JPH0745502A - 露光量分布測定方法 - Google Patents
露光量分布測定方法Info
- Publication number
- JPH0745502A JPH0745502A JP5188401A JP18840193A JPH0745502A JP H0745502 A JPH0745502 A JP H0745502A JP 5188401 A JP5188401 A JP 5188401A JP 18840193 A JP18840193 A JP 18840193A JP H0745502 A JPH0745502 A JP H0745502A
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- wafer
- exposure
- scanning
- pulsed light
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光むらを正確に測定すること。
【構成】 エキシマレーザー１からのパルス光２に対し
てマスク５とフエハ走査することによりマスク５のパタ
ーンを介してウエハを露光する時のウエハ上での露光量
分布を測定する際、ウエハステージ７上に露光時のウエ
ハ表面と同じ高さに受光部をもつ光検出器９を設け、光
検出器９の受光部の開口を、走査方向の大きさを露光時
にパルス光の１パルス間隔中に前記ウエハが移動する距
離より十分短く、前記走査方向と直交する方向の大きさ
を十分な検出光量を得られる程度に設定し、前記ウエハ
ステージを動かすことにより前記パルス光に対して前記
光検出器９を走査し、露光量分布を測定する。
てマスク５とフエハ走査することによりマスク５のパタ
ーンを介してウエハを露光する時のウエハ上での露光量
分布を測定する際、ウエハステージ７上に露光時のウエ
ハ表面と同じ高さに受光部をもつ光検出器９を設け、光
検出器９の受光部の開口を、走査方向の大きさを露光時
にパルス光の１パルス間隔中に前記ウエハが移動する距
離より十分短く、前記走査方向と直交する方向の大きさ
を十分な検出光量を得られる程度に設定し、前記ウエハ
ステージを動かすことにより前記パルス光に対して前記
光検出器９を走査し、露光量分布を測定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光量分布測定方法、特
にマクスパターンをウエハ上に転写するために走査露光
を採用しているＬＣ、ＬＳＬ等の半導体チップ、ＣＣ
Ｄ、液晶パネル、磁気ヘッド等の各種デバイス製造用の
露光装置に用いられる照度分布測定機に関するものであ
る。
にマクスパターンをウエハ上に転写するために走査露光
を採用しているＬＣ、ＬＳＬ等の半導体チップ、ＣＣ
Ｄ、液晶パネル、磁気ヘッド等の各種デバイス製造用の
露光装置に用いられる照度分布測定機に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴い、高
解像力でしかも露光面積の大きな露光装置が求められて
いる。要求を満たすために、ウエハを走査しながら露光
する所謂走査露光を採用した縮小投影露光装置が さ
れている。さらに、解像線幅の微細化を実現するために
露光光として、より波長の短い光が望まれている。従来
は高圧水銀ランプの光のうち遠柴外光のみを利用してい
た。しかしながら、このランプは遠紫外領域で出力が少
ないため、露光時間が長くなり、装置のスループットが
小さくなる。そこで遠紫外領域の出力が大きなパルス光
を発するエキシマレーザ等の大出力パルス光源を利用す
ることが考えられている。
解像力でしかも露光面積の大きな露光装置が求められて
いる。要求を満たすために、ウエハを走査しながら露光
する所謂走査露光を採用した縮小投影露光装置が さ
れている。さらに、解像線幅の微細化を実現するために
露光光として、より波長の短い光が望まれている。従来
は高圧水銀ランプの光のうち遠柴外光のみを利用してい
た。しかしながら、このランプは遠紫外領域で出力が少
ないため、露光時間が長くなり、装置のスループットが
小さくなる。そこで遠紫外領域の出力が大きなパルス光
を発するエキシマレーザ等の大出力パルス光源を利用す
ることが考えられている。
【０００３】一方、半導体素子の線幅の均一化を図る必
要があるため、露光装置におけるウエハ面での照射エネ
ルギーの均一性が従来以上に要求されている。ウエハ面
で露光むらが存在すると、生産された半導体素子の線幅
に不均一が生じるので、露光量分布を正確に評価する必
要がある。例えば、略円形の小孔を受光部開口とする光
検出器を露光域全体に渡って走査し、露光むらを評価す
る方法が考えられる。
要があるため、露光装置におけるウエハ面での照射エネ
ルギーの均一性が従来以上に要求されている。ウエハ面
で露光むらが存在すると、生産された半導体素子の線幅
に不均一が生じるので、露光量分布を正確に評価する必
要がある。例えば、略円形の小孔を受光部開口とする光
検出器を露光域全体に渡って走査し、露光むらを評価す
る方法が考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この露
光量分布測定方法では、パルス光を用いる場合に以下の
理由で露光量分布を正確に測定するのは困難である。す
なわち、パルス光を用いる場合、パルス光の照射周囲と
走査量の僅かな不整合により走査方向に図６、図７に示
すように、パルス光の１パルス間隔中にウエハが移動す
る距離を１周期とする周期的な露光量分布が生じる可能
性がある。図４はウエハ上のパルス光の光強度分布が矩
形の場合の露光量分布であり、図５はウエハ上のパルス
光の光強度分布が台形の場合の場合の露光量分布であ
る。ウエハ上の照射域の走査方向の幅が５ｍｍ程度で、
露光に必要な照射パルス数を５０とすれば露光量分布の
１周期は０．１ｍｍ程度になる。したがって上記１周期
のなかの露光分布を測定するには、光検出器の受光部開
合径を１〜数μｍにする必要がある。しかしながら、こ
のような小さな開口では受光量も非常に小さなものにな
り、光検出器で正確に光量を測定することが困難とな
る。
光量分布測定方法では、パルス光を用いる場合に以下の
理由で露光量分布を正確に測定するのは困難である。す
なわち、パルス光を用いる場合、パルス光の照射周囲と
走査量の僅かな不整合により走査方向に図６、図７に示
すように、パルス光の１パルス間隔中にウエハが移動す
る距離を１周期とする周期的な露光量分布が生じる可能
性がある。図４はウエハ上のパルス光の光強度分布が矩
形の場合の露光量分布であり、図５はウエハ上のパルス
光の光強度分布が台形の場合の場合の露光量分布であ
る。ウエハ上の照射域の走査方向の幅が５ｍｍ程度で、
露光に必要な照射パルス数を５０とすれば露光量分布の
１周期は０．１ｍｍ程度になる。したがって上記１周期
のなかの露光分布を測定するには、光検出器の受光部開
合径を１〜数μｍにする必要がある。しかしながら、こ
のような小さな開口では受光量も非常に小さなものにな
り、光検出器で正確に光量を測定することが困難とな
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、露光むらを正
確に検出できる露光量分布測定方法を提供するために、
順次照射されるパルス光でマスクと基板を走査すること
により前記マスクのパターンを介して前記基板を露光す
る時の前記基板上での露光量の分布を測定する方法であ
って、前記基板と実質的に同じ高さで前記パルス光を検
出する光検出器を前記パルス光で走査する際、前記光検
出の受光部の開口の形状を、前記走査方向の大きさを前
記パルス光の１パルス間隔中に前記基板が移動する距離
より十分短く、前記走査方向と直交する方向の大きさは
十分な検出光量得られる程度に設定することを特徴とす
る。
確に検出できる露光量分布測定方法を提供するために、
順次照射されるパルス光でマスクと基板を走査すること
により前記マスクのパターンを介して前記基板を露光す
る時の前記基板上での露光量の分布を測定する方法であ
って、前記基板と実質的に同じ高さで前記パルス光を検
出する光検出器を前記パルス光で走査する際、前記光検
出の受光部の開口の形状を、前記走査方向の大きさを前
記パルス光の１パルス間隔中に前記基板が移動する距離
より十分短く、前記走査方向と直交する方向の大きさは
十分な検出光量得られる程度に設定することを特徴とす
る。
【０００６】また、前記基板の位置に対する前記パルス
光のパルス発光タイミングを任意に設定することが可能
な発光タイミング調整機を有し、該発光タイミング調整
機によって前記基板の位置に対する前記パルス光のパル
ス発光タイミングを走査する毎に僅かずつ変化させ、該
発光タイミングの変化量が少なくとも前記パルス光の発
光パルス間隔に達するまで走査を繰り返すことを特徴と
する好ましい形態を含む。
光のパルス発光タイミングを任意に設定することが可能
な発光タイミング調整機を有し、該発光タイミング調整
機によって前記基板の位置に対する前記パルス光のパル
ス発光タイミングを走査する毎に僅かずつ変化させ、該
発光タイミングの変化量が少なくとも前記パルス光の発
光パルス間隔に達するまで走査を繰り返すことを特徴と
する好ましい形態を含む。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の第一の実施例であり、１はエ
キシマレーザ等のパルス光源、２は光源１から放射され
たパルス光、３は折り曲げ用のミラー、４は照明光学
系、５は転写すべきパターンが形成してあるマスク、６
はマスクのパターンをウエハに投影する投影レンズ、７
はウエアが搭載されるウエハステージ、８は露光光によ
る被照射域、９は露光光の強度を測定する光検出器、１
０は光検出器９の受光部開口、１１は光検出器９の出力
を積算する積算器、１２はウエハステージ位置に対する
パルス光源１のパルス発光タイミングを任意に設定する
ことが可能な発光タイミング調整機である。
キシマレーザ等のパルス光源、２は光源１から放射され
たパルス光、３は折り曲げ用のミラー、４は照明光学
系、５は転写すべきパターンが形成してあるマスク、６
はマスクのパターンをウエハに投影する投影レンズ、７
はウエアが搭載されるウエハステージ、８は露光光によ
る被照射域、９は露光光の強度を測定する光検出器、１
０は光検出器９の受光部開口、１１は光検出器９の出力
を積算する積算器、１２はウエハステージ位置に対する
パルス光源１のパルス発光タイミングを任意に設定する
ことが可能な発光タイミング調整機である。
【０００８】次に、前記のように配置された装置の作動
について説明する。光源１からバルス光２は、ミラー３
で反射した後、照明光学系４によりビーム整形され、マ
スク５を通過する。さらに投影レンズ６を透過して、ウ
エハステージ７上の被照射域８に達する。被照射域８に
は、受光面がウエハの実露光時のウエハの表面と同じ高
さになるように光検出器９が配置されている。
について説明する。光源１からバルス光２は、ミラー３
で反射した後、照明光学系４によりビーム整形され、マ
