JPS61276285A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS61276285A JPS61276285A JP60117022A JP11702285A JPS61276285A JP S61276285 A JPS61276285 A JP S61276285A JP 60117022 A JP60117022 A JP 60117022A JP 11702285 A JP11702285 A JP 11702285A JP S61276285 A JPS61276285 A JP S61276285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semi
- operating region
- insulating
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
発光領域の幅を画定する電流阻止層を半絶縁性半導体層
よりなる埋込み層により構成することによって該発光領
域を含む動作領域からその周辺部に漏れる電流を防止す
る構造において、上部電極と上部クラッド層との間に介
在し、電流を発光領域のみに選択的に流し込むための電
流集中層を、半絶縁性半導体層によって形成することに
よって該発光領域で発生した熱の放散効率を高め、且つ
該発光領域に及ぼされる機械的応力を減少し、該半導体
発光装置の発光特性及び信頼性の向上を図る。
よりなる埋込み層により構成することによって該発光領
域を含む動作領域からその周辺部に漏れる電流を防止す
る構造において、上部電極と上部クラッド層との間に介
在し、電流を発光領域のみに選択的に流し込むための電
流集中層を、半絶縁性半導体層によって形成することに
よって該発光領域で発生した熱の放散効率を高め、且つ
該発光領域に及ぼされる機械的応力を減少し、該半導体
発光装置の発光特性及び信頼性の向上を図る。
本発明は半導体発光装置の構造に係り、特に発光特性及
び信頼性を向上せしめた半導体レーザの構造に関する。
び信頼性を向上せしめた半導体レーザの構造に関する。
光を情報信号の媒体とする光通信その他のシステムにお
いて、光信号を発生する光源として半導体発光装置が極
めて重要な役割を果たしている。
いて、光信号を発生する光源として半導体発光装置が極
めて重要な役割を果たしている。
従って、これらのシステムの高度化と多様化を進めるた
めに、半導体発光装置特にレーザについて、漏れ電流を
防止してその闇値電流を低減し、且つ外部微分効率の向
上を図ることは重要な課題である。
めに、半導体発光装置特にレーザについて、漏れ電流を
防止してその闇値電流を低減し、且つ外部微分効率の向
上を図ることは重要な課題である。
そして更に、特に半導体レーザにおいて連続発光時にそ
の発熱による温度上昇のために、闇値電流の上昇、発光
効率の減少等の特性の劣化や、内部応力による素子破壊
等その信頼性を低下させる障害も発生するので、これら
の障害を防止して信頼性を高める構造も要望されている
。
の発熱による温度上昇のために、闇値電流の上昇、発光
効率の減少等の特性の劣化や、内部応力による素子破壊
等その信頼性を低下させる障害も発生するので、これら
の障害を防止して信頼性を高める構造も要望されている
。
光通信の石英系ファイバによる伝送に適する波長１．１
〜１．７μｍ程度の帯域の半導体レーザとして、インジ
ウム・燐／インジウム・ガリウム・砒素・燐（ＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ）系化合物を用いた第４図に要部の側
断面図を示すＢ Ｈ（Ｂｕｒｉｅｄ ｔｌｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザが良く知られている。
〜１．７μｍ程度の帯域の半導体レーザとして、インジ
ウム・燐／インジウム・ガリウム・砒素・燐（ＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ）系化合物を用いた第４図に要部の側
断面図を示すＢ Ｈ（Ｂｕｒｉｅｄ ｔｌｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザが良く知られている。
このＢＨレーザは、通常図示のように、例えば（１００
）面を有するｎ型１ｎＰ基板１１と、その上にエピタキ
シャル成長したｎ型１ｎＰクラッド層１２、Ｉ ｎＧａ
Ａｓ Ｐ活性層１３、ｐ型１ｎＰクラッド層１４及びｐ
゛型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５よりなるヘテロ接
合積層構造を、異方性ウェット・エツチング手段により
メサエッチングして＜０１１＞方向に延びるストライプ
領域ＳＡを形成し、このエツチングした領域にｐ型１ｎ
Ｐ層１６及びｎ型１ｎＰ層１７を電流阻止層として埋込
み成長して形成される。
）面を有するｎ型１ｎＰ基板１１と、その上にエピタキ
シャル成長したｎ型１ｎＰクラッド層１２、Ｉ ｎＧａ
Ａｓ Ｐ活性層１３、ｐ型１ｎＰクラッド層１４及びｐ
゛型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５よりなるヘテロ接
合積層構造を、異方性ウェット・エツチング手段により
メサエッチングして＜０１１＞方向に延びるストライプ
領域ＳＡを形成し、このエツチングした領域にｐ型１ｎ
Ｐ層１６及びｎ型１ｎＰ層１７を電流阻止層として埋込
み成長して形成される。
しかしこの方法では、ＩｎＰのホモ接合と、活性層とｒ
ｎＰとのへテロ接合との立ち上がり電圧の差を利用し電
流阻止を行っているので、その阻止特性は不完全であり
、図示矢印■、に示すような濁れ電流を生ずるという問
題がある。
ｎＰとのへテロ接合との立ち上がり電圧の差を利用し電
流阻止を行っているので、その阻止特性は不完全であり
、図示矢印■、に示すような濁れ電流を生ずるという問
題がある。
そこで従来上記漏れ電流の問題を解決すべく提供された
のが、埋込み層に半絶縁性の半導体層を用いた第５図に
示すような構造である。
のが、埋込み層に半絶縁性の半導体層を用いた第５図に
示すような構造である。
この構造は上記同様に、例えばｎ型１ｎＰ基板１１上に
ｎ型ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３
、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４及びｐ１型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層１５よりなるヘテロ接合積層構造を形成
した後、異方性ウェット・エツチング手段により＜０１
１＞方向に延びるストライプ領域ＳＡを画定し底面がｎ
型ＩｎＰクラッド層１２内に達する凹部Ｔを形成し、こ
の凹部Ｔ内に半絶縁性ＩｎＰ層１８を埋込み成長し、こ
の基板の表面に電流集中層となる二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏｚ）等の絶縁膜１９を形成し、この絶縁膜１９にスト
ライプ領域ＳＡ面を表出する電極コンタクト窓２０を形
成し、この絶縁膜１９上に前記電極コンタクト窓２０で
ストライプ領域ＳＡのｐ＋型Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐコンタ
クト層１５のみに選択的に接する上部電極即ちｐ電極２
１を形成してなっていた。（２２は下部電極即ちｎ電極
）〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし上記従来構造のＢＨレーザにおいては、ストライ
プ領域ＳＡのみに選択的に電流を流すための電流集中層
として、ｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト層１５と上部
電極２１との間に熱抵抗が大きい絶縁膜１９が介在せし
められているので、発光部で発生した熱の外部への放散
が悪く、そのため発光部の温度が大きく上昇して闇値電
流値の増大、発光効率の低下等の特性劣化が生じていた
。
ｎ型ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３
、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４及びｐ１型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層１５よりなるヘテロ接合積層構造を形成
した後、異方性ウェット・エツチング手段により＜０１
１＞方向に延びるストライプ領域ＳＡを画定し底面がｎ
型ＩｎＰクラッド層１２内に達する凹部Ｔを形成し、こ
の凹部Ｔ内に半絶縁性ＩｎＰ層１８を埋込み成長し、こ
の基板の表面に電流集中層となる二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏｚ）等の絶縁膜１９を形成し、この絶縁膜１９にスト
ライプ領域ＳＡ面を表出する電極コンタクト窓２０を形
成し、この絶縁膜１９上に前記電極コンタクト窓２０で
ストライプ領域ＳＡのｐ＋型Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐコンタ
クト層１５のみに選択的に接する上部電極即ちｐ電極２
１を形成してなっていた。（２２は下部電極即ちｎ電極
）〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし上記従来構造のＢＨレーザにおいては、ストライ
プ領域ＳＡのみに選択的に電流を流すための電流集中層
