JPH09223662A - 照明装置、走査型露光装置及びそれらを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

照明装置、走査型露光装置及びそれらを用いたデバイスの製造方法

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JPH09223662A
JPH09223662A JP8053985A JP5398596A JPH09223662A JP H09223662 A JPH09223662 A JP H09223662A JP 8053985 A JP8053985 A JP 8053985A JP 5398596 A JP5398596 A JP 5398596A JP H09223662 A JPH09223662 A JP H09223662A
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light emission
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JP8053985A
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Youzou Fukagawa
容三 深川
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Canon Inc
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パルス光源を用い、所定の積算露光量で、か
つ高スループット、高解像度で走査露光ができる走査型
露光装置及びそれらを用いたデバイスの製造方法を得る
こと。 【解決手段】 光源手段からのパルス光で被照射面上を
照射する際、発光制御手段により該被照射面の移動速度
に比例した頻度で該光源手段をパルス発光させているこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照明装置、走査型
露光装置及びそれらを用いたデバイスの製造方法に関
し、特にＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の
撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッ
ド等のデバイスを製造するリソグラフィー工程に使用さ
れる際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の進展も著しい。この微細
加工技術の中心をなす投影露光装置として、円弧状の露
光域を持つ等倍のミラー光学系に対してマスクと感光基
板を走査しながら露光する等倍投影露光装置（ミラープ
ロジェクションアライナー）や、マスクのパターン像を
屈折光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステ
ップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置
（ステッパー）等がある。
【０００３】又、最近では高解像力が得られ、且つ画面
サイズを拡大できるステップアンドスキャン方式の走査
型投影露光装置が提案されている。走査型露光装置に光
源として短波長の光束をパルス発光する、例えばエキシ
マレーザを用いて高解像力化を図ったものが種々と提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光源としてパルス発光
するパルス光源を用いた走査型露光装置において、被照
射面上の露光量を一定に維持しつつ露光むらがないよう
に均一照明するには、パルス光源からのパルス発光時刻
やパルス発光間隔、そして被照射面の移動速度等との関
係を適切に設定することが重要になってくる。
【０００５】図４はパルス光源を用いた走査型投影露光
装置において、走査露光する為にレチクルを載置するレ
チクルステージとウエハを載置するウエハステージ（以
下これらを単に「ステージ」ともいう。）とを同期移動
させる際の移動速度に対するパルス光源からのパルス発
光時刻との関係を示した概略図である。
【０００６】同図（Ａ）はレチクルステージの速度、同
図（Ｂ）はウエハステージの速度、同図（Ｃ）はパルス
発光頻度、の各々が、走査中に種々と変化する様子を示
している。同図（Ｃ）に示すように、パルス光源からの
パルス発光頻度は一定である。この為、均一な蓄積露光
量で照射するには、レチクルステージとウエハステージ
が一定速度（定速時）の範囲にある状態に限ってパルス
発光し、加速時及び減速時にはパルス発光していなかっ
た。
【０００７】このように従来の走査型露光装置において
は、走査露光する際にステージが静止状態から一定速度
に達するまでの加速期間と一定速度から静止状態に達す
るまでの減速期間はパルス発光は使用しておらず、これ
らの期間はパルス発光に要する全時間にとって無駄な時
間となっていた。この為、作業効率が悪くスループット
が低くなるという問題があった。またレチクルステージ
及びウエハステージが照明領域を通過するのに要する距
離に加えて、加減速に要する距離も予め走査範囲に確保
する必要がある為、レチクルステージとウエハステージ
に必要な移動ストロークが長くなるという問題があっ
た。
【０００８】本発明は、パルス発光するパルス光源から
のパルス光で被照射面を照射する際に、パルス光源から
のパルス発光時刻やパルス発光間隔等のパルス条件と被
照射面の移動速度や移動距離等の移動条件とを適切に設
定することにより、所定の積算照射量（積算露光量）が
容易に得られ、しかも照射むら（露光むら）がなく、被
照射面を高精度に走査照射することができ、高スループ
ットで半導体デバイスを製造することができる照明装
置、走査型露光装置及びそれらを用いたデバイスの製造
方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の照明装置は、 （１−１）光源手段からのパルス光で被照射面上を照射
する際、発光制御手段により該被照射面の移動速度に比
例した頻度で該光源手段をパルス発光させていることを
特徴としている。
【００１０】特に、（１−１−１）前記発光制御手段は
前記被照射面の位置を計測する位置検出部、該被照射面
の移動速度を計測する速度検出部、該被照射面の移動速
度から前記光源手段のパルス発光時間間隔を演算する時
間間隔演算部、パルス発光した直前のパルス発光時刻を
記憶する記憶部、該パルス発光時間間隔と該パルス発光
時刻から次のパルス発光時刻を求める時刻演算部、そし
て該次のパルス発光時刻に前記光源手段をパルス発光さ
せる発光駆動部を有していることを特徴としている。
【００１１】（１−２）光源手段からのパルス光で被照
射面上を照射する際、発光制御手段により該被照射面が
予め設定した距離だけ移動する毎に該光源手段をパルス
発光させていることを特徴としている。
【００１２】特に、（１−２−１）前記発光制御手段は
前記被照射面の位置を計測する位置検出部、直前のパル
ス発光時の該被走査面の位置情報を記憶する記憶部、該
位置検出部と記憶部からのデータに基づいて該被走査面
の移動量を求める移動距離演算部、該被走査面の移動量
が予め設定した値になったときに前記光源手段をパルス
発光させる発光駆動部を有していることを特徴としてい
る。
【００１３】（１−３）光源手段からのパルス光で被照
射面上を照射する際、発光制御手段により該被照射面の
移動速度に応じて該光源手段のパルス発振周期を変えて
いることを特徴としている。
【００１４】本発明の走査型露光装置は、 （２−１）光源手段からのパルス光で照明した第１物体
面上のパターンを相対移動する第２物体面上に露光する
際、発光制御手段により該第１物体と第２物体の相対的
な移動速度に比例した頻度で該光源手段をパルス発光さ
せていることを特徴としている。
【００１５】特に、（２−１−１）前記発光制御手段は
前記第１物体又は／及び第２物体の位置を計測する位置
検出部、該第１物体又は／及び第２物体の移動速度を計
測する速度検出部、該第１物体又は／及び第２物体の移
動速度から前記光源手段のパルス発光時間間隔を演算す
る時間間隔演算部、パルス発光した直前のパルス発光時
刻を記憶する記憶部、該パルス発光時間間隔と該パルス
発光時刻から次のパルス発光時刻を求める時刻演算部、
そして該次のパルス発光時刻に前記光源手段をパルス発
光させる発光駆動部を有していることを特徴としてい
る。
【００１６】（２−２）光源手段からのパルス光で照明
した第１物体面上のパターンを相対移動する第２物体面
上に露光する際、発光制御手段により該第１物体と第２
物体とが予め設定した距離だけ相対移動する毎に該光源
手段をパルス発光させていることを特徴としている。
【００１７】特に、（２−２−１）前記発光制御手段は
前記第１物体又は／及び第２物体の位置を計測する位置
検出部、直前のパルス発光時の該第１物体又は／及び第
２物体の位置情報を記憶する記憶部、該位置検出部と記
憶部からのデータに基づいて該第１物体と第２物体の相
対的移動量を求める移動距離演算部、該第１物体と第２
物体の相対的移動量が予め設定した値になったときに前
記光源手段をパルス発光させる発光駆動部を有している
ことを特徴としている。
【００１８】（２−３）光源手段からのパルス光で照明
した第１物体面上のパターンを相対移動する第２物体面
上に露光する際、発光制御手段により該第１物体と第２
物体の相対的な移動速度に応じて該光源手段のパルス発
振周期を変えていることを特徴としている。
【００１９】本発明の走査型投影露光装置は、 （３−１）光源手段からのパルス光で照明した第１物体
面上のパターンを投影光学系により第２物体面上に該投
影光学系の結像倍率に対応させた速度比で同期させて相
対的に走査させながら投影露光する際、発光制御手段に
より該第１物体又は第２物体の相対的な移動速度に比例
した頻度で該光源手段をパルス発光させていることを特
徴としている。
【００２０】特に、（３−１−１）前記発光制御手段は
前記第１物体又は／及び第２物体の位置を計測する位置
検出部、該第１物体又は／及び第２物体の移動速度を計
測する速度検出部、該第１物体又は／及び第２物体の移
動速度から前記光源手段のパルス発光時間間隔を演算す
る時間間隔演算部、パルス発光した直前のパルス発光時
刻を記憶する記憶部、該パルス発光時間間隔と該パルス
発光時刻から次のパルス発光時刻を求める時刻演算部、
そして該次のパルス発光時刻に前記光源手段をパルス発
光させる発光駆動部を有していることを特徴としてい
る。
【００２１】（３−２）光源手段からのパルス光で照明
した第１物体面上のパターンを投影光学系により第２物
体面上に該投影光学系の結像倍率に対応させた速度比で
同期させて相対的に走査させながら投影露光する際、発
光制御手段により該第１物体と第２物体とが予め設定し
た距離だけ相対移動する毎に該光源手段をパルス発光さ
せていることを特徴としている。
【００２２】特に、（３−２−１）前記発光制御手段は
前記第１物体又は／及び第２物体の位置を計測する位置
検出部、直前のパルス発光時の該第１物体又は／及び第
２物体の位置情報を記憶する記憶部、該位置検出部と記
憶部からのデータに基づいて該第１物体と第２物体の相
対的移動量を求める移動距離演算部、該第１物体と第２
物体の相対的移動量が予め設定した値になったときに前
記光源手段をパルス発光させる発光駆動部を有している
ことを特徴としている。
【００２３】（３−３）光源手段からのパルス光で照明
した第１物体面上のパターンを投影光学系により第２物
体面上に該投影光学系の結像倍率に対応させた速度比で
同期させて相対的に走査させながら投影露光する際、発
光制御手段により該第１物体と第２物体の相対的な移動
速度に応じて該光源手段のパルス発振周期を変えている
ことを特徴としている。
【００２４】本発明のデバイスの製造方法は、構成要件
（１−１）〜（１−３）の照明装置、又は構成要件（２
−１）〜（２−３）の走査型露光装置、又は構成要件
（３−１）〜（３−３）の走査型投影露光装置を用いて
デバイスを製造していることを特徴としている。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
概略図である。同図はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイ
ス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッ
ド等のデバイスを製造する際に用いる走査型の投影露光
装置を示している。
【００２６】図１において、エキシマレーザ等のパルス
光を放射する光源（光源手段）１からの光束はビーム整
形光学系２により所望のビーム形状に整形され、ハエの
目レンズ等から成るオプティカルインテグレータ３の光
入射面３ａに指向される。オプティカルインテグレータ
３は複数の微小レンズを２次元的に所定のピッチで配列
して構成しており、その光射出面３ｂ近傍に複数の２次
光源を形成している。
【００２７】４はコンデンサーレンズである。コンデン
サーレンズ４はオプティカルインテグレータ３の光射出
面３ｂ近傍に形成した各２次光源からの光束で複数の可
動ブレード（遮光部材）を有するマスキングブレード５
をケーラー照明している。マスキングブレード５は、例
えば４枚の可動ブレードの相対するエッジでスリット状
の開口を形作っている。
【００２８】６は結像レンズであり、マスキングブレー
ド５を通過した光束を集光している。７はミラーであ
り、ミラー７で反射した光束でレチクルステージ１１に
載置したレチクル（第１物体）９面上を光照射し、その
上にスリット状照明域を形成している。８は投影光学系
であり、レチクル９面上のパターンをウエハステージ１
２に載置した半導体基板としてのウエハ（第２物体）１
０に縮小投影している。
【００２９】本実施形態において、マスキングブレード
５とレチクル９は、結像レンズ６、ミラー７より成る光
学系により略共役関係にある。又、オプティカルインテ
グレータ３の射出面３ｂ近傍（２次光源面）と投影光学
系８の瞳面とは、コンデンサーレンズ４と結像レンズ６
とによる光学系により略共役関係にある。
【００３０】１０２はステージ同期移動制御部であり、
レチクルステージ１１とウエハステージ１２（以下「ス
テージ」と総称する。）を投影光学系８の結像倍率に応
じた比率で駆動させている。１０１はステージ１１，１
２の位置を計測するステージ位置計測部（位置検出部）
である。尚、本実施形態では位置検出部１０１はステー
ジ１１，１２の位置データを時間微分してステージの速
度を求める速度検出部を兼用している。
【００３１】１０３は時間間隔演算部（パルス発光時間
間隔演算部）であり、位置検出部１０１とステージ同期
移動制御部１０２からのデータに基づいてパルス発光の
時間間隔を演算し求めている。１０４は記憶部（パルス
発光時刻記憶部）であり、パルス発光した直前のパルス
発光時刻を記憶している。１０５は制御部（パルス発光
時刻制御部）であり、パルス発光時間間隔とパルス発光
時刻から次のパルス発光時刻を求める時刻演算部とパル
ス光源１のパルス発光時刻を制御する（即ち、次のパル
ス発光時刻にパルス発光させる）発光駆動部とを有して
いる。
【００３２】１００は発光制御手段であり、前述の各要
素１０１〜１０５を有しており、これらの各要素を用い
てステージの移動速度に比例した頻度でパルス光源１を
パルス発光させている。
【００３３】特に本実施形態では、レチクル９の像をレ
チクル９と同期して移動するウエハ１０に転写する相対
移動の加減速中にも、走査速度に反比例した時間間隔で
パルス光源１をパルス発光するようにしており、これに
よりスループットを向上させている。又、本実施形態で
は、発光制限手段はステージの走査速度に応じてパルス
光源のパルス発振周期を変えることにより、ステージの
移動速度の変動による露光むらを補正している。
【００３４】次に本実施形態における走査露光の動作の
特徴について説明する。
【００３５】個々に発光するパルスエネルギー量が略一
定量であるとき、ウエハ上の蓄積露光量Ｐは（１）式で
表わされる。
【００３６】 Ｐ＝ｑ×ｎ×Ｂｘ／Ｖｘ ・・・・・・（１） ここで、ｑは１回のパルス発光で蓄積される露光量、ｎ
は単位時間当たりに発光するパルス数を意味するパルス
発光頻度、Ｂｘはマスキングブレード５によって形成さ
れたウエハ上の照明領域、Ｖｘはウエハの移動速度であ
る。
【００３７】ウエハ上の蓄積露光量Ｐを一定に保つ為の
パルス発光頻度ｎは（２）式となる。
【００３８】 ｎ＝Ｐ×Ｖｘ／（ｑ×Ｂｘ） ・・・・・・（２） このとき、ｑ，Ｂｘ，Ｐは一定値であるから、パルス発
光頻度ｎはウエハの移動速度Ｖｘに比例する。
【００３９】さて、時間軸上で隣り合う２つのパルスの
時間間隔を意味するパルス発光時間間隔Δｔとパルス発
光頻度ｎの関係は、（３）式で表わされる。
【００４０】Δｔ＝１／ｎ ・・・・・・（３） また、パルス発光時間間隔Δｔの時間でウエハが移動す
る距離Δｘは（４）式で表わされ、（２），（３）式を
代入すれば、一定値であることが分かる。
【００４１】 Δｘ＝Δｔ×Ｖｘ ＝Ｖｘ／ｎ ＝ｑ×Ｂｘ／Ｐ＝一定 ・・・・・・（４） また、レチクルステージ１１とウエハステージ１２は投
影光学系の倍率ａと等しい一定の速度比であるから、レ
チクルが移動する距離Δｙは（５）式で表わされる。
【００４２】Δｙ＝Δｘ／ａ ・・・・・・（５） つまり、ステージの速度が変化してもウエハ上の蓄積露
光量を一定に保つには、パルス発光頻度ｎ、パルス発光
時間間隔Δｔ、ウエハ移動距離Δｘ、レチクル移動距離
Δｙのいずれかが、各々の条件を示す（２）〜（５）式
を満足するようにパルス発光を制御すれば良い。
【００４３】図３は、本実施形態においてレチクルステ
ージ１１とウエハステージ１２を同期移動させるときの
ステージ速度とパルス光源１のパルス発光時刻との関係
を示す概略図である。
【００４４】図３（Ａ）はレチクルステージ１１の速
度、図３（Ｂ）はウエハステージ１２の速度、図３
（Ｃ）はパルス発光頻度が走査中に変化する様子を示し
ている。同図では互いに同期して移動するので、レチク
ルステージ１１とウエハステージ１２が一定速度にある
状態のみならず、加減速時にパルス発光しても均一な蓄
積露光量で照射することができる。
【００４５】本実施形態では、このようにステージの静
止状態から一定速度に達するまでの加速期間と一定速度
から静止状態に達するまでの減速期間も露光に使用する
ようにしている。これにより露光に要する無駄な時間を
排除して作業効率を向上させ、スループットを高めてい
る。
【００４６】また、レチクルステージ１１及びウエハス
テージ１２を加減速する為だけに要した距離が排除され
た為、必要な移動ストロークは照明領域を通過するのに
要する距離だけで済む。これにより従来に比してスルー
プットが高く、かつレチクルステージ１１とウエハステ
ージ１２の移動ストロークが短い走査型露光装置を実現
している。
【００４７】図２は本発明の実施形態２の要部概略図で
ある。本実施形態は図１の実施形態１に比べて、ステー
ジの移動速度に比例した頻度で光源手段をパルス発光さ
せる代わりに、ステージが予め設定した距離だけ移動す
る毎に光源手段１をパルス発光させるようにしている点
が異なっており、その他の構成は同じである。
【００４８】図２において、１０６はパルス発光位置記
憶部（記憶部）であり、直前にパルス発光した時点での
レチクルステージ１１又は／及びウエハステージ１２の
位置情報を記憶している。１０７はパルス発光位置制御
部であり、記憶部１０６からの位置情報に基づいて直前
のパルス発光時点から移動したレチクルステージ１１又
は／及びウエハステージ１２等のステージの距離を求め
る移動距離演算部と、ステージが一定の移動量に達した
ときにパルス光源１をパルス発光させる発光駆動部とを
有している。
【００４９】１０１はステージ位置計測部、１０２はス
テージ同期移動制御部であり、これらは図１で示したも
のと同じである。
【００５０】１００は発光制御手段であり、前述の各要
素１０１，１０２，１０５，１０６を用いてステージが
予め設定した距離だけ移動する毎に光源手段をパルス発
光させている。
【００５１】特に本実施形態では、レチクル９の像をレ
チクル９と同期して移動するウエハ１０に転写する相対
移動の加減速中にも、走査距離に応じた時間間隔でパル
ス発光するようにパルス光源１を制御しており、これに
よりスループットを向上させている。
【００５２】次に上記説明した走査型投影露光装置を利
用したデバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【００５３】図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
【００５４】本実施形態において、ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成した
マスクを製作する。
【００５５】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００５６】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００５７】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５８】図６は上記ステップ４のウエハプロセスの
詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【００５９】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００６０】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６１】尚、本実施形態の製造方法を用いれば、高
集積度のデバイスを容易に製造することができる。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、パルス発
光するパルス光源からのパルス光で被照射面を照射する
際に、パルス光源からのパルス発光時刻やパルス発光間
隔等のパルス条件と被照射面の移動速度や移動距離等の
移動条件とを適切に設定することにより、所定の積算照
射量（積算露光量）が容易に得られ、しかも照射むら
（露光むら）がなく、被照射面を高精度に走査照射する
ことができ、高スループットで半導体デバイスを製造す
ることができる照明装置、走査型露光装置及びそれらを
用いたデバイスの製造方法を実現することができる。
【００６３】特に本発明によれば、スループットが高
く、かつレチクルステージとウエハステージの移動スト
ロークが短い走査型露光装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の要部概略図
【図２】本発明の実施形態２の要部概略図
【図３】本発明に係るレチクルステージの移動速度、ウ
エハステージの移動速度、そしてパルス発光との関係を
示す説明図
【図４】従来の走査型露光装置におけるレチクルステー
ジの移動速度、ウエハステージの移動速度、そしてパル
ス発光との関係を示す説明図
【図５】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図６】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【符号の説明】 １ パルス光源 ２ ビーム整形光学系 ３ オプティカルインテグレータ ４ コンデンサーレンズ ５ マスキングブレード ６ 結像レンズ ７ ミラー ８ 投影レンズ ９ レチクル １０ ウエハ １１ レチクルステージ １２ ウエハステージ １０１ ステージ位置計測部 １０２ ステージ同期移動制御部 １０３ パルス発光時間間隔演算部 １０４ パルス発光時刻記憶部 １０５ パルス発光時間間隔によるパルス発光制御部 １０６ パルス発光位置記憶部 １０７ ステージ位置によるパルス発光制御部

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源手段からのパルス光で被照射面上を
    照射する際、発光制御手段により該被照射面の移動速度
    に比例した頻度で該光源手段をパルス発光させているこ
    とを特徴とする照明装置。
  2. 【請求項２】 前記発光制御手段は前記被照射面の位置
    を計測する位置検出部、該被照射面の移動速度を計測す
    る速度検出部、該被照射面の移動速度から前記光源手段
    のパルス発光時間間隔を演算する時間間隔演算部、パル
    ス発光した直前のパルス発光時刻を記憶する記憶部、該
    パルス発光時間間隔と該パルス発光時刻から次のパルス
    発光時刻を求める時刻演算部、そして該次のパルス発光
    時刻に前記光源手段をパルス発光させる発光駆動部を有
    していることを特徴とする請求項１の照明装置。
  3. 【請求項３】 光源手段からのパルス光で被照射面上を
    照射する際、発光制御手段により該被照射面が予め設定
    した距離だけ移動する毎に該光源手段をパルス発光させ
    ていることを特徴とする照明装置。
  4. 【請求項４】 前記発光制御手段は前記被照射面の位置
    を計測する位置検出部、直前のパルス発光時の該被走査
    面の位置情報を記憶する記憶部、該位置検出部と記憶部
    からのデータに基づいて該被走査面の移動量を求める移
    動距離演算部、該被走査面の移動量が予め設定した値に
    なったときに前記光源手段をパルス発光させる発光駆動
    部を有していることを特徴とする請求項３の照明装置。
  5. 【請求項５】 光源手段からのパルス光で被照射面上を
    照射する際、発光制御手段により該被照射面の移動速度
    に応じて該光源手段のパルス発振周期を変えていること
    を特徴とする照明装置。
  6. 【請求項６】 光源手段からのパルス光で照明した第１
    物体面上のパターンを相対移動する第２物体面上に露光
    する際、発光制御手段により該第１物体と第２物体の相
    対的な移動速度に比例した頻度で該光源手段をパルス発
    光させていることを特徴とする走査型露光装置。
  7. 【請求項７】 前記発光制御手段は前記第１物体又は／
    及び第２物体の位置を計測する位置検出部、該第１物体
    又は／及び第２物体の移動速度を計測する速度検出部、
    該第１物体又は／及び第２物体の移動速度から前記光源
    手段のパルス発光時間間隔を演算する時間間隔演算部、
    パルス発光した直前のパルス発光時刻を記憶する記憶
    部、該パルス発光時間間隔と該パルス発光時刻から次の
    パルス発光時刻を求める時刻演算部、そして該次のパル
    ス発光時刻に前記光源手段をパルス発光させる発光駆動
    部を有していることを特徴とする請求項６の走査型露光
    装置。
  8. 【請求項８】 光源手段からのパルス光で照明した第１
    物体面上のパターンを相対移動する第２物体面上に露光
    する際、発光制御手段により該第１物体と第２物体とが
    予め設定した距離だけ相対移動する毎に該光源手段をパ
    ルス発光させていることを特徴とする走査型露光装置。
  9. 【請求項９】 前記発光制御手段は前記第１物体又は／
    及び第２物体の位置を計測する位置検出部、直前のパル
    ス発光時の該第１物体又は／及び第２物体の位置情報を
    記憶する記憶部、該位置検出部と記憶部からのデータに
    基づいて該第１物体と第２物体の相対的移動量を求める
    移動距離演算部、該第１物体と第２物体の相対的移動量
    が予め設定した値になったときに前記光源手段をパルス
    発光させる発光駆動部を有していることを特徴とする請
    求項８の走査型露光装置。
  10. 【請求項１０】 光源手段からのパルス光で照明した第
    １物体面上のパターンを相対移動する第２物体面上に露
    光する際、発光制御手段により該第１物体と第２物体の
    相対的な移動速度に応じて該光源手段のパルス発振周期
    を変えていることを特徴とする走査型露光装置。
  11. 【請求項１１】 光源手段からのパルス光で照明した第
    １物体面上のパターンを投影光学系により第２物体面上
    に該投影光学系の結像倍率に対応させた速度比で同期さ
    せて相対的に走査させながら投影露光する際、発光制御
    手段により該第１物体又は第２物体の相対的な移動速度
    に比例した頻度で該光源手段をパルス発光させているこ
    とを特徴とする走査型投影露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記発光制御手段は前記第１物体又は
    ／及び第２物体の位置を計測する位置検出部、該第１物
    体又は／及び第２物体の移動速度を計測する速度検出
    部、該第１物体又は／及び第２物体の移動速度から前記
    光源手段のパルス発光時間間隔を演算する時間間隔演算
    部、パルス発光した直前のパルス発光時刻を記憶する記
    憶部、該パルス発光時間間隔と該パルス発光時刻から次
    のパルス発光時刻を求める時刻演算部、そして該次のパ
    ルス発光時刻に前記光源手段をパルス発光させる発光駆
    動部を有していることを特徴とする請求項１１の走査型
    投影露光装置。
  13. 【請求項１３】 光源手段からのパルス光で照明した第
    １物体面上のパターンを投影光学系により第２物体面上
    に該投影光学系の結像倍率に対応させた速度比で同期さ
    せて相対的に走査させながら投影露光する際、発光制御
    手段により該第１物体と第２物体とが予め設定した距離
    だけ相対移動する毎に該光源手段をパルス発光させてい
    ることを特徴とする走査型投影露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記発光制御手段は前記第１物体又は
    ／及び第２物体の位置を計測する位置検出部、直前のパ
    ルス発光時の該第１物体又は／及び第２物体の位置情報
    を記憶する記憶部、該位置検出部と記憶部からのデータ
    に基づいて該第１物体と第２物体の相対的移動量を求め
    る移動距離演算部、該第１物体と第２物体の相対的移動
    量が予め設定した値になったときに前記光源手段をパル
    ス発光させる発光駆動部を有していることを特徴とする
    請求項１３の走査型投影露光装置。
  15. 【請求項１５】 光源手段からのパルス光で照明した第
    １物体面上のパターンを投影光学系により第２物体面上
    に該投影光学系の結像倍率に対応させた速度比で同期さ
    せて相対的に走査させながら投影露光する際、発光制御
    手段により該第１物体と第２物体の相対的な移動速度に
    応じて該光源手段のパルス発振周期を変えていることを
    特徴とする走査型投影露光装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１〜５のいずれか１項記載の照
    明装置を用いてデバイスを製造していることを特徴とす
    るデバイスの製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項６〜１０のいずれか１項記載の
    走査型露光装置を用いてデバイスを製造していることを
    特徴とするデバイスの製造方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１１〜１５のいずれか１項記載
    の走査型投影露光装置を用いてデバイスを製造している
    ことを特徴とするデバイスの製造方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6788391B2 (en) 2001-06-13 2004-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Illumination device, exposure apparatus and exposure method
US6954259B2 (en) 2003-02-13 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Scanning exposure apparatus
JP2011109014A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Canon Inc 走査型露光装置
CN103186055A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻机及其扫描曝光方法
CN116047867A (zh) * 2021-10-28 2023-05-02 佳能株式会社 曝光装置、曝光方法以及物品的制造方法

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