スク５を通過する。さらに投影レンズ６を透過して、ウ
エハステージ７上の被照射域８に達する。被照射域８に
は、受光面がウエハの実露光時のウエハの表面と同じ高
さになるように光検出器９が配置されている。
【０００９】ここにおいて光源１はパルス発振のため前
述のように発振間隔とスキャン量の僅かな不整合によ
り、走査方向に図６、図７に示すような照射パルスの１
パルス間隔中にウエハが移動する距離を１周期とする周
期的な露光量分布が生じる可能性がある。この周期的な
露光量分布を測定するため、光検出器９は受光部開口１
０の走査方向の長さを、前記の１周期より十分短くし
て、かつ露光量分布の変化率の小さい走査と直交する方
向には長くして十分大きな検出光量を得ているので、走
査方向に対する十分な位置分解能と光量の正確な値を得
る。測定時にウエハステージ７をウエハ実露光時と同じ
スピードでスキャンしながら、パルス光源１をウエハの
実露光時と同じ間隔周期を発光させるので、各照射バル
スでの光検出器９の出力を積算器１１で積算することに
より該当場所の露光量を求めることが可能である。
述のように発振間隔とスキャン量の僅かな不整合によ
り、走査方向に図６、図７に示すような照射パルスの１
パルス間隔中にウエハが移動する距離を１周期とする周
期的な露光量分布が生じる可能性がある。この周期的な
露光量分布を測定するため、光検出器９は受光部開口１
０の走査方向の長さを、前記の１周期より十分短くし
て、かつ露光量分布の変化率の小さい走査と直交する方
向には長くして十分大きな検出光量を得ているので、走
査方向に対する十分な位置分解能と光量の正確な値を得
る。測定時にウエハステージ７をウエハ実露光時と同じ
スピードでスキャンしながら、パルス光源１をウエハの
実露光時と同じ間隔周期を発光させるので、各照射バル
スでの光検出器９の出力を積算器１１で積算することに
より該当場所の露光量を求めることが可能である。
【００１０】ウエハステージ７の位置に対するパルス光
源１のパルス発光タイミングは、発光タイミング調整機
１２により任意に設定することができるようになってい
る。この発光タイミングを各走査毎に僅かずつ変化させ
ると、光検出器９の受光部開口１０の照射域に対する相
対位置が変化する。図２に示すように前記の発光タイミ
ングの変化量がパルス光源１の発光パルス間隔になるま
で走査を繰り返すことにより、図３に示すように光照射
域に対する受光部開口１０の前記相対位置は照射パルス
の１パルス間隔中にウエハが移動する距離に渡って移動
するので、走査方向に生じる周期的なな露光量分布を測
定することができる。
源１のパルス発光タイミングは、発光タイミング調整機
１２により任意に設定することができるようになってい
る。この発光タイミングを各走査毎に僅かずつ変化させ
ると、光検出器９の受光部開口１０の照射域に対する相
対位置が変化する。図２に示すように前記の発光タイミ
ングの変化量がパルス光源１の発光パルス間隔になるま
で走査を繰り返すことにより、図３に示すように光照射
域に対する受光部開口１０の前記相対位置は照射パルス
の１パルス間隔中にウエハが移動する距離に渡って移動
するので、走査方向に生じる周期的なな露光量分布を測
定することができる。
【００１１】（他の実施例）図１に示す実施例ではマス
クのパターンをウエハに投影するために投影レンズを使
用しているが、ミラー投影光学系を使用した場合でも同
様の効果を得ることができる。
クのパターンをウエハに投影するために投影レンズを使
用しているが、ミラー投影光学系を使用した場合でも同
様の効果を得ることができる。
【００１２】次に図１の投影露光装置を利用したデバイ
スの製造方法の一実施例を説明する。
スの製造方法の一実施例を説明する。
【００１３】図４は半導体デハイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行なう。ステップ２（マスク制作）では設計した
回路パターンを形成したマスク（レチクル３０４）を制
作する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハー（ウエハー３０６）を製造
する。ステップ４（ウエハープロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハーとを用いて、リソグ
ラフイー技術によってウエハー上に実在の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４よって作成されたウエハーを用いてチップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ投入）等の工程
を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成され
た半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行なう。ステップ２（マスク制作）では設計した
回路パターンを形成したマスク（レチクル３０４）を制
作する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハー（ウエハー３０６）を製造
する。ステップ４（ウエハープロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハーとを用いて、リソグ