として、ｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト層１５と上部
電極２１との間に熱抵抗が大きい絶縁膜１９が介在せし
められているので、発光部で発生した熱の外部への放散
が悪く、そのため発光部の温度が大きく上昇して闇値電
流値の増大、発光効率の低下等の特性劣化が生じていた
。
また上記絶縁膜１９と半導体層即ちｐ゛型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層１５との間に熱膨張率の差によって生
ずる応力によって、発光寿命が低下する等の信頼性上の
問題も生じていた。
Ｐコンタクト層１５との間に熱膨張率の差によって生
ずる応力によって、発光寿命が低下する等の信頼性上の
問題も生じていた。
第１図は、本発明の原理を示す模式側断面図である。
上記問題点は同図に示すように、−導電型半導体基板１
上に順次積層された一導電型クラッド層２２．活性層３
、反対導電型クラッド層４、反対導電型コンタクトＮ５
を有し、該反対導電型コンタクト層５と反対導電型クラ
ッド層４及び活性層３の動作領域を分離画定する２条の
溝を有し、該構内に半絶縁性半導体よりなる埋込み層６
ａと６ｂを有し、該反対導電型コンタクト層５上に半絶
縁性半導体よりなる電流集中層７を有し、該電流集中層
７の該動作領域にコンタクト窓８を有し、該コンタクト
窓８内及び該電流集中層７上に電極９を有してなる本発
明による半導体発光装置に゛よって解決される。
上に順次積層された一導電型クラッド層２２．活性層３
、反対導電型クラッド層４、反対導電型コンタクトＮ５
を有し、該反対導電型コンタクト層５と反対導電型クラ
ッド層４及び活性層３の動作領域を分離画定する２条の
溝を有し、該構内に半絶縁性半導体よりなる埋込み層６
ａと６ｂを有し、該反対導電型コンタクト層５上に半絶
縁性半導体よりなる電流集中層７を有し、該電流集中層
７の該動作領域にコンタクト窓８を有し、該コンタクト
窓８内及び該電流集中層７上に電極９を有してなる本発
明による半導体発光装置に゛よって解決される。
即ち本発明においては、半絶縁性半導体よりなる埋込み
層によって動作領域が分離画定される半導体発光装置に
おいて上部電極とコンタクト層との間に設けられる動作
領域に選択的に電流を流すための電流集中層を、熱伝導
率が絶縁膜よりも大きく、且つ動作領域と熱膨張率がほ
ぼ等しい半絶縁性の半導体層で形成する。
層によって動作領域が分離画定される半導体発光装置に
おいて上部電極とコンタクト層との間に設けられる動作
領域に選択的に電流を流すための電流集中層を、熱伝導
率が絶縁膜よりも大きく、且つ動作領域と熱膨張率がほ
ぼ等しい半絶縁性の半導体層で形成する。
これによって、動作領域で発生する熱は効率的に外部に
放散してその温度上昇は抑えられ、且つ動作領域と電流
集中層との間に生ずる機械的応力が極度に減少せしめら
れるので、発光特性の劣化や発光寿命の低下等が防止さ
れる。
放散してその温度上昇は抑えられ、且つ動作領域と電流
集中層との間に生ずる機械的応力が極度に減少せしめら
れるので、発光特性の劣化や発光寿命の低下等が防止さ
れる。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第２図は本発明に係わる半導体レーザにおける一実施例
を示す模式側断面図で、第３図は同じく他の実施例を示
す模式側断面図である。
を示す模式側断面図で、第３図は同じく他の実施例を示
す模式側断面図である。
企図を通じ同一対象物は同一符号で示す。
第２図の実施例では、電流集中層が高抵抗の半導体層よ
りなるものであり、以下、例えば１．１〜１．７μｍ帯
の半導体レーザの製造方法を第２図を用いて説明する。
りなるものであり、以下、例えば１．１〜１．７μｍ帯
の半導体レーザの製造方法を第２図を用いて説明する。
先ず、（１００）面を有するｎ型ＩｎＰ基板１１に、Ｓ
ｎを５ ＸＩＯ”ａｍ−”程度にドープした厚さ０．３
μｍ程度のｎ型１ｎＰクラッド層１２、厚さ０．１〜０
゜１５μｍ程度のＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層１３、Ｃｄ
を５ＸＩＯＩ７ｃｍ−’程度にドープした厚さ１μｍ程
度のｐ型ＩｎＰクラッド層１４、ＣｄまたはＺｎを５×
１０１１１ｃ「：ｌ程度にドープした厚さ０．５〜１μ
ｍ程度のｐ゛型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５を、通
常通り液相エピタキシャル成長技術により積層形成する
。
ｎを５ ＸＩＯ”ａｍ−”程度にドープした厚さ０．３
μｍ程度のｎ型１ｎＰクラッド層１２、厚さ０．１〜０
゜１５μｍ程度のＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層１３、Ｃｄ
を５ＸＩＯＩ７ｃｍ−’程度にドープした厚さ１μｍ程
度のｐ型ＩｎＰクラッド層１４、ＣｄまたはＺｎを５×
１０１１１ｃ「：ｌ程度にドープした厚さ０．５〜１μ
ｍ程度のｐ゛型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５を、通
常通り液相エピタキシャル成長技術により積層形成する
。
次ぎに、ＳｉＯ□膜等のマスクを設け、それを用いてｐ
＋型（ｎＧａＡｓＰコンタクト１Ｊ１５、ｐ型■ｎＰク
ラッド層１４、ＩｎＧａ、ＡｓＰ活性層１３をブロム・
メタノール等による異方性ウェット・エツチング手段に
より部分的に除去し、底面がｎ型■ｎＰクラッド層１２
内に達しストライプ状に動作領域ＳＡを分離する平行な
２条の溝Ｔ、及びＴ２を形成する。
＋型（ｎＧａＡｓＰコンタクト１Ｊ１５、ｐ型■ｎＰク
ラッド層１４、ＩｎＧａ、ＡｓＰ活性層１３をブロム・
メタノール等による異方性ウェット・エツチング手段に
より部分的に除去し、底面がｎ型■ｎＰクラッド層１２
内に達しストライプ状に動作領域ＳＡを分離する平行な
２条の溝Ｔ、及びＴ２を形成する。
この２条の溝Ｔ、及びＴ２内に、前記５ｉ０２膜等のマ
スクをそのまま用いて通常の選択気相エピタキシャル成
長技術により第１の半絶縁性ＩｎＰ層１８ａをほぼ平・
坦に埋込む。
スクをそのまま用いて通常の選択気相エピタキシャル成
長技術により第１の半絶縁性ＩｎＰ層１８ａをほぼ平・
坦に埋込む。
この層１８ａはノンドープまたはＦｅをドープした高抵
抗の埋込み層となり、電流阻止機能を有する。
抗の埋込み層となり、電流阻止機能を有する。
この基板上に通常の気相成長技術により第１の半絶縁性
ＩｎＰ層１８ａと同じ材料からなり、厚さ例えば０．５
μｍ程度の第２半絶縁性ＩｎＰ層１８ｂよりなる電流集
中層を形成する。
ＩｎＰ層１８ａと同じ材料からなり、厚さ例えば０．５
μｍ程度の第２半絶縁性ＩｎＰ層１８ｂよりなる電流集
中層を形成する。
次ぎにＩｎＰとｒｎＧａＡｓＰにおいてエツチングの選
択性のある塩酸等を用いたエツチングにより第２半絶縁
性ＩｎＰ層１８ｂに前記動作領域ＳＡのコンタクト層１
５を選択的に表出する電極コンタクト窓２０を設ける。
択性のある塩酸等を用いたエツチングにより第２半絶縁
性ＩｎＰ層１８ｂに前記動作領域ＳＡのコンタクト層１
５を選択的に表出する電極コンタクト窓２０を設ける。
そして該第２半絶縁性ＩｎＰ層１８ｂ上に、Ｔｔ／ Ｐ
ｔ ／ Ａ ｕ等よりなり上記コンタクト窓２０にお
いてコンタクト層１５に接するｐ電極（上部電極）２１
を形成し、ｎ型１ｎＰ基板１１の下面にＡｕＧｅ／ Ａ
ｕ等よりなるｎ電極（下部電極）２２を形成する。
ｔ ／ Ａ ｕ等よりなり上記コンタクト窓２０にお
いてコンタクト層１５に接するｐ電極（上部電極）２１
を形成し、ｎ型１ｎＰ基板１１の下面にＡｕＧｅ／ Ａ
ｕ等よりなるｎ電極（下部電極）２２を形成する。
又別の実施例においては第３図に示すように、前記実施
例において説明した製造工程において、ＳｉＯ□膜をマ
スクにしｐ４型Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐコンタクし層１５、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３
に溝Ｔ１及びＴ２を形成した後、上記Ｓｉ０ｇ膜を除去
し、半絶縁性１ｎＰよりなる埋込み層と電流集中層とを
、第１の半絶縁性ＩｎＰ層１８ａにより同時に形成して
なる例である。
例において説明した製造工程において、ＳｉＯ□膜をマ
スクにしｐ４型Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐコンタクし層１５、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３
に溝Ｔ１及びＴ２を形成した後、上記Ｓｉ０ｇ膜を除去
し、半絶縁性１ｎＰよりなる埋込み層と電流集中層とを
、第１の半絶縁性ＩｎＰ層１８ａにより同時に形成して
なる例である。
以上実施例に示したように本発明に係わる半導体レーザ
においては、電流を発光領域を含む動作領域に選択的に
流すための電流集中層が、従来用いられていた絶縁膜に
比べて５０倍程度の大きい熱伝導率を有し、動作領域と
ほぼ等しい熱膨張率を有する化合物半導体層で形成され
る。
においては、電流を発光領域を含む動作領域に選択的に
流すための電流集中層が、従来用いられていた絶縁膜に
比べて５０倍程度の大きい熱伝導率を有し、動作領域と
ほぼ等しい熱膨張率を有する化合物半導体層で形成され
る。
従って発光部で発生した熱の放散は効率的に行われて、
発光部の温度上昇は低減され、閾値電流の上昇、発光効
率の低下等の特性劣化が防止される。
発光部の温度上昇は低減され、閾値電流の上昇、発光効
率の低下等の特性劣化が防止される。
また動作領域と電流集中層の熱膨張率の差によって生ず
る機械的応力も大幅に減少し、発光機能破壊等による発
光寿命の低下も防止される。
る機械的応力も大幅に減少し、発光機能破壊等による発
光寿命の低下も防止される。
なお本発明は上記１．１〜１．７μｍ帯以外の発光帯域
の半導体レーザにも適用され、更にはレーザ以外の半導
体発光装置にも適用される。
の半導体レーザにも適用され、更にはレーザ以外の半導
体発光装置にも適用される。
以上説明のように本発明によれば、半導体レーザ等の半
導体発光装置の発光部の温度上昇による性能劣化や、機
械的応力による寿命低下環が防止される。
導体発光装置の発光部の温度上昇による性能劣化や、機
械的応力による寿命低下環が防止される。
第１図は、本発明の原理を示す模式側断面図、第２図は
本発明に係わる半導体レーザにおける一実施例を示す模
式側断面図で、 第３図は他の実施例を示す模式側断面図、第４図は接合
による電流阻止層を有する従来構造の要部側断面図、 第５図は半絶縁性埋込み層よりなる電流阻止層を有する
従来構造の模式側断面図である。 図において１ ．１は一導電型半導体基板、 ２は−４電型クラッド層、 ３は活性層、 ４は反対導電型クラッド層、 ５は反対導電型コンタクト層、 ６ａ、６ｂは半絶縁性埋込み層、 ７は半絶縁性電流集中層、 ８はコンタクト窓、 ９は上部電極、 １１はｎ型１ｎＰ基板、 １２はｎ型１ｎＰクラッド層、 １３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 １４はｐ型１ｎＰクラッド層、 １５はｐ０型Ｉ ｎＧａＡｓ ｐコンタクト層、１８ａ
は第１の半絶縁性ＩｎＰ層、 １８ｂは第２の半絶縁性ＩｎＰ層、 ２０は電極コンタクト窓、 ２１はｐ電極（上部電極）、 ２２はｎ電極（下部電極） を示す。 」Ｓ七９トσ月°の原ａｔ＊−ｒａ＆イＱすａｉう［１
革１ 図 ＄ ４回 革５ご
本発明に係わる半導体レーザにおける一実施例を示す模
式側断面図で、 第３図は他の実施例を示す模式側断面図、第４図は接合
による電流阻止層を有する従来構造の要部側断面図、 第５図は半絶縁性埋込み層よりなる電流阻止層を有する
従来構造の模式側断面図である。 図において１ ．１は一導電型半導体基板、 ２は−４電型クラッド層、 ３は活性層、 ４は反対導電型クラッド層、 ５は反対導電型コンタクト層、 ６ａ、６ｂは半絶縁性埋込み層、 ７は半絶縁性電流集中層、 ８はコンタクト窓、 ９は上部電極、 １１はｎ型１ｎＰ基板、 １２はｎ型１ｎＰクラッド層、 １３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 １４はｐ型１ｎＰクラッド層、 １５はｐ０型Ｉ ｎＧａＡｓ ｐコンタクト層、１８ａ
は第１の半絶縁性ＩｎＰ層、 １８ｂは第２の半絶縁性ＩｎＰ層、 ２０は電極コンタクト窓、 ２１はｐ電極（上部電極）、 ２２はｎ電極（下部電極） を示す。 」Ｓ七９トσ月°の原ａｔ＊−ｒａ＆イＱすａｉう［１
革１ 図 ＄ ４回 革５ご
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型半導体基板（１）上に順次積層された一導電型
クラッド層（２）、活性層（３）、反対導電型クラッド
層（４）、反対導電型コンタクト層（５）を有し、 該反対導電型コンタクト層（５）と反対導電型クラッド
層（４）及び活性層（３）の動作領域を分離画定する２
条の溝を有し、 該溝内に半絶縁性半導体よりなる埋込み層（６ａ）と（
６ｂ）を有し、 該反対導電型コンタクト層（５）上に半絶縁性半導体よ
りなる電流集中層（７）を有し、 該電流集中層（７）の該動作領域にコンタクト窓（８）
を有し、 該コンタクト窓（８）内及び該電流集中層（７）上に電
極（９）を有してなることを特徴とする半導体発光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117022A JPS61276285A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117022A JPS61276285A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276285A true JPS61276285A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14701504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117022A Pending JPS61276285A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276285A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450490A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Nec Corp | Buried semiconductor laser and manufacture thereof |
| JPH01175792A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レーザの製造方法 |
| JPH0222880A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JPH02188983A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レーザ装置 |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60117022A patent/JPS61276285A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450490A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Nec Corp | Buried semiconductor laser and manufacture thereof |
| JPH01175792A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レーザの製造方法 |
| JPH0222880A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JPH02188983A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レーザ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4958202A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JPS61276285A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH07111361A (ja) | 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2006066724A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH07254731A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0436598B2 (ja) | ||
| JP3285079B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6237913B2 (ja) | ||
| JPH1140897A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH04199587A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP3276674B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2000077780A (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JPS61214591A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS622718B2 (ja) | ||
| JPS641072B2 (ja) | ||
| JP2000012966A (ja) | リッジ導波型半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS61139082A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6261383A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH06326399A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH02181491A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH05121721A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPS61194886A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS641073B2 (ja) | ||
| JPH088482A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |