JPH05235073A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH05235073A JPH05235073A JP7228692A JP7228692A JPH05235073A JP H05235073 A JPH05235073 A JP H05235073A JP 7228692 A JP7228692 A JP 7228692A JP 7228692 A JP7228692 A JP 7228692A JP H05235073 A JPH05235073 A JP H05235073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- semiconductor device
- sealing
- ejector pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止樹脂が半導体装置の裏面に回り込むのを
防止することができる半導体装置の樹脂封止方法を提供
する。 【構成】 上金型２１と下金型２３とでフィルムキャリ
ア及びＩＣチップ１０を挟持する。次に、上金型２１に
設けられたエジェクタピン２５を降下してエジェクタピ
ン２５の先端面をセンターフィルム１５を介してＩＣチ
ップ１０の表面に当接させ、更にエジェクタピン２５を
降下してＩＣチップ１０の裏面を下金型２３に押し当て
る。次に、加熱・溶融した封止樹脂を樹脂注入室２７内
に送り込む。十分に溶融樹脂を流し込んだ後、エジェク
タピン２５を上昇させ、更に溶融樹脂をキャビティ内に
送り込み、封止樹脂の硬化を進行させるために数分間加
圧したまま保持した後、樹脂封止したフィルムキャリア
を金型から取り出す。
防止することができる半導体装置の樹脂封止方法を提供
する。 【構成】 上金型２１と下金型２３とでフィルムキャリ
ア及びＩＣチップ１０を挟持する。次に、上金型２１に
設けられたエジェクタピン２５を降下してエジェクタピ
ン２５の先端面をセンターフィルム１５を介してＩＣチ
ップ１０の表面に当接させ、更にエジェクタピン２５を
降下してＩＣチップ１０の裏面を下金型２３に押し当て
る。次に、加熱・溶融した封止樹脂を樹脂注入室２７内
に送り込む。十分に溶融樹脂を流し込んだ後、エジェク
タピン２５を上昇させ、更に溶融樹脂をキャビティ内に
送り込み、封止樹脂の硬化を進行させるために数分間加
圧したまま保持した後、樹脂封止したフィルムキャリア
を金型から取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリアに搭載
した半導体装置の樹脂封止方法に関するものである。
した半導体装置の樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェハーから切り出された半導体素子、
たとえばＩＣチップの実装技術のひとつとしてＴＡＢ
（Tape Automated Bonding）方式が知られている。この
方式は、ポリイミド等で作られた可撓性のフィルムに複
数のリードを形成し、そのリードとＩＣチップに形成さ
れた複数の電極とを一括して接合するボンディング方式
である。
たとえばＩＣチップの実装技術のひとつとしてＴＡＢ
（Tape Automated Bonding）方式が知られている。この
方式は、ポリイミド等で作られた可撓性のフィルムに複
数のリードを形成し、そのリードとＩＣチップに形成さ
れた複数の電極とを一括して接合するボンディング方式
である。
【０００３】ＴＡＢ方式は、フェースアップで高速自動
ボンディングが可能であり、またテープの段階で接続状
態のテストをすることができる等の特徴がある。この方
式によってＩＣチップをボンディングしたフィルムキャ
リアは、ＩＣチップを樹脂封止することにより、ＩＣチ
ップを極めて小さな容積中に収容することができるの
で、カメラ、電卓等のＩＣチップの実装に幅広く用いら
れている。
ボンディングが可能であり、またテープの段階で接続状
態のテストをすることができる等の特徴がある。この方
式によってＩＣチップをボンディングしたフィルムキャ
リアは、ＩＣチップを樹脂封止することにより、ＩＣチ
ップを極めて小さな容積中に収容することができるの
で、カメラ、電卓等のＩＣチップの実装に幅広く用いら
れている。
【０００４】ＴＡＢテープは、ＩＣチップと、ベースフ
ィルム上にリードが形成されたフィルムキャリアとから
なる。通常、リードは４つのリード群に区分されて４つ
の方向に引き出されており、ＩＣチップとはバンプを介
して接合される。
ィルム上にリードが形成されたフィルムキャリアとから
なる。通常、リードは４つのリード群に区分されて４つ
の方向に引き出されており、ＩＣチップとはバンプを介
して接合される。
【０００５】ＩＣチップの保護のためにＩＣチップを樹
脂封止するには、主にトランスファモールド法が用いら
れている。トランスファモールド法は、上金型と下金型
とからなる樹脂成形金型でＴＡＢテープのフィルムキャ
リアを挟持して、加熱溶融した樹脂を圧力をかけて上金
型と下金型の樹脂注入室に注入し固化する方法である。
この方法は、溶融樹脂を樹脂成形金型に注入する速度を
低速で行えば、ＩＣチップ等の特性を損なうことなく、
一定の品質のものを大量生産することができる。
脂封止するには、主にトランスファモールド法が用いら
れている。トランスファモールド法は、上金型と下金型
とからなる樹脂成形金型でＴＡＢテープのフィルムキャ
リアを挟持して、加熱溶融した樹脂を圧力をかけて上金
型と下金型の樹脂注入室に注入し固化する方法である。
この方法は、溶融樹脂を樹脂成形金型に注入する速度を
低速で行えば、ＩＣチップ等の特性を損なうことなく、
一定の品質のものを大量生産することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂封止す
る際に、放熱性の向上を図るためにＩＣチップの裏面を
樹脂封止せずに、露出させる場合がある。このような樹
脂封止を行うときは、例えばＩＣチップの裏面に樹脂成
形金型の内面が当接するように予め樹脂成形金型を形成
し、且つ樹脂封止の際には封止樹脂の注入圧を調整する
ことによってＩＣチップの裏面に樹脂が回り込まないよ
うにしていた。しかし、従来の樹脂封止方法では、ＩＣ
チップの裏面を樹脂成形金型の内面に十分な圧力で押し
つけることができなかったので、樹脂封止の際に、封止
樹脂がＩＣチップの裏面に回り込むという問題があっ
た。
る際に、放熱性の向上を図るためにＩＣチップの裏面を
樹脂封止せずに、露出させる場合がある。このような樹
脂封止を行うときは、例えばＩＣチップの裏面に樹脂成
形金型の内面が当接するように予め樹脂成形金型を形成
し、且つ樹脂封止の際には封止樹脂の注入圧を調整する
ことによってＩＣチップの裏面に樹脂が回り込まないよ
うにしていた。しかし、従来の樹脂封止方法では、ＩＣ
チップの裏面を樹脂成形金型の内面に十分な圧力で押し
つけることができなかったので、樹脂封止の際に、封止
樹脂がＩＣチップの裏面に回り込むという問題があっ
た。
【０００７】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、封止樹脂が半導体装置の裏面に回り込むのを防
止することができる半導体装置の樹脂封止方法を提供す
ることを目的とするものである。
であり、封止樹脂が半導体装置の裏面に回り込むのを防
止することができる半導体装置の樹脂封止方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、フィルムキャリアに搭載された半導体装
置の樹脂封止方法において、樹脂封止用の金型に設けら
れたエジェクタピンにより半導体装置を押圧して前記金
型の樹脂注入室の内面に前記半導体装置の裏面を当接さ
せた後、前記樹脂注入室に封止樹脂を流入させ、封止樹
脂の流入途中で前記エジェクタピンを引き戻した後に、
封止樹脂を前記樹脂注入室内に満たすことを特徴とする
ものである。
めの本発明は、フィルムキャリアに搭載された半導体装
置の樹脂封止方法において、樹脂封止用の金型に設けら
れたエジェクタピンにより半導体装置を押圧して前記金
型の樹脂注入室の内面に前記半導体装置の裏面を当接さ
せた後、前記樹脂注入室に封止樹脂を流入させ、封止樹
脂の流入途中で前記エジェクタピンを引き戻した後に、
封止樹脂を前記樹脂注入室内に満たすことを特徴とする
ものである。
【０００９】
【作用】本発明は前記の構成によって、金型に設けられ
たエジェクタピンにより半導体装置の裏面を金型の樹脂
注入室の表面に十分に押し当てて樹脂封止を行うことが
できるので、封止樹脂が半導体装置の裏面に回り込むの
を確実に防止することができる。
たエジェクタピンにより半導体装置の裏面を金型の樹脂
注入室の表面に十分に押し当てて樹脂封止を行うことが
できるので、封止樹脂が半導体装置の裏面に回り込むの
を確実に防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図１乃至図４を参
照して説明する。図１は本発明の実施例で用いるフィル
ムキャリアの概略平面図、図２はそのフィルムキャリア
の概略断面図である。
照して説明する。図１は本発明の実施例で用いるフィル
ムキャリアの概略平面図、図２はそのフィルムキャリア
の概略断面図である。
【００１１】本実施例で使用するフィルムキャリアは、
ベースフィルム１と、リード３からなる。リード３は、
ＩＣチップ１０に接合されるインナーリード部３ａと外
部回路に接続されるアウターリード部３ｂとを有する。
ベースフィルム１には、インナーリード部３ａが突き出
したデバイスホール１１、及びリード３のアウターリー
ド部３ｂが位置するアウターリードホール１３が形成さ
れ、更にデバイスホール１１内にはＩＣチップ１０の表
面に当接するセンターフィルム１５が架橋部１７を介し
て設けられている。このセンターフィルム１５は、ベー
スフィルム１のデバイスホール１１を形成する工程にお
いて架橋部１７とセンターフィルム１５を残すことによ
り形成することができるので、特別の工程は必要としな
い。尚、図示しないが、ベースフィルム１にはフィルム
送り用のスプロケットホールが形成されている。
ベースフィルム１と、リード３からなる。リード３は、
ＩＣチップ１０に接合されるインナーリード部３ａと外
部回路に接続されるアウターリード部３ｂとを有する。
ベースフィルム１には、インナーリード部３ａが突き出
したデバイスホール１１、及びリード３のアウターリー
ド部３ｂが位置するアウターリードホール１３が形成さ
れ、更にデバイスホール１１内にはＩＣチップ１０の表
面に当接するセンターフィルム１５が架橋部１７を介し
て設けられている。このセンターフィルム１５は、ベー
スフィルム１のデバイスホール１１を形成する工程にお
いて架橋部１７とセンターフィルム１５を残すことによ
り形成することができるので、特別の工程は必要としな
い。尚、図示しないが、ベースフィルム１にはフィルム
送り用のスプロケットホールが形成されている。
【００１２】図３は上記のフィルムキャリアにＩＣチッ
プを搭載したときの概略断面図である。図３及び次に示
す図４において、図１に示すものと同一の機能を有する
ものには同一の符号を付することによりその詳細な説明
を省略する。図３に示すように、本実施例で使用するフ
ィルムキャリアは、インナーリード部３ａとＩＣチップ
１０表面に形成された電極とをバンプ（金球）を介して
ボンディングすることによりＩＣチップ１０を搭載す
る。これにより、図３に示すようにＩＣチップ１０の表
面はセンターフィルム１５により覆われる。このように
本実施例で用いるフィルムキャリアはセンターフィルム
１５を設けたことにより、搬送途中等において、ＩＣチ
ップ１０の表面が他の機器等と接触してその表面の回路
が損傷されるのを確実に防止することができる。
プを搭載したときの概略断面図である。図３及び次に示
す図４において、図１に示すものと同一の機能を有する
ものには同一の符号を付することによりその詳細な説明
を省略する。図３に示すように、本実施例で使用するフ
ィルムキャリアは、インナーリード部３ａとＩＣチップ
１０表面に形成された電極とをバンプ（金球）を介して
ボンディングすることによりＩＣチップ１０を搭載す
る。これにより、図３に示すようにＩＣチップ１０の表
面はセンターフィルム１５により覆われる。このように
本実施例で用いるフィルムキャリアはセンターフィルム
１５を設けたことにより、搬送途中等において、ＩＣチ
ップ１０の表面が他の機器等と接触してその表面の回路
が損傷されるのを確実に防止することができる。
【００１３】図４は本実施例の樹脂封止方法を説明する
ための図である。図４において、２１は樹脂封止用の上
金型、２３はその下金型である。ＩＣチップが搭載され
たフィルムキャリアを樹脂封止するには、まず上金型２
１と下金型２３とでフィルムキャリア及びＩＣチップ１
０を挟持する。次に、上金型２１に設けられたエジェク
タピン２５を降下してエジェクタピン２５の先端面をセ
ンターフィルム１５を介してＩＣチップ１０の表面に当
接させ、更にエジェクタピン２５を降下してＩＣチップ
１０の裏面を下金型２３に押し当てる。次に、加熱・溶
融した封止用の樹脂を図示しない樹脂供給口から流し込
み、樹脂注入室２７（キャビティ）内に送り込む。十分
に溶融樹脂を流し込んだ後、エジェクタピン２５を上昇
させ、更に溶融樹脂をキャビティ内に送り込み、封止樹
脂の硬化を進行させるために数分間加圧したまま保持し
た後、樹脂封止したフィルムキャリアを金型から取り出
す。
ための図である。図４において、２１は樹脂封止用の上
金型、２３はその下金型である。ＩＣチップが搭載され
たフィルムキャリアを樹脂封止するには、まず上金型２
１と下金型２３とでフィルムキャリア及びＩＣチップ１
０を挟持する。次に、上金型２１に設けられたエジェク
タピン２５を降下してエジェクタピン２５の先端面をセ
ンターフィルム１５を介してＩＣチップ１０の表面に当
接させ、更にエジェクタピン２５を降下してＩＣチップ
１０の裏面を下金型２３に押し当てる。次に、加熱・溶
融した封止用の樹脂を図示しない樹脂供給口から流し込
み、樹脂注入室２７（キャビティ）内に送り込む。十分
に溶融樹脂を流し込んだ後、エジェクタピン２５を上昇
させ、更に溶融樹脂をキャビティ内に送り込み、封止樹
脂の硬化を進行させるために数分間加圧したまま保持し
た後、樹脂封止したフィルムキャリアを金型から取り出
す。
【００１４】従来のフィルムキャリアを用いた樹脂封止
工程では、ＩＣチップの裏面を金型に当接させるために
ＩＣチップの表面をエジェクタピン等で押圧すると、表
面に形成された回路が損傷される虞があった。これに対
して、上記に示す本実施例のフィルムキャリアを用いた
樹脂封止工程では、ＩＣチップ１０の回路が形成された
表面はセンターフィルム１５で覆われているので、回路
を損傷することなく、エジェクタピン２５によりＩＣチ
ップ１０の表面を押圧することができる。このように、
本実施例の樹脂封止工程では、ＩＣチップ１０の表面を
押圧してその裏面を十分に下金型に当接させることがで
きるので、溶融した樹脂の送り込みの圧力調整をしなく
ても、封止樹脂がＩＣチップ１０の裏面に回り込むのを
確実に防止することができる。さらにＩＣチップ１０の
裏面に封止樹脂が回り込むのを防止することにより、Ｉ
Ｃチップ１０の裏面に放熱用のフィンを直接当接させて
容易に接着することができる。
工程では、ＩＣチップの裏面を金型に当接させるために
ＩＣチップの表面をエジェクタピン等で押圧すると、表
面に形成された回路が損傷される虞があった。これに対
して、上記に示す本実施例のフィルムキャリアを用いた
樹脂封止工程では、ＩＣチップ１０の回路が形成された
表面はセンターフィルム１５で覆われているので、回路
を損傷することなく、エジェクタピン２５によりＩＣチ
ップ１０の表面を押圧することができる。このように、
本実施例の樹脂封止工程では、ＩＣチップ１０の表面を
押圧してその裏面を十分に下金型に当接させることがで
きるので、溶融した樹脂の送り込みの圧力調整をしなく
ても、封止樹脂がＩＣチップ１０の裏面に回り込むのを
確実に防止することができる。さらにＩＣチップ１０の
裏面に封止樹脂が回り込むのを防止することにより、Ｉ
Ｃチップ１０の裏面に放熱用のフィンを直接当接させて
容易に接着することができる。
【００１５】尚、上記の実施例では、エジェクタピン２
５が丸棒状のものを使用したが、エジェクタピンは角棒
状または楕円棒状等でもよい。
５が丸棒状のものを使用したが、エジェクタピンは角棒
状または楕円棒状等でもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
型に設けられたエジェクタピンにより半導体装置の裏面
を金型の樹脂注入室内の表面に十分に押し当てた後に、
封止樹脂を樹脂注入室内に注入するので、半導体装置の
裏面に封止樹脂が回り込むのを確実に防止することがで
き、したがって後工程の冷却用フィン等の取り付け作業
が容易な半導体装置の樹脂封止方法を提供することがで
きる。
型に設けられたエジェクタピンにより半導体装置の裏面
を金型の樹脂注入室内の表面に十分に押し当てた後に、
封止樹脂を樹脂注入室内に注入するので、半導体装置の
裏面に封止樹脂が回り込むのを確実に防止することがで
き、したがって後工程の冷却用フィン等の取り付け作業
が容易な半導体装置の樹脂封止方法を提供することがで
きる。
【図１】本発明の実施例で用いるフィルムキャリアの概
略平面図である。
略平面図である。
【図２】本発明の実施例で用いるフィルムキャリアの概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】本発明の実施例で用いるフィルムキャリアにＩ
Ｃチップを搭載したときの概略断面図である。
Ｃチップを搭載したときの概略断面図である。
【図４】本発明の一実施例である樹脂封止方法を説明す
るための図である。
るための図である。
１ ベースフィルム ３ リード １０ ＩＣチップ １１ デバイスホール １３ アウターリードホール １５ センターフィルム １７ 架橋部 ２１ 上金型 ２３ 下金型 ２５ エジェクタピン ２７ 樹脂注入室
Claims (1)
- 【請求項１】 フィルムキャリアに搭載された半導体装
置の樹脂封止方法において、樹脂封止用の金型に設けら
れたエジェクタピンにより半導体装置を押圧して前記金
型の樹脂注入室の内面に前記半導体装置の裏面を当接さ
せた後、前記樹脂注入室に封止樹脂を流入させ、封止樹
脂の流入途中で前記エジェクタピンを引き戻した後に、
封止樹脂を前記樹脂注入室内に満たすことを特徴とする
半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7228692A JPH05235073A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7228692A JPH05235073A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235073A true JPH05235073A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13484891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7228692A Withdrawn JPH05235073A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235073A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243362A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Hitachi Maxell Ltd | 電池パックの製造方法 |
| US9305829B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package with an indented portion and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP7228692A patent/JPH05235073A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243362A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Hitachi Maxell Ltd | 電池パックの製造方法 |
| US9305829B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package with an indented portion and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6498055B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system | |
| CN101540289B (zh) | 半导体集成电路封装及封装半导体集成电路的方法和模具 | |
| JP3194917B2 (ja) | 樹脂封止方法 | |
| US6616880B2 (en) | Method for encasing array packages | |
| JP3338063B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3581814B2 (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| US5254501A (en) | Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices | |
| JPH10326800A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型 | |
| US6309914B1 (en) | Method for making a semiconductor package | |
| JPH04124846A (ja) | テープキャリヤ | |
| JPH06232195A (ja) | 半導体装置の製造方法およびリードフレーム | |
| JPH05235073A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JP4162720B2 (ja) | 半導体装置をカプセル化するシステムおよび方法 | |
| JPH0745765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 | |
| JP2873009B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05243337A (ja) | フィルムキャリア | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002118130A (ja) | マトリクスパッケージの樹脂封止方法 | |
| JP2003174123A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2003045906A (ja) | 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 | |
| JPH1044180A (ja) | トランスファ樹脂封止方法及びそれに用いる樹脂封止 金型装置 | |
| KR100404251B1 (ko) | 파인 피치 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 및 그의 몰딩장치 | |
| JP2005081695A (ja) | 樹脂成形用金型 | |
| JPH06283629A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及びその製造用金型 | |
| JPH0691118B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |