JPH0745765A - 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法Info
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- JPH0745765A JPH0745765A JP5184270A JP18427093A JPH0745765A JP H0745765 A JPH0745765 A JP H0745765A JP 5184270 A JP5184270 A JP 5184270A JP 18427093 A JP18427093 A JP 18427093A JP H0745765 A JPH0745765 A JP H0745765A
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- resin
- insulating substrate
- metal insulating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】回路組立体の内部接続に使用した共晶ソルダが
再溶融するおそれのない低成形温度条件で樹脂封止が行
えるようにした生産性の高い樹脂封止型半導体装置の樹
脂封止法を提供する。 【構成】リードフレーム２の上に構成した半導体チップ
３を含む回路組立体を放熱用の金属絶縁基板１に搭載し
て共晶ソルダ７で半田接合するとともに、金属絶縁基板
の金属板底面を露呈させて回路組立体の周域を樹脂封止
してなる樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法であって、
あらかじめ金属絶縁基板１の底面側に離型剤９を塗布し
ておき、この金属絶縁基板に搭載した回路組立体を射出
成形用金型８にインサートした上で、１４０℃〜１８０
℃の成形温度条件でキャビティに液状のエポキシ樹脂を
充填して封止樹脂層を成形する。
再溶融するおそれのない低成形温度条件で樹脂封止が行
えるようにした生産性の高い樹脂封止型半導体装置の樹
脂封止法を提供する。 【構成】リードフレーム２の上に構成した半導体チップ
３を含む回路組立体を放熱用の金属絶縁基板１に搭載し
て共晶ソルダ７で半田接合するとともに、金属絶縁基板
の金属板底面を露呈させて回路組立体の周域を樹脂封止
してなる樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法であって、
あらかじめ金属絶縁基板１の底面側に離型剤９を塗布し
ておき、この金属絶縁基板に搭載した回路組立体を射出
成形用金型８にインサートした上で、１４０℃〜１８０
℃の成形温度条件でキャビティに液状のエポキシ樹脂を
充填して封止樹脂層を成形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力用半導体デバイス
などを対象とした樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法に
関する。
などを対象とした樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今では、半導体デバイスのダウンサイ
ジング化が進み、量産性，製造コスト面からパッケージ
を樹脂封止型とした電力用半導体デバイスが多く採用さ
れるようになっている。また、電力用半導体装置として
必要な放熱性と電気絶縁性を確保するために、リードフ
レームを用いて構成した回路組立体を金属絶縁基板（ヒ
ートシンクとなる金属板と接合した絶縁層の上に導体パ
ターンを形成した基板）上に搭載してリードフレームと
金属絶縁基板との間を低融点の共晶ソルダ（融点１８３
℃）を用いて接合するとともに、金属絶縁基板の金属板
底面を放熱面として露呈させたまま、回路組立体の周域
を樹脂封止してパッケージングした構造のものが知られ
ている。
ジング化が進み、量産性，製造コスト面からパッケージ
を樹脂封止型とした電力用半導体デバイスが多く採用さ
れるようになっている。また、電力用半導体装置として
必要な放熱性と電気絶縁性を確保するために、リードフ
レームを用いて構成した回路組立体を金属絶縁基板（ヒ
ートシンクとなる金属板と接合した絶縁層の上に導体パ
ターンを形成した基板）上に搭載してリードフレームと
金属絶縁基板との間を低融点の共晶ソルダ（融点１８３
℃）を用いて接合するとともに、金属絶縁基板の金属板
底面を放熱面として露呈させたまま、回路組立体の周域
