JPH0744103Y2 - 近接スイッチ - Google Patents
近接スイッチInfo
- Publication number
- JPH0744103Y2 JPH0744103Y2 JP1986046265U JP4626586U JPH0744103Y2 JP H0744103 Y2 JPH0744103 Y2 JP H0744103Y2 JP 1986046265 U JP1986046265 U JP 1986046265U JP 4626586 U JP4626586 U JP 4626586U JP H0744103 Y2 JPH0744103 Y2 JP H0744103Y2
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- JP
- Japan
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- transistor
- capacitor
- circuit
- oscillation
- output
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は近接スイッチ、特にそのスナップ特性に関す
る。
る。
［従来の技術］ 従来のこの種の近接スイッチには第３図に示すものがあ
る。同図において、１は発振回路、C1,C2,C3はコンデン
サ、R1,R2,R3は抵抗、D1は発光ダイオード、Tr1,Tr2は
トランジスタである。
る。同図において、１は発振回路、C1,C2,C3はコンデン
サ、R1,R2,R3は抵抗、D1は発光ダイオード、Tr1,Tr2は
トランジスタである。
このような構成の近接スイッチにおいて、被検出物（図
示せず）が発振回路１に近付いて検出状態になると、発
振回路１の出力は低電位レベルとなり、被検出物が遠ざ
かると発振出力が現われ、発振信号が所定のレベルを越
えるとトランジスタTr1はオン・オフを繰り返す。この
とき、コンデンサC2は充放電を繰り返すがコンデンサC2
の容量は比較的大きなものを用いており、コンデンサC2
の充電電位がほとんど立上がらない状態で放電動作を
し、トランジスタTr1のコレクタはほぼアース電位とな
っている。このため、トランジスタTr2はオフとなり、
端子2,3間からその出力が取出される。
示せず）が発振回路１に近付いて検出状態になると、発
振回路１の出力は低電位レベルとなり、被検出物が遠ざ
かると発振出力が現われ、発振信号が所定のレベルを越
えるとトランジスタTr1はオン・オフを繰り返す。この
とき、コンデンサC2は充放電を繰り返すがコンデンサC2
の容量は比較的大きなものを用いており、コンデンサC2
の充電電位がほとんど立上がらない状態で放電動作を
し、トランジスタTr1のコレクタはほぼアース電位とな
っている。このため、トランジスタTr2はオフとなり、
端子2,3間からその出力が取出される。
［考案が解決しようとする問題点］ 上記のような第３図に示す従来の近接スイッチでは、そ
の出力の立ち上り、立ち下り特性は発振回路１自体のス
ナップ特性に依存しており、従って、近接スイッチとし
て動作させるために必要なスナップ特性を得るための発
振回路の設計が非常にむずかしく、且つ発振回路の実装
上、そのスナップ特性（立上り、立ち下り）は数＋μse
cが限度であった。
の出力の立ち上り、立ち下り特性は発振回路１自体のス
ナップ特性に依存しており、従って、近接スイッチとし
て動作させるために必要なスナップ特性を得るための発
振回路の設計が非常にむずかしく、且つ発振回路の実装
上、そのスナップ特性（立上り、立ち下り）は数＋μse
cが限度であった。
また、第４図に示す検波回路ａとシュミット回路ｂを別
々に構成したものでは、シュミット回路の作用でスナッ
プ特性は向上するが、そのぶん部品点数が増加し、小型
で安価な近接スイッチを得るための回路構成としては不
向きであった。
々に構成したものでは、シュミット回路の作用でスナッ
プ特性は向上するが、そのぶん部品点数が増加し、小型
で安価な近接スイッチを得るための回路構成としては不
向きであった。
本考案は、このような問題点を解決するためになされた
ものであり、発振回路のスナップ特性をさほど考慮しな
くとも、また部品点数を増加させることもなく、出力の
立ち上り及び立ち下り特性を向上させた安価な近接スイ
ッチを得ることを目的とするものである。
ものであり、発振回路のスナップ特性をさほど考慮しな
くとも、また部品点数を増加させることもなく、出力の
立ち上り及び立ち下り特性を向上させた安価な近接スイ
ッチを得ることを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本考案に係るスイッチは、被検出物が近接すると発振を
停止し、被検出物が遠ざかると発振して出力端子から発
振信号を出力する発振回路と、抵抗と第１のコンデンサ
が直列接続され、抵抗の第１のコンデンサとの接続点と
は反対側の端子が電源の正極側に接続され、第１のコン
デンサの前記抵抗との接続点とは反対側の端子が発振回
路の出力端子に接続されたハイパスフィルタと、pnp型
のトランジスタからなり、ハイパスフィルタの抵抗と第
１のコンデンサとの接続点にベースが接続され、発振信
号が第１のコンデンサを介してベースに入力される第１
のトランジスタ、及びpnp型のトランジスタからなり、
第１のトランジスタのエミッタにエミッタが接続され、
第１のトランジスタのコレクタにベースが接続された第
２のトランジスタを備えたシュミット回路と、第１のト
ランジスタのエミッタ・コレクタ間に並列接続された第
２のコンデンサと、第２のトランジスタのスイッチング
出力により駆動される出力回路とを有する。
停止し、被検出物が遠ざかると発振して出力端子から発
振信号を出力する発振回路と、抵抗と第１のコンデンサ
が直列接続され、抵抗の第１のコンデンサとの接続点と
は反対側の端子が電源の正極側に接続され、第１のコン
デンサの前記抵抗との接続点とは反対側の端子が発振回
路の出力端子に接続されたハイパスフィルタと、pnp型
のトランジスタからなり、ハイパスフィルタの抵抗と第
１のコンデンサとの接続点にベースが接続され、発振信
号が第１のコンデンサを介してベースに入力される第１
のトランジスタ、及びpnp型のトランジスタからなり、
第１のトランジスタのエミッタにエミッタが接続され、
第１のトランジスタのコレクタにベースが接続された第
２のトランジスタを備えたシュミット回路と、第１のト
ランジスタのエミッタ・コレクタ間に並列接続された第
２のコンデンサと、第２のトランジスタのスイッチング
出力により駆動される出力回路とを有する。
［作用］ 本考案においては、第１のトランジスタと第２のトラン
ジスタとによって構成されたシュミット回路内の、第１
のトランジスタのコレクタとエミッタ間にコンデンサを
並列接続することにより、シュミット回路に検波作用を
持たせるように構成したので、簡単な回路構成で出力の
立ち上り及び立ち下り特性が良好となる。
ジスタとによって構成されたシュミット回路内の、第１
のトランジスタのコレクタとエミッタ間にコンデンサを
並列接続することにより、シュミット回路に検波作用を
持たせるように構成したので、簡単な回路構成で出力の
立ち上り及び立ち下り特性が良好となる。
［実施例］ 第１図は本考案の一実施例に係る近接スイッチの回路図
であり、第２図はその動作を示すタイムチャートであ
る。図に於いて、１は発振回路であり、被検出物体が近
づいたときに発振を停止する方式のものである。コンデ
ンサC11と抵抗R11とによってハイパスフィルタ回路が構
成されている。また、pnp型のトランジスタTr11,Tr12及
び抵抗R12〜R14によりシュミット回路が構成され、更
に、コンデンサC12をトランジスタTr11のコレクタ、エ
ミッタ間に並列に接続して、検波作用を兼ねたスイッチ
ング回路が構成されている。トランジスタTr13は、出力
回路を構成するトランジスタであり、その入力（ベー
ス）側とトランジスタTr12の出力との間は、発光ダイオ
ードD11を介して接続されている。ここでR15はブリーダ
抵抗である。
であり、第２図はその動作を示すタイムチャートであ
る。図に於いて、１は発振回路であり、被検出物体が近
づいたときに発振を停止する方式のものである。コンデ
ンサC11と抵抗R11とによってハイパスフィルタ回路が構
成されている。また、pnp型のトランジスタTr11,Tr12及
び抵抗R12〜R14によりシュミット回路が構成され、更
に、コンデンサC12をトランジスタTr11のコレクタ、エ
ミッタ間に並列に接続して、検波作用を兼ねたスイッチ
ング回路が構成されている。トランジスタTr13は、出力
回路を構成するトランジスタであり、その入力（ベー
ス）側とトランジスタTr12の出力との間は、発光ダイオ
ードD11を介して接続されている。ここでR15はブリーダ
抵抗である。
上記のように構成された近接スイッチにおいて、被検出
物が発振回路１に近づいた検出状態においては、発振回
路１は発振を停止しており、その出力は０（アース電
位）である。この状態においては、ハイパスフィルタの
出力、即ちベース電位Ａは高電位になっており、トラン
ジスタTr11はオフ状態となっている。このため、トラン
ジスタTr12のベース電位Ｂは低電位となり、トランジス
タTr12はオン状態となっており、コンデンサC12はトラ
ンジスタTr12のベース・エミッタ間に相当する電位に充
電されている。そして、トランジスタTr12のオンにより
発光ダイオードD11が駆動されて発光し、更に、発光ダ
イオードD11を介してトランジスタTr13のベースに駆動
電圧が印加されて、トランジスタTr13はオンとなり、出
力端子2,3間に短絡出力が得られる。
物が発振回路１に近づいた検出状態においては、発振回
路１は発振を停止しており、その出力は０（アース電
位）である。この状態においては、ハイパスフィルタの
出力、即ちベース電位Ａは高電位になっており、トラン
ジスタTr11はオフ状態となっている。このため、トラン
ジスタTr12のベース電位Ｂは低電位となり、トランジス
タTr12はオン状態となっており、コンデンサC12はトラ
ンジスタTr12のベース・エミッタ間に相当する電位に充
電されている。そして、トランジスタTr12のオンにより
発光ダイオードD11が駆動されて発光し、更に、発光ダ
イオードD11を介してトランジスタTr13のベースに駆動
電圧が印加されて、トランジスタTr13はオンとなり、出
力端子2,3間に短絡出力が得られる。
次に、この状態から発振回路が非検出状態になったとき
には、発振回路１の出力には発振信号が現れ、コンデン
サC11を介してトランジスタTr11のベースに印加され、
その電位Ａは第２図（Ａ）に図示のように脈動する。こ
の発振信号が所定のレベルより下がると、トランジスタ
Tr11はオン状態となり、これによりトランジスタTr11の
コレクタ・エミッタ間はほぼ短絡状態となってトランジ
スタTr12はオフ状態となる。この場合トランジスタTr11
のベースに印加される信号はサインカーブを描いてい
る。そのためトランジスタTr11はそのサインカーブの周
期に基づきオン，オフを繰り返す。
には、発振回路１の出力には発振信号が現れ、コンデン
サC11を介してトランジスタTr11のベースに印加され、
その電位Ａは第２図（Ａ）に図示のように脈動する。こ
の発振信号が所定のレベルより下がると、トランジスタ
Tr11はオン状態となり、これによりトランジスタTr11の
コレクタ・エミッタ間はほぼ短絡状態となってトランジ
スタTr12はオフ状態となる。この場合トランジスタTr11
のベースに印加される信号はサインカーブを描いてい
る。そのためトランジスタTr11はそのサインカーブの周
期に基づきオン，オフを繰り返す。
しかし、このシュミット回路を構成するトランジスタTr
11のコレクタ・エミット間にはコンデンサC12があるの
で、トランジスタTr11がオフになっても、トランジスタ
Tr12に加わるベース電位ＢはトランジスタTr12をオンさ
せる電位まで下降しない。即ちトランジスタTr11のベー
スに印加される電圧がそのしきい値以下の電圧になった
時に、トランジスタTr11はオンし、従ってコンデンサC1
2の充電電荷はトランジスタTr11のコレクタ→エミッタ
の経路で放電する。更に、サインカーブがしきい値を越
えたときには、トランジスタTr11はオフし、この時コン
デンサC12には抵抗R12→コンデンサC12→抵抗R13の経路
で充電される。この時、コンデンサC12に加わる電圧が
トランジスタTr12のベース・エミッタ電圧以上になれ
ば、トランジスタTr12をオンさせることができるが、こ
のコンデンサC12がトランジスタTr12のベース・エミッ
タ電圧に達する前に、トランジスタTr11がその動作を反
転するので、コンデンサC12の電荷は、トランジスタTr1
1のコレクタ・エミッタの経路で放電される。従って、
トランジスタTr12のベース電位ＢはトランジスタTr12を
オンさせるまでには下降せず（第２図（Ｂ）参照）、そ
して、この状態が繰り返されるため、トランジスタTr11
のベースに発振信号が印加されても、トランジスタTr12
はオフとなる。そして、トランジスタTr12のオフにより
発光ダイオードD11は駆動されず、トランジスタTr13も
オフとなり、出力端子2,3間からは解放出力が得られ、
非検出状態であることが把握される。
11のコレクタ・エミット間にはコンデンサC12があるの
で、トランジスタTr11がオフになっても、トランジスタ
Tr12に加わるベース電位ＢはトランジスタTr12をオンさ
せる電位まで下降しない。即ちトランジスタTr11のベー
スに印加される電圧がそのしきい値以下の電圧になった
時に、トランジスタTr11はオンし、従ってコンデンサC1
2の充電電荷はトランジスタTr11のコレクタ→エミッタ
の経路で放電する。更に、サインカーブがしきい値を越
えたときには、トランジスタTr11はオフし、この時コン
デンサC12には抵抗R12→コンデンサC12→抵抗R13の経路
で充電される。この時、コンデンサC12に加わる電圧が
トランジスタTr12のベース・エミッタ電圧以上になれ
ば、トランジスタTr12をオンさせることができるが、こ
のコンデンサC12がトランジスタTr12のベース・エミッ
タ電圧に達する前に、トランジスタTr11がその動作を反
転するので、コンデンサC12の電荷は、トランジスタTr1
1のコレクタ・エミッタの経路で放電される。従って、
トランジスタTr12のベース電位ＢはトランジスタTr12を
オンさせるまでには下降せず（第２図（Ｂ）参照）、そ
して、この状態が繰り返されるため、トランジスタTr11
のベースに発振信号が印加されても、トランジスタTr12
はオフとなる。そして、トランジスタTr12のオフにより
発光ダイオードD11は駆動されず、トランジスタTr13も
オフとなり、出力端子2,3間からは解放出力が得られ、
非検出状態であることが把握される。
そして、このトランジスタTr11,Tr12を含んだシュミッ
ト回路には、抵抗R12による帰還がかけられているの
で、トランジスタTr11に加わる信号の立上り及び立下り
が良くなくとも出力信号のスナップ特性は大幅に改善さ
れている。なお、この場合コンデンサC12の充電時定数
は発振回路の発振周波数よりも充分大きな値としておく
ものとする。
ト回路には、抵抗R12による帰還がかけられているの
で、トランジスタTr11に加わる信号の立上り及び立下り
が良くなくとも出力信号のスナップ特性は大幅に改善さ
れている。なお、この場合コンデンサC12の充電時定数
は発振回路の発振周波数よりも充分大きな値としておく
ものとする。
また、再び非検出状態から検出状態へ移る際には、上述
のように、発振回路１の発振が停止すると、トランジス
タTr11がオフとなり、トランジスタTr12がオンとなり、
出力端子2,3から短絡出力が得られる。
のように、発振回路１の発振が停止すると、トランジス
タTr11がオフとなり、トランジスタTr12がオンとなり、
出力端子2,3から短絡出力が得られる。
［考案の効果］ 本考案は以上説明したとおり、トランジスタTr11、Tr12
及びコンデンサC12によりシュミット回路に検波作用を
持たせる回路構成としたので、簡単な構成で出力の立ち
上り及び立ち下り特性が著しく向上するとともに、回路
構成も簡単で安価な近接スイッチが得られる。
及びコンデンサC12によりシュミット回路に検波作用を
持たせる回路構成としたので、簡単な構成で出力の立ち
上り及び立ち下り特性が著しく向上するとともに、回路
構成も簡単で安価な近接スイッチが得られる。
第１図は本考案の一実施例に係る近接スイッチの回路
図、第２図はその動作を示すタイムチャート、第３図及
び第４図はそれぞれ従来の近接スイッチの回路図であ
る。 １……発振回路 R11,C11……ハイパスフィルタ Tr11……第１のトランジスタ Tr12……第２のトランジスタ C12……コンデンサ
図、第２図はその動作を示すタイムチャート、第３図及
び第４図はそれぞれ従来の近接スイッチの回路図であ
る。 １……発振回路 R11,C11……ハイパスフィルタ Tr11……第１のトランジスタ Tr12……第２のトランジスタ C12……コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−90426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−18763（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−46030（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭51−40930（ＪＰ，Ｂ２) 実公 昭41−4747（ＪＰ，Ｙ１) 実公 昭56−41316（ＪＰ，Ｙ２)
Claims (1)
- 【請求項１】被検出物が近接すると発振を停止し、被検
出物が遠ざかると発振して出力端子から発振信号を出力
する発振回路と、 抵抗と第１のコンデンサが直列接続され、該抵抗の第１
のコンデンサとの接続点とは反対側の端子が電源の正極
側に接続され、前記第１のコンデンサの前記抵抗との接
続点とは反対側の端子が前記発振回路の出力端子に接続
されたハイパスフィルタと、 pnp型のトランジスタからなり、前記ハイパスフィルタ
の抵抗と前記第１のコンデンサとの接続点にベースが接
続され、前記発振信号が前記第１のコンデンサを介して
ベースに入力される第１のトランジスタ、及びpnp型の
トランジスタからなり、前記第１のトランジスタのエミ
ッタにエミッタが接続され、前記第１のトランジスタの
コレクタにベースが接続された第２のトランジスタを備
えたシュミット回路と、 前記第１のトランジスタのエミッタ・コレクタ間に並列
接続された第２のコンデンサと、 前記第２のトランジスタのスイッチング出力により駆動
される出力回路とを有することを特徴とする近接スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986046265U JPH0744103Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 近接スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986046265U JPH0744103Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 近接スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159025U JPS62159025U (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0744103Y2 true JPH0744103Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=30865769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986046265U Expired - Lifetime JPH0744103Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 近接スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744103Y2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140930A (ja) * | 1974-10-02 | 1976-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Shikisogenzoyaku |
| JPS5641316U (ja) * | 1979-09-04 | 1981-04-16 | ||
| JPS5946030U (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-27 | 和泉電気株式会社 | シユミツト回路 |
| JPS6090426A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-21 | Riide Denki Kk | 高周波発振型近接スイツチ |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP1986046265U patent/JPH0744103Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62159025U (ja) | 1987-10-08 |
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