JPH0466366B2 - - Google Patents

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JPH0466366B2
JPH0466366B2 JP61234404A JP23440486A JPH0466366B2 JP H0466366 B2 JPH0466366 B2 JP H0466366B2 JP 61234404 A JP61234404 A JP 61234404A JP 23440486 A JP23440486 A JP 23440486A JP H0466366 B2 JPH0466366 B2 JP H0466366B2
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magnetic
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Kazuhiro Saito
Taiichi Mori
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Nippon Mining Co
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Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、一般にはFe−Si−Al合金膜に関す
るものであり、特に皮膜中の内部応力を実質的に
零にし、磁気的特性に優れたFe−Si−Al合金磁
性膜及びその製造方法に関するものである。斯る
本発明に従つたFe−Si−Al合金磁性膜は、高周
波用で且つ高いＳ／Ｎ比の要求される高密度記録
用ヘツド、主としてビデオヘツド、デジタル用ヘ
ツド等に使用される薄膜積層磁気ヘツドの磁性膜
として好適に利用し得る。 従来の技術及び問題点 磁気記録技術の分野における最近の記録密度の
向上は著しく、これに伴なつて例えば電磁変換素
子としての磁気ヘツドに対する狭トラツク化及び
コア材料の飽和磁化の増大化並びに高周波領域に
おける透磁率の改善といつた要求が高まつてい
る。 従来、磁気ヘツドのコア部材は、第５図に示す
ようにフエライト或いはFe−Si−Al合金１をブ
ロツク状に切り出し、ダイシングブレードソー等
でトラツク幅２の規制を行なうための溝３とコイ
ル巻線の溝４とを加工形成したものであつた。し
かしながら、30μｍ以下の狭トラツクを有した磁
気ヘツドを作製する場合には、トラツク幅規制の
ための溝３の間隔を極めて狭くする必要があり、
そのためにトラツク幅２の精度に問題が生じたり
又はトラツク幅２部分のチツピングによる形状不
良が発生するという問題が生じてきた。 一方、従来のFe−Si−Al合金等の金属磁性薄
膜を用いた金属磁性薄膜ヘツドは、３〜10μｍの
該金属磁性膜と約0.5μｍの非磁性絶縁膜とを交互
に積層し、所定の膜厚まで多層化した磁性体が利
用されている。 更に説明すれば、斯る金属磁性薄膜ヘツドの製
造においては、トラツク幅は、基板上にスパツタ
リングによつてトラツク幅に相当する膜厚にて前
記多層化磁性体を形成すればよく、トラツク幅を
規制する加工が省略され、従つて上述の如きブロ
ツク状コア材を用いて磁気ヘツドを作製する場合
に生ずる問題は解決される。 しかしながら、本発明者等の研究、実験では、
スパツタされた金属磁性膜は著しく内部応力の大
きい膜となり、かかる金属磁性膜による多層化磁
性体、つまり磁性コア層を用いて金属薄膜積層磁
気ヘツドを作製しても、磁歪の影響を受け磁気特
性が悪くなつた。つまり、該磁歪は軟質磁性材料
であるFe−Si−Al合金磁性体内の内部応力と関
連して磁気異方性エネルギーを増加させ軟磁性体
では保磁力の増大、透磁率の低下等好ましくない
現象を生ぜしめ、従つて、高出力の磁気ヘツドを
得ることはできないということが分かつた。 更に、上述のように金属薄膜積層磁気ヘツド
は、一般にガラス等の非磁性基板上に金属磁性薄
膜をスパツタリングで形成し、絶縁層と交互に積
層した後に接合材を用いて他の非磁性基板を堆積
して狭み込むことにより磁性コアを形成するとい
つた製造方法が採用されている。しかし、本発明
者等の研究では、スパツタリングによる成膜の場
合には、膜の内部応力により、成膜した基板に反
りが生じ、接合面全体で一様な接合が得られ難い
という問題があることが分かつた。 本発明者等は、Fe−Si−Al合金磁性体から成
る軟質磁性膜、更には該Fe−Si−Al合金磁性体
から成る軟質磁性膜と非磁性絶縁膜とを交互に積
層して構成される薄膜積層磁気ヘツドを研究する
過程において、上述のように、Fe−Si−Al合金
磁性体を基板にスパツタして形成された軟磁性膜
内に内部応力が形成され、斯る内部応力が軟磁性
膜に悪影響を及ぼし、結果的には磁気ヘツドの特
性を劣化させていることを見出した。更に、斯る
軟磁性膜中に生じる内部応力について研究した結
果、該内部応力は基板と膜との熱膨張係数の差か
ら生じる熱応力以外に、所謂真性応力が生じてお
り、該真性応力はArによりターゲツトからスパ
ツタされた高エネルギー粒子が堆積中の皮膜に衝
突し（ピーニング）、もぐりこむことにより該皮
膜中に生じる圧縮応力と、Arが該皮膜中に取り
込まれることにより生じる圧縮応力とから成るこ
とが分かつた。 更に又、本発明者等は、上記被膜中の内部応力
を除去する方法について研究実験を行なつたとこ
ろ、ピーニングによる圧縮応力は成膜後の磁性膜
を熱処理温度に昇温する過程で除去することがで
き、又Ar内包による圧縮応力は皮膜つまりFe−
Si−Al合金膜中に内包されるAr量を0.01〜0.3wt
％となるように制御し、且つ基板の熱膨張係数を
該Fe−Si−Al合金膜の熱膨張係数より小とする
ことによりなくすることができることを見出し
た。 又、本発明者等は、上述のように内部応力を実
質的に除去した磁性膜を有効に製造するには、 (1) DCスパツタ装置を使用し、基板にはRFバイ
アスを印加すること、 (2) 基板には該基板上に形成される皮膜の熱膨張
係数より小さな熱膨張係数を有した材料を使用
すること、 (3) スパツタ作業により作製されたAr含有Fe−
Si−Al合金磁性膜を450℃〜800℃にて熱処理
すること、 が重要であることを見出した。 本発明は斯る新規な知見に基づくものである。 発明の目的 従つて、本発明の目的は、上記従来の問題点を
解決しFe−Si−Al合金膜中の内部応力を実質的
に零にし、良好な磁気特性を有した、即ち、保磁
力が小さく、透磁率の大なるFe−Si−Al合金磁
性膜及び斯る磁性膜の製造方法を提供することで
ある。 本発明の他の目的は、前記Fe−Si−Al合金磁
性膜を利用し、良好な磁気特性を有した、即ち、
保磁力が小さく、透磁率の大なる薄膜積層磁気ヘ
ツドを提供することである。 問題点を解決するための手段 上記目的は本発明に係る薄膜積層磁気ヘツドに
て達成される。要約すれば本発明は、基板と、該
基板上に形成されたFe−Si−Al合金膜とを有し
た磁性膜であつて、前記基板の熱膨張係数は前記
Fe−Si−Al合金膜の熱膨張係数より小とされ、
且つ前記Fe−Si−Al合金膜中のAr含有量を0.01
〜0.3wt％の範囲で制御し、前記基板とFe−Si−
Al合金膜との熱膨張係数の違いにより生じたFe
−Si−Al合金膜中の引張応力をAr含有によつて
生じた圧縮応力にて相殺し、前記Fe−Si−Al合
金膜中の内部応力を実質的に零としたことを特徴
とするFe−Si−Al合金磁性膜である。該Fe−Si
−Al合金磁性膜は、非磁性絶縁膜と交互に積層
されて薄膜積層磁気ヘツドの磁性膜として極めて
有効に利用し得る。 本発明の好ましい実施態様によると、基板の熱
膨張係数は100〜135×10-7deg-1であり、Fe−Si
−Al合金膜はFe83wt％以上の飽和磁化の高い範
囲の組成とされ、熱膨張係数は110〜170×
10-7deg-1とされる。このように、基板は、その
熱膨張係数と、Fe−Si−Al合金膜の熱膨張係数
との差が大きくなり過ぎない範囲で選定される。
又、磁性膜の膜厚は1μｍ〜20μｍとされる。 上記要件を満足する基板としては、例えば結晶
化ガラス（例えばHOYA社製のPEG3120C）が
好適である。 又、基板上に形成されるFe−Si−Al合金膜の
組成は、通常のものとし得るが、好ましくは、
Fe83〜94wt％、Si4〜11wt％、Al2〜6wt％とさ
れる。更に説明すれば、フエライトと比較して高
い8000ガウス以上の飽和磁化を有するには、特に
Feは83wt％以上とする必要がある。又、初透磁
率を1000以上とするためには、Feは94wt％以下
とし、Siは4wt％以上、11wt％以下、更にAlは
2wt％以上とするのが好ましい。更に、合金磁性
膜の磁歪をゼロより余り大きくならない範囲とす
るには、特にAlの含有量が6wt％近傍で磁歪が著
しく大きくなるために、Alは6wt％以下とするの
が好適である。このような、好ましい磁気特性を
有したFe−Si−Al合金膜としては、具体的に
は、、例えばFe85wt％、Si9.6wt％、Al5.4wt％；
Fe88wt％、Si7.7wt％、Al4.3wt％；Fe90wt％、
Si7.8wt％、Al2.2wt％等の組成のものが好適であ
る。 又、磁性膜中に内包されるAr量が0.01wt％未
満の場合には熱処理により生じる引張応力を緩和
するには不十分であり、又、Ar量が0.3wt％を越
えた場合には皮膜中に109Pa以上に達する大きな
圧縮応力が発生し、斯る圧縮応力を実質的に零に
することができない。 本発明者等は、上記の如き本発明に係るFe−
Si−Al合金軟磁性膜は、上述のように、 (1) DCスパツタ装置を使用し、基板にはRFバイ
アスを印加すること、 (2) 基板には該基板上に形成される皮膜の熱膨張
係数より小さな熱膨張係数を有した材料を使用
すること、 (3) スパツタ作業により作製されたAr含有軟磁
性膜を450℃〜800℃にて熱処理すること、 が重要であることを見出した。 上述のように、本発明において磁性膜に含有さ
れるAr量は極めて重要である。本発明者等の研
究では、RFスパツタで膜作製を行なうとDCバイ
アス印加を行なつたときには1wt％以上にも達す
る相当量のArが膜中に含有され、又DCバイアス
印加なしの状態にても膜中に0.7〜0.9wt％程度取
込まれてしまい、Ar量を応力制御に有効な範囲
で変化させることができないことが分かつた。
RFスパツタにRFバイアス印加は位相コントロー
ルが困難であり実際的でない。 又、DCスパツタにて膜作製を行なつたときに
は、バイアスを印加しない状態又はDCバイアス
を印加した状態のいずれの場合においても膜中に
取込まれるAr量が0.01wt％以下であり、Ar量を
応力制御に有効な範囲で変化させることができな
い。 本発明の軟磁性膜に要求されるAr量は、DCス
パツタにRFバイアスを印加することによつて始
めて応力制御に有効な範囲で変化させることがで
きる。即ち、本発明者等は、DCグローの電力及
び基板ホルダーへの印加RF電力、更には基板と
ターゲツト間の距離等を調整することによつて
Ar量を制御し、Ar量によつて生じる圧縮性応力
の大きさを制御し得ることを見出した。 又、このように制御されたAr量によつて生じ
る圧縮性応力は、基板と膜との熱膨張の差、即
ち、基板の熱膨張係数を膜のそれより小とするこ
とによつて皮膜中に生じる引張応力とで相殺さ
れ、更に皮膜に生じているピーニング効果による
圧縮応力は、熱処理温度に昇温する過程で除去す
ることができ、結果として本発明に係る軟磁性膜
及び該軟磁性膜を利用して製造された薄膜積層磁
気ヘツドにて内部応力は実質的に零とされる。 次に、第１図及び第２図を参照すると、本発明
に係るFe−Si−Al合金軟磁性膜を利用して製造
し得る薄膜積層磁気ヘツド１０及びその製造工程
の一実施例が示される。 第２図を参照すると、例えば結晶化ガラス等の
非磁性の基板１１が準備される（第２図Ａ）。該
基板１１上に、第３図に関連して後述する構成の
DCのマグネトロンスパツタ装置を使用し、上記
条件にてFe−Si−Al合金薄膜１２が膜厚１〜20μ
ｍにて成膜される。次いで、該合金磁性膜１２上
に非磁性絶縁膜１３が形成される（第２図Ｂ）。
該非磁性絶縁膜１３としてはSiO2、Al2O3等が用
いられ、前記磁性膜１２を成膜したと同様のRF
マグネトロンスパツタ装置を使用して、膜厚0.03
〜0.5μｍにて成膜される。 上記工程を繰返して、磁性膜１２と非磁性絶縁
膜１３が必要回数積層され、第２図Ｃに図示する
ような積層膜構造１４が形成される。斯る磁性膜
１２と非磁性絶縁膜１３の膜厚及び積層回数は積
層部の厚さがトラツク幅ｗ（第１図）となるよう
に適宜設定される。 次いで、前記積層膜構造１４の上に接合材１５
が通常のスパツタリング等で形成され（第２図
Ｄ）、他の基板１６が積層される。接合材１５と
しては接合ガラス（日本電気硝子社製GA−120、
FH−11；コーニング社製1990等）が使用され、
特にB2O3−SiO2−Al2O3系の接合ガラスが最適
であり、基板１６は前記基板１１と同様の材料に
て作製される。 このようにして作製された積層構造体１７は、
第２図Ｆに図示されるように、積層した厚さ方向
に切断し、一対のコア半体ブロツク１８，１９が
形成される。このとき、図示されるようにアジマ
ス角θにて切断するのが好ましい。次いで、少な
くとも片方のコア半体、本実施例ではコア半体１
８に巻線溝２０（第１図）を形成した後、両コア
半体ブロツク１８，１９の突き合せ面１８ａ，１
９ａを研摩し、該面にSiO2等の非磁性のギヤツ
プスペーサー２１をスパツタ等の手段にて形成し
（第２図Ｆ）、第１図に図示されるように両コア半
体ブロツク１８，１９は前記接合面１８ａ，１９
ａ部にて接着される。 最後に、テープ摺動面を形成するべくＲ研摩加
工及び他の成形加工並びに巻線加工が行なわれ、
薄膜積層磁気ヘツド１０が得られる。 次に、本発明を実施例について説明する。 実施例 １ 第３図に本実施例に使用したDCマグネトロン
スパツタ（RFバイアス印加）装置（日電アネル
バ社製SPF−210型）の概略を示す。DCスパツタ
装置３０は高圧直流電源３１に接続された陰極３
２と、RFバイアス電源３３に接続され電気的に
絶縁された基板ホルダー３４とを具備し、前記陰
極３２にはターゲツト３５が配置され、ホルダー
３４には基板１１が配置された。又、装置は一方
の口３６から真空ポンプ（図示せず）にて真空引
され、又他方の口３７からArガスが導入された。 ターゲツト３５としてはSi10.5wt％、Al5.5wt
％、残部Feから成るホツトプレスされた直径４
インチ、厚さ４mmのものを使用した。 基板１１は、熱膨張係数が120×10-7deg-1の結
晶化ガラス（HOYA社製PEG3120C）であり、
直径が２インチのものを表面粗さ150Åにポリツ
シユして使用した。 ターゲツト３５と基板１１との距離は45mmとさ
れ、Ar圧力は４×10-3Torr、投入電力は500Wと
した。又、基板温度は60℃であり、成膜速度は
0.4μｍ／minであつた。 上記条件にてRF電力をホルダーに同装置のRF
電源用発振管プレート電圧で０〜0.6kvの範囲で
変動して印加し、基板１１上にFe−Si−Al合金
膜を膜厚4μｍにて成膜した。該成膜された軟磁
性膜は、その後650℃で1hr.熱処理した。 このようにして作製されたFe−Si−Al合金膜
の熱膨張係数は110〜170×10-7deg-1であり、又、
該軟磁性膜の内部応力、Ar含有量、RF電力との
関係は第４図に示される通りであつた。 第４図から、Ar含有量と圧縮応力との間には
明瞭な比例関係があり、Ar含有量は印加したRF
電源の発振管プレート電圧に比例することにより
内部応力を引張応力から圧縮応力にまで変化せし
め得ることが分かる。本実施例では、該プレート
電圧が0.35kvのとき、成膜中の内部応力は±１×
108Pa以内となり、磁気特性として保磁力
0.16Oe、1MHzでの実効比初透磁率2000が得られ
た。 実施例 ２ 実施例１で使用したDCマグネトロンスパツタ
（RFバイアス印加）装置（日電アネルバ社製SPF
−210型）、基板１１及びターゲツト３５を使用
し、同じスパツタ条件にて該基板１１上にFe−
Si−Al合金膜１２を膜厚4.7μｍにて成膜した。 このようにして作製されたFe−Si−Al合金膜
の熱膨張係数は110〜170×10-7deg-1であり、又、
上述したように、該軟磁性膜の内部応力、Ar含
有量、RF電力との関係は第４図に示される通り
であつた。本実施例において、RF電源の発振管
プレート電圧が0.35kvのとき、成膜中の内部応力
は±１×108Pa以内であつた。 続いて、このFe−Si−Al合金膜１２の上に絶
縁膜１３を形成した。絶縁膜の作製は、Fe−Si
−Al合金膜作製に使用した前記マグネトロンス
パツタ装置にRF電源を接続したものを用い、タ
ーゲツトとして直径４インチ、厚さ５mmのSiO2
を使用した。ターゲツトと磁性膜形成済の基板と
の距離は45mmとした。Ar圧力は４×10-3Torr、
投入電力は300Wとした。又基板の温度は60℃で
あり、成膜速度は0.1μｍ／minであつた。斯る条
件にて基板の磁性膜上にSiO2膜が膜厚0.3μｍにて
形成された。 次いで、上記方法にて前記絶縁膜上に磁性膜１
２及び絶縁膜１３の順に４回繰り返し、積層膜構
造１４を得た。該積層膜構造１４の全膜厚は20μ
ｍであつた。該積層膜構造１４の上に接合材１
５、本実施例では日本電気硝子社製FH−11を通
常のスパツタリング等で形成し、前記基板１１と
同じ材料で形成された他の基板１６を積層して積
層構造体１７を作製した。該積層構造体１７、つ
まり積層膜構造１４の磁性膜１２は、その後650
℃で1hr熱処理した。 このようにして作製されたFe−Si−Al合金／
SiO2積層軟磁性膜の内部応力は±１×108Pa以内
であり、本研究者等の多くの研究実験によると、
このようにして成膜された積層軟磁性膜は全膜厚
が３〜40μｍの範囲では±１×108Pa以内であつ
た。 磁気特性は、保磁力0.18Oe、1MHzでの比初透
磁率2000が得られた。この積層構造体１７を第２
図Ｆに示した工程により加工して、第１図に図示
する如き形状の、トラツク巾が膜厚方向とされる
VTR用磁気ヘツドとし、電磁変換特性評価を行
なつた。ヘツドの諸元は表１に、測定条件は表２
に、各周波数での最大再生出力は表３に示す。
【表】
【表】
【表】 表３より、5MHzでの規格化出力で比較すると
本発明に従つて製造されたFe−Si−Al合金薄膜
積層磁気ヘツドの最大再生出力値は、VHS型ビ
デオテープレコーダーに用いられる従来の単結晶
Mn−Znフエライトヘツドの値の約３倍に相当
し、本発明に従つた磁気ヘツドによると極めて大
きな再生出力が得られることが理解される。 尚、本発明においてArをいれる方法としては、
上記実施例に限定されず、スパツタ膜に直接Ar
をイオン注入したり、真空蒸着法とイオン注入法
の組合せによる方法等も適用可能である。 又、本発明に係るFe−Si−Al合金薄膜は磁気
ヘツドに限定されず、例えば薄膜インダクター、
磁気シールド用皮膜等にも有効に利用することが
でき、又、本発明に係るFe−Si−Al合金薄膜を
有効に利用して構成される磁気ヘツドの構造につ
いても、本実施例ではVTR用ヘツドとしたが、
何らこれに限定されるものではなく、例えばコン
ピユータ用の磁気デイスク装置用ヘツド等にも適
用可能である。 発明の効果 以上説明したように、本発明に係るFe−Si−
Al合金薄膜は、金属磁性膜の内部応力を実質的
に零とし、これにともなつて初透磁率が大幅に向
上するものであつて、従来技術よりも再生出力が
大幅に増大した高性能の薄膜積層磁気ヘツド及び
その他の磁気デバイスの磁性膜として極めて有効
に利用し得る。又、本発明に係る製造法による
と、斯るFe−Si−Al合金薄膜、延いては薄膜積
層磁気ヘツドが極めて好適に製造される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係るFe−Si−Al合金薄膜
を利用した薄膜積層磁気ヘツドの一実施例を示す
斜視図である。第２図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆは
本発明に係るFe−Si−Al合金薄膜を利用した薄
膜積層磁気ヘツドの製造方法の一実施例を示す製
造工程図である。第３図は、本発明に係るFe−
Si−Al合金薄膜及び薄膜積層磁気ヘツドの製造
に使用されるDCマグネトロンスパツタ装置の一
実施例を示す概略断面図である。第４図は、本発
明に係るFe−Si−Al合金軟磁性膜の一実施例の
内部応力、Ar含有量、RFバイアスの関係を示す
図である。第５図は、従来の磁気ヘツドを製造す
るためのコア部材の斜視図である。 １０：薄膜積層磁気ヘツド、１１，１６：基
板、１２：磁性膜、１３：絶縁膜、１４：薄膜構
造、１５：接合材、３１：高圧電源、３２：陰
極、３３：RF電源、３４：陽極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板と、該基板上に形成されたFe−Si−Al
    合金膜とを有した磁性膜であつて、前記基板の熱
    膨張係数は前記Fe−Si−Al合金膜の熱膨張係数
    より小とされ、且つ前記Fe−Si−Al合金膜中の
    Ar含有量を0.01〜0.3wt％の範囲で制御し、前記
    基板とFe−Si−Al合金膜との熱膨張係数の違い
    により生じたFe−Si−Al合金膜中の引張応力を
    Ar含有によつて生じた圧縮応力にて相殺し、前
    記Fe−Si−Al合金膜中の内部応力を実質的に零
    としたことを特徴とするFe−Si−Al合金磁性膜。 ２ 基板の熱膨張係数は100〜135×10-7deg-1で
    あり、Fe−Si−Al合金膜はFe83wt％以上の飽和
    磁化の高い範囲の組成とされ、熱膨張係数は110
    〜170×0-7deg-1とされる特許請求の範囲第１項
    記載のFe−Si−Al合金磁性膜。 ３ 基板は結晶化ガラスであり、Fe−Si−Al合
    金膜はFe83〜94wt％、Si4〜11wt％、Al2〜6wt
    ％の組成である特許請求の範囲第１項又は第２項
    記載のFe−Si−Al合金磁性膜。 ４ DCスパツタ装置を使用し、基板にはRFバイ
    アスを印加し、そして該基板上に、該基板の熱膨
    張係数より大きな熱膨張係数を有し且つ膜中の
    Ar含有量を0.01〜0.3wt％の範囲で制御して、前
    記基板と膜との熱膨張係数の違いにより生じた膜
    中の引張応力をAr含有によつて生じた圧縮応力
    にて相殺し、膜中の内部応力を実質的に零とした
    Fe−Si−Al合金膜を形成したことを特徴とする
    Fe−Si−Al合金磁性膜の製造方法。 ５ 基板の熱膨張係数は100〜135×10-7deg-1で
    あり、Fe−Si−Al合金膜はFe83wt％以上の飽和
    磁化の高い範囲の組成とされ、熱膨張係数は110
    〜170×10-7deg-1とされる特許請求の範囲第４項
    記載のFe−Si−Al合金磁性膜の製造方法。 ６ 基板は結晶化ガラスであり、Fe−Si−Al合
    金膜はFe83〜94wt％、Si4〜11wt％、Al2〜6wt
    ％の組成である特許請求の範囲第４項又は第５項
    記載のFe−Si−Al合金磁性膜の製造方法。 ７ ２つの基板間にFe−Si−Al合金膜と非磁性
    絶縁膜とが交互に積層されて成る薄膜積層磁気ヘ
    ツドにおいて、前記基板の熱膨張係数は前記Fe
    −Si−Al合金膜の熱膨張係数より小とされ、且
    つ前記Fe−Si−Al合金膜中のAr含有量を0.01〜
    0.3wt％の範囲で制御して、前記基板と膜との熱
    膨張係数の違いにより生じた膜中の引張応力を
    Ar含有によつて生じた圧縮応力にて相殺し、膜
    中の内部応力を実質的に零としたことを特徴とす
    る薄膜積層磁気ヘツド。 ８ 基板の熱膨張係数は100〜135×10-7deg-1で
    あり、Fe−Si−Al合金膜はFe83wt％以上の飽和
    磁化の高い範囲の組成とされ、熱膨張係数は110
    〜170×10-7deg-1とされる特許請求の範囲第７項
    記載の薄膜積層磁気ヘツド。 ９ 基板は結晶化ガラスであり、Fe−Si−Al合
    金膜はFe83〜94wt％、Si4〜11wt％、Al2〜6wt
    ％の組成である特許請求の範囲第７項又は第８項
    記載の薄膜積層磁気ヘツド。
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