を樹脂封止してパッケージングした構造のものが知られ
ている。
【０００３】次に、前記した樹脂封止型半導体装置の従
来における代表的な組立構造を図７に示す。図におい
て、１は金属板１ａ，絶縁層１ｂ，導体パターン１ｃよ
りなる金属絶縁基板、２はリードフレーム、３はリード
フレーム２のダイパッド２ａにマウントされた半導体チ
ップ、４はリードフレーム２の外部リード２ｂと半導体
チップ３との間を接続したボンディングワイヤ、５は金
属絶縁基板１の上に接着した樹脂ケース、６は樹脂ケー
ス５の内部に充填した封止樹脂である。なお、金属絶縁
基板１における絶縁層１ｂの厚さは、伝熱抵抗と電気的
な絶縁耐力とのトレードオフ特性に適合させて選定され
ている。
来における代表的な組立構造を図７に示す。図におい
て、１は金属板１ａ，絶縁層１ｂ，導体パターン１ｃよ
りなる金属絶縁基板、２はリードフレーム、３はリード
フレーム２のダイパッド２ａにマウントされた半導体チ
ップ、４はリードフレーム２の外部リード２ｂと半導体
チップ３との間を接続したボンディングワイヤ、５は金
属絶縁基板１の上に接着した樹脂ケース、６は樹脂ケー
ス５の内部に充填した封止樹脂である。なお、金属絶縁
基板１における絶縁層１ｂの厚さは、伝熱抵抗と電気的
な絶縁耐力とのトレードオフ特性に適合させて選定され
ている。
【０００４】ここで、リードフレーム２は金属絶縁基板
１の導体パターン１ｃ上に共晶ソルダ７を用いて半田接
合される。また、封止樹脂６はポッティング法により樹
脂ケース５の内部に充填される。この、ポッティング法
による成形温度条件は樹脂温度が１３０℃程度であり、
前記した共晶ソルダ７が再溶融するおそれはなく安全で
ある。
１の導体パターン１ｃ上に共晶ソルダ７を用いて半田接
合される。また、封止樹脂６はポッティング法により樹
脂ケース５の内部に充填される。この、ポッティング法
による成形温度条件は樹脂温度が１３０℃程度であり、
前記した共晶ソルダ７が再溶融するおそれはなく安全で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
にポッティング法を採用して封止樹脂層６を成形した図
６の構造では、流動性のある樹脂の流出を防ぐために樹
脂ケース５が必要であるが、この樹脂ケース５は封止樹
脂層６が硬化した後は機能的に不要となるばかりか、樹
脂ケース５の存在により半導体装置の外形サイズが大形
化する。したがって、樹脂ケース５を用いずに樹脂封止
して半導体装置の外形寸法の小形化促進を図ることが望
まれている。
にポッティング法を採用して封止樹脂層６を成形した図
６の構造では、流動性のある樹脂の流出を防ぐために樹
脂ケース５が必要であるが、この樹脂ケース５は封止樹
脂層６が硬化した後は機能的に不要となるばかりか、樹
脂ケース５の存在により半導体装置の外形サイズが大形
化する。したがって、樹脂ケース５を用いずに樹脂封止
して半導体装置の外形寸法の小形化促進を図ることが望
まれている。
【０００６】一方、樹脂ケースを使わない半導体装置の
樹脂封止法として、前記のポッティング法以外にトラン
スファ成形方法が知られているが、この成形方法ではタ
ブレット化した固形のエポキシ樹脂などを成形材料と
し、これを加熱により可塑化して金型のキャビティに充
填することから成形温度条件が１８０℃以上となる。こ
のために、前述のようにリードフレーム２と金属絶縁基
板１との間を共晶ソルダ（融点１８３℃）で半田接合し
たものでは、モールド成形時の加熱により半田が再溶融
するおそれがあり、このままでは実用に供し得ない。
樹脂封止法として、前記のポッティング法以外にトラン
スファ成形方法が知られているが、この成形方法ではタ
ブレット化した固形のエポキシ樹脂などを成形材料と
し、これを加熱により可塑化して金型のキャビティに充
填することから成形温度条件が１８０℃以上となる。こ
のために、前述のようにリードフレーム２と金属絶縁基
板１との間を共晶ソルダ（融点１８３℃）で半田接合し
たものでは、モールド成形時の加熱により半田が再溶融
するおそれがあり、このままでは実用に供し得ない。
【０００７】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、頭記した樹脂封止型半導体装置を対象に前記課
題を解決し、リードフレームと金属絶縁基板との間の半
田接合部が再溶融するおそれのない低成形温度条件で樹
脂封止が行えるようにした生産性の高い樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止法を提供することにある。
であり、頭記した樹脂封止型半導体装置を対象に前記課
題を解決し、リードフレームと金属絶縁基板との間の半
田接合部が再溶融するおそれのない低成形温度条件で樹
脂封止が行えるようにした生産性の高い樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
り、金属絶縁基板に搭載した回路組立体を射出成形用金
型にインサートし、１４０℃〜１８０℃の成形温度条件
でキャビティ内に液状の熱硬化性樹脂を注入して封止樹
脂層を成形することにより達成される。また、前記方法
の実施に際して、金属絶縁基板の底面が樹脂で覆われる
のを防ぐための具体的な手段として次記の方法がある。
り、金属絶縁基板に搭載した回路組立体を射出成形用金
型にインサートし、１４０℃〜１８０℃の成形温度条件
でキャビティ内に液状の熱硬化性樹脂を注入して封止樹
脂層を成形することにより達成される。また、前記方法
の実施に際して、金属絶縁基板の底面が樹脂で覆われる
のを防ぐための具体的な手段として次記の方法がある。
【０００９】（１）金属絶縁基板の底面にあらかじめ離
型剤を塗布して封止樹脂層の成形を行う。 （２）金型のキャビティ底部に金属絶縁基板の底面周域
と当接し合うパッキンを配置して封止樹脂層の成形を行
う。 （３）金属絶縁基板の金属板の底面側にあらかじめ段付
き部を形成しておき、金型のキャビティには前記段付き
部と密接して嵌合し合う段付き凹所を形成して封止樹脂
層の成形を行う。
型剤を塗布して封止樹脂層の成形を行う。 （２）金型のキャビティ底部に金属絶縁基板の底面周域
と当接し合うパッキンを配置して封止樹脂層の成形を行
う。 （３）金属絶縁基板の金属板の底面側にあらかじめ段付
き部を形成しておき、金型のキャビティには前記段付き
部と密接して嵌合し合う段付き凹所を形成して封止樹脂
層の成形を行う。
【００１０】さらに、モールド形成に伴って封止樹脂層
の周域にバリが生じるのを防ぐ手段として、リードフレ
ームに対し、あらかじめ封止樹脂層成形領域の外周を包
囲するダムバーを形成して封止樹脂層の成形を行う方法
がある。
の周域にバリが生じるのを防ぐ手段として、リードフレ
ームに対し、あらかじめ封止樹脂層成形領域の外周を包
囲するダムバーを形成して封止樹脂層の成形を行う方法
がある。
【００１１】
【作用】上記の樹脂封止法によれば、成形温度条件を１
４０〜１８０℃の範囲として液状の樹脂を用いて封止樹
脂層を射出成形するようにしたので、リードフレームと
金属絶縁基板との間を接合した低融点の共晶ソルダ（融
点１８３℃）を射出成形時に再溶融させたり、成形後の
冷却過程で封止樹脂層に内部応力，クラックが発生する
のを抑え、かつ金属絶縁基板の底面が樹脂で覆われるの
を防止しつつ、しかも一連の成形操作を通じて行う成形
プロセスで射出開始時点から短時間のうちに液状樹脂を
ゲル化することができる。これにより、製品の品質向上
と併せて成形サイクルタイムを短縮して生産性の向上化
が図れる。
４０〜１８０℃の範囲として液状の樹脂を用いて封止樹
脂層を射出成形するようにしたので、リードフレームと
金属絶縁基板との間を接合した低融点の共晶ソルダ（融
点１８３℃）を射出成形時に再溶融させたり、成形後の
冷却過程で封止樹脂層に内部応力，クラックが発生する
のを抑え、かつ金属絶縁基板の底面が樹脂で覆われるの
を防止しつつ、しかも一連の成形操作を通じて行う成形
プロセスで射出開始時点から短時間のうちに液状樹脂を
ゲル化することができる。これにより、製品の品質向上
と併せて成形サイクルタイムを短縮して生産性の向上化
が図れる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、実施例の図中で図７に対応する同一部材に
は同じ符号が付してある。 実施例１：図１は半導体装置の組立体（半導体装置の各
部については図７を参照）を射出成形用金型８にインサ
ートして封止樹脂層を射出成形する際の工程図である。
ここで、金型８は上型８ａと下型８ｂからなり、上型８
ａにはキャビティ内にインサートされた金属絶縁基板１
を金型８の型締め状態で定位置に保持する押え片８ｃを
備え、下型８ｂには液状樹脂の形成材料をキャビティに
注入するゲート８ｄが開口している。
する。なお、実施例の図中で図７に対応する同一部材に
は同じ符号が付してある。 実施例１：図１は半導体装置の組立体（半導体装置の各
部については図７を参照）を射出成形用金型８にインサ
ートして封止樹脂層を射出成形する際の工程図である。
ここで、金型８は上型８ａと下型８ｂからなり、上型８
ａにはキャビティ内にインサートされた金属絶縁基板１
を金型８の型締め状態で定位置に保持する押え片８ｃを
備え、下型８ｂには液状樹脂の形成材料をキャビティに
注入するゲート８ｄが開口している。
【００１３】また、半導体装置の組立体は金型８にイン
サートする前に、あらかじめ金属絶縁基板１の放熱面と
して機能する底面全域に離型剤９（例えば、信越シリコ
ーン（株）の製品：スプレー型離型剤ＳＥＰＡ−ＣＯＡ
ＴII）を塗布しておく。この離型剤９は成形時に金属絶
縁基板１の放熱面に封止樹脂が付着するのを防ぐ役目を
果たす。
サートする前に、あらかじめ金属絶縁基板１の放熱面と
して機能する底面全域に離型剤９（例えば、信越シリコ
ーン（株）の製品：スプレー型離型剤ＳＥＰＡ−ＣＯＡ
ＴII）を塗布しておく。この離型剤９は成形時に金属絶
縁基板１の放熱面に封止樹脂が付着するのを防ぐ役目を
果たす。
【００１４】そして、図示状態で射出ノズルより金型８
のゲート８ｄを通じてキャビティ内に次記の成形材料を
所定の射出圧力で注入してモールド成形を行う。この場
合に、成形材料はあらかじめ主剤と硬化剤を適正比率で
混合した二液性の液状エポキシ樹脂（例えば、長瀬チバ
（株）の製品：ＸＮＲ８２０５（主剤），ＸＮＨ８２０
５（硬化剤））を用い、かつ成形温度条件を１４０〜１
８０℃の範囲に設定した上で一連の成形操作を行って回
路組立体の周域を樹脂封止する。
のゲート８ｄを通じてキャビティ内に次記の成形材料を
所定の射出圧力で注入してモールド成形を行う。この場
合に、成形材料はあらかじめ主剤と硬化剤を適正比率で
混合した二液性の液状エポキシ樹脂（例えば、長瀬チバ
（株）の製品：ＸＮＲ８２０５（主剤），ＸＮＨ８２０
５（硬化剤））を用い、かつ成形温度条件を１４０〜１
８０℃の範囲に設定した上で一連の成形操作を行って回
路組立体の周域を樹脂封止する。
【００１５】ここで、成形温度条件の上限を１８０℃に
設定したのは、半導体装置の組立体で金属絶縁基板１と
リードフレーム２との間を接合した共晶ソルダ（融点１
８３℃）がモールド成形時に再溶融したり、成形後に室
温まで冷却する過程で樹脂層に内部応力や、それに基づ
くクラックが発生するのを抑えるためである。また、成
形温度条件の下限を１４０℃に設定したのは、一連の成
形プロセスの中で金型に注入した液状エポキシ樹脂のゲ
ル化時間を速めるためであり、これにより液状樹脂の射
出開始から型開きまでの所要時間が短くて済むので、成
形サイクルタイムを短縮できる。なお、前記した液状エ
ポキシ樹脂は１３０℃の低温でも成形可能であるが、成
形温度を１４０℃以下に低めると液状エポキシ樹脂のゲ
ル化時間が大幅に増加するため、これに伴って成形サイ
クルの所要時間が長く掛かる。
設定したのは、半導体装置の組立体で金属絶縁基板１と
リードフレーム２との間を接合した共晶ソルダ（融点１
８３℃）がモールド成形時に再溶融したり、成形後に室
温まで冷却する過程で樹脂層に内部応力や、それに基づ
くクラックが発生するのを抑えるためである。また、成
形温度条件の下限を１４０℃に設定したのは、一連の成
形プロセスの中で金型に注入した液状エポキシ樹脂のゲ
ル化時間を速めるためであり、これにより液状樹脂の射
出開始から型開きまでの所要時間が短くて済むので、成
形サイクルタイムを短縮できる。なお、前記した液状エ
ポキシ樹脂は１３０℃の低温でも成形可能であるが、成
形温度を１４０℃以下に低めると液状エポキシ樹脂のゲ
ル化時間が大幅に増加するため、これに伴って成形サイ
クルの所要時間が長く掛かる。
【００１６】次に、前記の射出成形工程を経て製作され
た樹脂封止型半導体装置を図４，図５に示す。図示構成
では、金属絶縁基板１の金属板１ａの底面域（ヒートシ
ンクの放熱面）を除いてリードフレーム２の上に組立ら
れた半導体チップ４を含む回路組立体の周域が封止樹脂
層６により封止されている。なお、金属絶縁基板１の底
面は、モールド形成の際にあらかじめ図１で述べたよう
に離型剤９を塗布しておくことで樹脂が付着するのを防
ぐことができる。
た樹脂封止型半導体装置を図４，図５に示す。図示構成
では、金属絶縁基板１の金属板１ａの底面域（ヒートシ
ンクの放熱面）を除いてリードフレーム２の上に組立ら
れた半導体チップ４を含む回路組立体の周域が封止樹脂
層６により封止されている。なお、金属絶縁基板１の底
面は、モールド形成の際にあらかじめ図１で述べたよう
に離型剤９を塗布しておくことで樹脂が付着するのを防
ぐことができる。
【００１７】実施例２：前記した実施例１では、金属絶
縁基板１の裏面に封止樹脂が付着するのを防ぐために離
型剤９を塗布したが、この実施例では離型剤を使用せず
に金属絶縁基板の底面に樹脂が付着するのを防ぐような
手段を講じている。すなわち、この実施例においては、
金型８の下型８ａに対してそのキャビティの底部側に
は、金属絶縁基板１を載せる中央の台部８ｅを残してそ
の外側の凹所内周域にリング状のパッキン１０を備えて
いる。このパッキン１０は金型内にインサートされた金
属絶縁基板１の底面周縁部に密接して、金型８に注入し
た成形樹脂が金属絶縁基板１の底面側に回り込むのを阻
止する役目を果たすものであり、成形温度に十分耐える
耐熱性の高い材料（例えばシリコーン樹脂）で作られた
パッキンが使用される。これにより、金属絶縁基板１の
底面側には樹脂の回り込みがなくなるので、実施例１で
述べたような離型剤を塗布する必要がない。
縁基板１の裏面に封止樹脂が付着するのを防ぐために離
型剤９を塗布したが、この実施例では離型剤を使用せず
に金属絶縁基板の底面に樹脂が付着するのを防ぐような
手段を講じている。すなわち、この実施例においては、
金型８の下型８ａに対してそのキャビティの底部側に
は、金属絶縁基板１を載せる中央の台部８ｅを残してそ
の外側の凹所内周域にリング状のパッキン１０を備えて
いる。このパッキン１０は金型内にインサートされた金
属絶縁基板１の底面周縁部に密接して、金型８に注入し
た成形樹脂が金属絶縁基板１の底面側に回り込むのを阻
止する役目を果たすものであり、成形温度に十分耐える
耐熱性の高い材料（例えばシリコーン樹脂）で作られた
パッキンが使用される。これにより、金属絶縁基板１の
底面側には樹脂の回り込みがなくなるので、実施例１で
述べたような離型剤を塗布する必要がない。
【００１８】実施例３：図３は金属絶縁基板の底面に樹
脂が付着するのを防ぐための応用実施例を示すものであ
る。この実施例においては、金属絶縁基板１の底面側に
あらかじめ段付き部１ｄを形成しておくとともに、一方
では金型８の下型８ｂの底部側に前記の段付き部１ｄが
止まり嵌めで嵌合し合う段付き凹所８ｆが形成されてい
る。
脂が付着するのを防ぐための応用実施例を示すものであ
る。この実施例においては、金属絶縁基板１の底面側に
あらかじめ段付き部１ｄを形成しておくとともに、一方
では金型８の下型８ｂの底部側に前記の段付き部１ｄが
止まり嵌めで嵌合し合う段付き凹所８ｆが形成されてい
る。
【００１９】これにより、金型８にインサートされた金
属絶縁基板１は、その段付き部１ｄの周縁が下型８ｂの
凹所周縁に突き合わされるので、金型８に注入した樹脂
が金属絶縁基板１の底面側に回り込むことがない。つま
り、金型に形成した段付き凹所８ｆが実施例２で述べた
パッキン１０と同じ役目を果たす。 実施例４：次に、樹脂封止成形の際に樹脂封止層の周域
にバリが生じるのを防ぐ手段を講じた実施例を図６で説
明する。
属絶縁基板１は、その段付き部１ｄの周縁が下型８ｂの
凹所周縁に突き合わされるので、金型８に注入した樹脂
が金属絶縁基板１の底面側に回り込むことがない。つま
り、金型に形成した段付き凹所８ｆが実施例２で述べた
パッキン１０と同じ役目を果たす。 実施例４：次に、樹脂封止成形の際に樹脂封止層の周域
にバリが生じるのを防ぐ手段を講じた実施例を図６で説
明する。
【００２０】封止樹脂層６の成形材料である液状エポキ
シ樹脂は粘度が小さく、先記の各実施例で述べた金型８
に所定の射出圧力を加えて液状エポキシ樹脂を注入する
と、樹脂の一部が上型８ａと下型８ｂとの合わせ面（パ
ーティング面）の隙間に押し出され、これが固化してバ
リを生成する。そこで、バリの生成を防ぐための手段と
して、図６ではリードフレーム２に対し、あらかじめ封
止樹脂層６の外形に合わせてその成形領域の外周を取り
囲むようにダムバー２ｃを形成しておき、このダムバー
を金型の合わせ面に挟み込んだ状態で成形を行う。これ
により、金型の合わせ面周域がダムバーにより閉塞され
るのでバリの生成を防ぐことができる。
シ樹脂は粘度が小さく、先記の各実施例で述べた金型８
に所定の射出圧力を加えて液状エポキシ樹脂を注入する
と、樹脂の一部が上型８ａと下型８ｂとの合わせ面（パ
ーティング面）の隙間に押し出され、これが固化してバ
リを生成する。そこで、バリの生成を防ぐための手段と
して、図６ではリードフレーム２に対し、あらかじめ封
止樹脂層６の外形に合わせてその成形領域の外周を取り
囲むようにダムバー２ｃを形成しておき、このダムバー
を金型の合わせ面に挟み込んだ状態で成形を行う。これ
により、金型の合わせ面周域がダムバーにより閉塞され
るのでバリの生成を防ぐことができる。
【００２１】このダムバー２ｃは、その内周縁が樹脂封
止層６の外形輪郭と合致するように形成するのが理想的
であるが、金型構造など制約から図示のようにダムバー
２ｃを樹脂封止層６の外周から離す必要のある場合に
は、ダムバー２ｃと封止樹脂層６との間の空所を埋める
ように、この部分に離型性のある材料で作られたシート
状のスペーサ（リードフレーム２と同じ厚さ）を当てが
い、これを金型の合わせ面に挟んで成形することでバリ
の発生が防げる。
止層６の外形輪郭と合致するように形成するのが理想的
であるが、金型構造など制約から図示のようにダムバー
２ｃを樹脂封止層６の外周から離す必要のある場合に
は、ダムバー２ｃと封止樹脂層６との間の空所を埋める
ように、この部分に離型性のある材料で作られたシート
状のスペーサ（リードフレーム２と同じ厚さ）を当てが
い、これを金型の合わせ面に挟んで成形することでバリ
の発生が防げる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の樹脂封止法
によれば、トランスファ成形による樹脂封止法と同様に
射出成形用金型に回路組立体をインサートし、この金型
に液状の熱硬化性樹脂を注入して回路組立体の周域に封
止樹脂層を射出成形するようにしたので、ポッティング
法のような樹脂ケースが不要であり、これにより樹脂封
止型半導体装置のダウンサイジング化が促進できる。
によれば、トランスファ成形による樹脂封止法と同様に
射出成形用金型に回路組立体をインサートし、この金型
に液状の熱硬化性樹脂を注入して回路組立体の周域に封
止樹脂層を射出成形するようにしたので、ポッティング
法のような樹脂ケースが不要であり、これにより樹脂封
止型半導体装置のダウンサイジング化が促進できる。
【００２３】また、この場合に射出成形の温度条件を１
４０〜１８０℃の範囲に定めたことにより、回路組立体
の接合に用いた低融点の共晶ソルダが封止樹脂層の成形
の際に再溶融するおそれがなく、かつ成形後の冷却過程
でも封止樹脂層の内部応力，クラック発生を抑制できる
ほか、金型に注入した液状樹脂のゲル化時間を速めて成
形サイクルの所要時間の短縮化が図れるなど、品質の安
定した樹脂封止型半導体装置を生産性よく製造すること
ができる。
４０〜１８０℃の範囲に定めたことにより、回路組立体
の接合に用いた低融点の共晶ソルダが封止樹脂層の成形
の際に再溶融するおそれがなく、かつ成形後の冷却過程
でも封止樹脂層の内部応力，クラック発生を抑制できる
ほか、金型に注入した液状樹脂のゲル化時間を速めて成
形サイクルの所要時間の短縮化が図れるなど、品質の安
定した樹脂封止型半導体装置を生産性よく製造すること
ができる。
【図１】本発明の実施例１に対応する半導体装置の封止
樹脂層の成形工程図。
樹脂層の成形工程図。
【図２】本発明の実施例２に対応する半導体装置の封止
樹脂層の成形工程図。
樹脂層の成形工程図。
【図３】本発明の実施例３に対応する半導体装置の封止
樹脂層の成形工程図。
樹脂層の成形工程図。
【図４】封止樹脂層の成形工程を経て製作された樹脂封
止型半導体装置の構成断面図
止型半導体装置の構成断面図
【図５】図４の平面図
【図６】本発明の実施例４に採用するダムバー付きリー
ドフレームの平面図
ドフレームの平面図
【図７】ポッティング法により製作された従来における
樹脂封止型半導体装置の組立構成図
樹脂封止型半導体装置の組立構成図
１ 金属絶縁基板 １ａ 金属板 １ｄ 段付き部 ２ リードフレーム ３ 半導体チップ ６ 封止樹脂層 ７ 共晶ソルダ ８ 射出成形用金型 ８ａ 上型 ８ｂ 下型 ８ｆ 段付き凹所 ９ 離型剤 １０ パッキン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】リードフレームを用いて構成した回路組立
体を金属絶縁基板に搭載してリードフレームと金属絶縁
基板との間を低融点の共晶ソルダで半田接合し、かつ金
属絶縁基板の放熱面となる底面を露呈させたまま回路組
立体の周域を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止法であって、金属絶縁基板に搭載した回路組立
体を射出成形用金型にインサートし、１４０℃〜１８０
℃の成形温度条件でキャビティに液状の熱硬化性樹脂を
充填して封止樹脂層を成形することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置の樹脂封止法。 - 【請求項２】請求項１記載の樹脂封止法において、金属
絶縁基板の底面にあらかじめ離型剤を塗布して封止樹脂
層の成形を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の樹脂封止法。 - 【請求項３】請求項１記載の樹脂封止法において、金型
のキャビティ底部に金属絶縁基板の底面周域と当接し合
うパッキンを配置して封止樹脂層の成形を行うことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法。 - 【請求項４】請求項１記載の樹脂封止法において、金属
絶縁基板の金属板の底面側にあらかじめ段付き部を形成
しておき、金型のキャビティには前記段付き部と密接し
て嵌合し合う段付き凹所を形成して封止樹脂層の成形を
行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
法。 - 【請求項５】請求項１記載の樹脂封止法において、リー
ドフレームに対し、あらかじめ封止樹脂層成形領域の外
周を包囲するダムバーを形成して封止樹脂層の成形を行
うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184270A JPH0745765A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184270A JPH0745765A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745765A true JPH0745765A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16150387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184270A Pending JPH0745765A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745765A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0838091A4 (ja) * | 1995-07-03 | 1998-05-06 | ||
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
| EP0977251A4 (en) * | 1997-02-10 | 2005-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | RESIN SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE |
| KR100770168B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2007-10-26 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 제조방법 |
| CN111531802A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-14 | 芜湖鼎联电子科技有限公司 | 一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5184270A patent/JPH0745765A/ja active Pending
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| US6967404B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-22 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6992383B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-01-31 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
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