JPH0746265B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
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- JPH0746265B2 JPH0746265B2 JP1189326A JP18932689A JPH0746265B2 JP H0746265 B2 JPH0746265 B2 JP H0746265B2 JP 1189326 A JP1189326 A JP 1189326A JP 18932689 A JP18932689 A JP 18932689A JP H0746265 B2 JPH0746265 B2 JP H0746265B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- igf
- counter electrodes
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下IG
Fという）を用いて、マトリックス配列がなされた絵素
群のそれぞれを制御して表示する周辺回路一体型のアク
ティブマトリックス方式の平面型ディスプレー装置、特
にカラーディスプレー装置に関する。
Fという）を用いて、マトリックス配列がなされた絵素
群のそれぞれを制御して表示する周辺回路一体型のアク
ティブマトリックス方式の平面型ディスプレー装置、特
にカラーディスプレー装置に関する。
従来、かかる半導体表示装置においては、第１図にその
マトリックス回路を示すが、マトリックス配列された絵
素群（10）は１つのIGF（２）と表示素子（３）（ここ
ではLCDとする）を直列に連結し、このIGFのゲイト電極
をＸ方向に、またソース、ドレインをＹ方向に配列して
いた。
マトリックス回路を示すが、マトリックス配列された絵
素群（10）は１つのIGF（２）と表示素子（３）（ここ
ではLCDとする）を直列に連結し、このIGFのゲイト電極
をＸ方向に、またソース、ドレインをＹ方向に配列して
いた。
しかしLCDにおけるIGFに連結されていない側は単にすべ
てが共通して接地レベルに保持され、その電圧レベルは
すべてのエレメントに対し共通しているのみである。
てが共通して接地レベルに保持され、その電圧レベルは
すべてのエレメントに対し共通しているのみである。
このためこのLCDの対抗電極（３）はIGFが設けられた基
板とは向かい合った基板の内側にCTF（透光性導電膜）
が全面に設けられているのみであった。
板とは向かい合った基板の内側にCTF（透光性導電膜）
が全面に設けられているのみであった。
このような構造の表示装置の問題点の一つとして製造プ
ロセシにおいて生じるIGFの欠陥がある。欠陥の種類に
は、成膜中のダストによる欠陥、フォトプロセス中に混
入するゴミによる欠陥など、さまざまな発生要因が挙げ
られる。
ロセシにおいて生じるIGFの欠陥がある。欠陥の種類に
は、成膜中のダストによる欠陥、フォトプロセス中に混
入するゴミによる欠陥など、さまざまな発生要因が挙げ
られる。
しかしながら大面積、高解象度を実現していくうえで、
この欠陥がたとえ点欠陥であろうとも表示に現れてはな
らない。
この欠陥がたとえ点欠陥であろうとも表示に現れてはな
らない。
このような製造プロセスで生じるIGFの欠陥が表示に影
響を与えない表示装置が望ましい。
響を与えない表示装置が望ましい。
また他方かかる構造の平面型ディスプレー装置により、
RGB（赤、緑、青の三原色）をそれぞれ対をなして構成
させるためには、白黒表示ディスプレー装置の３倍のア
クティブエレメントの数を必要としてしまった。
RGB（赤、緑、青の三原色）をそれぞれ対をなして構成
させるためには、白黒表示ディスプレー装置の３倍のア
クティブエレメントの数を必要としてしまった。
さらにこの３倍の集積度は絵素の数が525×640（計330K
素子）の三倍となり、その集積度の高密度化の程度はま
ったく実用化を不可能とするものであった。
素子）の三倍となり、その集積度の高密度化の程度はま
ったく実用化を不可能とするものであった。
また従来色分別用制御回路等の周辺回路は、表示素子が
形成された基板とは別にプラスチックスのタブに形成さ
れており、それを表示素子が形成された基板と連結し
て、表示装置を作成していたが、基板の延び縮みを考慮
するため、予め画素と画素とのピッチを大きくとってお
かなければならない等の問題があった。本発明はそれら
の問題を解決することを目的としたものである。
形成された基板とは別にプラスチックスのタブに形成さ
れており、それを表示素子が形成された基板と連結し
て、表示装置を作成していたが、基板の延び縮みを考慮
するため、予め画素と画素とのピッチを大きくとってお
かなければならない等の問題があった。本発明はそれら
の問題を解決することを目的としたものである。
この目的を達成するため本発明は、絶縁表面を有する透
光性基板上に水素又はハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体の絶縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺
回路と、周辺回路より同一基板の同一平面上にマトリク
ス配列させた絵素と、該絵素の一方の電極へ電気信号を
制御する水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶珪
素半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置と、
色分別用デコーダに連結され、かつ該デコーダが設けら
れた基板と同一の基板に設けられており、前記絵素の一
方の電極に対を構成して配列された、複数の対向電極と
を有し、前記複数の対向電極は、前記第１の電極に対す
る電極を互いに独立して有することにより、一つの絵素
領域内で異なる複数の表示状態を構成することとし、さ
らに絶縁表面を有する透光性基板上に水素又はハロゲン
元素が添加された非単結晶半導体の絶縁ゲイト型半導体
装置により構成した周辺回路と、周辺回路より同一基板
の同一平面上にマトリクス配列させた絵素と、該絵素の
一方の電極へ電気信号を制御する水素又はハロゲン元素
が添加された非単結晶珪素半導体を用いた絶縁ゲイト型
電界効果半導体装置と、色分別用デコーダに連結され、
かつ該デコーダが設けられた基板と同一の基板に設けら
れており、前記絵素の一方の電極に対を構成して配列さ
れた、複数の対向電極とを有し、前記複数の対向電極の
各々と、前記絵素の一方の電極との間には光の透過量の
制御体または発光体が設けられたことを特徴とする表示
装置。
光性基板上に水素又はハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体の絶縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺
回路と、周辺回路より同一基板の同一平面上にマトリク
ス配列させた絵素と、該絵素の一方の電極へ電気信号を
制御する水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶珪
素半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置と、
色分別用デコーダに連結され、かつ該デコーダが設けら
れた基板と同一の基板に設けられており、前記絵素の一
方の電極に対を構成して配列された、複数の対向電極と
を有し、前記複数の対向電極は、前記第１の電極に対す
る電極を互いに独立して有することにより、一つの絵素
領域内で異なる複数の表示状態を構成することとし、さ
らに絶縁表面を有する透光性基板上に水素又はハロゲン
元素が添加された非単結晶半導体の絶縁ゲイト型半導体
装置により構成した周辺回路と、周辺回路より同一基板
の同一平面上にマトリクス配列させた絵素と、該絵素の
一方の電極へ電気信号を制御する水素又はハロゲン元素
が添加された非単結晶珪素半導体を用いた絶縁ゲイト型
電界効果半導体装置と、色分別用デコーダに連結され、
かつ該デコーダが設けられた基板と同一の基板に設けら
れており、前記絵素の一方の電極に対を構成して配列さ
れた、複数の対向電極とを有し、前記複数の対向電極の
各々と、前記絵素の一方の電極との間には光の透過量の
制御体または発光体が設けられたことを特徴とする表示
装置。
またIGFの精密なパターニング（一般には６〜８枚のマ
スクを用いる）を必要なプロセスは一方の基板側にのみ
集中して配設し、色識別をするための配線およびその周
辺回路を他方の基板側に設けたものである。
スクを用いる）を必要なプロセスは一方の基板側にのみ
集中して配設し、色識別をするための配線およびその周
辺回路を他方の基板側に設けたものである。
そして１つのIGFに連結した絵素の電極であるCTFは１つ
であるが、このCTFに対をなして対抗した他方の電極で
あるCTFはRGBを設けた為、３つとしたものである。その
結果、製造に関しては、それぞれの２つの独立した基板
をまず製造し、品質検査をした後、それぞれの製品にお
ける良品を重合わせることにより最終完成品をを作るこ
とができる。その結果、半導体表示装置としてその歩留
りの向上を大幅に図ることができるという大きな特徴を
有する。
であるが、このCTFに対をなして対抗した他方の電極で
あるCTFはRGBを設けた為、３つとしたものである。その
結果、製造に関しては、それぞれの２つの独立した基板
をまず製造し、品質検査をした後、それぞれの製品にお
ける良品を重合わせることにより最終完成品をを作るこ
とができる。その結果、半導体表示装置としてその歩留
りの向上を大幅に図ることができるという大きな特徴を
有する。
さらにこの発明は、光の透過量の制御機能を有する液晶
（LCDという）またエレクトロ・クロミック（ECDとい
う）に関し、自ら発光するエレクトロルミネッセンス
（ELという）に関し、それぞれの絵素とこの絵素に電圧
または電流を印加してその電気信号の有無を制御する半
導体装置特にIGFを用いることにより、各絵素をアクテ
ィブエレメントとして制御するものである。
（LCDという）またエレクトロ・クロミック（ECDとい
う）に関し、自ら発光するエレクトロルミネッセンス
（ELという）に関し、それぞれの絵素とこの絵素に電圧
または電流を印加してその電気信号の有無を制御する半
導体装置特にIGFを用いることにより、各絵素をアクテ
ィブエレメントとして制御するものである。
以下に図面に従って、本発明をさらに詳しく記す。
第２図は第１図の従来の発明に対応した作られた本発明
の回路図である。図面は簡略のため、３×３（RGBを分
けると３×３×３）のマトリックス配列をしている。即
ち独立した絵素は27ケあるにもかかわらず、マトリック
ス内のIGFは９ケでよいという大きな特長を有する。さ
らに実際の絵素群の平面図、縦断面図を第４図、第５図
に示すが、対抗電極（３）（３′）（３″）での電極間
の間隔即ち（３）（３′）（３″）間の間隔（第４図
（Ｂ）（31））は５〜10μでよいことがわかる。これら
IGFに設ける配線（５）（５′）（５″）が50〜100μも
あるため、使用者にとってパネルを見る場合にわずらわ
しい面もあるが、この巾広の線の数を従来方法に比べ1/
3にすることができるという特長を合わせ持つ。その結
果、使用者に不快感を与えないことが判明した。
の回路図である。図面は簡略のため、３×３（RGBを分
けると３×３×３）のマトリックス配列をしている。即
ち独立した絵素は27ケあるにもかかわらず、マトリック
ス内のIGFは９ケでよいという大きな特長を有する。さ
らに実際の絵素群の平面図、縦断面図を第４図、第５図
に示すが、対抗電極（３）（３′）（３″）での電極間
の間隔即ち（３）（３′）（３″）間の間隔（第４図
（Ｂ）（31））は５〜10μでよいことがわかる。これら
IGFに設ける配線（５）（５′）（５″）が50〜100μも
あるため、使用者にとってパネルを見る場合にわずらわ
しい面もあるが、この巾広の線の数を従来方法に比べ1/
3にすることができるという特長を合わせ持つ。その結
果、使用者に不快感を与えないことが判明した。
第２図において、アクティブエレメントは１つのIGF
（２）のソースまたはドレインとその一方に連結した表
示素子（ここではLCD）が（１）（１′）（１″）を有
する。さらに、他方は第２図におけるＹ方向のリード
（５）（５′）（５″）に連結されている。またIGFの
ゲイト電極は、Ｘ方向（４）（４′）（４″）に連結さ
れている。
（２）のソースまたはドレインとその一方に連結した表
示素子（ここではLCD）が（１）（１′）（１″）を有
する。さらに、他方は第２図におけるＹ方向のリード
（５）（５′）（５″）に連結されている。またIGFの
ゲイト電極は、Ｘ方向（４）（４′）（４″）に連結さ
れている。
また、表示素子の対抗電極（３）（３′）（３″）はそ
れぞれ独立し、かつ第２図ではＹ方向にマトリックス配
列された表示素子の対抗電極と互いに連結され、色分別
用デコーダ（９）に連結している。
れぞれ独立し、かつ第２図ではＹ方向にマトリックス配