ラフイー技術によってウエハー上に実在の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４よって作成されたウエハーを用いてチップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ投入）等の工程
を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成され
た半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００１４】図５は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込む）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込む）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
【００１５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度のデバイスを製造することが可能にな
る。
しかった高集積度のデバイスを製造することが可能にな
る。
【００１６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、パルス光を使用
したスキャン露光時の露光むらを正確に測定することが
可能となった。
したスキャン露光時の露光むらを正確に測定することが
可能となった。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】ウエハステージ位置と光源のパルス発光タイミ
ングを示す図である。
ングを示す図である。
【図３】照射域と光検出器の位置関係を示す図である。
【図４】半導体デバイス製造フローを示す図である。
【図５】図５のウエハプロセスを示す図である。
【図６】矩形光強度分布の場合のウエハ上の露光量分布
を示す図である。
を示す図である。
【図７】台形光強度分布の場合のウハエ上の露光量分布
を示す図である。
を示す図である。
１ パルス光源 ２ 光束 ３ ミラー ４ 照明光学系 ５ マスク ６ 投影レンズ ７ ウエハステージ ８ 被照射域 ９ 光検出器 １０ 光検出器９の受光部開口 １１ 積算器 １２ 発光タイミング調整器
Claims (2)
- 【請求項１】 順次照射されるパルス光でマスクと基板
を走査することにより前記マスクのパターンを介して前
記基板を露光する時の前記基板上での露光量の分布を測
定する方法であって、前記基板と実質的に同じ高さで前
記パルス光を検出する光検出器を前記パルス光で走査す
る際、前記光検出器の受光部の開口を、前記走査方向の
大きさを前記パルス光の１パルス間隔中に前記基板が移
動する距離より十分短く、前記走査方向と直交する方向
の大きさは十分な検出光量得られる程度に設定すること
を特徴とする請求露光量分布測定方法。 - 【請求項２】 前記基板の位置に対する前記パルス光の
パルス発光タイミングを任意に設定することが可能な発
光タイミング調整機を有し、該発光タイミング調整機に
よって前記基板の位置に対する前記パルス光のパルス発
光タイミングを走査するに僅かずつ変化させ、該発光タ
イミングの変化量が少なくとも前記パルス光の発光パル
ス間隔に達するまで走査を繰り返すことを特徴とする請
求項１の露光量分布測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188401A JPH0745502A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 露光量分布測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188401A JPH0745502A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 露光量分布測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745502A true JPH0745502A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16223003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5188401A Withdrawn JPH0745502A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 露光量分布測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704090B2 (en) | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP5188401A patent/JPH0745502A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704090B2 (en) | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
| SG113388A1 (en) * | 2000-05-11 | 2005-08-29 | Nikon Corp | Exposure method and exposure apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |