JPH0744809A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH0744809A JPH0744809A JP21425492A JP21425492A JPH0744809A JP H0744809 A JPH0744809 A JP H0744809A JP 21425492 A JP21425492 A JP 21425492A JP 21425492 A JP21425492 A JP 21425492A JP H0744809 A JPH0744809 A JP H0744809A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和磁化の大きい金属軟磁性材を用いた高密
度記録再生用の高効率な積層型磁気ヘッドを提供する。 【構成】 金属軟磁性材がＦｅ、Ｎ、Ｍを主成分とした
合金であり、金属軟磁性材の飽和磁歪が正である時は、
補強体の熱膨張係数を金属軟磁性材のそれよりも大きく
し、金属軟磁性材の飽和磁歪が負である時は、上記と逆
にする。
度記録再生用の高効率な積層型磁気ヘッドを提供する。 【構成】 金属軟磁性材がＦｅ、Ｎ、Ｍを主成分とした
合金であり、金属軟磁性材の飽和磁歪が正である時は、
補強体の熱膨張係数を金属軟磁性材のそれよりも大きく
し、金属軟磁性材の飽和磁歪が負である時は、上記と逆
にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッドに関し、特
に、高密度記録再生用に金属軟磁性材を磁気コアとする
磁気ヘッドに関する。
に、高密度記録再生用に金属軟磁性材を磁気コアとする
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】磁気記録の高密度化に伴
い、記録媒体としては大きな保磁力が、磁気ヘッドとし
ては、保磁力の大きい媒体に対応した大きい飽和磁化が
求められている。金属軟磁性材料（例えばセンダスト、
アモルファス）は従来のフェライトに比べて飽和磁束密
度が大きいことから、これを磁気コアとする磁気ヘッド
が開発されている。
い、記録媒体としては大きな保磁力が、磁気ヘッドとし
ては、保磁力の大きい媒体に対応した大きい飽和磁化が
求められている。金属軟磁性材料（例えばセンダスト、
アモルファス）は従来のフェライトに比べて飽和磁束密
度が大きいことから、これを磁気コアとする磁気ヘッド
が開発されている。
【０００３】図１は上記の磁気ヘッドの代表的な例であ
る。この磁気ヘッドは磁気コア１と、この磁気コアをそ
の両側から挟み込む補強体２ａ，２ｂとからなり、巻き
線窓３を利用してコイル４が形成されている。ここでは
この構造の磁気ヘッドを積層型ヘッドと総称する。
る。この磁気ヘッドは磁気コア１と、この磁気コアをそ
の両側から挟み込む補強体２ａ，２ｂとからなり、巻き
線窓３を利用してコイル４が形成されている。ここでは
この構造の磁気ヘッドを積層型ヘッドと総称する。
【０００４】この積層型磁気ヘッドにおいて、磁気コア
としてセンダストスパッタ膜（ＦｅＳｉＡｌ合金、ある
いはＦｅＳｉＡｌにＣｒ、Ｒｕ、Ｔｉなどを添加した合
金）を用いたヘッドが開発された（１９９１年１０月発
行の第１５回日本応用磁気学会学術講演会概要集，ｐ．
１０）。更に、センダスト（飽和磁化約１０ｋＧ）以上
の大きな飽和磁化を持つ、ＦｅＮＭスパッタ膜（ＭはＴ
ａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔｉの中から選択される少なく
とも一種類の元素であり、Ｆｅx Ｍy Ｎz の組成で表し
た場合、ｘ，ｙ，ｚを原子％とすると、７０．５≦ｘ≦
８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５の範囲：特願平
２−０２３６８６号）、あるいはＦｅＮＭＬスパッタ膜
（ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔｉの中から選択され
