JPH0744312B2 - 埋め込み型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
埋め込み型半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0744312B2 JPH0744312B2 JP62336031A JP33603187A JPH0744312B2 JP H0744312 B2 JPH0744312 B2 JP H0744312B2 JP 62336031 A JP62336031 A JP 62336031A JP 33603187 A JP33603187 A JP 33603187A JP H0744312 B2 JPH0744312 B2 JP H0744312B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高効率で発振し高速で変調可能な光通信用半導
体レーザの製造方法に関する。
体レーザの製造方法に関する。
（従来の技術およびその問題点） 半導体レーザは光ファイバ通信の光源として実用化が始
っている。光ファイバ通信の光源として用いられる半導
体レーザは、高効率で発振し、かつ高速変調が可能なこ
とが必要である。更に、実用化の進展に伴い、高い歩留
りで多数の半導体レーザが生産できる再現性の高い製造
方法が強く要望されている。ところが、従来の半導体レ
ーザは上記の３つの条件を同時に満足することが出来な
かった。以下に従来製作されてきた典型的な半導体レー
ザ、及びこれらのレーザ特性を改善しようとして最近製
作された最も上記要請に近い半導体レーザについて説明
し、上記３つの要請が同時に満足出来なかった理由を説
明する。
っている。光ファイバ通信の光源として用いられる半導
体レーザは、高効率で発振し、かつ高速変調が可能なこ
とが必要である。更に、実用化の進展に伴い、高い歩留
りで多数の半導体レーザが生産できる再現性の高い製造
方法が強く要望されている。ところが、従来の半導体レ
ーザは上記の３つの条件を同時に満足することが出来な
かった。以下に従来製作されてきた典型的な半導体レー
ザ、及びこれらのレーザ特性を改善しようとして最近製
作された最も上記要請に近い半導体レーザについて説明
し、上記３つの要請が同時に満足出来なかった理由を説
明する。
従来製作されてきた典型的な半導体レーザは二重溝平面
埋め込み型半導体レーザ（Double Channel Planar Buri
ed Heterostructure Laser Diode:略してDC−PB HLD）
であり、ジャーナル・オブ・ライトウェーブ・テクノロ
ジー,LT−１巻、1983年３月号、195頁〜202頁に記述さ
れている。この半導体レーザは、ストライプ状の活性領
域に電流を選択的に流すようにするため、活性領域以外
のところはｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合を形成し電流をｎ−ｐ逆
接合により阻止している。この構造に代表される、ｎ−
ｐ逆接合による電流阻止構造は非常に良い電流阻止効果
を発揮するので、50％を越える高い効率で発振する。ま
た、製造工程も再現性の高い工程の組み合わせになって
いるので、高い歩留りで製作することができる。しか
し、効率低下の原因となる漏れ電流がブロック層内に形
成されたｎ−ｐ−ｎトランジスタの動作によって高出力
時に増加する問題があった。また、ｎ−ｐ逆接合が10pF
以上の静電容量を有するために、4Gb/sを越える高速で
変調することが難しかった。
埋め込み型半導体レーザ（Double Channel Planar Buri
ed Heterostructure Laser Diode:略してDC−PB HLD）
であり、ジャーナル・オブ・ライトウェーブ・テクノロ
ジー,LT−１巻、1983年３月号、195頁〜202頁に記述さ
れている。この半導体レーザは、ストライプ状の活性領
域に電流を選択的に流すようにするため、活性領域以外
のところはｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合を形成し電流をｎ−ｐ逆
接合により阻止している。この構造に代表される、ｎ−
ｐ逆接合による電流阻止構造は非常に良い電流阻止効果
を発揮するので、50％を越える高い効率で発振する。ま
た、製造工程も再現性の高い工程の組み合わせになって
いるので、高い歩留りで製作することができる。しか
し、効率低下の原因となる漏れ電流がブロック層内に形
成されたｎ−ｐ−ｎトランジスタの動作によって高出力
時に増加する問題があった。また、ｎ−ｐ逆接合が10pF
以上の静電容量を有するために、4Gb/sを越える高速で
変調することが難しかった。
次に、上記半導体レーザの欠点を克服しようとして考案
された二つの半導体レーザについて説明する。第１の半
導体レーザは応用物理学会予稿集（第46回応用物理学会
学術講演会予稿集、2p−Ｎ−11,206頁,1985年秋季）に
記載されている。この半導体レーザは高速変調が可能と
なるように、活性層両脇の平坦なブロック層に基板に達
するまでの溝を形成することによりダイオードの静電容
量の低減を図ってある。その結果、小信号変調時では5G
Hzという比較的高い周波数で変調可能であった。しか
し、この半導体レーザでも、寄生容量の低減は充分でな
く10GHzを越える変調が難しかった。それはこの半導体
レーザではｎ−ｐ逆接合による電流ブロック層が活性層
両脇に残っており、これにより残留容量が発生するため
である。
された二つの半導体レーザについて説明する。第１の半
導体レーザは応用物理学会予稿集（第46回応用物理学会
学術講演会予稿集、2p−Ｎ−11,206頁,1985年秋季）に
記載されている。この半導体レーザは高速変調が可能と
なるように、活性層両脇の平坦なブロック層に基板に達
するまでの溝を形成することによりダイオードの静電容
量の低減を図ってある。その結果、小信号変調時では5G
Hzという比較的高い周波数で変調可能であった。しか
し、この半導体レーザでも、寄生容量の低減は充分でな
く10GHzを越える変調が難しかった。それはこの半導体
レーザではｎ−ｐ逆接合による電流ブロック層が活性層
両脇に残っており、これにより残留容量が発生するため
である。
また、第２の半導体レーザはエレクトロニクス・レター
ズ（Electronics Letters）,22巻、23号、1214頁〜1215
頁、1986年に記載されており、気相埋め込みで形成した
半導体レーザである。この半導体レーザは高速変調が可
能となるようにダイオードの静電容量の低減を図り、小
信号変調時では15GHzという高い周波数で変調可能であ
った。また、高い効率で発振するよう効率低下の原因と
なる漏洩電流を低減し、電流を活性層部のみに通電する
構造となっている。しかし、この半導体レーザは生産性
に大きな問題がある。それは、この半導体レーザの構造
に起因している。半導体レーザを単一横モードで発振さ
せるためには、活性層幅を１〜２μｍ程度の幅にしなけ
ればならない。この半導体レーザはメサの方向が［01
1］方向を向いており、下に向かって狭くなる逆台形状
となっている。形成される溝は、エッチング速度が分か
っているエッチング液を用いて、エッチング時間を正確
に制御することにより製作される。ところが、このエッ
チング液のエッチング速度は、液の温度や濃度に大きく
依存するため、制御性、再現性に問題があった。このた
め、エッチング時に活性領域を含む堤が折れたり、ある
いは溝が浅かったりしてエッチングが活性層まで到達し
ないような事例が多数発生した。従って、大量生産する
には不向きな半導体レーザ構造であった。
ズ（Electronics Letters）,22巻、23号、1214頁〜1215
頁、1986年に記載されており、気相埋め込みで形成した
半導体レーザである。この半導体レーザは高速変調が可
能となるようにダイオードの静電容量の低減を図り、小
信号変調時では15GHzという高い周波数で変調可能であ
った。また、高い効率で発振するよう効率低下の原因と
なる漏洩電流を低減し、電流を活性層部のみに通電する
構造となっている。しかし、この半導体レーザは生産性
に大きな問題がある。それは、この半導体レーザの構造
に起因している。半導体レーザを単一横モードで発振さ
せるためには、活性層幅を１〜２μｍ程度の幅にしなけ
ればならない。この半導体レーザはメサの方向が［01
1］方向を向いており、下に向かって狭くなる逆台形状
となっている。形成される溝は、エッチング速度が分か
っているエッチング液を用いて、エッチング時間を正確
に制御することにより製作される。ところが、このエッ
チング液のエッチング速度は、液の温度や濃度に大きく
依存するため、制御性、再現性に問題があった。このた
め、エッチング時に活性領域を含む堤が折れたり、ある
いは溝が浅かったりしてエッチングが活性層まで到達し
ないような事例が多数発生した。従って、大量生産する
には不向きな半導体レーザ構造であった。
以上のように、従来の半導体レーザでは、高い効率で発
振し、高速変調が可能であり、かつ高い歩留りで再現性
よく製造できるという３つの条件を同時に満足すること
が出来なかった。本発明の目的は、高い効率で発振し、
高速変調が可能であり、かつ生産性の高い構造を有する
半導体レーザの製造方法を提供することにある。
振し、高速変調が可能であり、かつ高い歩留りで再現性
よく製造できるという３つの条件を同時に満足すること
が出来なかった。本発明の目的は、高い効率で発振し、
高速変調が可能であり、かつ生産性の高い構造を有する
半導体レーザの製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、表面が（100）面の半導体基板上に活
性領域をこの活性領域の屈折率より低い屈折率を有し、
活性領域の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有するクラッ
ド層で挾んだダブルヘテロ構造を有し、前記活性領域が
２つの溝に挟まれた堤の中に位置し、前記溝の内部が半
絶縁性半導体よりなる電流ブロック層となっており、光
の導波方向が（011）方向と平行な埋込み型半導体レー
ザを製造する方法において、前記溝の側面が（111）Ａ
面となり、かつ溝の底面が活性領域に達しないようエッ
チングする第１の工程と、前記溝の側面を（111）Ａ面
に保ちながら前記活性領域の上面までエッチングする第
２の工程と、前記溝の底面が活性領域の下のクラッド層
の上面と同一面となるようエッチングする第３の工程
と、前記活性領域下部の溝側面が一結晶面でかつ順メサ
面となり、かつ溝の底面が下のクラッド層中に達するよ
うエッチングする第４の工程を少なくとも有することを
特徴とする埋め込み型半導体レーザの製造方法が得られ
る。
性領域をこの活性領域の屈折率より低い屈折率を有し、
活性領域の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有するクラッ
ド層で挾んだダブルヘテロ構造を有し、前記活性領域が
２つの溝に挟まれた堤の中に位置し、前記溝の内部が半
絶縁性半導体よりなる電流ブロック層となっており、光
の導波方向が（011）方向と平行な埋込み型半導体レー
ザを製造する方法において、前記溝の側面が（111）Ａ
面となり、かつ溝の底面が活性領域に達しないようエッ
チングする第１の工程と、前記溝の側面を（111）Ａ面
に保ちながら前記活性領域の上面までエッチングする第
２の工程と、前記溝の底面が活性領域の下のクラッド層
の上面と同一面となるようエッチングする第３の工程
と、前記活性領域下部の溝側面が一結晶面でかつ順メサ
面となり、かつ溝の底面が下のクラッド層中に達するよ
うエッチングする第４の工程を少なくとも有することを
特徴とする埋め込み型半導体レーザの製造方法が得られ
る。
（作用） 本発明の方法を用いて製造される半導体レーザでは活性
領域の両脇の漏れ電流は半絶縁性半導体よりなる電流ブ
ロック層により阻止される。したがって、この部分での
漏れ電流は従来に比べて著しく低減することが可能であ
り高い効率での発振が可能となる。さらに、電流ブロッ
ク層にｎ−ｐ逆接合がなく、DC−PBH LDのようにこの
部分で発生していた寄生容量を充分小さくできる。した
がって、高速の変調が可能となる。一方、本発明の半導
体レーザでは、活性領域を含む堤は活性領域上部では逆
台形、活性領域下部では正台形形状であるため、活性領
域を含む堤が折れることはない。さらに、半導体レーザ
の活性層幅はウェハのどの部分でも一定となるので、量
産に適した構造となっている。
領域の両脇の漏れ電流は半絶縁性半導体よりなる電流ブ
ロック層により阻止される。したがって、この部分での
漏れ電流は従来に比べて著しく低減することが可能であ
り高い効率での発振が可能となる。さらに、電流ブロッ
ク層にｎ−ｐ逆接合がなく、DC−PBH LDのようにこの
部分で発生していた寄生容量を充分小さくできる。した
がって、高速の変調が可能となる。一方、本発明の半導
体レーザでは、活性領域を含む堤は活性領域上部では逆
台形、活性領域下部では正台形形状であるため、活性領
域を含む堤が折れることはない。さらに、半導体レーザ
の活性層幅はウェハのどの部分でも一定となるので、量
産に適した構造となっている。
本発明による半導体レーザの製造方法では、活性領域の
幅を１〜２μｍに制御するために活性領域を含む堤の活
性領域上部を逆台形状にするようエッチングを行なう。
第１の工程により活性領域の上のクラッド層の両脇の溝
側面が（111）Ａ面となるようエッチングを行なう。第
２の工程では溝の底面が活性領域の上面と同一面にな
り、かつ活性領域上のクラッド層の両脇の溝の側面全体
が（111）Ａ面となるようエッチングを行なう。ここ
で、以上のエッチング工程を２工程としたのは次の理由
による。即ち、活性領域の上のクラッド層はエッチング
するが活性領域はエッチングせず、かつ溝側面を（11
1）Ａとするようなエッチング液は未だ見つかっていな
いことによる。つまり、活性層がInGaAsPで上下のクラ
ッド層がInPであるようなダブルヘテロ構造の結晶をエ
ッチングする場合がこのような例である。
幅を１〜２μｍに制御するために活性領域を含む堤の活
性領域上部を逆台形状にするようエッチングを行なう。
第１の工程により活性領域の上のクラッド層の両脇の溝
側面が（111）Ａ面となるようエッチングを行なう。第
２の工程では溝の底面が活性領域の上面と同一面にな
り、かつ活性領域上のクラッド層の両脇の溝の側面全体
が（111）Ａ面となるようエッチングを行なう。ここ
で、以上のエッチング工程を２工程としたのは次の理由
による。即ち、活性領域の上のクラッド層はエッチング
するが活性領域はエッチングせず、かつ溝側面を（11
1）Ａとするようなエッチング液は未だ見つかっていな
いことによる。つまり、活性層がInGaAsPで上下のクラ
ッド層がInPであるようなダブルヘテロ構造の結晶をエ
ッチングする場合がこのような例である。
InPはエッチングするがInGaAsPはエッチングしないよう
なエッチング液には臭化水素酸溶液（HBr）や塩化水素
溶液（HCl）などがある。しかし、これらの液、または
これらを含む混合液を用いて［011］方向のストライプ
状の溝を形成した時には溝側面の全部あるいは一部が
（111）Ｂ面となる。即ち、活性領域を含む堤を逆台形
状にすることは困難である。
なエッチング液には臭化水素酸溶液（HBr）や塩化水素
溶液（HCl）などがある。しかし、これらの液、または
これらを含む混合液を用いて［011］方向のストライプ
状の溝を形成した時には溝側面の全部あるいは一部が
（111）Ｂ面となる。即ち、活性領域を含む堤を逆台形
状にすることは困難である。
本発明の製造方法では、第１の工程で活性領域の上のク
ラッド層の両脇の溝側面の一部を予め（111）Ａ面とし
ておく。続く第２の工程でエッチング液にHBrを用いる
と、予め形成してある（111）Ａ面が引き金となってエ
ッチングが進行するため、溝の側面全体を（111）Ａ面
とすることが容易にできる。ここで、仮に第１の工程で
形成した溝の深さがウェハ面内でばらついても、第２の
工程ではエッチングが溝の底面が活性領域の上面で停止
するため溝の深さはウェハ全体で均一となる。続く第３
の工程では、溝の底面が活性層の下のクラッド層の上面
になるように、活性層のみをエッチングするエッチング
液を用いれば良い。最後に、第４の工程でエッチング液
にHBr等を用いれば活性領域下部の堤は正台形形状とな
り、溝の底面が下のクラッド層の中に達する。以上の工
程はどれも再現性が良く量産性に優れている。
ラッド層の両脇の溝側面の一部を予め（111）Ａ面とし
ておく。続く第２の工程でエッチング液にHBrを用いる
と、予め形成してある（111）Ａ面が引き金となってエ
ッチングが進行するため、溝の側面全体を（111）Ａ面
とすることが容易にできる。ここで、仮に第１の工程で
形成した溝の深さがウェハ面内でばらついても、第２の
工程ではエッチングが溝の底面が活性領域の上面で停止
するため溝の深さはウェハ全体で均一となる。続く第３
の工程では、溝の底面が活性層の下のクラッド層の上面
になるように、活性層のみをエッチングするエッチング
液を用いれば良い。最後に、第４の工程でエッチング液
にHBr等を用いれば活性領域下部の堤は正台形形状とな
り、溝の底面が下のクラッド層の中に達する。以上の工
程はどれも再現性が良く量産性に優れている。
（実施例） 図面を用いて本発明について詳細に説明する。第１図は
本発明の方法を用いて製造される半導体レーザの一実施
例を示す図である。活性領域15は、禁制帯幅0.95eVのIn
GaAsPである。この活性領域15は、ｎ型InP基板17上で上
下からｎ型InPクラッド層16とｐ型InPクラッド層14によ
り、また左右からFeドープInPの半絶縁性半導体の電流
ブロック層19によって囲まれている。つまり、この半導
体レーザは屈折率導波型となっている。ｐ型InPクラッ
ド層14の上には、ｐ型電極11と電気的に良好なコンタク
トが得られる様にｐ型InGaAsPキャップ層13が設けられ
ている。更に、注入した電流が電流ブロック層19で挾ま
れた活性領域15に選択的に流れるように、活性領域15を
含む堤の上面以外の領域にSiO2層12が設けられている。
ｎ型電極18はｎ型InP基板17の全面に形成されている。
本発明の方法を用いて製造される半導体レーザの一実施
例を示す図である。活性領域15は、禁制帯幅0.95eVのIn
GaAsPである。この活性領域15は、ｎ型InP基板17上で上
下からｎ型InPクラッド層16とｐ型InPクラッド層14によ
り、また左右からFeドープInPの半絶縁性半導体の電流
ブロック層19によって囲まれている。つまり、この半導
体レーザは屈折率導波型となっている。ｐ型InPクラッ
ド層14の上には、ｐ型電極11と電気的に良好なコンタク
トが得られる様にｐ型InGaAsPキャップ層13が設けられ
ている。更に、注入した電流が電流ブロック層19で挾ま
れた活性領域15に選択的に流れるように、活性領域15を
含む堤の上面以外の領域にSiO2層12が設けられている。
ｎ型電極18はｎ型InP基板17の全面に形成されている。
次に第１図に示した半導体レーザの製造方法の一実施例
について説明する。第２図は製造工程の各段階における
断面図を示す。
について説明する。第２図は製造工程の各段階における
断面図を示す。
本実施例ではｎ型InP基板26上にｎ型InPクラッド層25
（厚さ３μｍ、ｎ＝１×1018cm-3、ノンドープInGaAsP
活性領域24（厚さ0.1μｍ、禁制帯幅0.95eV）、ｐ型InP
クラッド層23（厚さ2.3μm,p＝１×1018cm-3）、ｐ型In
GaAsPキャップ層22（厚さ0.2μｍ、ｐ＝１×1019cm-3、
禁制帯幅1.1eV）が積層されたダブルヘテロ構造の半導
体結晶を用いた、先ず、この半導体結晶にSiO2層を形成
した後、通常のフォトリソグラフィー法により［011］
方向にストライプ状の窓27を形成した（第２図
（ａ））。この時、窓の幅を10μｍ、堤が形成される上
面のSiO2層の幅を５μｍとした。
（厚さ３μｍ、ｎ＝１×1018cm-3、ノンドープInGaAsP
活性領域24（厚さ0.1μｍ、禁制帯幅0.95eV）、ｐ型InP
クラッド層23（厚さ2.3μm,p＝１×1018cm-3）、ｐ型In
GaAsPキャップ層22（厚さ0.2μｍ、ｐ＝１×1019cm-3、
禁制帯幅1.1eV）が積層されたダブルヘテロ構造の半導
体結晶を用いた、先ず、この半導体結晶にSiO2層を形成
した後、通常のフォトリソグラフィー法により［011］
方向にストライプ状の窓27を形成した（第２図
（ａ））。この時、窓の幅を10μｍ、堤が形成される上
面のSiO2層の幅を５μｍとした。
次に第１の工程として、臭素を0.1％含むメタノール溶
液をエッチング液として用い、半導体結晶を30秒エッチ
ングした。この時、半導体結晶は第２図（ｂ）に示すよ
うな構造となった。溝の深さは約１μｍであり、溝の底
面は活性領域には達しておらず、溝側面には（111）Ａ
面が現れるような逆台形の堤が形成された。
液をエッチング液として用い、半導体結晶を30秒エッチ
ングした。この時、半導体結晶は第２図（ｂ）に示すよ
うな構造となった。溝の深さは約１μｍであり、溝の底
面は活性領域には達しておらず、溝側面には（111）Ａ
面が現れるような逆台形の堤が形成された。
続いて、第２の工程としてエッチング液にHBr水溶液を
用いて半導体結晶をエッチングした。この時、半導体結
晶は第２図（ｃ）に示すような構造となった。溝28の底
面は活性領域24の上面となり、かつｐ型InPクラッド層2
3の溝側面は引続き（111）Ａ面となった。
用いて半導体結晶をエッチングした。この時、半導体結
晶は第２図（ｃ）に示すような構造となった。溝28の底
面は活性領域24の上面となり、かつｐ型InPクラッド層2
3の溝側面は引続き（111）Ａ面となった。
続いて、第３の工程として硫酸３、過酸化水素１、水１
の混合溶液（25℃）をエッチング液に用いて、半導体結
晶をエッチングした。この時、半導体結晶は第２図
（ｄ）に示すような構造となった。エッチングはｎ型In
Pクラッド層25の上面で停止した。
の混合溶液（25℃）をエッチング液に用いて、半導体結
晶をエッチングした。この時、半導体結晶は第２図
（ｄ）に示すような構造となった。エッチングはｎ型In
Pクラッド層25の上面で停止した。
続いて、第４の工程としてHBr水溶液を用いて半導体を
エッチングした。この時、半導体結晶は第２図（ｅ）に
示すような構造となった。溝28の底面は0.5μｍほどｎ
型InPクラッド層25の中に達し、活性領域24下の溝側面
は（111）Ｂ面が現れた。溝底面は（100）面であった。
エッチングした。この時、半導体結晶は第２図（ｅ）に
示すような構造となった。溝28の底面は0.5μｍほどｎ
型InPクラッド層25の中に達し、活性領域24下の溝側面
は（111）Ｂ面が現れた。溝底面は（100）面であった。
この半導体結晶を気相成長装置に設置し（本実施例では
ハライド輸送法気相成長装置を用いた）、溝28をFeドー
プInP層によって選択的に埋め込んだ。続いて、通常用
いられている半導体レーザプロセスにより第１図に示し
たような半導体レーザを製作した。
ハライド輸送法気相成長装置を用いた）、溝28をFeドー
プInP層によって選択的に埋め込んだ。続いて、通常用
いられている半導体レーザプロセスにより第１図に示し
たような半導体レーザを製作した。
製作された半導体レーザの特性は発振闘値電流が14mA、
外部微分量子効率が60％であり、更に発振闘値電流の1.
5倍でバイアスした時の小信号変調特性で7GHz以上の変
調帯域が実現されているのが確認できた。一方、ウェハ
より得られた半導体レーザを無作為に選び、それらの半
導体レーザ特性を調べた結果、特性のばらつきは極めて
小さいものであり、高い歩留りでレーザが得られること
が分かった。
外部微分量子効率が60％であり、更に発振闘値電流の1.
5倍でバイアスした時の小信号変調特性で7GHz以上の変
調帯域が実現されているのが確認できた。一方、ウェハ
より得られた半導体レーザを無作為に選び、それらの半
導体レーザ特性を調べた結果、特性のばらつきは極めて
小さいものであり、高い歩留りでレーザが得られること
が分かった。
上記実施例では、活性領域15のInGaAsPの禁制帯幅が0.9
5eV（発振波長1.3μｍ）であったが、この組成に限定さ
れないのは明らかである。
5eV（発振波長1.3μｍ）であったが、この組成に限定さ
れないのは明らかである。
上記実施例では、活性領域の上側の層のｐ型、下側の層
をｎ型としたが、本発明では、上側の層をｎ型、下側の
層をｐ型とした構造でも良い。
をｎ型としたが、本発明では、上側の層をｎ型、下側の
層をｐ型とした構造でも良い。
上側実施例では活性領域下の溝側面は（111）Ｂ面であ
ったが、これに限定されず（21）面、（12）面や
（01）面でも良い。またレーザに用いる結晶材料には
InGaAsPに限らずAlGaAs、AlGaAsP、GaAs等々数多くの発
光性結晶の材料に適用できる。
ったが、これに限定されず（21）面、（12）面や
（01）面でも良い。またレーザに用いる結晶材料には
InGaAsPに限らずAlGaAs、AlGaAsP、GaAs等々数多くの発
光性結晶の材料に適用できる。
（発明の効果） 本発明の方法で製造される半導体レーザは高い効率で発
振し、高速変調が可能であり、かつ生産性の高い構造で
ある。また、本発明の製造方法では、上記半導体レーザ
が再現性良く高歩留りで製作できる。
振し、高速変調が可能であり、かつ生産性の高い構造で
ある。また、本発明の製造方法では、上記半導体レーザ
が再現性良く高歩留りで製作できる。
第１図は、本発明の方法を用いて製造される半導体レー
ザの一実施例の断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明
の埋め込み型半導体レーザの製造工程図である。 11……ｐ型電極、12,21……SiO2層、13および22……ｐ
型InGaAsPキャップ層、14および23……ｐ型InPクラッド
層、15および24……活性領域、16および25……ｎ型InP
クラッド層、17および26……ｎ型InP基板、18……ｎ型
電極、19……電流ブロック層、27……窓、28……溝
ザの一実施例の断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明
の埋め込み型半導体レーザの製造工程図である。 11……ｐ型電極、12,21……SiO2層、13および22……ｐ
型InGaAsPキャップ層、14および23……ｐ型InPクラッド
層、15および24……活性領域、16および25……ｎ型InP
クラッド層、17および26……ｎ型InP基板、18……ｎ型
電極、19……電流ブロック層、27……窓、28……溝
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板の（100）面上に、活性領域を
この活性領域より低い屈折率と、大きな禁制帯幅を有す
るクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を有し、前
記活性領域が２つの溝に挟まれた堤の中に位置し、前記
溝の内部が半絶縁性半導体よりなる電流ブロック層とな
っており、光の導波方向が（011）方向と平行な埋込み
型半導体レーザを製造する方法において、前記溝の側面
が（111）Ａ面となり、かつ溝の底面が活性領域に達し
ないようエッチングする第１の工程と、前記溝の側面を
（111）Ａ面に保ちながら前記活性領域の上面までエッ
チングする第２の工程と、前記溝の底面が活性領域の下
のクラッド層の上面と同一面となるようエッチングする
第３の工程と、前記活性領域下部の溝側面が一結晶面で
かつ順メサ面となり、かつ溝の底面が下のクラッド層中
に達するようエッチングする第４の工程を少なくとも有
することを特徴とする埋め込み型半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項２】前記活性領域下部の溝側面の一結晶面は、
（111）Ｂ面、（21）面、（12）面、（01）面の
いずれか一つであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の埋め込み型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336031A JPH0744312B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 埋め込み型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336031A JPH0744312B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 埋め込み型半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175792A JPH01175792A (ja) | 1989-07-12 |
| JPH0744312B2 true JPH0744312B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=18294986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336031A Expired - Lifetime JPH0744312B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 埋め込み型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744312B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274489A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE69511810T2 (de) | 1994-09-28 | 2000-05-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo | Optische Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276285A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS62183590A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nec Corp | 埋込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62336031A patent/JPH0744312B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01175792A (ja) | 1989-07-12 |
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