JPH0744208B2 - 半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法 - Google Patents
半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法Info
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- JPH0744208B2 JPH0744208B2 JP30327893A JP30327893A JPH0744208B2 JP H0744208 B2 JPH0744208 B2 JP H0744208B2 JP 30327893 A JP30327893 A JP 30327893A JP 30327893 A JP30327893 A JP 30327893A JP H0744208 B2 JPH0744208 B2 JP H0744208B2
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Description
【０００１】
【０００２】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの特殊
パターン位置認識方法。
パターン位置認識方法。
【０００３】
【従来の技術】半導体ウエハの製造工程における半導体
ウエハチップ（以下チップという）を測定する装置とし
て、チップの良品・不良品の判定を行い、不良チップに
不良マークを付するウエハプローバがある。
ウエハチップ（以下チップという）を測定する装置とし
て、チップの良品・不良品の判定を行い、不良チップに
不良マークを付するウエハプローバがある。
【０００４】このウエハプローバでは、半導体ウエハ
（以下ウエハという）の表面に多数のチップが配設され
ており、さらに該チップの内部に電極パッドが配設され
ている。この電極パッドに該ウエハプローバに取付けた
プローブカード触針を接触させ、良品・不良品の判断装
置であるテスタと導通し、このテスタによりチップの良
品であるか、不良品であるかを判定して、インカ（また
はマーカ）と称する装置で不良チップには不良マークが
付される。
（以下ウエハという）の表面に多数のチップが配設され
ており、さらに該チップの内部に電極パッドが配設され
ている。この電極パッドに該ウエハプローバに取付けた
プローブカード触針を接触させ、良品・不良品の判断装
置であるテスタと導通し、このテスタによりチップの良
品であるか、不良品であるかを判定して、インカ（また
はマーカ）と称する装置で不良チップには不良マークが
付される。
【０００５】このウエハプローバについてさらに詳しく
述べると、ウエハ表面に多数配設されたチップ内の電極
パッドに、プローブカード触針が所望の位置になるよう
に位置合わせを行う。そしてそのプローブカード触針
が、該電極パッドに所望の位置で接触したかどうかを観
察する。そのため、ウエハプローバには顕微鏡が設けら
れ、位置合わせが正しいかどうかを確認したのち、最初
のウエハのすべてのチップを順次測定する。
述べると、ウエハ表面に多数配設されたチップ内の電極
パッドに、プローブカード触針が所望の位置になるよう
に位置合わせを行う。そしてそのプローブカード触針
が、該電極パッドに所望の位置で接触したかどうかを観
察する。そのため、ウエハプローバには顕微鏡が設けら
れ、位置合わせが正しいかどうかを確認したのち、最初
のウエハのすべてのチップを順次測定する。
【０００６】続いて２枚目以降のウエハが搬送され、ウ
エハプローバの載置台にこのウエハを吸着して測定位置
にこの載置台を移動し、そこで測定する。その際のプロ
ーブカード触針、電極パッド位置の関係は、最初のウエ
ハの位置合わせによってすでに決定されているので測定
作業が自動的に始められる。次に座標を読み取り、テス
タ側にこれを出力してインカ（またはマーカ）により、
不良チップと判断したチップに不良マークを付する。
エハプローバの載置台にこのウエハを吸着して測定位置
にこの載置台を移動し、そこで測定する。その際のプロ
ーブカード触針、電極パッド位置の関係は、最初のウエ
ハの位置合わせによってすでに決定されているので測定
作業が自動的に始められる。次に座標を読み取り、テス
タ側にこれを出力してインカ（またはマーカ）により、
不良チップと判断したチップに不良マークを付する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の第１の欠点
として、ウエハ製造の前工程においてはウエハ表面にマ
スクを被覆するときに、当初から「ずれ」が生じる。す
なわち、各ウエハごとにマスクを覆うので、ウエハの位
置とマスクの位置は各ウエハごとに異なり、製造誤差等
の位置ずれが生じるのである。これを図で説明すると、
第４図（ａ）、（ｂ）に示すようにこの「ずれ」（△
ｘ、△ｙ）でチップの座標自体が「ずれ」ているため２
枚目以降の各チップのテストデータが変わり、全ウエハ
について各チップの座標に対するテストデータが比較で
きない。
として、ウエハ製造の前工程においてはウエハ表面にマ
スクを被覆するときに、当初から「ずれ」が生じる。す
なわち、各ウエハごとにマスクを覆うので、ウエハの位
置とマスクの位置は各ウエハごとに異なり、製造誤差等
の位置ずれが生じるのである。これを図で説明すると、
第４図（ａ）、（ｂ）に示すようにこの「ずれ」（△
ｘ、△ｙ）でチップの座標自体が「ずれ」ているため２
枚目以降の各チップのテストデータが変わり、全ウエハ
について各チップの座標に対するテストデータが比較で
きない。
【０００８】本発明の目的は上記問題点に鑑みなされた
もので、製造誤差をも補償した正確な半導体ウエハの特
殊パターン位置認識を行なうことができる半導体ウエハ
の特殊パターン位置認識方法を提供することにある。
もので、製造誤差をも補償した正確な半導体ウエハの特
殊パターン位置認識を行なうことができる半導体ウエハ
の特殊パターン位置認識方法を提供することにある。
【０００９】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体ウエハの
中心を求める工程と、上記中心から予め定められた特殊
パターンまでの座標が記憶されたメモリから、上記半導
体ウエハの特殊パターン位置を読み出す工程と、上記特
殊パターンおよびこのパターン周辺の正規チップパター
ンを光学的に検出する工程と、この工程により得られた
データにより正確に上記特殊パターンの位置を認識する
工程とを具備したことを特徴とする半導体ウエハのチッ
プ位置認識方法にある。
中心を求める工程と、上記中心から予め定められた特殊
パターンまでの座標が記憶されたメモリから、上記半導
体ウエハの特殊パターン位置を読み出す工程と、上記特
殊パターンおよびこのパターン周辺の正規チップパター
ンを光学的に検出する工程と、この工程により得られた
データにより正確に上記特殊パターンの位置を認識する
工程とを具備したことを特徴とする半導体ウエハのチッ
プ位置認識方法にある。
【００１１】
【作用効果】各ウエハ毎に製造誤差が発生し、各ウエハ
毎にチップ配列位置に位置ずれが生ずる場合においても
各ウエハ毎に自動的に各ウエハに設けられている特殊パ
ターンの位置を認識することができる。
毎にチップ配列位置に位置ずれが生ずる場合においても
各ウエハ毎に自動的に各ウエハに設けられている特殊パ
ターンの位置を認識することができる。
【００１２】
【実施例】以下図面に基づいて、この発明方法を半導体
ウエハチップの測定方法に適用した一実施例を説明す
る。
ウエハチップの測定方法に適用した一実施例を説明す
る。
【００１３】第１図（ａ）、（ｂ）において、ウエハ１
４を真空圧で吸着する載置台１５を設けたＸ−Ｙステー
ジ１６は、Ｘ軸、Ｙ軸の駆動モータ１８を有するＸ−Ｙ
ステージ駆動装置６により、２次元的に移動可能であ
る。
４を真空圧で吸着する載置台１５を設けたＸ−Ｙステー
ジ１６は、Ｘ軸、Ｙ軸の駆動モータ１８を有するＸ−Ｙ
ステージ駆動装置６により、２次元的に移動可能であ
る。
【００１４】レーザ光の照射装置７は、レーザ光源１７
から出射されたレーザ光を、レーザ光セレクタ１１′を
通って反射板１３によって折り曲げ、Ｘ−Ｙステージ１
６上のウエハ１４表面に照射する。
から出射されたレーザ光を、レーザ光セレクタ１１′を
通って反射板１３によって折り曲げ、Ｘ−Ｙステージ１
６上のウエハ１４表面に照射する。
【００１５】上記において、Ｘ−Ｙステージ１６上のウ
エハ１４表面に照射したレーザ光は、Ｘ−Ｙステージ１
６の移動に伴い特殊チップとパターンチップの両方のチ
ップに照射する。表面から反射して生ずる散乱光は受光
装置８を構成するレンズ系１２を通って集光され、光電
素子１１に達する。
エハ１４表面に照射したレーザ光は、Ｘ−Ｙステージ１
６の移動に伴い特殊チップとパターンチップの両方のチ
ップに照射する。表面から反射して生ずる散乱光は受光
装置８を構成するレンズ系１２を通って集光され、光電
素子１１に達する。
【００１６】光電素子１１によって捕獲された光電信号
は増幅器１０で所定量に増幅され、Ａ／Ｄ変換９に印加
される。このＡ／Ｄ変換９から出力されたデジタル信号
Ｄ1、Ｄ2 は、ウエハ１４に照射した散乱光の強さまた
は光量に比例したものとする。
は増幅器１０で所定量に増幅され、Ａ／Ｄ変換９に印加
される。このＡ／Ｄ変換９から出力されたデジタル信号
Ｄ1、Ｄ2 は、ウエハ１４に照射した散乱光の強さまた
は光量に比例したものとする。
【００１７】デジタル信号Ｄ1 、Ｄ2 は、レーザ光セレ
クタ１１′によりセレクトされ、各スリット光またはス
ポット光をウエハ１４表面に照射した後、その反射光を
光電素子１１に集光して各ウエハ１４上のパターンに対
応した信号に変換したものである。
クタ１１′によりセレクトされ、各スリット光またはス
ポット光をウエハ１４表面に照射した後、その反射光を
光電素子１１に集光して各ウエハ１４上のパターンに対
応した信号に変換したものである。
【００１８】デジタル信号Ｄ1 は、Ｘ−Ｙステージ１６
に対しウエハ１４の周方向θに左右に回転させ、自動補
正するためのデジタル信号である。またデジタル信号Ｄ
2 は、ウエハ表面に配設された特殊チップのパターンを
検出するためのデジタル信号である。
に対しウエハ１４の周方向θに左右に回転させ、自動補
正するためのデジタル信号である。またデジタル信号Ｄ
2 は、ウエハ表面に配設された特殊チップのパターンを
検出するためのデジタル信号である。
【００１９】上記デジタル信号Ｄ1 、Ｄ2 に基づいてＣ
ＰＵ１により演算を行なうとともに、その結果に応じて
Ｘ−Ｙステージ駆動装置６でウエハ１４を所定の位置ま
で移動させる。またデジタル信号Ｄ2 は、先ず基準デー
タ３を記憶装置に記録し、次にウエハ１４表面に配設さ
れている特殊チップの周辺のパターンチップをサーチし
たパターンデータ４を記憶装置に記録するようプログラ
ムされている。
ＰＵ１により演算を行なうとともに、その結果に応じて
Ｘ−Ｙステージ駆動装置６でウエハ１４を所定の位置ま
で移動させる。またデジタル信号Ｄ2 は、先ず基準デー
タ３を記憶装置に記録し、次にウエハ１４表面に配設さ
れている特殊チップの周辺のパターンチップをサーチし
たパターンデータ４を記憶装置に記録するようプログラ
ムされている。
【００２０】上記の基準データ３とは、通常チップのパ
ターンデータであり、記憶装置に記録されている。なお
パターンデータ４は、特殊チップ周辺のパターンデータ
である。
ターンデータであり、記憶装置に記録されている。なお
パターンデータ４は、特殊チップ周辺のパターンデータ
である。
【００２１】ウエハの中心点位置の検出手段について述
べる。第２図（ａ）に示すように、静電容量形ハイトセ
ンサ２０を上部に位置させ、ウエハ１４が吸着された載
置台１５を矢印方向に移動させる。ウエハ載置面からウ
エハ面に移動した時の境界点２１、２３、ウエハ面から
ウエハ載置面に移動した時の境界点２２、２４と、それ
ぞれの弦の長さＬx 、Ｌy とをＣＰＵ１に入力し、該Ｃ
ＰＵ１で各弦の長さの中点の交点０をウエハの中心点位
置２５として検出し、記憶装置に記録する。
べる。第２図（ａ）に示すように、静電容量形ハイトセ
ンサ２０を上部に位置させ、ウエハ１４が吸着された載
置台１５を矢印方向に移動させる。ウエハ載置面からウ
エハ面に移動した時の境界点２１、２３、ウエハ面から
ウエハ載置面に移動した時の境界点２２、２４と、それ
ぞれの弦の長さＬx 、Ｌy とをＣＰＵ１に入力し、該Ｃ
ＰＵ１で各弦の長さの中点の交点０をウエハの中心点位
置２５として検出し、記憶装置に記録する。
【００２２】次に作用について、第５図および第６図で
説明する。
説明する。
【００２３】一般的にウエハ１４表面にパターンチップ
を形成する場合に大きく分けると２種類の方法がある。
を形成する場合に大きく分けると２種類の方法がある。
【００２４】その第１は、ウエハ全面に１度に焼き付け
る方法で、その製造方法はウエハ表面にマスク版をパタ
ーンチップを焼き付ける方法である。得られたウエハの
特徴は第５図に示すように、ウエハ１４全面に亘ってパ
ターンチップが形成されているがそのチップの中に１個
または複数個のマスクアライナーターゲットとして使用
したチップが存在している。このようなアライナーター
ゲットチップを含んだウエハを、アライナーターゲット
チップウエハという。
る方法で、その製造方法はウエハ表面にマスク版をパタ
ーンチップを焼き付ける方法である。得られたウエハの
特徴は第５図に示すように、ウエハ１４全面に亘ってパ
ターンチップが形成されているがそのチップの中に１個
または複数個のマスクアライナーターゲットとして使用
したチップが存在している。このようなアライナーター
ゲットチップを含んだウエハを、アライナーターゲット
チップウエハという。
【００２５】第二のものは、ウエハのパターン寸法が益
々微細になり、ウエハ全面に１度に焼き付けをしない
で、１個または複数個のパターンを繰り返し焼き付ける
方法である。このウエハの特徴は第６図に示すように、
円形のウエハ１４にパターンチップ２８を繰り返し焼き
付けているが、チップ面積の不足するところは焼き付け
を行なわないため、ウエハ地２７として残る。このよう
にウエハ地２７が存在しているウエハをステッパ方式の
ウエハという。
々微細になり、ウエハ全面に１度に焼き付けをしない
で、１個または複数個のパターンを繰り返し焼き付ける
方法である。このウエハの特徴は第６図に示すように、
円形のウエハ１４にパターンチップ２８を繰り返し焼き
付けているが、チップ面積の不足するところは焼き付け
を行なわないため、ウエハ地２７として残る。このよう
にウエハ地２７が存在しているウエハをステッパ方式の
ウエハという。
【００２６】前者のウエハにおいて、アライナーターゲ
ットを特殊チップとする場合について第３図および第５
図で説明する。先ずウエハテスト工程のウエハプローバ
においては、ウエハ収納箱をセットする場所１０４に配
設し、ウエハ収納箱からウエハ１４を搬送装置で載置台
１５まで搬送し、ウエハ１４を載置台１５に吸着した位
置１００からＸ−Ｙステージの駆動によって、アライメ
ント位置１０１まで載置台１５を移動させる。次にウエ
ハ１４の中心点２５を検出して記憶装置に記録する。こ
の場合Ｘ−Ｙステージ１６は、予め設定された移動量デ
ータ２に応じて移動し、そこでウエハ１４表面の所定位
置にレーザ光を照射される。その後再びＸ−Ｙステージ
の駆動によって載置台１５を移動させ、ウエハ１４をウ
エハ収納箱へ収納する。
ットを特殊チップとする場合について第３図および第５
図で説明する。先ずウエハテスト工程のウエハプローバ
においては、ウエハ収納箱をセットする場所１０４に配
設し、ウエハ収納箱からウエハ１４を搬送装置で載置台
１５まで搬送し、ウエハ１４を載置台１５に吸着した位
置１００からＸ−Ｙステージの駆動によって、アライメ
ント位置１０１まで載置台１５を移動させる。次にウエ
ハ１４の中心点２５を検出して記憶装置に記録する。こ
の場合Ｘ−Ｙステージ１６は、予め設定された移動量デ
ータ２に応じて移動し、そこでウエハ１４表面の所定位
置にレーザ光を照射される。その後再びＸ−Ｙステージ
の駆動によって載置台１５を移動させ、ウエハ１４をウ
エハ収納箱へ収納する。
【００２７】アライメント位置におけるウエハ上の基点
位置をサーチする動作については、例えば第２図で示す
ように、すでにウエハ１４の中心点位置２５を検出して
記録しているため、該中心点より左側に３ピッチ移動し
た位置に特殊チップが配設されていることも、予め設定
されている。したがって第５図に示すように、特殊チッ
プ２６と、周辺にあるパターンチップを「Ｌ・Ｍ・
Ｎ」、「Ｉ・Ｊ・Ｋ」、「Ｆ・Ｇ・Ｈ」の順にレーザ光
を照射する。
位置をサーチする動作については、例えば第２図で示す
ように、すでにウエハ１４の中心点位置２５を検出して
記録しているため、該中心点より左側に３ピッチ移動し
た位置に特殊チップが配設されていることも、予め設定
されている。したがって第５図に示すように、特殊チッ
プ２６と、周辺にあるパターンチップを「Ｌ・Ｍ・
Ｎ」、「Ｉ・Ｊ・Ｋ」、「Ｆ・Ｇ・Ｈ」の順にレーザ光
を照射する。
【００２８】レーザ光を照射するウエハ１４上の各位置
の位置決めは、予めチップ寸法が決まっているから簡単
に行なうことができる。すなわち、ウエハ１４の中心点
位置２５からの１チップの長さを１ピッチとした時、
「Ｌ・Ｍ・Ｎ」の列にレーザ光を照射するためには、２
ピッチ分載置台１５を移動することにより照射が可能と
なる。次に、「Ｉ・Ｊ・Ｋ」の列にレーザ光を照射させ
るためには、中心点位置２５より３ピッチ分載置台１５
を移動させる。同様に「Ｆ・Ｇ・Ｈ」の列は、中心点位
置２５より４ピッチ分載置台１５を移動させることによ
り、レーザ光を照射することが可能となる。
の位置決めは、予めチップ寸法が決まっているから簡単
に行なうことができる。すなわち、ウエハ１４の中心点
位置２５からの１チップの長さを１ピッチとした時、
「Ｌ・Ｍ・Ｎ」の列にレーザ光を照射するためには、２
ピッチ分載置台１５を移動することにより照射が可能と
なる。次に、「Ｉ・Ｊ・Ｋ」の列にレーザ光を照射させ
るためには、中心点位置２５より３ピッチ分載置台１５
を移動させる。同様に「Ｆ・Ｇ・Ｈ」の列は、中心点位
置２５より４ピッチ分載置台１５を移動させることによ
り、レーザ光を照射することが可能となる。
【００２９】上記のレーザ光照射により生ずる散乱光等
は、受光装置の光電素子により各チップのパターンを検
出するスポットに自動検出されて、得たデジタル信号Ｄ
2 はＣＰＵ１に読み込まれて記憶装置に記録される。こ
のとき、通常のチップが形成された領域のところで平均
的に大きな値をとらず、特殊チップ２６が鏡面の場合で
は極大値となる光電信号を生ずる。
は、受光装置の光電素子により各チップのパターンを検
出するスポットに自動検出されて、得たデジタル信号Ｄ
2 はＣＰＵ１に読み込まれて記憶装置に記録される。こ
のとき、通常のチップが形成された領域のところで平均
的に大きな値をとらず、特殊チップ２６が鏡面の場合で
は極大値となる光電信号を生ずる。
【００３０】このようにレーザ光は、特殊チップ２６と
その周辺チップの「Ｌ・Ｍ・Ｎ」、「Ｉ・Ｊ・Ｋ」、
「Ｆ・Ｇ・Ｈ」の順に１ピッチ毎に移動し、レーザ光を
照射する。該照射により、特殊チップ２６は予め記憶さ
れている基準データと比較して認識される。したがって
特殊チップ２６の位置をウエハマップの相対的な原点と
することができる。
その周辺チップの「Ｌ・Ｍ・Ｎ」、「Ｉ・Ｊ・Ｋ」、
「Ｆ・Ｇ・Ｈ」の順に１ピッチ毎に移動し、レーザ光を
照射する。該照射により、特殊チップ２６は予め記憶さ
れている基準データと比較して認識される。したがって
特殊チップ２６の位置をウエハマップの相対的な原点と
することができる。
【００３１】後者のウエハ１４においては、第６図に示
すようにステッパで焼き付けた場合のウエハ周辺部の鏡
面部を特殊エリア部２７として、この特殊エリア部２７
を前記した特殊チップと見たてることができる。したが
ってこの特殊エリア部２７をメモリマップ上の相対的な
原点とすることができる。
すようにステッパで焼き付けた場合のウエハ周辺部の鏡
面部を特殊エリア部２７として、この特殊エリア部２７
を前記した特殊チップと見たてることができる。したが
ってこの特殊エリア部２７をメモリマップ上の相対的な
原点とすることができる。
【００３２】前記した特殊チップ２６の考え方を該特殊
エリア部２７に導入して説明すると、上述のようにウエ
ハ１４の中心を検出し、記憶装置に記録した後に、Ｘ−
Ｙステージを予め決めた設定移動量だけ移動し、特殊エ
リア部２７の周辺にレーザ光を照射する。いわゆる、ウ
エハ中心点位置２５よりＸ軸方向に左側４ピッチ、Ｙ軸
方向に下側３ピッチ分移動した位置に特殊エリア部２７
が存在するものと予想して、「ｆ・ｇ・ｈ・ｉ」の順で
レーザ光を照射する。
エリア部２７に導入して説明すると、上述のようにウエ
ハ１４の中心を検出し、記憶装置に記録した後に、Ｘ−
Ｙステージを予め決めた設定移動量だけ移動し、特殊エ
リア部２７の周辺にレーザ光を照射する。いわゆる、ウ
エハ中心点位置２５よりＸ軸方向に左側４ピッチ、Ｙ軸
方向に下側３ピッチ分移動した位置に特殊エリア部２７
が存在するものと予想して、「ｆ・ｇ・ｈ・ｉ」の順で
レーザ光を照射する。
【００３３】「ｆ・ｈ・ｉ」は、通常パターンチップで
あり、「ｇ」が特殊エリアパターンであることを上述し
た方法で認識した後、「ｇ」の特殊エリアパターンを特
殊チップとして認識する。
あり、「ｇ」が特殊エリアパターンであることを上述し
た方法で認識した後、「ｇ」の特殊エリアパターンを特
殊チップとして認識する。
【００３４】次に前記と同様に、特殊チップは予め記憶
装置に記録されている基準データと比較され、認識され
るが、さらにこの場合には「ｆ・ｇ・ｈ・ｉ」のパター
ン配分が決められた通りであることを認識しなければな
らない。すなわち、ウエハの前記特殊チップを基点とし
て全ウエハの基点を同一原点とした上、全ウエハの各チ
ップ座標を位置合わせする。
装置に記録されている基準データと比較され、認識され
るが、さらにこの場合には「ｆ・ｇ・ｈ・ｉ」のパター
ン配分が決められた通りであることを認識しなければな
らない。すなわち、ウエハの前記特殊チップを基点とし
て全ウエハの基点を同一原点とした上、全ウエハの各チ
ップ座標を位置合わせする。
【００３５】以上説明した位置合わせ手段は次の実施例
にも適用できる。
にも適用できる。
【００３６】一般のウエハテスト工程においては、各チ
ップの測定結果に基づいて該チップが不良であればイン
カ（マーカ）により不良マークを付している。従来はこ
の時にインクが飛び散り、他の不良でない良品チップが
不良チップになる。
ップの測定結果に基づいて該チップが不良であればイン
カ（マーカ）により不良マークを付している。従来はこ
の時にインクが飛び散り、他の不良でない良品チップが
不良チップになる。
【００３７】しかしながら、上記した実施例により、ウ
エハ１４上に明確な特殊パターン（基点）を設け、この
基点位置をメモリマップの原点とし、この原点を自動的
に認識することにより、インカーによるマークを付さな
くても、各チップの測定結果に対応する座標のもとにマ
ップデータとして記録する。すると、マーキングしなく
ても、ウエハ測定後に該ウエハのマップデータを次の工
程（ダイボンディング工程）で読み出し、特殊パターン
を認識し、このパターンを原点として半導体ウエハチッ
プの位置合わせをすることにより、次工程において不良
チップと良品チップを自動的に選別するのに使用するこ
とができる。いわゆるウエハテスト工程においては、基
点座標を含むマップデータを出力することにより、イン
カ（マーカ）を測定用ウエハプローバには設置する必要
がなく、インクによるウエハへの害がなくなる。
エハ１４上に明確な特殊パターン（基点）を設け、この
基点位置をメモリマップの原点とし、この原点を自動的
に認識することにより、インカーによるマークを付さな
くても、各チップの測定結果に対応する座標のもとにマ
ップデータとして記録する。すると、マーキングしなく
ても、ウエハ測定後に該ウエハのマップデータを次の工
程（ダイボンディング工程）で読み出し、特殊パターン
を認識し、このパターンを原点として半導体ウエハチッ
プの位置合わせをすることにより、次工程において不良
チップと良品チップを自動的に選別するのに使用するこ
とができる。いわゆるウエハテスト工程においては、基
点座標を含むマップデータを出力することにより、イン
カ（マーカ）を測定用ウエハプローバには設置する必要
がなく、インクによるウエハへの害がなくなる。
【００３８】
【発明の効果】半導体ウエハへの半導体チップの製造に
おいては、各ウエハ毎に製造誤差が発生する。このよう
に各ウエハ毎にチップ配列位置が位置ずれする場合にお
いても、各ウエハごとに自動的に各ウエハに設けられて
いる特殊パターンの位置を認識することができる。
おいては、各ウエハ毎に製造誤差が発生する。このよう
に各ウエハ毎にチップ配列位置が位置ずれする場合にお
いても、各ウエハごとに自動的に各ウエハに設けられて
いる特殊パターンの位置を認識することができる。
【００３９】さらに、ウエハに形成されている特殊パタ
ーンの認識により半導体ウエハチップの座標位置を位置
合わせできる。
ーンの認識により半導体ウエハチップの座標位置を位置
合わせできる。
【００４０】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、この発明方法の一実施例を
示すブロック図
示すブロック図
【図２】（ａ）、（ｂ）は、第１図ウエハの中心点位置
を検出する工程を示す断面図および平面図
を検出する工程を示す断面図および平面図
【図３】図１ウエハ１４の軌跡を示す平面図
【図４】マスクによる製造時の「ずれ」を示すウエハの
平面図
平面図
【図５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１ウエハに設けら
れた特殊チップの検出工程を示す平面図
れた特殊チップの検出工程を示す平面図
【図６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１ウエハに設けら
れた特殊チップの検出工程を示す平面図
れた特殊チップの検出工程を示す平面図
１１ 光電素子 １１′ レーザ光セレクタ １２ レンズ系 １３ 反射板 １４ ウエハ １５ 載置台 １６ Ｘ−Ｙステージ １７ レーザ光源 １８ 駆動モータ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハの中心を求める工程と、上記
中心から予め定められた特殊パターンまでの座標が記憶
されたメモリから、上記半導体ウエハの特殊パターン位
置を読み出す工程と、上記特殊パターンおよびこのパタ
ーン周辺の正規チップパターンを光学的に検出する工程
と、この工程により得られたデータにより上記特殊パタ
ーンの位置を認識する工程とを具備したことを特徴とす
る半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30327893A JPH0744208B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30327893A JPH0744208B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103203A Division JPH0658933B2 (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204308A JPH06204308A (ja) | 1994-07-22 |
| JPH0744208B2 true JPH0744208B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=17919044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30327893A Expired - Fee Related JPH0744208B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744208B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100944470B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2010-03-03 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 웨이퍼의 시작 칩 서치방법 |
| KR102418581B1 (ko) | 2015-10-21 | 2022-07-08 | 삼성전자주식회사 | 패턴 생성 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 발생기 |
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-
1993
- 1993-11-10 JP JP30327893A patent/JPH0744208B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06204308A (ja) | 1994-07-22 |
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