る少なくとも一種類の元素、ＬはＣｕおよび／またはＡ
ｇであり、（Ｆｅx Ｍy Ｎz ）aＬb の組成で表した場
合、ｘ，ｙ，ｚ，ａ，ｂを原子％とすると、７０．５≦
ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５、９５≦ａ
≦９９．５、０．５≦ｂ≦５の範囲：特願平２−１０４
９５２号）が発明され、Ｆｅ、Ｔａ、Ｎを主成分とする
スパッタ膜（飽和磁化１５ｋＧ以上）を用いたヘッドの
開発も行われている（１９９１年１０月発行の第１５回
日本応用磁気学会学術講演会概要集，ｐ．１１）。しか
しながら、このＦｅＴａＮ膜を用いた磁気ヘッドは磁気
コアの磁気特性その他に改善の余地を残している。すな
わち、磁気コアの磁区構造が再生効率を高くするように
最適化されていないのが現状である。
としてセンダストスパッタ膜（ＦｅＳｉＡｌ合金、ある
いはＦｅＳｉＡｌにＣｒ、Ｒｕ、Ｔｉなどを添加した合
金）を用いたヘッドが開発された（１９９１年１０月発
行の第１５回日本応用磁気学会学術講演会概要集，ｐ．
１０）。更に、センダスト（飽和磁化約１０ｋＧ）以上
の大きな飽和磁化を持つ、ＦｅＮＭスパッタ膜（ＭはＴ
ａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔｉの中から選択される少なく
とも一種類の元素であり、Ｆｅx Ｍy Ｎz の組成で表し
た場合、ｘ，ｙ，ｚを原子％とすると、７０．５≦ｘ≦
８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５の範囲：特願平
２−０２３６８６号）、あるいはＦｅＮＭＬスパッタ膜
（ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔｉの中から選択され
る少なくとも一種類の元素、ＬはＣｕおよび／またはＡ
ｇであり、（Ｆｅx Ｍy Ｎz ）aＬb の組成で表した場
合、ｘ，ｙ，ｚ，ａ，ｂを原子％とすると、７０．５≦
ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５、９５≦ａ
≦９９．５、０．５≦ｂ≦５の範囲：特願平２−１０４
９５２号）が発明され、Ｆｅ、Ｔａ、Ｎを主成分とする
スパッタ膜（飽和磁化１５ｋＧ以上）を用いたヘッドの
開発も行われている（１９９１年１０月発行の第１５回
日本応用磁気学会学術講演会概要集，ｐ．１１）。しか
しながら、このＦｅＴａＮ膜を用いた磁気ヘッドは磁気
コアの磁気特性その他に改善の余地を残している。すな
わち、磁気コアの磁区構造が再生効率を高くするように
最適化されていないのが現状である。
【０００５】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解決することにある。
を解決することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体に対
向する面に所定の深さを有するギャップを備え、かつ該
ギャップの深さを規定する貫通孔を備えた金属軟磁性材
よりなる磁気コアと、該磁気コアをその両側から挟み込
み、前記貫通孔に適合する貫通孔を有する一対の補強体
とからなる磁気ヘッドにおいて、金属軟磁性材の飽和磁
歪が正であるときには補強体の熱膨張係数を金属軟磁性
材の熱膨張係数よりも大きく、金属軟磁性材の飽和磁歪
が負であるときには補強体の熱膨張係数を金属軟磁性材
の熱膨張係数よりも小さくすることを特徴とする磁気ヘ
ッドである。
向する面に所定の深さを有するギャップを備え、かつ該
ギャップの深さを規定する貫通孔を備えた金属軟磁性材
よりなる磁気コアと、該磁気コアをその両側から挟み込
み、前記貫通孔に適合する貫通孔を有する一対の補強体
とからなる磁気ヘッドにおいて、金属軟磁性材の飽和磁
歪が正であるときには補強体の熱膨張係数を金属軟磁性
材の熱膨張係数よりも大きく、金属軟磁性材の飽和磁歪
が負であるときには補強体の熱膨張係数を金属軟磁性材