列された表示素子の対抗電極と互いに連結され、色分別
用デコーダ（９）に連結している。
図面において、一方の透光性基板にはデコーダ（７）
（８）及び画素用のIGF（１）および表示素子の一方の
電極を設け、他方の基板側に３つに分別させ、かつそれ
をＸ方向、Ｙ方向、または斜め方向に連結させた。この
第２図はＹ方向に連結しているRGB用の電極、リードを
設け、それらは色分別用制御回路（デコーダ）（９）に
連結されたものである。
（８）及び画素用のIGF（１）および表示素子の一方の
電極を設け、他方の基板側に３つに分別させ、かつそれ
をＸ方向、Ｙ方向、または斜め方向に連結させた。この
第２図はＹ方向に連結しているRGB用の電極、リードを
設け、それらは色分別用制御回路（デコーダ）（９）に
連結されたものである。
第２図の回路は表示素子の電極に蓄積された電荷が第４
図の構造においてゲイト電極との間の寄生容量（44）が
発生する。このため周波数特性が遅くなる。結果として
この回路においては高周波数特性を必要としないLCDが
表示素子に用いられることが好ましい。
図の構造においてゲイト電極との間の寄生容量（44）が
発生する。このため周波数特性が遅くなる。結果として
この回路においては高周波数特性を必要としないLCDが
表示素子に用いられることが好ましい。
第３図は第２図と同様であるが、Ｘ方向に表示素子の対
抗電極（３）（３′）（３″）を連結している。その他
は第２図と同様である。
抗電極（３）（３′）（３″）を連結している。その他
は第２図と同様である。
第３図においては、第４図の構成における（11）（12）
（13）・・・（11″）（12″）（13″）を横方向に配設
したことに対応している。すると、寄生容量は（40）
（41）が大きくなるが、ゲイト電極間とは少なくなる。
このため第３図の回路は周波数を変更することにより種
々の色を発生させるELを表示素子を設けた場合に好都合
である。
（13）・・・（11″）（12″）（13″）を横方向に配設
したことに対応している。すると、寄生容量は（40）
（41）が大きくなるが、ゲイト電極間とは少なくなる。
このため第３図の回路は周波数を変更することにより種
々の色を発生させるELを表示素子を設けた場合に好都合
である。
第４図、第５図は本発明の半導体表示装置の平面図、縦
断面図を示す。
断面図を示す。
この図面は第２図の構造にその回路構成が対応してい
る。
る。
図面において、絶縁表面を有する透光性基板（25）上に
IGF（２）を第４図、第５図に対応して構成させた。こ
のIGFは対（ペア）を構成した並列構成して２つのIGF
（２）（２′）が設けられている。これはIGFの駆動応
力を高めるために重要であるに加え、一方のIGFがショ
ートまたはオープン不良を発生しても、そのIGFをレー
ザトリミング法により除去し、他方のみで表示素子を駆
動せしめた冗長性を有せしめたものである。
IGF（２）を第４図、第５図に対応して構成させた。こ
のIGFは対（ペア）を構成した並列構成して２つのIGF
（２）（２′）が設けられている。これはIGFの駆動応
力を高めるために重要であるに加え、一方のIGFがショ
ートまたはオープン不良を発生しても、そのIGFをレー
ザトリミング法により除去し、他方のみで表示素子を駆
動せしめた冗長性を有せしめたものである。
この縦チャネル型IGFに関し、第４図（Ａ）におけるＡ
−Ａ′の縦断面図を第４図（Ｂ）に示す。図面におい
て、IGF（２）の下側電極（14）は表示素子（１）の電
極（22）と連結し、この電極（14）上に同一形状を有す
る積層体としてソースまたはドレイン（15）（厚さ500
〜3000Å）積層体（16）（厚さ0.5〜５μ）（実際は窒
化珪素膜を用いた）、ドレインまたはソース（17）（厚
さ500〜3000Å）、Ｙ方向のリードを兼ねた電極（18）
厚さ1000〜5000Å）、層間絶縁膜（19）（0.5〜３μ）
（実際にはPIQを用いた）が設けられている。さらにこ
れらを覆って水素またはハロゲン元素（好ましくは弗
素）が添加された非単結晶半導体（アモルファス構造を
含む）（21）が0.1〜0.4μの厚さでこれらの積層体を覆
っている。
−Ａ′の縦断面図を第４図（Ｂ）に示す。図面におい
て、IGF（２）の下側電極（14）は表示素子（１）の電
極（22）と連結し、この電極（14）上に同一形状を有す
る積層体としてソースまたはドレイン（15）（厚さ500
〜3000Å）積層体（16）（厚さ0.5〜５μ）（実際は窒
化珪素膜を用いた）、ドレインまたはソース（17）（厚
さ500〜3000Å）、Ｙ方向のリードを兼ねた電極（18）
厚さ1000〜5000Å）、層間絶縁膜（19）（0.5〜３μ）
（実際にはPIQを用いた）が設けられている。さらにこ
れらを覆って水素またはハロゲン元素（好ましくは弗
素）が添加された非単結晶半導体（アモルファス構造を
含む）（21）が0.1〜0.4μの厚さでこれらの積層体を覆
っている。
この半導体（21）とＰまたはＮ型のソース、ドレインを
構成する層（15）（17）とは接触している。この半導体
層に酸化珪素または窒化珪素膜（厚さ500〜3000Å）お
よびその上に半導体、クロム、チタン、モリブデン、タ
ングステンまたはこれらの化合物のゲイト電極（厚さ30
0〜3000Å）とが（20）により設けている。このゲイト
電極はＸ方向のバスラインを構成するリード（４）
（４′）（４″）と連結しており、このリードは0.5〜
３μの厚さを有する。そのシート抵抗は0.5Ω/cm2以下
にしている。
構成する層（15）（17）とは接触している。この半導体
層に酸化珪素または窒化珪素膜（厚さ500〜3000Å）お
よびその上に半導体、クロム、チタン、モリブデン、タ
ングステンまたはこれらの化合物のゲイト電極（厚さ30
0〜3000Å）とが（20）により設けている。このゲイト
電極はＸ方向のバスラインを構成するリード（４）
（４′）（４″）と連結しており、このリードは0.5〜
３μの厚さを有する。そのシート抵抗は0.5Ω/cm2以下
にしている。
さらに表示素子の電極（22）に対抗した他の絶縁表面を
有する基板上の各３本の対抗電極はRGBをそれぞれ分け
させ、赤（Ｒ）用として（11′）、緑（Ｇ）用として
（12′）、青（Ｂ）用として（13′）が設けられてい
る。そしてこの上方および下方の基板（26）（25）上に
赤、緑、青のフィルタが設けられている。この（11）
（12）（13）・・・・（11″）（12″）（13″）の電極
も配向処理がされており、それぞれのアクティブエレメ
ントの電極はＹ方向に互いに連結されている。特に重要
なことは配向処理がされた第１の電極（22）の面積に対
応した平面内に複数本ここでは３本に分割された第２の
電極が設けられていることである。この２つの電極間に
はLCD例えばネマチック型の液晶（１）を２つの基板（2
5）（26）を合わせ周辺を封止した後充填した。さらに
この電極間隔（32）は10〜20μであるため、実使用にあ
たってはまったく識別がされず、わずらわしさがない。
このＸ方向のCTFはその際リードを兼ねている。このた
め、第２図より明らかなごとく、例えばＹ方向のリード
側は（５）を「１」とし、他の（５′）（５″）を
「０」とし、Ｘ方向の（４）（４′）（４″）をそれぞ
れのレベルにて「１」「０」「１」とした時、さらに加
えて、色分別デコーダ（９）よりの制御にて例えば信号
をR,G,Bを与えることにより、ここでの（５）に連結し
たすべてのエレメントを同時駆動をさせ、その信号によ
り所定の色を表示させることができることが判明した。
有する基板上の各３本の対抗電極はRGBをそれぞれ分け
させ、赤（Ｒ）用として（11′）、緑（Ｇ）用として
（12′）、青（Ｂ）用として（13′）が設けられてい
る。そしてこの上方および下方の基板（26）（25）上に
赤、緑、青のフィルタが設けられている。この（11）
（12）（13）・・・・（11″）（12″）（13″）の電極
も配向処理がされており、それぞれのアクティブエレメ
ントの電極はＹ方向に互いに連結されている。特に重要
なことは配向処理がされた第１の電極（22）の面積に対
応した平面内に複数本ここでは３本に分割された第２の
電極が設けられていることである。この２つの電極間に
はLCD例えばネマチック型の液晶（１）を２つの基板（2
5）（26）を合わせ周辺を封止した後充填した。さらに
この電極間隔（32）は10〜20μであるため、実使用にあ
たってはまったく識別がされず、わずらわしさがない。
このＸ方向のCTFはその際リードを兼ねている。このた
め、第２図より明らかなごとく、例えばＹ方向のリード
側は（５）を「１」とし、他の（５′）（５″）を
「０」とし、Ｘ方向の（４）（４′）（４″）をそれぞ
れのレベルにて「１」「０」「１」とした時、さらに加
えて、色分別デコーダ（９）よりの制御にて例えば信号
をR,G,Bを与えることにより、ここでの（５）に連結し
たすべてのエレメントを同時駆動をさせ、その信号によ
り所定の色を表示させることができることが判明した。
例えば赤用の電極（11）を「１」とすればＹ方向の配線
（５）とＸ方向のリード（４）とに接続されたエレメン
ト及び前記配線（５）とＸ方向のリード（４″）とに接
続されたエレメントを赤色に表示させることができ、同
様に緑用の電極（12）を「１」とすれば上記したと同様
に配線（５）とリード（４）とに接続されたエレメント
及び配線（５）とリード（４″）とに接続されたエレメ
ントを緑色とすることができ、青用の電極（13）におい
ても同様に「１」とすれば、赤もしくは緑と同じように
同じエレメントを青色とすることができる。
（５）とＸ方向のリード（４）とに接続されたエレメン
ト及び前記配線（５）とＸ方向のリード（４″）とに接
続されたエレメントを赤色に表示させることができ、同
様に緑用の電極（12）を「１」とすれば上記したと同様
に配線（５）とリード（４）とに接続されたエレメント
及び配線（５）とリード（４″）とに接続されたエレメ
ントを緑色とすることができ、青用の電極（13）におい
ても同様に「１」とすれば、赤もしくは緑と同じように
同じエレメントを青色とすることができる。
加えて、この赤用，緑用，青用の電極をすべて「１」と
すれば白色となり、すべてを「０」とすれば黒色となる
ことはいうまでもない。
すれば白色となり、すべてを「０」とすれば黒色となる
ことはいうまでもない。
この制御は色分別デコーダ側（９）より容易に行うこと
ができる。
ができる。
第５図は第４図（Ａ）におけるＢ−Ｂ′の縦断面図を示
す。図面より、対抗電極の側の電極は連結しリード（1
2）をも兼ねていることがわかる。デコーダ、画素用のI
GF（２）は基板（25）上に同一工程で設けられ、また、
表示素子の電極（22）も示されているため、周辺回路を
作るとき、改めて製造工程を必要としない。ひいては低
価格化が可能である。特に本発明のガラス基板上にデコ
ーダ、画素用のIGFを実質的に同一構造で作るため低価
格化を実現できる。
す。図面より、対抗電極の側の電極は連結しリード（1
2）をも兼ねていることがわかる。デコーダ、画素用のI
GF（２）は基板（25）上に同一工程で設けられ、また、
表示素子の電極（22）も示されているため、周辺回路を
作るとき、改めて製造工程を必要としない。ひいては低
価格化が可能である。特に本発明のガラス基板上にデコ
ーダ、画素用のIGFを実質的に同一構造で作るため低価
格化を実現できる。
またこの半導体装置の下方向に螢光灯を配設し、本発明
の基板（25）または（26）の一面にカラーフィルタを設
けることによりフルカラー表示を行う場合、２つの基板
ともガラス等を用い、透明であることは必要である。
の基板（25）または（26）の一面にカラーフィルタを設
けることによりフルカラー表示を行う場合、２つの基板
ともガラス等を用い、透明であることは必要である。
以上の構成によって20インチ試験的には100×100素子を
5cm×5cmに設けた場合、その歩留り向上が著しかった。
従来方法では100×100パネルで欠陥数が１％以下を良品
とすると歩留り３％しかなかった。しかし本発明構造に
おいては、周辺回路も同一透光性基板上に同一製造工程
で形成するため、かつ不良画素に対してレーザでのリペ
アも行うことができるため10％を越えるロットも得るこ
とができた。
5cm×5cmに設けた場合、その歩留り向上が著しかった。
従来方法では100×100パネルで欠陥数が１％以下を良品
とすると歩留り３％しかなかった。しかし本発明構造に
おいては、周辺回路も同一透光性基板上に同一製造工程
で形成するため、かつ不良画素に対してレーザでのリペ
アも行うことができるため10％を越えるロットも得るこ
とができた。
このため、この素子数が525×640と大きくなった時、本
発明はその効果をますます増すことが期待できることが
判明した。
発明はその効果をますます増すことが期待できることが
判明した。
さらに本発明において、人が見る側例えば基板（26）上
面に反射防止膜（27）を設けることは有効である。
面に反射防止膜（27）を設けることは有効である。
加えて本発明においては、IGFは縦チャネル型であり、
各絵素に対応した一方の第１の電極にIGFを２つの対と
して用いた。このため一方のIGFにショートまたはオー
プン不良が発生しても、そのIGFをレーザトリミング法
により除去し、他方のみで表示素子を駆動させることが
できるのである。しかし横チャネル型のIGFであっても
よいことはいうまでもない。
各絵素に対応した一方の第１の電極にIGFを２つの対と
して用いた。このため一方のIGFにショートまたはオー
プン不良が発生しても、そのIGFをレーザトリミング法
により除去し、他方のみで表示素子を駆動させることが
できるのである。しかし横チャネル型のIGFであっても
よいことはいうまでもない。
以上説明の如く、本発明はデコーダ等の周辺回路を構成
するIGFと、画素を制御するIGFとを同一透明基板に設
け、さらに対向電極とその色分別用デコーダとを同一基
板に設けて、かくすることにより、これまでデコーダ等
の周辺回路はプラスチックスのタブに設けられた単結晶
シリコンICをガラス基板の端部に連結していたが、その
大きな欠点である、連結の際の合わせ誤差を除去するこ
とができた。この周辺回路と画素との一体化によりプラ
スチックのタブの設置に伸び縮みを考慮して従来だと画
素間のピッチが125μｍ以内とすることが不可能であっ
たものが、本発明により60μｍのピッチすら可能となっ
た。
するIGFと、画素を制御するIGFとを同一透明基板に設
け、さらに対向電極とその色分別用デコーダとを同一基
板に設けて、かくすることにより、これまでデコーダ等
の周辺回路はプラスチックスのタブに設けられた単結晶
シリコンICをガラス基板の端部に連結していたが、その
大きな欠点である、連結の際の合わせ誤差を除去するこ
とができた。この周辺回路と画素との一体化によりプラ
スチックのタブの設置に伸び縮みを考慮して従来だと画
素間のピッチが125μｍ以内とすることが不可能であっ
たものが、本発明により60μｍのピッチすら可能となっ
た。
この発明はフルカラー型を主として示した。しかし高解
像度型のディスプレー装置として用いることも可能であ
る。それは第２の電極上の色フィルタを除去することに
より、白黒表示ではあるが絵素の数を実質的に３倍と
し、３倍の高解像度としたものである。またこの３倍を
第２の電極を２または４ケ以上とすることにより２倍ま
たは４倍とすることもできる。
像度型のディスプレー装置として用いることも可能であ
る。それは第２の電極上の色フィルタを除去することに
より、白黒表示ではあるが絵素の数を実質的に３倍と
し、３倍の高解像度としたものである。またこの３倍を
第２の電極を２または４ケ以上とすることにより２倍ま
たは４倍とすることもできる。
第１図は従来の表示装置の回路図を示す。 第２図、第３図は本発明の表示装置の回路図を示す。 第４図、第５図は第２図の回路に対応して設けた本発明
の半導体表示装置の縦断面図を示す。
の半導体表示装置の縦断面図を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁表面を有する透光性基板上に、 水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶半導体の絶
縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺回路と、 周辺回路よりマトリクス配列された絵素と、 前記絵素の一方の電極へ接続された電気信号を制御する
水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶半導体を用
いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置とが設けられてお
り、 前記透光性基板上に対向する基板には、 色分別デコーダと、 前記色分別デコーダに連結され、前記絵素の一方の電極
に対を構成して配列された複数の対向電極とが設けられ
ており、 前記複数の対向電極は、前記透光性基板上の電極に対し
て互いに独立させることにより、一つの絵素領域内で異
なる複数の表示状態を構成することを特徴とする表示装
置。 - 【請求項２】絶縁表面を有する透光性基板上に、 水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶半導体の絶
縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺回路と、 周辺回路よりマトリクス配列された絵素と、 前記絵素の一方の電極へ接続された電気信号を制御する
水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶半導体を用
いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置とが設けられてお
り、 前記透光性基板上に対向する基板には、 色分別デコーダと、 前記色分別デコーダに連結され、前記絵素の一方の電極
に対を構成して配列された複数の対向電極とが設けられ
ており、 前記複数の対向電極の各々と、前記絵素の一方の電極と
の間には光の透過量の制御体または発光体が設けられた
ことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189326A JPH0746265B2 (ja) | 1989-07-22 | 1989-07-22 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189326A JPH0746265B2 (ja) | 1989-07-22 | 1989-07-22 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055175A Division JPH0614259B2 (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118593A JPH02118593A (ja) | 1990-05-02 |
| JPH0746265B2 true JPH0746265B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16239481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189326A Expired - Lifetime JPH0746265B2 (ja) | 1989-07-22 | 1989-07-22 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746265B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3947249B2 (ja) * | 1996-07-10 | 2007-07-18 | 株式会社日立製作所 | 画像表示素子、画像表示装置およびその駆動方法 |
| KR100752365B1 (ko) | 2003-11-14 | 2007-08-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치의 픽셀구동회로 및 그 방법 |
| KR100686334B1 (ko) | 2003-11-14 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
| KR100686335B1 (ko) | 2003-11-14 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
| JP5134242B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2013-01-30 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2009109521A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
| JP5630210B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 画素回路の駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
-
1989
- 1989-07-22 JP JP1189326A patent/JPH0746265B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02118593A (ja) | 1990-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |