JPH0743741A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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Publication number
JPH0743741A
JPH0743741A JP18413793A JP18413793A JPH0743741A JP H0743741 A JPH0743741 A JP H0743741A JP 18413793 A JP18413793 A JP 18413793A JP 18413793 A JP18413793 A JP 18413793A JP H0743741 A JPH0743741 A JP H0743741A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal display
display element
substrate
substrates
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Application number
JP18413793A
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English (en)
Inventor
Masayuki Yazaki
正幸 矢崎
Eiji Chino
英治 千野
Hidekazu Kobayashi
英和 小林
Hideto Iizaka
英仁 飯坂
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶及び高分子粒子が配向分散した液晶表示
素子において、コントラストを向上させ、視認性を向上
させる。 【構成】 画素電極及び該画素電極に電気信号を伝える
為の配線を有し、少なくとも一方が透明な2枚の基板間
に、二色性色素を含有した液晶及び屈折率異方性を有し
た高分子が互いに配向分散し、挟持された液晶表示素子
において、裏側基板の該画素電極を反射性の材料で形成
し、該画素電極間は光吸収処理、または遮光処理を施
す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報機器端末、テレ
ビ、家電製品などの表示部を構成する液晶表示素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器の小型化、携帯化への需
要の高まりに従い、この分野でのディスプレイに要求さ
れる省電力性から、反射型液晶表示素子が不可欠であ
る。TN方式については、従来から腕時計、電卓等に広
く用いられており、大容量表示にはSTN方式が、ノー
トパソコン、ワープロ等に、反射型液晶表示装置として
使用されてきた。さらに、反射型液晶表示装置の上に、
タブレットなどの情報入力装置を組み合わせる用途も拡
大し、反射型液晶表示素子には、明るさ、視認性の良さ
が要求されている。最近では、このような分野で、偏光
板を使用しない、液晶と高分子を互いに分散させた高分
子分散液晶を用いた液晶表示素子が注目されている。
【0003】この液晶表示素子の動作原理は、液晶と高
分子の屈折率の差を利用しており、電界印加により液晶
と高分子の屈折率が一致した場合には透過状態を示し、
電界除去により屈折率が相違した場合には散乱状態を示
すことによる。NCAP(ファーガソン等の発明:特公
昭58−501631)、LCPC(旭硝子株式会社:
アメリカ特許4,818,070)、PDLC(ケント
州立大学:アメリカ特許4,685,771)、PNL
C(大日本インキ化学株式会社:ヨーロッパ公開特許E
PA313,053)は、上記の動作原理によるもので
ある。一方、電界無印加時に透過し、電界印加時に散乱
する逆のモード(以下リバースタイプ)の高分子分散液
晶を用いた液晶表示素子(ケント州立大学:アメリカ特
許4,994,204、フィリップス:ヨーロッパ公開
特許EP0451905A1)についても開示されてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
偏光板を使用したTN方式、STN方式による液晶表示
素子では、光の利用効率が低いため、反射型とすると暗
く、タブレットなどの情報入力装置と組み合わせると非
常に暗い表示となり問題となっていた。また、TN方
式、STN方式では、裏側の基板裏面の偏光板越しに反
射板が配置されるため、表示のダブルイメージがあり、
細かな文字が見にくく、視認性が問題となっていた。一
方、ヨーロッパ公開特許EP0488116A2の技術
によれば、液晶に二色性色素を含有させた場合、電界無
印加での光吸収と、電界印加での白濁した光散乱のスイ
ッチングが可能で、明るい反射型ディスプレイを製造す
ることが可能であった。さらに、光反射面を画素電極と
兼用した場合、表示のダブルイメージがない、明るい反
射型ディスプレイが可能であった。
【0005】しかしながら、この従来技術は、偏光板を
使用した従来の表示方法の問題点を解決できるものの、
画素電極を反射面と兼用するために、画素電極間から光
が漏れるため、裏側が透ける問題があり、その結果、コ
ントラスト、色差が低下する問題があった。このオフ状
態での表示の浮きを防ぐため、二色性色素の添加量を増
大させた場合、耐光性が悪化する、色素が析出する、ま
た液晶の比抵抗値が下がる等、信頼性を低下させる問題
点があった。
【0006】本発明は、このような課題を解決するため
に行われたものであり、その目的とするところは、裏側
基板の画素間からの迷光を遮光することにより、特に二
色性色素の添加量を増やさずに、オフ時の表示の浮きを
抑え、コントラスト比が高く、色差の大きい反射型液晶
表示子を提供するところにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明の液晶表示素子は、下記の構成から成る。
【0008】(1)画素電極及び該画素電極に電気信号
を伝える為の配線を有し、少なくとも一方が透明な2枚
の基板間に、二色性色素を含有した液晶及び屈折率異方
性を有した高分子が互いに配向分散し、挟持された液晶
表示素子において、裏側基板の該画素電極は反射性の材
料で形成され、該画素電極間は光吸収処理が施されてい
ることを特徴とする。
【0009】(2)上記液晶表示素子において、裏側基
板の該画素電極は反射性の材料で形成され、該画素電極
間は遮光処理が施されていることを特徴とする。
【0010】(3)上記基板の少なくとも一方に、非線
形素子が形成されていることを特徴とする。
【0011】(4)上記非線形素子が、2端子素子であ
ることを特徴とする。
【0012】(5)上記非線形素子が、3端子素子であ
ることを特徴とする。
【0013】
【実施例】
(実施例1)以下、本実施例では、画素間に光吸収層を
施した2端子素子(MIM素子)による構成を示す。図
1は、本実施例の液晶表示素子の断面図を示した。裏側
の基板110は、MIM対向基板とし、ガラス基板上に
アルミニウムとマグネシウムの合金をスパッタリングに
より約2000オングストローム形成後、パターニング
し、ストライプ状の反射電極109とした。つづいて、
有機レジスト(黒色)としてカラーモザイクCK(富士
ハント社製)を、約5000オングストロームスピンコ
ーターにて塗布した後、パターニングにより反射電極1
09のストライプ間に光吸収層108を形成した。つづ
いて、配向膜107としてポリイミドを形成し、ラビン
グ処理を施した。基板101上には、MIM素子10
2、ITO画素電極103、及び信号配線が形成されて
おり、表面には配向膜104としてポリイミドを形成し
た後、ラビング処理を施した。これら2枚の基板を空隙
5μmにて、基板周囲を貼り合わせ、固定した。尚、ラ
ビング方向は、基板間で90°ずらした。次に、この基
板間に封入する、液晶及び高分子前駆体混合物について
説明する。液晶としてTL−202(メルク社製)とM
J92786(メルク社製)を7:3で混合して用い、
これにカイラル成分としてR1011(メルク社製)
を、0.5重量%、二色性色素としてS−344(三井
東圧染料)を2重量%混合して用いた。高分子前駆体と
して、ターフェニルメタクリレートを先の液晶混合物に
対して5重量%用いた。以上を加熱混合して、先に説明
した空パネルに真空封入した。その後、パネルを50℃
に保ちながら、1平方cm当たり3mW(350nm)
の紫外線を10分間照射して、液晶中から高分子を析出
させて、本実施例の液晶表示素子を完成させた。基板間
にて、高分子105及び液晶106は、互いに配向し、
分散した構造をとり、電圧オフ時で、二色性色素の吸収
による黒表示が得られた。また、電圧を十分に印加した
場合は、液晶106が電界方向に配向するために、媒体
内で、屈折率の不連続点が発生するために、光散乱状態
となった。この時、二色性色素の吸収が非常に小さくな
るため、白表示が得られた。
【0014】こうして得られた液晶表示素子をMIM駆
動したところ、コントラストが11であった。本実施例
では、画素電極間に光吸収層を配置しない従来の液晶表
示素子(コントラスト6)に比べて、大幅に視認性が向
上した。さらに、この液晶表示素子の表面に、ノングレ
ア処理と無反射コートを施すと、風景の写り込みが減少
して視認性が極めて向上した。
【0015】本実施例では、2端子の非線形素子とし
て、MIM素子以外に、ラテラル型MIM素子、バック
トゥバック型MIM素子、MSI素子、ダイオードリン
グ素子、バリスタ素子などが使用可能である。
【0016】基板に使用される材料は、ソーダガラス、
石英、無アルカリガラス、シリコン単結晶、サファイア
基板、熱硬化型高分子、熱可塑性高分子などが好ましく
使用される。高分子材料は、基板間に挟持される液晶及
び高分子に悪影響を及ぼさなければ特に制限されること
はなく、PET、ポリエーテルスルホン、エポキシ硬化
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアリルエーテル等が好まし
く使用される。
【0017】反射電極は、Al−Mgの混合物とした
が、Al、Cr、Mg、Ag、Au、Ptなどの金属単
体、あるいはそれらの混合物が使用できる。特に、安定
性、反射率の点からAl−Mgの混合物が好ましく、M
gの添加量は、0.1〜10重量%が望ましい。
【0018】光吸収層は、有機レジストとしたが、光吸
収能が高く、パターニング性の優れた材料が望ましい。
吸収波長は、可視光全域(黒)が望ましく、また用いる
2色性色素の吸収域と合わせても良い。
【0019】配向膜は、ポリイミド膜としたが、他にS
iO斜方蒸着膜、ポリビニルアルコール等が使用でき
る。基板間に挟持される液晶及び高分子前駆体は、紫外
線照射時に配向していれば良く、配向膜を形成しない
で、基板表面をそのままラビングしてもよい。なお、ラ
ビング角度は、本実施例に限定されない。
【0020】液晶は、通常の液晶表示素子に使用されて
いるものが好ましく使用できるが、散乱度を良好にする
ためには、液晶の複屈折率異方性△nが、0.15以上
が望ましい。また、非線形素子で駆動するためには、液
晶単体の比抵抗値が1.0×109Ω・cm〜1.0×
1010Ω・cm以上、さらに好ましくは、1×1012Ω
・cm以上が、保持率を高く保ち表示品質を良好にする
ためには望ましい。
【0021】カイラル成分は、添加しなくてもよいが、
散乱度を良好にするために添加され、通常のTN、ST
Nに使用されている材料が、そのまま好ましく使用でき
る。その添加量は、0.01〜10重量%であり、好ま
しくは0.1〜5重量%である。0.01重量%以下で
は効果が小さく、10重量%以上では駆動電圧が高くな
り、通常の非線形素子では駆動ができない。
【0022】2色性色素としては、通常のGH表示方式
に使用されているアゾ系、アントラキノン系、ナフトキ
ノン系、ペリレン系、キノフタロン系、アゾメチン系な
どが好ましく使用される。その中でも、耐光性の点から
アントラキノン系単独、あるいは必要に応じて他の色素
との混合したものが特に好ましい。これらの2色性色素
は、必要な色によって、混合され使用される。
【0023】高分子前駆体は、重合後、屈折率異方性を
示し、液晶と配向分散するものであればなんでもよい
が、液晶表示素子製造の簡便性から紫外線硬化型モノマ
ーが望ましい。紫外線硬化型モノマーとしては、単官能
メタクリレート、2官能メタクリレートあるいは多官能
メタクリレートなどが好ましく使用される。散乱度を向
上するために、これらモノマーは最低1個のベンゼン環
をその分子構造中に含むことが望ましい。これらのモノ
マーには、カイラル性の成分を含むものでも良い。ま
た、これらのモノマーは単独あるいは他のモノマーと混
合した後、紫外線を照射し重合しても良い。
【0024】本実施例では、MIM基板の対向基板側に
反射電極層と光吸収層を配置したが、MIM素子基板側
に反射電極層、光吸収層を配置しても同じ効果を有す
る。 (実施例2)以下、本実施例では、画素間に光吸収層を
施した3端子素子(ポリシリコンTFT素子)による構
成を示す。図2は、本実施例の液晶表示素子の断面図を
示した。裏側の基板211は、TFT基板とし、石英基
板上にTFT210及び信号線が形成され、絶縁層20
9を介し、反射電極208が形成されている。反射電極
はアルミニウムとマグネシウムの合金をスパッタリング
により約1000オングストローム形成され、コンタク
トホールでTFTと接続している。この基板に、有機レ
ジスト(黒色)としてカラーモザイクCK(富士ハント
社製)を、約5000オングストロームスピンコーター
にて塗布した後、パターニングにより反射電極208の
画素間に光吸収層207を形成した。つづいて、配向膜
206としてポリイミドを形成し、ラビング処理を施し
た。対向基板201上には、ITO電極202が形成さ
れており、表面には配向膜203としてポリイミドを形
成した後、ラビング処理を施した。これら2枚の基板を
空隙5μmにて、基板周囲を貼り合わせ、固定した。
尚、ラビング方向は、基板間で90°ずらした。
【0025】この基板間に、実施例1と同様の液晶及び
高分子前駆体混合物を真空封入し、実施例1と同じ方法
で紫外線を照射し、高分子を析出させ、本実施例の液晶
表示素子を得た。
【0026】こうして得られた液晶表示素子をTFT駆
動したところ、コントラストが12であった。本実施例
では、画素電極間に光吸収層を配置しない従来の液晶表
示素子(コントラスト6)に比べて、大幅に視認性が向
上した。さらに、この液晶表示素子の表面に、ノングレ
ア処理と無反射コートを施すと、風景の写り込みが減少
して視認性が極めて向上した。
【0027】本実施例の基板に使用される材料は、ソー
ダガラス、石英、無アルカリガラス、シリコン単結晶、
サファイア基板、熱硬化型高分子、熱可塑性高分子など
が好ましく使用される。高分子材料は、基板間に挟持さ
れる液晶及び高分子に悪影響を及ぼさなければ特に制限
されることはなく、PET、ポリエーテルスルホン、エ
ポキシ硬化樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアリルエーテル
等が好ましく使用される。
【0028】反射電極は、Al−Mgの混合物とした
が、Al、Cr、Mg、Ag、Au、Ptなどの金属単
体、あるいはそれらの混合物が使用できる。特に、安定
性、反射率の点からAl−Mgの混合物が好ましく、M
gの添加量は、0.1〜10重量%が望ましい。
【0029】光吸収層は、有機レジストとしたが、光吸
収能が高く、パターニング性の優れた材料が望ましい。
吸収波長は、可視光全域(黒)が望ましく、また用いる
2色性色素の吸収域と合わせても良い。
【0030】配向膜は、ポリイミド膜としたが、他にS
iO斜方蒸着膜、ポリビニルアルコール等が使用でき
る。基板間に挟持される液晶及び高分子前駆体は、紫外
線照射時に配向していれば良く、配向膜を形成しない
で、基板表面をそのままラビングしてもよい。なお、ラ
ビング角度は本実施例に限定されない。
【0031】液晶は、通常の液晶表示素子に使用されて
いるものが好ましく使用できるが、散乱度を良好にする
ためには、液晶の複屈折率異方性△nが、0.15以上
が望ましい。また、非線形素子で駆動するためには、液
晶単体の比抵抗値が1.0×109Ω・cm〜1.0×
1010Ω・cm以上、さらに好ましくは、1×1012Ω
・cm以上が、保持率を高く保ち表示品質を良好にする
ためには望ましい。
【0032】カイラル成分は、添加しなくてもよいが、
散乱度を良好にするために添加され、通常のTN、ST
Nに使用されている材料が、そのまま好ましく使用でき
る。その添加量は、0.01〜10重量%であり、好ま
しくは0.1〜5重量%である。0.01重量%以下で
は効果が小さく、10重量%以上では駆動電圧が高くな
り、通常の非線形素子では駆動ができない。
【0033】2色性色素としては、通常のGH表示方式
に使用されているアゾ系、アントラキノン系、ナフトキ
ノン系、ペリレン系、キノフタロン系、アゾメチン系な
どが好ましく使用される。その中でも、耐光性の点から
アントラキノン系単独、あるいは必要に応じて他の色素
との混合したものが特に好ましい。これらの2色性色素
は、必要な色によって、混合され使用される。
【0034】高分子前駆体は、重合後、屈折率異方性を
示し、液晶と配向分散するものであればなんでもよい
が、液晶表示素子製造の簡便性から紫外線硬化型モノマ
ーが望ましい。紫外線硬化型モノマーとしては、単官能
メタクリレート、2官能メタクリレートあるいは多官能
メタクリレートなどが好ましく使用される。散乱度を向
上するために、これらモノマーは最低1個のベンゼン環
をその分子構造中に含むことが望ましい。これらのモノ
マーには、カイラル性の成分を含むものでも良い。ま
た、これらのモノマーは単独あるいは他のモノマーと混
合した後、紫外線を照射し重合しても良い。
【0035】本実施例では、3端子の非線形素子とし
て、ポリシリコンTFT素子以外に、アモルファスシリ
コンTFT素子、Cd−SeTFT素子などが使用可能
である。
【0036】また、本実施例では、TFT素子基板上に
に反射電極層と光吸収層を配置したが、基板開口率を上
げられることから、特に本実施例の構成が望ましい。
【0037】(実施例3)以下、本実施例では、画素間
を遮光した2端子素子(MIM素子)方式における構成
を示す。図3は、本実施例の液晶表示素子の断面図を示
した。裏側のMIM対向基板311上に、遮光層310
としてクロムをスパッタリングにより、約1000オン
グストローム形成した。つづいて、絶縁層309とし
て、二酸化ケイ素をスパッタリングにより約3000オ
ングストローム形成した。この絶縁層上に、アルミニウ
ムとマグネシウムの合金をスパッタリングにより、約1
000オングストローム形成後、パターニングしストラ
イプ状の反射電極308とした。つづいて、配向膜30
7としてポリイミドを形成した後、ラビング処理を施し
た。基板301上には、MIM素子302、及びITO
画素電極303が形成され、表面には配向膜304とし
てポリイミドを形成した後、ラビング処理を施した。こ
れら2枚の基板を空隙5μmにて、基板周囲を貼り合わ
せ、固定した。尚、ラビング方向は、基板間で90°ず
らした。
【0038】この基板間に、実施例1と同様の液晶及び
高分子前駆体混合物を真空封入し、実施例1と同じ方法
で紫外線を照射し、高分子を析出させ、本実施例の液晶
表示素子を得た。
【0039】こうして得られた液晶表示素子は、MIM
駆動にてコントラストが11であった。本実施例では、
画素電極間に遮光層を配置しない従来の液晶表示素子
(コントラスト6)に比べて、大幅に視認性が向上し
た。さらに、この液晶表示素子の表面に、ノングレア処
理と無反射コートを施すと、風景の写り込みが減少して
視認性が極めて向上した。
【0040】本実施例の基板に使用される材料は、ソー
ダガラス、石英、無アルカリガラス、シリコン単結晶、
サファイア基板、熱硬化型高分子、熱可塑性高分子など
が好ましく使用される。高分子材料は、基板間に挟持さ
れる液晶及び高分子に悪影響を及ぼさなければ特に制限
されることはなく、PET、ポリエーテルスルホン、エ
ポキシ硬化樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアリルエーテル
等が好ましく使用される。
【0041】反射電極は、Al−Mgの混合物とした
が、Al、Cr、Mg、Ag、Au、Ptなどの金属単
体、あるいはそれらの混合物が使用できる。特に、安定
性、反射率の点からAl−Mgの混合物が好ましく、M
gの添加量は、0.1〜10重量%が望ましい。
【0042】光遮光層は、クロムとしたが、光を遮光す
る金属材料であれば何でも良く、特にクロムに限定され
るものでない。
【0043】配向膜は、ポリイミド膜としたが、他にS
iO斜方蒸着膜、ポリビニルアルコール等が使用でき
る。基板間に挟持される液晶及び高分子前駆体は、紫外
線照射時に配向していれば良く、配向膜を形成しない
で、基板表面をそのままラビングしてもよい。なお、ラ
ビング角度は本実施例に限定されない。
【0044】液晶は、通常の液晶表示素子に使用されて
いるものが好ましく使用できるが、散乱度を良好にする
ためには、液晶の複屈折率異方性△nが、0.15以上
が望ましい。また、非線形素子で駆動するためには、液
晶単体の比抵抗値が1.0×109Ω・cm〜1.0×
1010Ω・cm以上、さらに好ましくは、1×1012Ω
・cm以上が、保持率を高く保ち表示品質を良好にする
ためには望ましい。
【0045】カイラル成分は、添加しなくてもよいが、
散乱度を良好にするために添加され、通常のTN、ST
Nに使用されている材料が、そのまま好ましく使用でき
る。その添加量は、0.01〜10重量%であり、好ま
しくは0.1〜5重量%である。0.01重量%以下で
は効果が小さく、10重量%以上では駆動電圧が高くな
り、通常の非線形素子では駆動ができない。
【0046】2色性色素としては、通常のGHに使用さ
れているアゾ系、アントラキノン系、ナフトキノン系、
ペリレン系、キノフタロン系、アゾメチン系などが好ま
しく使用される。その中でも、耐光性の点からアントラ
キノン系単独、あるいは必要に応じて他の色素との混合
したものが特に好ましい。これらの2色性色素は、必要
な色によって、混合され使用される。
【0047】高分子前駆体は、重合後、屈折率異方性を
示し、液晶と配向分散するものであればなんでもよい
が、液晶表示素子製造の簡便性から紫外線硬化型モノマ
ーが望ましい。紫外線硬化型モノマーとしては、単官能
メタクリレート、2官能メタクリレートあるいは多官能
メタクリレートなどが好ましく使用される。散乱度を向
上するために、これらモノマーは最低1個のベンゼン環
をその分子構造中に含むことが望ましい。これらのモノ
マーには、カイラル性の成分を含むものでも良い。ま
た、これらのモノマーは単独あるいは他のモノマーと混
合した後、紫外線を照射し重合しても良い。
【0048】本実施例では、2端子の非線形素子とし
て、MIM素子以外に、ラテラル型MIM素子、バック
トゥバック型MIM素子、MSI素子、ダイオードリン
グ素子、バリスタ素子などが使用可能である。また、本
実施例では、MIM対向基板上にに遮光層と反射電極層
を配置したが、製造上の簡易性から、特に本実施例の構
成が望ましい。さらに、本発明の構成は単純マトリクス
方式においても、全く同様の効果を有する。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示素
子の構成により、偏光板を不要とする明るく、ダブルイ
メージのない反射型の液晶液晶表示素子が提供できた。
特に、従来問題となっていた表示画素間からの光漏れ
を、遮光層あるいは光吸収層を配置するという簡易な方
法により抑えることにより、コントラストを大幅に向上
した液晶表示素子を提供することができた。さらに、本
発明により二色性色素の添加量を低減できるため、耐光
性及び信頼性に優れた液晶表示素子を提供でき、また、
アクティブマトリクス駆動により、コントラストが良好
な反射型大容量ディスプレイを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明実施例1の液晶表示素子の断面図。
【図2】 本発明実施例2の液晶表示素子の断面図。
【図3】 本発明実施例3の液晶表示素子の断面図。
【符号の説明】
101 基板 102 MIM素子 103 ITO画素電極 104 配向膜 105 高分子 106 液晶 107 配向膜 108 光吸収層 109 反射電極 110 基板 111 空隙保持剤 201 基板 202 ITO電極 203 配向膜 204 高分子 205 液晶 206 配向膜 207 光吸収層 208 反射電極 209 絶縁層 210 TFT素子 211 基板 212 空隙保持材 301 基板 302 MIM素子 303 ITO画素電極 304 配向膜 305 高分子 306 液晶 307 配向膜 308 反射電極 309 絶縁層 310 遮光層 311 基板 312 空隙保持材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/139 (72)発明者 飯坂 英仁 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画素電極及び該画素電極に電気信号を伝
    える為の配線を有し、少なくとも一方が透明な2枚の基
    板間に、二色性色素を含有した液晶及び屈折率異方性を
    有した高分子が互いに配向分散し、挟持された液晶表示
    素子において、裏側基板の該画素電極は反射性の材料で
    形成され、該画素電極間は光吸収処理が施されているこ
    とを特徴とする液晶表示素子。
  2. 【請求項2】 上記液晶表示素子において、裏側基板の
    該画素電極は反射性の材料で形成され、該画素電極間は
    遮光処理が施されていることを特徴とする液晶表示素
    子。
  3. 【請求項3】 上記基板の少なくとも一方に、非線形素
    子が形成されていることを特徴とする請求項1及び2記
    載の液晶表示素子。
  4. 【請求項4】 上記非線形素子が、2端子素子であるこ
    とを特徴とする請求項1及び2記載の液晶表示素子。
  5. 【請求項5】 上記非線形素子が、3端子素子であるこ
    とを特徴とする請求項1及び2記載の液晶表示素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1997013174A1 (fr) * 1995-10-06 1997-04-10 Hitachi, Ltd. Affichage a cristaux liquides
JP2001108971A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学素子および該光学素子を用いた表示装置

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