセメント原料を、炉のフリーボ
ード部に投入する第１の投入口と、上記フリーボード部
から排ガスとともに排出された仮焼済のセメント原料を
捕集し、その捕集されたセメント原料を炉の流動層また
は噴流層からなる原料層に投入する第２の投入口とを備
えている。
焼成装置は、予熱されたセメント原料を、炉のフリーボ
ード部に投入する第１の投入口と、上記フリーボード部
から排ガスとともに排出された仮焼済のセメント原料を
捕集し、その捕集されたセメント原料を炉の流動層また
は噴流層からなる原料層に投入する第２の投入口とを備
えている。
［作用］ この発明によれば、炉の高温のフリーボード部に、予熱
されたセメント原料が投入されることにより、排ガスの
保有熱を利用して原料の仮焼率が向上する。
されたセメント原料が投入されることにより、排ガスの
保有熱を利用して原料の仮焼率が向上する。
このようにして仮焼率が高められたセメント原料は、仮
焼率向上のために作用した排ガスとともに排出され、そ
の排出されたセメント原料が捕集されて炉の原料層に再
度投入されて、造粒または造粒と焼成されるので、セメ
ント原料の供給量の変動によつても造粒温度の変動は非
常に少ない。したがつて、炉の安定運転が可能となる。
焼率向上のために作用した排ガスとともに排出され、そ
の排出されたセメント原料が捕集されて炉の原料層に再
度投入されて、造粒または造粒と焼成されるので、セメ
ント原料の供給量の変動によつても造粒温度の変動は非
常に少ない。したがつて、炉の安定運転が可能となる。
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図面にしたがつて説明する。
第１図は、この発明の第１の実施例を示す。第１図にお
いて、セメント原料Ｃは、噴流層型造粒炉１の燃焼排ガ
スＧによつて、サイクロンC1,C2,C3,C4からなるサスペ
ンシヨンプレヒータ３で予熱されながら、サイクロンC4
→C3→C2→C1と順次移送される。この予熱されたセメン
ト原料Ｃは、上記炉１の天井部に形成の第１の投入口２
からフリーボード部1Aに投入され、炉１内の高温燃焼排
ガスの保有熱を利用して予熱・仮焼される。このフリー
ボード部1Aで仮焼されたセメント原料Ｃは、上記フリー
ボード部1Aの天井近くの炉壁に形成された第１の排出口
５から、上記排ガスとともに炉外に排出されて、サイク
ロン式捕集機６に接線方向から供給される。この捕集機
６内に供給された仮焼済みセメント原料は、遠心力を利
用した比重分離によつて、上記排ガスから分離されて、
第２の投入口７から炉１の噴流層14に投入されて造粒さ
れる。
いて、セメント原料Ｃは、噴流層型造粒炉１の燃焼排ガ
スＧによつて、サイクロンC1,C2,C3,C4からなるサスペ
ンシヨンプレヒータ３で予熱されながら、サイクロンC4
→C3→C2→C1と順次移送される。この予熱されたセメン
ト原料Ｃは、上記炉１の天井部に形成の第１の投入口２
からフリーボード部1Aに投入され、炉１内の高温燃焼排
ガスの保有熱を利用して予熱・仮焼される。このフリー
ボード部1Aで仮焼されたセメント原料Ｃは、上記フリー
ボード部1Aの天井近くの炉壁に形成された第１の排出口
５から、上記排ガスとともに炉外に排出されて、サイク
ロン式捕集機６に接線方向から供給される。この捕集機
６内に供給された仮焼済みセメント原料は、遠心力を利
用した比重分離によつて、上記排ガスから分離されて、
第２の投入口７から炉１の噴流層14に投入されて造粒さ
れる。
上記炉１内で造粒された造粒物Ｈは、炉１のコーン部1B
に形成された第２の排出口10を経て、マテリアルシール
を用いたＬ型の気密排出装置８により流動層焼成炉９に
導入されて、この焼成炉９で焼成される。この焼成物、
すなわち、セメントクリンカＩは、Ｌ型の気密排出装置
18により、流動層クーラ11に排出されて冷却され、シー
ルバルブ12を介して製品として取り出される。
に形成された第２の排出口10を経て、マテリアルシール
を用いたＬ型の気密排出装置８により流動層焼成炉９に
導入されて、この焼成炉９で焼成される。この焼成物、
すなわち、セメントクリンカＩは、Ｌ型の気密排出装置
18により、流動層クーラ11に排出されて冷却され、シー
ルバルブ12を介して製品として取り出される。
上記の流動層型造粒炉１は、上記コーン部1Bとスロート
部1Cとの接続部の近傍にバーナ13を有し、供給される燃
料B1と上記スロート部1Cを上昇する予熱燃焼用空気A1と
の混合燃焼によつて、上記の仮焼済みセメント原料を溶
融し、噴流層14内に浮遊状態で滞留している間に造粒さ
れる。また、上記の焼成炉９は、流動床9Aの上部にバー
ナ15を有し、供給される燃料B2と上記流動床9Aの多数の
孔を経て噴出される予熱燃焼用空気A2との混合燃焼によ
つて、上記造粒物Ｈを焼成する。
部1Cとの接続部の近傍にバーナ13を有し、供給される燃
料B1と上記スロート部1Cを上昇する予熱燃焼用空気A1と
の混合燃焼によつて、上記の仮焼済みセメント原料を溶
融し、噴流層14内に浮遊状態で滞留している間に造粒さ
れる。また、上記の焼成炉９は、流動床9Aの上部にバー
ナ15を有し、供給される燃料B2と上記流動床9Aの多数の
孔を経て噴出される予熱燃焼用空気A2との混合燃焼によ
つて、上記造粒物Ｈを焼成する。
一方、押込みフアン16によつて、上記流動層クーラ11に
供給される低温空気は、この流動層クーラ11内でセメン
トクリンカＩと熱交換され、セメントクリンカＩを冷却
するとともに、予熱される。この予熱された空気が、上
記焼成炉９へ噴出される燃焼用空気A2として使用され、
また、焼成炉９から排出される未燃成分を含んだ高温空
気が上記スロート部1Cを介して上記造粒炉１に供給され
る燃焼用空気A1として使用される。図中17はフラツパダ
ンパ、19は吸引フアンである。
供給される低温空気は、この流動層クーラ11内でセメン
トクリンカＩと熱交換され、セメントクリンカＩを冷却
するとともに、予熱される。この予熱された空気が、上
記焼成炉９へ噴出される燃焼用空気A2として使用され、
また、焼成炉９から排出される未燃成分を含んだ高温空
気が上記スロート部1Cを介して上記造粒炉１に供給され
る燃焼用空気A1として使用される。図中17はフラツパダ
ンパ、19は吸引フアンである。
なお、上記実施例では、サスペンシヨンプレーヒータ３
で予熱されたセメント原料Ｃを、炉１の天井部に形成し
た１つの投入口２からフリーボード部1Aに投入するよう
にしたが、その投入口２は第１図の点線で示すように、
天井部近くのフリーボード部1Aの炉壁に形成してもよ
く、また、天井部と炉壁との両方に形成しても良い。
で予熱されたセメント原料Ｃを、炉１の天井部に形成し
た１つの投入口２からフリーボード部1Aに投入するよう
にしたが、その投入口２は第１図の点線で示すように、
天井部近くのフリーボード部1Aの炉壁に形成してもよ
く、また、天井部と炉壁との両方に形成しても良い。
第２図は、この発明の第２の実施例を示す。第２図にお
いて、20は上記噴流型造粒炉１のフリーボード部1Aの炉
壁に取り付けられた仮焼率上昇用バーナであり、燃料B3
と燃焼用空気A3との混合燃焼により、フリーボード部1A
の内部温度を一層高め、セメント原料の仮焼率を第１の
実施例の場合よりも、さらに上昇させることが可能であ
る。
いて、20は上記噴流型造粒炉１のフリーボード部1Aの炉
壁に取り付けられた仮焼率上昇用バーナであり、燃料B3
と燃焼用空気A3との混合燃焼により、フリーボード部1A
の内部温度を一層高め、セメント原料の仮焼率を第１の
実施例の場合よりも、さらに上昇させることが可能であ
る。
この第２の実施例において、上記仮焼率上昇用バーナ20
に供給される燃焼用空気A3は、上記の流動層クーラ11内
で１次冷却されたセメントクリンカＩを２次冷却するた
めに別途に設置された流動層クーラ21に押込みフアン22
を介して供給され、ここでセメントクリンカＩとの熱交
換により予熱された空気を使用する。その他の構成は第
１の実施例と同様であり、同一部分もしくは相当部分に
同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
に供給される燃焼用空気A3は、上記の流動層クーラ11内
で１次冷却されたセメントクリンカＩを２次冷却するた
めに別途に設置された流動層クーラ21に押込みフアン22
を介して供給され、ここでセメントクリンカＩとの熱交
換により予熱された空気を使用する。その他の構成は第
１の実施例と同様であり、同一部分もしくは相当部分に
同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によるときは、炉の高温
部であるフリーボード部にセメント原料を投入すること
により、このフリーボード部でセメント原料を予熱・仮
焼して仮焼率を高めることができる。これによつて、原
料供給量の変動による造粒温度の変動が非常に小さく、
炉の運転を安定化できる。
部であるフリーボード部にセメント原料を投入すること
により、このフリーボード部でセメント原料を予熱・仮
焼して仮焼率を高めることができる。これによつて、原
料供給量の変動による造粒温度の変動が非常に小さく、
炉の運転を安定化できる。
また、仮焼率の高い原料が炉内の原料層に投入されるの
で、原料層内での脱炭酸反応のための熱消費が減少し、
炉内に形成されるホツトスポツトの温度が高くなる。し
たがつて、造粒粒径を大きくすることができ、しかも、
上述のように造粒温度の変動が小さいため、アグロメー
シヨン（粒子の集塊化）の発生が回避でき、かつ、炉の
コーン部の内壁面への粒子の付着も防止できる。
で、原料層内での脱炭酸反応のための熱消費が減少し、
炉内に形成されるホツトスポツトの温度が高くなる。し
たがつて、造粒粒径を大きくすることができ、しかも、
上述のように造粒温度の変動が小さいため、アグロメー
シヨン（粒子の集塊化）の発生が回避でき、かつ、炉の
コーン部の内壁面への粒子の付着も防止できる。
以上によつて、炉の長期安定運転が可能である。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す概略構成図、第
２図は第２の実施例を示す概略構成図、第３図は従来例
の概略構成図である。 １……噴流層型造粒炉、1A……フリーボード部、２……
原料の第１の投入口、３……サスペンシヨンプレヒー
タ、５……原料の第１の排出口、６……捕集機、７……
第２の投入口、９……流動層焼成炉、10……第２の排出
口、11……流動層クーラ、20……仮焼率上昇用バーナ。
２図は第２の実施例を示す概略構成図、第３図は従来例
の概略構成図である。 １……噴流層型造粒炉、1A……フリーボード部、２……
原料の第１の投入口、３……サスペンシヨンプレヒー
タ、５……原料の第１の排出口、６……捕集機、７……
第２の投入口、９……流動層焼成炉、10……第２の排出
口、11……流動層クーラ、20……仮焼率上昇用バーナ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 達也 兵庫県明石市川崎町１番１号 川崎重工業 株式会社明石工場内
Claims (2)
- 【請求項１】流動層型または噴流層型の炉を用いてセメ
ント原料を造粒し焼成するセメント焼成装置において、
予熱されたセメント原料を、上記炉のフリーボード部に
投入する第１の投入口と、投入されてフリーボード部で
仮焼されたセメント原料を上記フリーボード部から排ガ
スとともに排出する第１の排出口と、排出されたセメン
ト原料を捕集する捕集機と、捕集されたセメント原料を
炉の流動層または噴流層からなる原料層に投入する第２
の投入口と、上記原料層から処理済みのセメント原料を
排出する第２の排出口とを備えたことを特徴とするセメ
ント焼成装置。 - 【請求項２】上記炉は、そのフリーボード部に仮焼率上
昇用のバーナを備えている特許請求の範囲第１項に記載
のセメント焼成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20455586A JPH0742146B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | セメント焼成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20455586A JPH0742146B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | セメント焼成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361880A JPS6361880A (ja) | 1988-03-18 |
| JPH0742146B2 true JPH0742146B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=16492422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20455586A Expired - Lifetime JPH0742146B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | セメント焼成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742146B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-30 JP JP20455586A patent/JPH0742146B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361880A (ja) | 1988-03-18 |
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