の熱膨張係数よりも小さくすることを特徴とする磁気ヘ
ッドである。
【０００７】
【作用】図３に積層型ヘッドの磁気コアの磁区構造の一
例を示す。ギャップ３４からコア内に導入された磁束３
３は、その磁路方向が３２に示す磁区構造により磁化困
難軸方向となるため、高周波でも効率良くコア内を通過
することができる。それに対し、図４に示す磁区構造の
場合、磁路方向は磁化容易軸方向となるため、高周波で
の効率は低下する。よって、図３の磁区構造により高効
率な積層型ヘッドが得られる。
例を示す。ギャップ３４からコア内に導入された磁束３
３は、その磁路方向が３２に示す磁区構造により磁化困
難軸方向となるため、高周波でも効率良くコア内を通過
することができる。それに対し、図４に示す磁区構造の
場合、磁路方向は磁化容易軸方向となるため、高周波で
の効率は低下する。よって、図３の磁区構造により高効
率な積層型ヘッドが得られる。
【０００８】図３に示す磁区構造を実現するためには、
磁気コアの磁歪と応力とを介した応力誘導異方性を制御
すればよい。即ち、磁気コアに引張力が生じている場合
は磁歪を負とすることによって、あるいは圧縮力が生じ
ている場合は磁歪を正とすることによって、磁気コアの
外周部や巻線窓周辺部、即ち応力がそれらの法線方向に
は解放されている部分では法線方向が磁化容易軸とな
り、図３に示す磁区が形成される。この磁区構造によっ
て再生効率の高い積層型ヘッドが得られる。
磁気コアの磁歪と応力とを介した応力誘導異方性を制御
すればよい。即ち、磁気コアに引張力が生じている場合
は磁歪を負とすることによって、あるいは圧縮力が生じ
ている場合は磁歪を正とすることによって、磁気コアの
外周部や巻線窓周辺部、即ち応力がそれらの法線方向に
は解放されている部分では法線方向が磁化容易軸とな
り、図３に示す磁区が形成される。この磁区構造によっ
て再生効率の高い積層型ヘッドが得られる。
【０００９】ＦｅＮＭ膜、ＦｅＭＮＬ膜の飽和磁歪は膜
中の窒素組成と熱処理条件によって制御される。また、
応力は基板の熱膨張係数によって制御される。
中の窒素組成と熱処理条件によって制御される。また、
応力は基板の熱膨張係数によって制御される。
【００１０】Ｆｅ、Ｎ、Ｍ（ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈ
ｆ，Ｔｉの中から選択される少なくとも一種類の元素）
を主成分とした合金膜においてＭとしてＴａを用い、マ
グネトロンスパッタ法によりセラミックスあるいはガラ
ス基板上にＦｅＴａＮ膜を約３μｍ成膜した。ターゲッ
トとしてはＦｅのプレート上にＴａのチップを配置した
複合型、あるいはＦｅＴａの合金型を用い、窒素は成膜
中の雰囲気ガスから供給し、窒素圧力を変えることによ
り膜中の濃度を変化させた。成膜後、１×１０- 5 Ｔｏ
ｒｒ以下の真空中で５５０℃，１時間の熱処理を施し、
その後、膜面内の回転磁界中で飽和磁歪（λｓ）を測定
した。図５はそのλｓの組成依存性である。保磁力（Ｈ
ｃ）が１０ｅ以下になるヘッド材として適当な組成領域
でλｓは窒素の組成に依存して正から負にわたって変化
した。即ち、窒素組成によりλｓの制御が可能であっ
た。図６はＦｅＴａＮ膜のλｓの熱処理温度依存性を示
す図である。熱処理温度の上昇と共にλｓは同一組成で
あっても正から負へと変化した。熱処理温度によっても
λｓは制御可能であった。
ｆ，Ｔｉの中から選択される少なくとも一種類の元素）
を主成分とした合金膜においてＭとしてＴａを用い、マ
グネトロンスパッタ法によりセラミックスあるいはガラ
ス基板上にＦｅＴａＮ膜を約３μｍ成膜した。ターゲッ
トとしてはＦｅのプレート上にＴａのチップを配置した
複合型、あるいはＦｅＴａの合金型を用い、窒素は成膜
中の雰囲気ガスから供給し、窒素圧力を変えることによ
り膜中の濃度を変化させた。成膜後、１×１０- 5 Ｔｏ
ｒｒ以下の真空中で５５０℃，１時間の熱処理を施し、
その後、膜面内の回転磁界中で飽和磁歪（λｓ）を測定
した。図５はそのλｓの組成依存性である。保磁力（Ｈ
ｃ）が１０ｅ以下になるヘッド材として適当な組成領域
でλｓは窒素の組成に依存して正から負にわたって変化
した。即ち、窒素組成によりλｓの制御が可能であっ
た。図６はＦｅＴａＮ膜のλｓの熱処理温度依存性を示
す図である。熱処理温度の上昇と共にλｓは同一組成で
あっても正から負へと変化した。熱処理温度によっても
λｓは制御可能であった。
【００１１】図７に異なった熱膨張係数（α）を持つ基
板に成膜したＦｅＴａＮ膜の内部応力の温度依存性を示
す。αが３５×１０- 7 の基板はＳｉの（１００）面が
表面に平行となった単結晶であり、１３６×１０- 7 の
基板はＮｉＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分とするセラミ
ックである。図中のそれぞれの直線の傾きは、基板とＦ
ｅＴａＮ膜との熱膨張係数の差により決定されている。
図７からＦｅＴａＮ膜の熱膨張係数を求めると１１２×
１０- 7 が得られた。この値を用いて基板の熱膨張係数
を変えたときのＦｅＴａＮ膜の応力を熱処理温度５５０
℃の場合について計算した結果を図８に示す。図８から
ＦｅＴａＮ膜の応力は基板の熱膨張係数により制御でき
ることが明らかである。
板に成膜したＦｅＴａＮ膜の内部応力の温度依存性を示
す。αが３５×１０- 7 の基板はＳｉの（１００）面が
表面に平行となった単結晶であり、１３６×１０- 7 の
基板はＮｉＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分とするセラミ
ックである。図中のそれぞれの直線の傾きは、基板とＦ
ｅＴａＮ膜との熱膨張係数の差により決定されている。
図７からＦｅＴａＮ膜の熱膨張係数を求めると１１２×
１０- 7 が得られた。この値を用いて基板の熱膨張係数
を変えたときのＦｅＴａＮ膜の応力を熱処理温度５５０
℃の場合について計算した結果を図８に示す。図８から
ＦｅＴａＮ膜の応力は基板の熱膨張係数により制御でき
ることが明らかである。
【００１２】以上の飽和磁歪、応力の制御によって、Ｆ
ｅＴａＮ膜の応力を引張力、磁歪を負とすることによっ
て、また、応力を圧縮力、磁歪を正とすることによっ
て、磁気コアには図３に示す磁区が形成された。逆に、
ＦｅＴａＮ膜の応力を引張力、磁歪を正とすることによ
って、また、応力を圧縮力、磁歪を負とすることによっ
て、磁気コアには図４に示す磁区が形成された。
ｅＴａＮ膜の応力を引張力、磁歪を負とすることによっ
て、また、応力を圧縮力、磁歪を正とすることによっ
て、磁気コアには図３に示す磁区が形成された。逆に、
ＦｅＴａＮ膜の応力を引張力、磁歪を正とすることによ
って、また、応力を圧縮力、磁歪を負とすることによっ
て、磁気コアには図４に示す磁区が形成された。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。
【００１４】図１に示す積層型ヘッドにおいて、磁気コ
ア膜として３μｍ厚のＦｅＴａＮ膜を０．１μｍ厚のア
ルミナ中間層膜を介し４層積層した積層膜を用い、補強
体としてＮｉＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分としたセラ
ミック（熱膨張係数１３６×１０- 7 ）、および、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 を主成分としたセラミック（熱膨張係数１
０５×１０- 7 ）を用い、ギャップ長０．２μｍで積層
型ヘッドを作製した。ＦｅＴａＮ膜の飽和磁歪は成膜時
の窒素圧力を変えて膜中の窒素組成を制御することによ
って行った。成膜はＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り、雰囲気ガスとしてはアルゴンと窒素の混合ガスを用
い、総圧力は３ｍＴｏｒｒ、窒素圧力は０．２ｍＴｏｒ
ｒから０．３ｍＴｏｒｒで変化させた。
ア膜として３μｍ厚のＦｅＴａＮ膜を０．１μｍ厚のア
ルミナ中間層膜を介し４層積層した積層膜を用い、補強
体としてＮｉＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分としたセラ
ミック（熱膨張係数１３６×１０- 7 ）、および、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 を主成分としたセラミック（熱膨張係数１
０５×１０- 7 ）を用い、ギャップ長０．２μｍで積層
型ヘッドを作製した。ＦｅＴａＮ膜の飽和磁歪は成膜時
の窒素圧力を変えて膜中の窒素組成を制御することによ
って行った。成膜はＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り、雰囲気ガスとしてはアルゴンと窒素の混合ガスを用
い、総圧力は３ｍＴｏｒｒ、窒素圧力は０．２ｍＴｏｒ
ｒから０．３ｍＴｏｒｒで変化させた。
【００１５】図６に示す組成の膜を成膜し、５５０℃で
熱処理することによってＦｅ7 6 .0 Ｔａ8 . 5 Ｎ
1 5 . 5 （ａｔ％）の膜で正の磁歪、Ｆｅ7 7 . 8 Ｔａ
8 . 2 Ｎ1 4 . 0 （ａｔ％）の膜で負の磁歪を得た。両
者の飽和磁化はともに１５ｋＧから１６ｋＧであった。
正磁歪の膜とＮｉＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分とした
セラミック基板（熱膨張係数１３６×１０- 7 ）との組
み合わせ、あるいは負磁歪の膜とＣａＯ、ＴｉＯ2 を主
成分としたセラミック基板（熱膨張係数１０５×１０
- 7 ）との組み合わせにより、図３に示す磁区構造を持
つヘッドを、また、正磁歪の膜とＣａＯ、ＴｉＯ2 を主
成分としたセラミック基板（熱膨張係数１０５×１０
- 7 ）との組み合わせ、あるいは負磁歪の膜とＮｉＯ、
ＣａＯ、ＴｉＯ2を主成分としたセラミック基板（熱膨
張係数１３６×１０- 7 ）との組み合わせにより、図４
に示す磁区構造を持つヘッドを得た。
熱処理することによってＦｅ7 6 .0 Ｔａ8 . 5 Ｎ
1 5 . 5 （ａｔ％）の膜で正の磁歪、Ｆｅ7 7 . 8 Ｔａ
8 . 2 Ｎ1 4 . 0 （ａｔ％）の膜で負の磁歪を得た。両
者の飽和磁化はともに１５ｋＧから１６ｋＧであった。
正磁歪の膜とＮｉＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分とした
セラミック基板（熱膨張係数１３６×１０- 7 ）との組
み合わせ、あるいは負磁歪の膜とＣａＯ、ＴｉＯ2 を主
成分としたセラミック基板（熱膨張係数１０５×１０
- 7 ）との組み合わせにより、図３に示す磁区構造を持
つヘッドを、また、正磁歪の膜とＣａＯ、ＴｉＯ2 を主
成分としたセラミック基板（熱膨張係数１０５×１０
- 7 ）との組み合わせ、あるいは負磁歪の膜とＮｉＯ、
ＣａＯ、ＴｉＯ2を主成分としたセラミック基板（熱膨
張係数１３６×１０- 7 ）との組み合わせにより、図４
に示す磁区構造を持つヘッドを得た。
【００１６】図９に、以上により作製した図３の磁区構
造の積層型ヘッドと、図４の磁区構造のヘッドの再生出
力の記録密度特性を示す。磁気テープとして保磁力１５
００（Ｏｅ）のメタルテープを用い、ヘッドとテープと
の相対速度は２１．４ｍ／ｓｅｃとした。図３の磁区構
造の積層型ヘッドによって高い出力が得られた。
造の積層型ヘッドと、図４の磁区構造のヘッドの再生出
力の記録密度特性を示す。磁気テープとして保磁力１５
００（Ｏｅ）のメタルテープを用い、ヘッドとテープと
の相対速度は２１．４ｍ／ｓｅｃとした。図３の磁区構
造の積層型ヘッドによって高い出力が得られた。
【００１７】以上の結果はＦｅＴａＮ膜でＦｅx Ｍy Ｎ
z の組成で表した場合、ｘ，ｙ，ｚを原子％とすると、
７０．５≦ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５
の組成範囲であれば同様である。ＦｅＭＮ膜において、
Ｔａ以外のＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂを用いた場合も同様
に、磁歪の制御は窒素組成と熱処理条件とにより、応力
の制御は基板の熱膨張係数により可能である。
z の組成で表した場合、ｘ，ｙ，ｚを原子％とすると、
７０．５≦ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５
の組成範囲であれば同様である。ＦｅＭＮ膜において、
Ｔａ以外のＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂを用いた場合も同様
に、磁歪の制御は窒素組成と熱処理条件とにより、応力
の制御は基板の熱膨張係数により可能である。
【００１８】また、磁気コア材としてＦｅＮＭＬ膜を用
いた場合は、（Ｆｅx Ｍy Ｎz ）aＬb の組成で表した
場合、ｘ，ｙ，ｚ，ａ，ｂを原子％とすると、７０．５
≦ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５、９５≦
ａ≦９９．５、０．５≦ｂ≦５の組成範囲であれば同様
である。
いた場合は、（Ｆｅx Ｍy Ｎz ）aＬb の組成で表した
場合、ｘ，ｙ，ｚ，ａ，ｂを原子％とすると、７０．５
≦ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、９≦ｚ≦１５．５、９５≦
ａ≦９９．５、０．５≦ｂ≦５の組成範囲であれば同様
である。
【００１９】また、本発明の実施例においては、磁気テ
ープ用磁気ヘッドについて説明してきたが、本発明はハ
ードディスク用磁気ヘッドにも適用されるのは言うまで
もない。また、磁気ヘッドの構造が図２のようであって
も図１の場合と同様の結果が得られる。
ープ用磁気ヘッドについて説明してきたが、本発明はハ
ードディスク用磁気ヘッドにも適用されるのは言うまで
もない。また、磁気ヘッドの構造が図２のようであって
も図１の場合と同様の結果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば図
３に示す磁区構造を持った積層型ヘッドが得られ、高出
力化が実現した。
３に示す磁区構造を持った積層型ヘッドが得られ、高出
力化が実現した。
【図１】積層型磁気ヘッドの一例の斜視図である。
【図２】積層型磁気ヘッドの別の一例の斜視図である。
【図３】積層型磁気ヘッドの磁気コアの磁区構造の一例
の説明図である。
の説明図である。
【図４】積層型磁気ヘッドの磁気コアの磁区構造の別の
一例の説明図である。
一例の説明図である。
【図５】ＦｅＴａＮスパッタ膜の５５０℃、１時間の熱
処理後の飽和磁歪（λｓ）と保磁力（Ｈｃ）の組成依存
性を示す図である。
処理後の飽和磁歪（λｓ）と保磁力（Ｈｃ）の組成依存
性を示す図である。
【図６】ＦｅＴａＮ膜の飽和磁歪の熱処理温度依存性を
示す図である。
示す図である。
【図７】ＦｅＴａＮ膜の応力の温度依存性を示す図であ
る。
る。
【図８】ＦｅＴａＮ膜の応力の基板熱膨張係数依存性を
示す図である。
示す図である。
【図９】図３の磁区構造の積層型ヘッドと図４の磁区構
造の積層型ヘッドの再生出力の記録密度特性を示す図で
ある。
造の積層型ヘッドの再生出力の記録密度特性を示す図で
ある。
１ 磁気コア ２ａ，２ｂ 補強体 ３ 巻き線窓 ４ コイル ５ ガラス接合層 ６，３４，４４ ギャップ ７，８ 接合ガラス ３１，４１ 磁気コア ３２，４２ 磁壁 ３３，４３ 磁束
Claims (6)
- 【請求項１】 記録媒体に対向する面に所定の深さを有
するギャップを備え、かつ該ギャップの深さを規定する
貫通孔を備えた金属軟磁性材よりなる磁気コアと、該磁
気コアをその両側から挟み込み、前記貫通孔に適合する
貫通孔を有する一対の補強体とからなる磁気ヘッドにお
いて、金属軟磁性材の飽和磁歪が正であるときには補強
体の熱膨張係数を金属軟磁性材の熱膨張係数よりも大き
く、金属軟磁性材の飽和磁歪が負であるときには補強体
の熱膨張係数を金属軟磁性材の熱膨張係数よりも小さく
することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記金属軟磁性材が、Ｆｅ、ＮおよびＭ
（ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔｉの中から選択され
る少なくとも一種類の元素）を主成分とした合金であ
り、Ｆｅx Ｍy Ｎz の組成で表した場合、ｘ，ｙ，ｚを
原子％とすると、７０．５≦ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、
９≦ｚ≦１５．５の範囲であることを特徴とする請求項
１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記金属軟磁性材が、Ｆｅ、Ｎ、Ｍ（Ｍ
はＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔｉの中から選択される少
なくとも一種類の元素）およびＬ（ＬはＣｕおよび／ま
たはＡｇ）を主成分とした合金であり、（Ｆｅx Ｍy Ｎ
z ）a Ｌb の組成で表した場合、ｘ，ｙ，ｚ，ａ，ｂを
原子％とすると、７０．５≦ｘ≦８４、７≦ｙ≦１４、
９≦ｚ≦１５．５、９５≦ａ≦９９．５、０．５≦ｂ≦
５の範囲であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 前記金属軟磁性材がＦｅＴａＮ合金であ
り、この合金の飽和磁歪が負であるときには前記補強体
の熱膨張係数を１１２×１０- 7 以下とし、この飽和磁
歪が正であるときには前記補強体の熱膨張係数を１１２
×１０- 7 以上とすることを特徴とする請求項２記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項５】 熱膨張係数が１１２×１０- 7 以下の補
強体がＣａＯとＴｉＯ2 とを主成分とするセラミックで
あることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の磁気ヘ
ッドの製造方法であって、金属軟磁性材は薄膜形成後に
熱処理を施すことによって得られ、かつ金属軟磁性材の
飽和磁歪をその空素組成および／または薄膜形成後の熱
処理条件で制御することを特徴とする磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21425492A JPH0744809A (ja) | 1992-01-17 | 1992-08-11 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2594592 | 1992-01-17 | ||
| JP4-25945 | 1992-01-17 | ||
| JP21425492A JPH0744809A (ja) | 1992-01-17 | 1992-08-11 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744809A true JPH0744809A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=26363653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21425492A Pending JPH0744809A (ja) | 1992-01-17 | 1992-08-11 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744809A (ja) |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21425492A patent/JPH0744809A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960618 |