JPH0614259B2 - 表示装置 - Google Patents
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- JPH0614259B2 JPH0614259B2 JP59055175A JP5517584A JPH0614259B2 JP H0614259 B2 JPH0614259 B2 JP H0614259B2 JP 59055175 A JP59055175 A JP 59055175A JP 5517584 A JP5517584 A JP 5517584A JP H0614259 B2 JPH0614259 B2 JP H0614259B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- substrate
- electrode
- display device
- igf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下IG
F という）を用いて、マトリックス配列がなされた絵素
群のそれぞれを制御して表示するアクティブマトリック
ス方式の平面型ディスプレー装置、特にカラーディスク
プレー装置に関する。
F という）を用いて、マトリックス配列がなされた絵素
群のそれぞれを制御して表示するアクティブマトリック
ス方式の平面型ディスプレー装置、特にカラーディスク
プレー装置に関する。
この発明は、光の透過量の制御機能を有する液晶（LCD
という）またエレクトロ・クロミック （ECD という）
に関し、自ら発光するエレクトロルミネッサンス（ELと
いう）に関し、それぞれの絵素とこの絵素に電圧または
電流を印加してその電気信号の有無を制御する半導体装
置特にIGF を用いることにより、各絵素をアクティブエ
レメントとして制御することを目的としている。
という）またエレクトロ・クロミック （ECD という）
に関し、自ら発光するエレクトロルミネッサンス（ELと
いう）に関し、それぞれの絵素とこの絵素に電圧または
電流を印加してその電気信号の有無を制御する半導体装
置特にIGF を用いることにより、各絵素をアクティブエ
レメントとして制御することを目的としている。
従来、かかる半導体表示装置においては、第１図にその
マトリックス回路を示すが、マトリックス配列された絵
素群（10）は１つのIGF （２）と表示素子(3)（ここで
はLCD とする）を直列に連結し、このIGF のゲイト電極
をＸ方向に、またソース、ドレインをＹ方向に配列して
いた。
マトリックス回路を示すが、マトリックス配列された絵
素群（10）は１つのIGF （２）と表示素子(3)（ここで
はLCD とする）を直列に連結し、このIGF のゲイト電極
をＸ方向に、またソース、ドレインをＹ方向に配列して
いた。
しかしLCD におけるIGF に連結されていない側は単にす
べてが共通して接地レベルに保持され、その電圧レベル
はすべてのエレメントに対し共通しているのみである。
べてが共通して接地レベルに保持され、その電圧レベル
はすべてのエレメントに対し共通しているのみである。
このためこのLCD の対向電極（３）はIGF が設けられた
基板とは向かい合った基板の内側にCTF （透光性導電
膜）が全面に設けられているのみであった。
基板とは向かい合った基板の内側にCTF （透光性導電
膜）が全面に設けられているのみであった。
かかる構造の平面型ディスプレー装置により、RGB
（赤、緑、青の三原色）をそれぞれ対をなして構成され
るためには、白黒表示ディスプレー装置の３倍のアクテ
ィブエレメントの数を必要としてしまった。
（赤、緑、青の三原色）をそれぞれ対をなして構成され
るためには、白黒表示ディスプレー装置の３倍のアクテ
ィブエレメントの数を必要としてしまった。
さらにこの３倍の集積度は、絵素の数が525 ×640 （形
330K素子）の三倍となり、その集積度の高密度化の程度
はまったく実用化を不可能とするものであった。
330K素子）の三倍となり、その集積度の高密度化の程度
はまったく実用化を不可能とするものであった。
本発明は絶縁表面を有する第１の基板上にマトリクス配
列をした複数の絵素電極を有し、該電極のそれぞれに絶
縁ゲイト型半導体装置が接続されており、前記第１の基
板と離間対向して設けられた第２の基板上には複数の対
抗電極が互いに平行に設けられており、前記対向電極は
一つの前記絵素電極に対して複数個存在しており、それ
ぞれの前記対向電極は対向する一つの前記絵素電極に対
する電位を互いに独立して有することにより、一つの絵
素領域内で異なる複数の表示状態を構成することを特徴
とする表示装置である。
列をした複数の絵素電極を有し、該電極のそれぞれに絶
縁ゲイト型半導体装置が接続されており、前記第１の基
板と離間対向して設けられた第２の基板上には複数の対
抗電極が互いに平行に設けられており、前記対向電極は
一つの前記絵素電極に対して複数個存在しており、それ
ぞれの前記対向電極は対向する一つの前記絵素電極に対
する電位を互いに独立して有することにより、一つの絵
素領域内で異なる複数の表示状態を構成することを特徴
とする表示装置である。
すなわち本発明にはかかる欠点を排除し、IGF の精密な
パターニング（一般には６〜８枚のマスクを用いる）を
必要なプロセスは一方の基板側とし、色識別をするため
の配線およびその周辺回路を他方の基板側に設けたもの
である。
パターニング（一般には６〜８枚のマスクを用いる）を
必要なプロセスは一方の基板側とし、色識別をするため
の配線およびその周辺回路を他方の基板側に設けたもの
である。
そして１つのIGF に連結した絵素の電極であるCTF は１
つであるが、このCTF に対をなして対抗した他方の電極
であるCTF はRGB を設けた為、３つとしたものである。
その結果、製造に関しては、それぞれの２つの独立した
基板をまず製造し、品質検査をした後、それぞれの製品
における良品を重合わせることにより最終完成品をを作
ることができる。その結果、半導体表示装置としてその
歩留りの向上を大幅に図ることができるという大きな特
徴を有する。
つであるが、このCTF に対をなして対抗した他方の電極
であるCTF はRGB を設けた為、３つとしたものである。
その結果、製造に関しては、それぞれの２つの独立した
基板をまず製造し、品質検査をした後、それぞれの製品
における良品を重合わせることにより最終完成品をを作
ることができる。その結果、半導体表示装置としてその
歩留りの向上を大幅に図ることができるという大きな特
徴を有する。
以下に図面に従って、本発明をさらに詳しく記す。
第２図は第１図の従来の発明に対応した作られた本発明
の回路図である。図面は簡略のため、３×３（RGB を分
けると３×３×３）のマトリックス配列をしている。即
ち独立した絵素は27ケあるにもかかわらず、マトリック
ス内のIGF は９ケでよいという大きな特長を有する。さ
らに実際の絵素群の平面図、縦断面図を第４図、第５図
に示すが、対向電極（３）,（３′）,（３′′）で電極
間の間隔即ち（３）,（３′）,（３′′）間の間隔（第
４図(B)(32)）は５〜10μでよいことがわかる。これらI
GF に設ける配線（５）,（５′）,（５′′）が50〜100
μもあるため、使用者にとってパネルを見る場合にわ
ずらわしい面もあるが、この巾広の数を従来方法に比べ
１／３にすることができるという特長を合わせ持つ。そ
の結果、使用者に不快感を与えないことが判明した。
の回路図である。図面は簡略のため、３×３（RGB を分
けると３×３×３）のマトリックス配列をしている。即
ち独立した絵素は27ケあるにもかかわらず、マトリック
ス内のIGF は９ケでよいという大きな特長を有する。さ
らに実際の絵素群の平面図、縦断面図を第４図、第５図
に示すが、対向電極（３）,（３′）,（３′′）で電極
間の間隔即ち（３）,（３′）,（３′′）間の間隔（第
４図(B)(32)）は５〜10μでよいことがわかる。これらI
GF に設ける配線（５）,（５′）,（５′′）が50〜100
μもあるため、使用者にとってパネルを見る場合にわ
ずらわしい面もあるが、この巾広の数を従来方法に比べ
１／３にすることができるという特長を合わせ持つ。そ
の結果、使用者に不快感を与えないことが判明した。
第２図において、アスティブエレエントは１つのIGF
（２）のソースまたはドレインとその一方に連結した表
示素子（ここではLCD ）（１）,（１′）,（１′′）を
有する。さらに、他方は第２図におけるＹ方向のリード
（５）,（５′）,（５′′）に連結されている。またIG
F のゲイト電極は、Ｘ方向（４）,（４′）,（４′′）
に連結されている。
（２）のソースまたはドレインとその一方に連結した表
示素子（ここではLCD ）（１）,（１′）,（１′′）を
有する。さらに、他方は第２図におけるＹ方向のリード
（５）,（５′）,（５′′）に連結されている。またIG
F のゲイト電極は、Ｘ方向（４）,（４′）,（４′′）
に連結されている。
また、表示素子の対抗電極（３）,（３′）,（３′′）
はそれぞれ独立し、かつ第２図ではＹ方向にマトリック
ス配列された表示素子の対抗電極と互いに連結され、色
分別用デコーダ（９）に連結している。
はそれぞれ独立し、かつ第２図ではＹ方向にマトリック
ス配列された表示素子の対抗電極と互いに連結され、色
分別用デコーダ（９）に連結している。
図面において、一方の基板にはデコーダ（７）、
（８）、IGF （２）および表示素子の一方の電極を設
け、他方の基板側に対向電極を３つに分別して設け、各
絵素の３つの対向電極は、Ｘ方向、Ｙ方向または斜め方
向（右上・左下方向または左上・右下方向）の他の絵素
の３つの対向電極とそれぞれ対応させて連結させた。
（８）、IGF （２）および表示素子の一方の電極を設
け、他方の基板側に対向電極を３つに分別して設け、各
絵素の３つの対向電極は、Ｘ方向、Ｙ方向または斜め方
向（右上・左下方向または左上・右下方向）の他の絵素
の３つの対向電極とそれぞれ対応させて連結させた。
この第２図はＹ方向に連結しているRGB 用の電極、リー
ドを設け、それらは色分別用制御回路（デコーダ）(９)
に連結されたものである。
ドを設け、それらは色分別用制御回路（デコーダ）(９)
に連結されたものである。
第２図の回路は第４図の構造において寄生容量(40)，(4
1)が表示素子の電極に蓄積された電荷とゲイト電極との
間に発生する。このため周波数特性が遅くなる。結果と
してこの回路においては高周波数特性を必要としないLC
D が表示素子に用いられることが好ましい。
1)が表示素子の電極に蓄積された電荷とゲイト電極との
間に発生する。このため周波数特性が遅くなる。結果と
してこの回路においては高周波数特性を必要としないLC
D が表示素子に用いられることが好ましい。
第３図は第２図と同様であるが、Ｘ方向に表示素子の対
向電極（３）,（３′），（３′′）を連結している。
その他は第２図と同様である。
向電極（３）,（３′），（３′′）を連結している。
その他は第２図と同様である。
第３図においては、第４図の構成における(11)、(12)，
(13)・・・（11′′），（12′′），（13′′）を横方
向に配設したことに対応している。すると、寄生容量(4
0)，(41)はソースまたはドレイン電極との間は大きくな
るが、ゲイト電極との間では小さくなる。このため第３
図の回路は周波数特性が良好となり、周波数を変更する
ことにより種々の色を発生させるELを表示素子として設
けた場合に好都合である。
(13)・・・（11′′），（12′′），（13′′）を横方
向に配設したことに対応している。すると、寄生容量(4
0)，(41)はソースまたはドレイン電極との間は大きくな
るが、ゲイト電極との間では小さくなる。このため第３
図の回路は周波数特性が良好となり、周波数を変更する
ことにより種々の色を発生させるELを表示素子として設
けた場合に好都合である。
第４図、第５図は本発明の半導体表示装置の平面図、縦
断面図を示す。
断面図を示す。
この図面は第２図の構造にその回路構成が対応してい
る。
る。
図面において、絶縁表面を有する基板（25）上にIGF
（２）は対（ペア）を構成した並列構成して２つのIGF
（２）,（２′）が設けられている。これはIGF の駆動
応力を高めるために重要であるに加え、一方のIGF がシ
ョートまたはオープン不良を発生しても、そのIGF レー
ザトリミング法により除去し、他方のみで表示素子を駆
動せしめた冗長性を有しせしめたものである。
（２）は対（ペア）を構成した並列構成して２つのIGF
（２）,（２′）が設けられている。これはIGF の駆動
応力を高めるために重要であるに加え、一方のIGF がシ
ョートまたはオープン不良を発生しても、そのIGF レー
ザトリミング法により除去し、他方のみで表示素子を駆
動せしめた冗長性を有しせしめたものである。
この縦チャネル型IGF に関し、第４図（Ａ）におけるＡ
−Ａ′の縦断面図を第４図（Ｂ）に示す。
−Ａ′の縦断面図を第４図（Ｂ）に示す。
図面において、IGF （２）の下側電極（14）は表示素子
（１）の電極（22）と連結し、この電極（14）上に同一
形状を有する積層体としてソースまたはドレイン(15)
（厚さ500 〜3000Å）、積層体(16)（厚さ0.5 〜５μ）
（実際は窒化珪素膜を用いた）、ドレインまたはソース
(17)（厚さ500 〜3000Å）、Ｙ方向のリードを兼ねた電
極(18)（厚さ1000〜5000Å）、層間絶縁膜(19)（0.5 〜
３μ）（実際にはPIQ を用いた）が設けられている。さ
らにこれらを覆って水素またはハロゲン元素（好ましく
は弗素）が添加された非単結晶半導体（アモルファス構
造を含む）(21)が0.1 〜0.4 μの厚さでこれらの積層体
を覆っている。
（１）の電極（22）と連結し、この電極（14）上に同一
形状を有する積層体としてソースまたはドレイン(15)
（厚さ500 〜3000Å）、積層体(16)（厚さ0.5 〜５μ）
（実際は窒化珪素膜を用いた）、ドレインまたはソース
(17)（厚さ500 〜3000Å）、Ｙ方向のリードを兼ねた電
極(18)（厚さ1000〜5000Å）、層間絶縁膜(19)（0.5 〜
３μ）（実際にはPIQ を用いた）が設けられている。さ
らにこれらを覆って水素またはハロゲン元素（好ましく
は弗素）が添加された非単結晶半導体（アモルファス構
造を含む）(21)が0.1 〜0.4 μの厚さでこれらの積層体
を覆っている。
この半導体（21）とｐまたはＮ型のソース、ドレインを
構成する層(15)，(17)とはオーム接触をしている。この
半導体層に酸化珪素または窒素珪素膜（厚さ500 〜3000
Å）およびその上に半導体、クロム、チタン、モリブデ
ン、タングステンまたはこれらの化合物のゲイト電極
（厚さ300 〜3000Å）とが（20）により設けている。こ
のゲイト電極はＸ方向のバスラインを構成するリード
（４） ４′）（４′′）と連結しており、このリー
ドは0.5 〜３μの厚さを有する。そのシート抵抗は0.5
Ω／□以下にしている。
構成する層(15)，(17)とはオーム接触をしている。この
半導体層に酸化珪素または窒素珪素膜（厚さ500 〜3000
Å）およびその上に半導体、クロム、チタン、モリブデ
ン、タングステンまたはこれらの化合物のゲイト電極
（厚さ300 〜3000Å）とが（20）により設けている。こ
のゲイト電極はＸ方向のバスラインを構成するリード
（４） ４′）（４′′）と連結しており、このリー
ドは0.5 〜３μの厚さを有する。そのシート抵抗は0.5
Ω／□以下にしている。
さらに表示素子の電極（22）に抵抗した他の絶縁表面を
有する基板上の各３本の対抗電極はRGB をそれぞれ分け
させ、赤（Ｒ）用として（11′）、緑（Ｇ）用として
（12′）、青（Ｂ）用として（13′）が設けられてい
る。そしてこの上方および下方の基板(26)，(27)上に
赤、緑、青のフィルタが設けられている。この(11),(1
2,(13)・・・・（11′′），（12′′），（13′′）の
電極も配向処理がされており、それぞれのアクティブエ
レメントの電極はＹ方向に互いに連結されている。特に
重要なことは配向処理がされた第１の電極（22）の面積
に対応した平面内に複数本ここでは３本に分割された第
２の電極が設けられていることである。この２つの電極
間にはLCD 例えばネマチック型の液晶（１）を２つの基
板(25)，(26)を合わせ周辺を封止した後充填した。さら
にこの電極間（32）は10〜20μであるため、実使用にあ
たってはまったく識別がされず、わずらわしさがない。
このＸ方向のCTF はその際リードを兼ねている。このた
め、第２図より明らかなごとく、例えばＹ方向のリード
側は（５）を「１」とし、他の（５′），（５′′）を
「０」とし、Ｘ方向の（４）、（４′），（４′′）を
それぞれのレベルにて「１」，「０」，「１」とした
時、さらに加えて、色分別デコーダ（９）よりの制御に
て例えば信号をR,G,Bを与えることにより、ここでの
（５）を連結したすべてのエレメントを同時駆動をさ
せ、その信号により所定の色を表示させることができる
ことが判明した。
有する基板上の各３本の対抗電極はRGB をそれぞれ分け
させ、赤（Ｒ）用として（11′）、緑（Ｇ）用として
（12′）、青（Ｂ）用として（13′）が設けられてい
る。そしてこの上方および下方の基板(26)，(27)上に
赤、緑、青のフィルタが設けられている。この(11),(1
2,(13)・・・・（11′′），（12′′），（13′′）の
電極も配向処理がされており、それぞれのアクティブエ
レメントの電極はＹ方向に互いに連結されている。特に
重要なことは配向処理がされた第１の電極（22）の面積
に対応した平面内に複数本ここでは３本に分割された第
２の電極が設けられていることである。この２つの電極
間にはLCD 例えばネマチック型の液晶（１）を２つの基
板(25)，(26)を合わせ周辺を封止した後充填した。さら
にこの電極間（32）は10〜20μであるため、実使用にあ
たってはまったく識別がされず、わずらわしさがない。
このＸ方向のCTF はその際リードを兼ねている。このた
め、第２図より明らかなごとく、例えばＹ方向のリード
側は（５）を「１」とし、他の（５′），（５′′）を
「０」とし、Ｘ方向の（４）、（４′），（４′′）を
それぞれのレベルにて「１」，「０」，「１」とした
時、さらに加えて、色分別デコーダ（９）よりの制御に
て例えば信号をR,G,Bを与えることにより、ここでの
（５）を連結したすべてのエレメントを同時駆動をさ
せ、その信号により所定の色を表示させることができる
ことが判明した。
例えば赤用の電極(11)を「１」とすればＹ方向の配線
(5)とＸ方向のリード(4)とに接続されたエレメント及び
前記配線(5)とＸ方向のリード（４′′）とに接続され
たエレメントを赤色に表示させることができ、同様に緑
色の電極(12)を「１」とすれば上記した同様に配線(5)
とリード(4)とに接続されたエレメント及び配線(5)とリ
ード（４′′）とに接続されたエレメントを緑色とする
ことができ、青用の電極(13)においても同様に「１」と
すれば、赤もしくは緑と同じように同じエレメントを青
色とすることができる。
(5)とＸ方向のリード(4)とに接続されたエレメント及び
前記配線(5)とＸ方向のリード（４′′）とに接続され
たエレメントを赤色に表示させることができ、同様に緑
色の電極(12)を「１」とすれば上記した同様に配線(5)
とリード(4)とに接続されたエレメント及び配線(5)とリ
ード（４′′）とに接続されたエレメントを緑色とする
ことができ、青用の電極(13)においても同様に「１」と
すれば、赤もしくは緑と同じように同じエレメントを青
色とすることができる。
加えて、この赤用，緑色，青用の電極をすべて「１」と
すれば白色となり、すべてを「０」とすれば黒色となる
ことはいうまでもない。
すれば白色となり、すべてを「０」とすれば黒色となる
ことはいうまでもない。
この制御は色分別デコーダ側（９）より容易に行うこと
ができる。
ができる。
第５図は第４図（Ａ）におけるＢ−Ｂ′の縦断面図を示
す。図面より、対抗電極の側の電極は連結しリード（1
2′）をも兼ねていることがわかる。
す。図面より、対抗電極の側の電極は連結しリード（1
2′）をも兼ねていることがわかる。
IGF （２）は基板（25）上に設けられ、また、表示素子
の電極（22）も示されている。表示素子（24）がEL発光
体またはLCD の反射型を用いる場合は、一方の基板（2
6）は透明であり、ガラスまたは住友ベークライト社製
スミラート1300（PES と略記する）を用いてもよい。そ
して他方の基板（25）はステンレス基板上に絶縁膜をプ
ラスチック等で設けた基板を用いることは有効である。
またこの半導体装置の表面の下方向に螢光灯を配設し、
本発明の基板（25）または（26）の一面にカラーフィル
タを設けることによりフルカラー表示を行う場合、２つ
の基板ともガラス等を用い、透明であることは必要であ
る。
の電極（22）も示されている。表示素子（24）がEL発光
体またはLCD の反射型を用いる場合は、一方の基板（2
6）は透明であり、ガラスまたは住友ベークライト社製
スミラート1300（PES と略記する）を用いてもよい。そ
して他方の基板（25）はステンレス基板上に絶縁膜をプ
ラスチック等で設けた基板を用いることは有効である。
またこの半導体装置の表面の下方向に螢光灯を配設し、
本発明の基板（25）または（26）の一面にカラーフィル
タを設けることによりフルカラー表示を行う場合、２つ
の基板ともガラス等を用い、透明であることは必要であ
る。
以上の構成によって20インチ試験的には100 ×100 素子
を５cm×５cmに設けた場合、その歩留り向上が著しかっ
た。従来方法では100 ×100 パネルで欠陥数が１％以下
を良品とすると歩留り３％しかしなった。しかし本発明
構造においては、10％を越えるラッタも得ることができ
た。
を５cm×５cmに設けた場合、その歩留り向上が著しかっ
た。従来方法では100 ×100 パネルで欠陥数が１％以下
を良品とすると歩留り３％しかしなった。しかし本発明
構造においては、10％を越えるラッタも得ることができ
た。
このため、この素子数が525 ×640 と大きくなった時、
本発明はその効果をますます増すことが期待できること
が判明した。
本発明はその効果をますます増すことが期待できること
が判明した。
さらに本発明において、人が見る側例えば基板（26）上
面に反射防止膜（27）を設けることは有効である。
面に反射防止膜（27）を設けることは有効である。
加えて本発明においては、IGF は縦チャネル型であり、
２つの対として用いた。しかしこれを１つのみとして
も、また横チャネル型のIGF であってもよいことはいう
までもない。
２つの対として用いた。しかしこれを１つのみとして
も、また横チャネル型のIGF であってもよいことはいう
までもない。
この発明はフルカラー型を主として示した。しかし高解
像型のディスプレー装置として用いることも可能であ
る。それは第２の電極上の色フィルタを除去することに
より、白黒表示ではあるが絵素の数を実質的に３倍と
し、３倍の高解像度としたものである。またこの３倍を
第２の電極を２または４ケ以上とすることにより２倍ま
たは４倍とすることもできる。
像型のディスプレー装置として用いることも可能であ
る。それは第２の電極上の色フィルタを除去することに
より、白黒表示ではあるが絵素の数を実質的に３倍と
し、３倍の高解像度としたものである。またこの３倍を
第２の電極を２または４ケ以上とすることにより２倍ま
たは４倍とすることもできる。
【図面の簡単な説明】 第１図は従来の表示装置の回路図を示す。 第２図、第３図は本発明の表示装置の回路図を示す。 第４図、第５図は第２図の回路に対応して設けた本発明
の半導体表示装置の電気図および縦断面図を示す。
の半導体表示装置の電気図および縦断面図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−99383（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−198491（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−100467（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−102214（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁表面を有する第１の基板上にマトリク
ス配列をした複数の絵素電極を有し、 該電極のそれぞれに絶縁ゲイト型半導体装置が接続され
ており、 前記第１の基板と離間対向して設けられた第２の基板上
には複数の対向電極が互いに平行に設けられており、 前記対向電極は一つの前記絵素電極に対して複数個存在
しており、 それぞれの前記対向電極は対向する一つの前記絵素電極
に対する電位を互いに独立して有することにより、 一つの絵素領域内で異なる複数の表示状態を構成するこ
と を特徴とする表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055175A JPH0614259B2 (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 表示装置 |
| JP2067680A JPH03197929A (ja) | 1984-03-21 | 1990-03-17 | 半導体表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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