JPH0744824A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0744824A JPH0744824A JP18788293A JP18788293A JPH0744824A JP H0744824 A JPH0744824 A JP H0744824A JP 18788293 A JP18788293 A JP 18788293A JP 18788293 A JP18788293 A JP 18788293A JP H0744824 A JPH0744824 A JP H0744824A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 一対のシールド層１、４間に、ＭＲ素子層、
非磁性物質層、及びバイアス磁界を印加するための非晶
質軟磁性層からなる３層構造のＭＲ複合層２を形成した
ＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子層と非晶質軟磁性層の間
には、非磁性物質層として酸化ニオブ層を形成する。該
酸化ニオブ層の形成は、８×１０-7Torr以上の低真空中
にてニオブを真空蒸着することによって行なう。 【効果】 センス電流の分流による再生出力の低下を抑
えることができ、然も、ＭＲヘッド製造工程中の熱処理
工程によるＭＲ素子や非晶質軟磁性体層の磁気特性の劣
化を抑えることができる。
非磁性物質層、及びバイアス磁界を印加するための非晶
質軟磁性層からなる３層構造のＭＲ複合層２を形成した
ＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子層と非晶質軟磁性層の間
には、非磁性物質層として酸化ニオブ層を形成する。該
酸化ニオブ層の形成は、８×１０-7Torr以上の低真空中
にてニオブを真空蒸着することによって行なう。 【効果】 センス電流の分流による再生出力の低下を抑
えることができ、然も、ＭＲヘッド製造工程中の熱処理
工程によるＭＲ素子や非晶質軟磁性体層の磁気特性の劣
化を抑えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等の
磁気記録再生装置、特に小型で、高信号密度の磁気記録
装置に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。
磁気記録再生装置、特に小型で、高信号密度の磁気記録
装置に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、ＭＲ
ヘッドという)は、高い再生感度を有し、再生出力が記
録媒体−ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記
録装置の小型化、高信号密度化に好適である。ＭＲヘッ
ドにおいては、通常、再生時の分解能を高めるために、
磁気抵抗効果素子(以下、ＭＲ素子)を一対のシールド層
間に挟み込んだシールド構造が採用される。
ヘッドという)は、高い再生感度を有し、再生出力が記
録媒体−ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記
録装置の小型化、高信号密度化に好適である。ＭＲヘッ
ドにおいては、通常、再生時の分解能を高めるために、
磁気抵抗効果素子(以下、ＭＲ素子)を一対のシールド層
間に挟み込んだシールド構造が採用される。
【０００３】一般にＭＲヘッドは、ＭＲ素子に磁気的な
バイアスを印加して、線形特性を有する再生専用ヘッド
として使用される。例えば特公昭５３−３７２０５号公
報に提案されているＭＲヘッドは、図７に示す如く基板
(７)上に、記録媒体(８)の移動方向に沿って下部シール
ド層(６)及び上部シールド層(65)を配置し、これらのシ
ールド層間に、絶縁層(61)、ＭＲ素子層(62)、絶縁層(6
4)及びバイアス層(63)を順次形成したものであって、バ
イアス層(63)によってＭＲ素子層(62)に対して磁気的バ
イアスが印加される。
バイアスを印加して、線形特性を有する再生専用ヘッド
として使用される。例えば特公昭５３−３７２０５号公
報に提案されているＭＲヘッドは、図７に示す如く基板
(７)上に、記録媒体(８)の移動方向に沿って下部シール
ド層(６)及び上部シールド層(65)を配置し、これらのシ
ールド層間に、絶縁層(61)、ＭＲ素子層(62)、絶縁層(6
4)及びバイアス層(63)を順次形成したものであって、バ
イアス層(63)によってＭＲ素子層(62)に対して磁気的バ
イアスが印加される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲ素子層
(62)とバイアス層(63)の間に介在する絶縁層(64)は、そ
の絶縁特性の点から充分な抵抗値を有することが要求さ
れる。そこで、上記特公昭５３−３７２０５号公報に提
案されているＭＲヘッドにおいては、絶縁材として厚さ
２０００オングストロームの二酸化シリコンが採用され
る。しかしながら、この様な大きな厚さでは、バイアス
層(63)からのバイアス磁界が充分にＭＲ素子層(62)へ作
用せず、磁気的な効率に問題が生じる。
(62)とバイアス層(63)の間に介在する絶縁層(64)は、そ
の絶縁特性の点から充分な抵抗値を有することが要求さ
れる。そこで、上記特公昭５３−３７２０５号公報に提
案されているＭＲヘッドにおいては、絶縁材として厚さ
２０００オングストロームの二酸化シリコンが採用され
る。しかしながら、この様な大きな厚さでは、バイアス
層(63)からのバイアス磁界が充分にＭＲ素子層(62)へ作
用せず、磁気的な効率に問題が生じる。
【０００５】一方、特公昭５６−４０４０６号公報で
は、絶縁材の替わりにＴｉ等の比較的高抵抗率の非磁性
物質が用いられているが、該ＭＲヘッドにおいては、非
磁性物質の層にセンス電流が分流するため、ＭＲ素子の
再生出力が低下する問題がある。
は、絶縁材の替わりにＴｉ等の比較的高抵抗率の非磁性
物質が用いられているが、該ＭＲヘッドにおいては、非
磁性物質の層にセンス電流が分流するため、ＭＲ素子の
再生出力が低下する問題がある。
【０００６】又、該ＭＲヘッドにおいて、バイアス層の
導電性磁性物質として非晶質軟磁性材料を用いた場合、
該非晶質軟磁性材料の磁気特性を改善し、ＭＲ素子と同
一の磁化容易軸方向を付与するためには、３００〜３５
０℃の熱処理工程が必要となる。しかし、この熱処理工
程によってＴｉ等の非磁性物質がＭＲ素子や非晶質軟磁
性材料中に拡散し、これらの軟磁気特性が劣化して、Ｍ
Ｒヘッドの再生出力が低下する問題がある。
導電性磁性物質として非晶質軟磁性材料を用いた場合、
該非晶質軟磁性材料の磁気特性を改善し、ＭＲ素子と同
一の磁化容易軸方向を付与するためには、３００〜３５
０℃の熱処理工程が必要となる。しかし、この熱処理工
程によってＴｉ等の非磁性物質がＭＲ素子や非晶質軟磁
性材料中に拡散し、これらの軟磁気特性が劣化して、Ｍ
Ｒヘッドの再生出力が低下する問題がある。
【０００７】本発明の目的は、ＭＲ素子層とバイアス層
の間に、高抵抗を有すると共に熱処理工程を経ても拡散
の生じない非磁性物質を介在させたＭＲヘッド及び、そ
の簡易な製造方法を提供し、上記問題点を一挙に解決す
ることである。
の間に、高抵抗を有すると共に熱処理工程を経ても拡散
の生じない非磁性物質を介在させたＭＲヘッド及び、そ
の簡易な製造方法を提供し、上記問題点を一挙に解決す
ることである。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】本発明に係るＭＲヘッド
は、ＭＲ素子層とバイアス層の間に介在させるべき非磁
性物質として、これまでに例のない酸化ニオブを採用し
たものである。
は、ＭＲ素子層とバイアス層の間に介在させるべき非磁
性物質として、これまでに例のない酸化ニオブを採用し
たものである。
【０００９】又、本発明に係るＭＲヘッドの製造方法
は、ＭＲ素子層とバイアス層の間に酸化ニオブ層を形成
する工程を、８×１０-7Torr以上の低真空中、望ましく
７×１０-6Torr程度の低真空中にて、ニオブを真空蒸着
することによって行なうものである。
は、ＭＲ素子層とバイアス層の間に酸化ニオブ層を形成
する工程を、８×１０-7Torr以上の低真空中、望ましく
７×１０-6Torr程度の低真空中にて、ニオブを真空蒸着
することによって行なうものである。
【００１０】
【作用】酸化ニオブは、５×１０3〜１５×１０3μΩcm
程度の高い比抵抗を有しており、然も熱処理工程を経て
も殆ど拡散の生じないことが実験的に確認された。又、
ニオブを８×１０-7Torr以上の低真空中にて真空蒸着す
る方法によれば、蒸着雰囲気中の酸素の作用によってニ
オブが酸化され、酸化ニオブ層が形成される。
程度の高い比抵抗を有しており、然も熱処理工程を経て
も殆ど拡散の生じないことが実験的に確認された。又、
ニオブを８×１０-7Torr以上の低真空中にて真空蒸着す
る方法によれば、蒸着雰囲気中の酸素の作用によってニ
オブが酸化され、酸化ニオブ層が形成される。
【００１１】
【発明の効果】本発明に係るＭＲヘッドによれば、ＭＲ
素子層とバイアス層の間の酸化ニオブ層が高抵抗を有し
ているから、該酸化ニオブ層にセンス電流が分流するこ
とはなく、高い再生出力が得られる。又、熱処理によっ
てバイアス層の磁気特性を改善する際、酸化ニオブ層は
熱処理によって拡散を生じないから、磁気特性が劣化す
る虞れはない。
素子層とバイアス層の間の酸化ニオブ層が高抵抗を有し
ているから、該酸化ニオブ層にセンス電流が分流するこ
とはなく、高い再生出力が得られる。又、熱処理によっ
てバイアス層の磁気特性を改善する際、酸化ニオブ層は
熱処理によって拡散を生じないから、磁気特性が劣化す
る虞れはない。
【００１２】又、本発明に係るＭＲヘッドの製造方法に
よれば、ニオブを真空蒸着する際の真空度を下げるだけ
で、高抵抗の酸化ニオブ層を形成することが出来るか
ら、その製造工程は簡易である。
よれば、ニオブを真空蒸着する際の真空度を下げるだけ
で、高抵抗の酸化ニオブ層を形成することが出来るか
ら、その製造工程は簡易である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき、図面に沿っ
て詳述する。本発明に係るＭＲヘッドは、図１に示す如
く下部シールド層(１)上に、下部絶縁層(図示省略)を介
して後述のＭＲ複合層(２)を形成し、該ＭＲ複合層(２)
の表面に一対の電極層(３)(３)を形成し、更に上部絶縁
層(図示省略)を介して、上部シールド層(４)を配置した
ものである。
て詳述する。本発明に係るＭＲヘッドは、図１に示す如
く下部シールド層(１)上に、下部絶縁層(図示省略)を介
して後述のＭＲ複合層(２)を形成し、該ＭＲ複合層(２)
の表面に一対の電極層(３)(３)を形成し、更に上部絶縁
層(図示省略)を介して、上部シールド層(４)を配置した
ものである。
【００１４】ＭＲ複合層(２)は図２に示す如く、ＭＲ素
子層(21)、酸化ニオブ層(22)及び非晶質軟磁性層(23)か
らなる３層構造を有している。ＭＲ素子層(21)はパーマ
ロイ、非晶質軟磁性層(23)はＣｏ系アモルファスから形
成される。又、酸化ニオブ層(22)は、７×１０-6Torr程
度の低真空中にてニオブを真空蒸着することによって形
成したものである。
子層(21)、酸化ニオブ層(22)及び非晶質軟磁性層(23)か
らなる３層構造を有している。ＭＲ素子層(21)はパーマ
ロイ、非晶質軟磁性層(23)はＣｏ系アモルファスから形
成される。又、酸化ニオブ層(22)は、７×１０-6Torr程
度の低真空中にてニオブを真空蒸着することによって形
成したものである。
【００１５】図３は、ニオブを真空蒸着して酸化ニオブ
層を形成する際の蒸着中真空度と酸化ニオブ層の比抵抗
の関係を実験的に調べて、グラフ化したものである。こ
こで、酸化ニオブ層を形成すべき基板には、結晶化ガラ
スを用い、基板温度は２００℃とした。蒸着源として
は、純度９９.９％の金属ニオブを用いた。蒸着時に酸
素ガスは導入しない。このときの蒸着速度は３〜５オン
グストローム／秒であり、膜厚は３００オングストロー
ムとした。図示の如く、１×１０-6Torr以上の低真空度
で、５×１０3μΩcmを越える高い比抵抗が得られてい
る。
層を形成する際の蒸着中真空度と酸化ニオブ層の比抵抗
の関係を実験的に調べて、グラフ化したものである。こ
こで、酸化ニオブ層を形成すべき基板には、結晶化ガラ
スを用い、基板温度は２００℃とした。蒸着源として
は、純度９９.９％の金属ニオブを用いた。蒸着時に酸
素ガスは導入しない。このときの蒸着速度は３〜５オン
グストローム／秒であり、膜厚は３００オングストロー
ムとした。図示の如く、１×１０-6Torr以上の低真空度
で、５×１０3μΩcmを越える高い比抵抗が得られてい
る。
【００１６】又、酸化ニオブ層の熱処理に伴う拡散性を
調べるために、ＭＲ素子層となる膜厚４００オングスト
ロームのパーマロイ層(８１重量％Ｎｉ−１９重量％Ｆ
ｅ)と、膜厚３００オングストロームの酸化ニオブ層を
真空蒸着法で連続成膜し、これによって得られた積層膜
に、真空中(真空度２×１０-6Torr)にて熱処理(３５０
℃、２時間)を施した。そして、熱処理後の積層膜につ
いて、オージェ電子分光分析法を用いて、深さ方向の成
分分析を行なった。その結果を図４に示す。
調べるために、ＭＲ素子層となる膜厚４００オングスト
ロームのパーマロイ層(８１重量％Ｎｉ−１９重量％Ｆ
ｅ)と、膜厚３００オングストロームの酸化ニオブ層を
真空蒸着法で連続成膜し、これによって得られた積層膜
に、真空中(真空度２×１０-6Torr)にて熱処理(３５０
℃、２時間)を施した。そして、熱処理後の積層膜につ
いて、オージェ電子分光分析法を用いて、深さ方向の成
分分析を行なった。その結果を図４に示す。
【００１７】図４において、横軸のスパッタリング時間
は分析の深さを表わし、縦軸の濃度は、相対的な成分比
率を表わしている。図示の如く、スパッタリング時間が
７〜８分後の狭い領域で、ＮｂとＯがＮｉとＦｅに入れ
替わっており、このことから、非晶質軟磁性材料の熱処
理工程を経ても酸化ニオブは拡散しないことが判明し
た。
は分析の深さを表わし、縦軸の濃度は、相対的な成分比
率を表わしている。図示の如く、スパッタリング時間が
７〜８分後の狭い領域で、ＮｂとＯがＮｉとＦｅに入れ
替わっており、このことから、非晶質軟磁性材料の熱処
理工程を経ても酸化ニオブは拡散しないことが判明し
た。
【００１８】図５及び図６は、本発明に係るＭＲヘッド
の製造方法を表わしている。先ず図５(ａ)において、厚
さ略２.６ｍｍのＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板(５)上に、Ａｌ2
Ｏ3をスパッタリングして厚さ１０〜１５μmの絶縁層
(図示省略)を形成する。その後、該絶縁層上に、パーマ
ロイ(８０重量％Ｎｉ−２０重量％Ｆｅ)をバイアススパ
ッタ法により厚さ１μmに成膜して、下部シールド層
(１)を形成する。ここで、バイアスを印加するのは、良
好な軟磁気特性を得るためであって、−１００Ｖを基板
に印加しながら、スパッタリングを行なう。
の製造方法を表わしている。先ず図５(ａ)において、厚
さ略２.６ｍｍのＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板(５)上に、Ａｌ2
Ｏ3をスパッタリングして厚さ１０〜１５μmの絶縁層
(図示省略)を形成する。その後、該絶縁層上に、パーマ
ロイ(８０重量％Ｎｉ−２０重量％Ｆｅ)をバイアススパ
ッタ法により厚さ１μmに成膜して、下部シールド層
(１)を形成する。ここで、バイアスを印加するのは、良
好な軟磁気特性を得るためであって、−１００Ｖを基板
に印加しながら、スパッタリングを行なう。
【００１９】又、このとき、基板の面内方向に磁場を印
加することによって、パーマロイ膜に一軸異方性を付与
する。磁場印加の方法としては、真空槽内に永久磁石や
電磁石を設置する。本実施例では、基板ホルダーに永久
磁石を設置して、１００Ｏｅの磁場を印加する。
加することによって、パーマロイ膜に一軸異方性を付与
する。磁場印加の方法としては、真空槽内に永久磁石や
電磁石を設置する。本実施例では、基板ホルダーに永久
磁石を設置して、１００Ｏｅの磁場を印加する。
【００２０】そして、上記パーマロイ膜を、イオンミリ
ング法等の周知のフォトリソグラフィー技術を用いて所
定形状に整形する。この際、磁化容易軸の方向に配慮し
てエッチングを行なう。その後、下部シールド層(１)の
表面を覆って、Ａｌ2Ｏ3を厚さ１０００オングストロー
ムにスパッタリングし、下部絶縁層(図示省略)を形成す
る。
ング法等の周知のフォトリソグラフィー技術を用いて所
定形状に整形する。この際、磁化容易軸の方向に配慮し
てエッチングを行なう。その後、下部シールド層(１)の
表面を覆って、Ａｌ2Ｏ3を厚さ１０００オングストロー
ムにスパッタリングし、下部絶縁層(図示省略)を形成す
る。
【００２１】次に図５(ｂ)の工程においては、先ず前記
ＭＲ素子層(21)となる厚さ４００オングストロームのパ
ーマロイ膜(８１重量％Ｎｉ−１９重量％Ｆｅ)を磁場中
蒸着法にて形成する。本実施例では、ＭＲ素子層の磁化
容易軸を揃えるために、７０Ｏｅの磁場を印加しながら
基板温度２００℃で蒸着を行なう。その後、蒸着装置の
メインバルブを絞って排気コンダクタンスを増加させて
真空度を下げ、この雰囲気でニオブを蒸着することによ
り、厚さ３００オングストロームの酸化ニオブ層(22)を
形成する。本実施例では、真空度を７×１０-6Torrとす
る。
ＭＲ素子層(21)となる厚さ４００オングストロームのパ
ーマロイ膜(８１重量％Ｎｉ−１９重量％Ｆｅ)を磁場中
蒸着法にて形成する。本実施例では、ＭＲ素子層の磁化
容易軸を揃えるために、７０Ｏｅの磁場を印加しながら
基板温度２００℃で蒸着を行なう。その後、蒸着装置の
メインバルブを絞って排気コンダクタンスを増加させて
真空度を下げ、この雰囲気でニオブを蒸着することによ
り、厚さ３００オングストロームの酸化ニオブ層(22)を
形成する。本実施例では、真空度を７×１０-6Torrとす
る。
【００２２】更に、非晶質軟磁性層(23)となる厚さ５０
０オングストロームのＣｏＺｒＭｏ膜をスパッタリング
により形成する。そして、上記３層からなる積層膜を、
イオンミリング法等の周知のフォトリソグラフィ技術を
用いて同時にパターニングする。この際、ＭＲ素子層の
長手方向が磁化容易軸となる様にパターニングする。本
実施例では、長手方向が１００μm、これと直交する方
向が５μmの矩形に整形する。
０オングストロームのＣｏＺｒＭｏ膜をスパッタリング
により形成する。そして、上記３層からなる積層膜を、
イオンミリング法等の周知のフォトリソグラフィ技術を
用いて同時にパターニングする。この際、ＭＲ素子層の
長手方向が磁化容易軸となる様にパターニングする。本
実施例では、長手方向が１００μm、これと直交する方
向が５μmの矩形に整形する。
【００２３】次に、非晶質軟磁性層(23)の軟磁気特性を
改善し、一軸異方性を付与するために、４５０Ｏｅの磁
界をＭＲ素子層(21)の長手方向に印加しながら、真空中
で３３０℃、２時間の熱処理を行なって、複合層(２)を
完成する。
改善し、一軸異方性を付与するために、４５０Ｏｅの磁
界をＭＲ素子層(21)の長手方向に印加しながら、真空中
で３３０℃、２時間の熱処理を行なって、複合層(２)を
完成する。
【００２４】図６(ａ)においては、ＭＲ素子層にセンス
電流を供給するための電極層を形成するべく、ＴｉとＣ
ｕの積層膜(31)を形成する。ここで、ＴｉとＣｕの膜厚
は夫々２００オングストローム、１２００オングストロ
ームとする。
電流を供給するための電極層を形成するべく、ＴｉとＣ
ｕの積層膜(31)を形成する。ここで、ＴｉとＣｕの膜厚
は夫々２００オングストローム、１２００オングストロ
ームとする。
【００２５】更に図６(ｂ)においては、周知のフォトリ
ソグラフィ技術を用いて前記積層膜(31)を一対の電極層
(３)(３)に整形する。ここでは、一対の電極層(３)(３)
の間隔は５μmに設定して、トラック幅を規定する。
ソグラフィ技術を用いて前記積層膜(31)を一対の電極層
(３)(３)に整形する。ここでは、一対の電極層(３)(３)
の間隔は５μmに設定して、トラック幅を規定する。
【００２６】その後、上部絶縁層となる厚さ１８００オ
ングストロームのＳｉＯ2膜をスパッタリング法によっ
て形成する。更に、上部シールド層となる厚さ１μmの
パーマロイ膜(８０重量％Ｎｉ−２０重量％Ｆｅ)を下部
シールド層と同様に形成し、イオンミリング法等の周知
のフォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状の上部シ
ールド層(４)にエッチング整形する。
ングストロームのＳｉＯ2膜をスパッタリング法によっ
て形成する。更に、上部シールド層となる厚さ１μmの
パーマロイ膜(８０重量％Ｎｉ−２０重量％Ｆｅ)を下部
シールド層と同様に形成し、イオンミリング法等の周知
のフォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状の上部シ
ールド層(４)にエッチング整形する。
【００２７】更にその後、上部絶縁層に対し、周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いて、ターミナル部のスルー
ホール加工を行ない、ターミナル部の構成材料であるＣ
ｕとＡｕの積層膜をスパッタリング法によって厚さ２μ
mに形成し、これを所定形状にエッチング整形する。そ
して最後に、保護層となる厚さ３μmのＡｌ2Ｏ3膜をリ
フトオフ法を用いて形成することによって、ターミナル
部のスルーホール加工を同時に行なう。これによって本
発明のＭＲヘッドが完成する。
ォトリソグラフィ技術を用いて、ターミナル部のスルー
ホール加工を行ない、ターミナル部の構成材料であるＣ
ｕとＡｕの積層膜をスパッタリング法によって厚さ２μ
mに形成し、これを所定形状にエッチング整形する。そ
して最後に、保護層となる厚さ３μmのＡｌ2Ｏ3膜をリ
フトオフ法を用いて形成することによって、ターミナル
部のスルーホール加工を同時に行なう。これによって本
発明のＭＲヘッドが完成する。
【００２８】上記のごとく、本発明によれば、拡散性が
低く且つ高抵抗の酸化ニオブを用いて非磁性導体層を形
成することによって、センス電流の分流による再生出力
の低下を抑えることが出来、然も、ＭＲヘッド製造工程
中の熱処理工程によるＭＲ素子や非晶質軟磁性体層の磁
気特性の劣化を抑えることが出来、この結果、高い再生
能力を有するＭＲヘッドを得ることが出来る。
低く且つ高抵抗の酸化ニオブを用いて非磁性導体層を形
成することによって、センス電流の分流による再生出力
の低下を抑えることが出来、然も、ＭＲヘッド製造工程
中の熱処理工程によるＭＲ素子や非晶質軟磁性体層の磁
気特性の劣化を抑えることが出来、この結果、高い再生
能力を有するＭＲヘッドを得ることが出来る。
【００２９】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
【図１】本発明に係るＭＲヘッドの構造を表わす斜視図
である。
である。
【図２】ＭＲ複合層の積層構造を表わす斜視図である。
【図３】ニオブ真空蒸着工程における真空度と酸化ニオ
ブの比抵抗の関係を示すグラフである。
ブの比抵抗の関係を示すグラフである。
【図４】オージェ電子分光分析法による成分分析の結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法の前半を表
わす工程図である。
わす工程図である。
【図６】同上の後半を表わす工程図である。
【図７】従来のＭＲヘッドの構造を表わす断面図であ
る。
る。
(１) 下部シールド層 (２) ＭＲ複合層 (21) ＭＲ素子層 (22) 酸化ニオブ層 (23) 非晶質軟磁性層 (４) 上部シールド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 和彦 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 安田 伊佐雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一対のシールド層間に、磁気抵抗効果素
子層と該磁気抵抗効果素子層にバイアス磁界を印加する
ためのバイアス層とを形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁気抵抗効果素子層とバイアス層の間
には、酸化ニオブ層が介在していることを特徴とする磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 一対のシールド層の間に、磁気抵抗効果
素子層と該磁気抵抗効果素子層にバイアス磁界を印加す
るためのバイアス層とを形成した磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法において、磁気抵抗効果素子層とバイア
ス層の間に酸化ニオブ層を形成し、該酸化ニオブ層の形
成は、８×１０-7Torr以上の低真空中にてニオブを真空
蒸着することによって行なう磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18788293A JPH0744824A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18788293A JPH0744824A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744824A true JPH0744824A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16213856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18788293A Withdrawn JPH0744824A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744824A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107433A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気式センサーとその製造方法、およびエンコーダー |
| US6971571B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-12-06 | Fujitsu Limited | Reflow soldering apparatus and reflow soldering method |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18788293A patent/JPH0744824A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107433A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気式センサーとその製造方法、およびエンコーダー |
| US6971571B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-12-06 | Fujitsu Limited | Reflow soldering apparatus and reflow soldering method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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