JPH0746670B2 - 薄膜キャパシタ - Google Patents
薄膜キャパシタInfo
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- JPH0746670B2 JPH0746670B2 JP3162347A JP16234791A JPH0746670B2 JP H0746670 B2 JPH0746670 B2 JP H0746670B2 JP 3162347 A JP3162347 A JP 3162347A JP 16234791 A JP16234791 A JP 16234791A JP H0746670 B2 JPH0746670 B2 JP H0746670B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に順に形成された
下部電極、誘電体、上部電極からなる薄膜キャパシタの
構造に関し、特に下部および上部電極が少なくとも２つ
以上の導電性材料からなる構造を有する薄膜キャパシタ
に関する。
下部電極、誘電体、上部電極からなる薄膜キャパシタの
構造に関し、特に下部および上部電極が少なくとも２つ
以上の導電性材料からなる構造を有する薄膜キャパシタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜キャパシタは、シリ
コン電極上に直接にスパッタ法により誘電体膜、上部電
極を順に形成した構造（特願平１−２１７９１８号）、
またはシリコン電極上にＴａ、Ｔｉなどの少なくとも１
種類の高融点金属からなる第１層およびＰｔ，Ｐｄの少
なくとも１種類の材料からなる第２層とから構成される
導電層上に誘電体膜、上部電極を順に形成した構造（特
願平１−２３８４８４号）となっていた。また、例えば
１９６９年のアイ・ビ−・エム・ジャ―ナル・オブ・リ
サ―チ・アンド・ディベロップメント、第６８巻、６８
６〜６９５ペ―ジ（ IBM Journal of Research andDeve
lopment ，６８（１９６９），p.６８６〜６９５）に記
載されているように、サファイア等の絶縁基板上に下部
電極としてＰｔまたはＰｄを堆積し、誘電体膜を堆積
後、上部電極としてＴｉ、Ａｕを順に堆積した積層膜、
またはＣｕ、Ｍｏ、Ａｌ等を形成した構造がすでに知ら
れている。
コン電極上に直接にスパッタ法により誘電体膜、上部電
極を順に形成した構造（特願平１−２１７９１８号）、
またはシリコン電極上にＴａ、Ｔｉなどの少なくとも１
種類の高融点金属からなる第１層およびＰｔ，Ｐｄの少
なくとも１種類の材料からなる第２層とから構成される
導電層上に誘電体膜、上部電極を順に形成した構造（特
願平１−２３８４８４号）となっていた。また、例えば
１９６９年のアイ・ビ−・エム・ジャ―ナル・オブ・リ
サ―チ・アンド・ディベロップメント、第６８巻、６８
６〜６９５ペ―ジ（ IBM Journal of Research andDeve
lopment ，６８（１９６９），p.６８６〜６９５）に記
載されているように、サファイア等の絶縁基板上に下部
電極としてＰｔまたはＰｄを堆積し、誘電体膜を堆積
後、上部電極としてＴｉ、Ａｕを順に堆積した積層膜、
またはＣｕ、Ｍｏ、Ａｌ等を形成した構造がすでに知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の構造の
薄膜キャパシタでは、絶縁基板上に下部電極、誘電体、
上部電極を順に形成して薄膜キャパシタを構成した後に
熱処理を行うと、上部および下部電極と誘電体との反応
が生じる結果、リーク電流が増大するという欠点があ
る。また、シリコン電極上に直接にスパッタ法により誘
電体を形成した場合には、シリコン電極表面が誘電体を
形成する時に酸化され、誘電率の高い誘電体を形成して
もシリコン電極と誘電体との界面に存在する低誘電率の
二酸化シリコンのために薄膜キャパシタ全体の容量を大
きくすることが制限されるという欠点があるものの、薄
膜キャパシタ構成後の熱処理によっても二酸化シリコン
層の存在によりリーク電流があまり大きくならずに済む
といった利点がある。また、前述のシリコン電極に第１
および第２の材料からなる導電層を形成し、その上に誘
電体、上部電極を順に形成した構造の場合には、適切な
熱処理を行うことにより低誘電率層の形成を防止しなが
ら薄膜キャパシタ全体の容量を大きくすることが可能で
あるが、上部電極形成後に熱処理を行うと上部電極と誘
電体膜との反応が生じるために、リーク電流が増大して
しまうといった欠点がある。本発明は、このような従来
の問題点を解決するためになされたもので、下部および
上部電極の双方が、電極材料と誘電体膜の反応によりリ
ーク電流特性に悪影響を与えないような、少なくとも２
つ以上の材料からなる導電層で構成することにより、低
誘電率層の形成を防止するとともに、熱処理後のリ−ク
電流の増大が防止された薄膜キャパシタを提供すること
を目的とする。
薄膜キャパシタでは、絶縁基板上に下部電極、誘電体、
上部電極を順に形成して薄膜キャパシタを構成した後に
熱処理を行うと、上部および下部電極と誘電体との反応
が生じる結果、リーク電流が増大するという欠点があ
る。また、シリコン電極上に直接にスパッタ法により誘
電体を形成した場合には、シリコン電極表面が誘電体を
形成する時に酸化され、誘電率の高い誘電体を形成して
もシリコン電極と誘電体との界面に存在する低誘電率の
二酸化シリコンのために薄膜キャパシタ全体の容量を大
きくすることが制限されるという欠点があるものの、薄
膜キャパシタ構成後の熱処理によっても二酸化シリコン
層の存在によりリーク電流があまり大きくならずに済む
といった利点がある。また、前述のシリコン電極に第１
および第２の材料からなる導電層を形成し、その上に誘
電体、上部電極を順に形成した構造の場合には、適切な
熱処理を行うことにより低誘電率層の形成を防止しなが
ら薄膜キャパシタ全体の容量を大きくすることが可能で
あるが、上部電極形成後に熱処理を行うと上部電極と誘
電体膜との反応が生じるために、リーク電流が増大して
しまうといった欠点がある。本発明は、このような従来
の問題点を解決するためになされたもので、下部および
上部電極の双方が、電極材料と誘電体膜の反応によりリ
ーク電流特性に悪影響を与えないような、少なくとも２
つ以上の材料からなる導電層で構成することにより、低
誘電率層の形成を防止するとともに、熱処理後のリ−ク
電流の増大が防止された薄膜キャパシタを提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に下部
電極、誘電体膜および上部電極が順次形成された構造の
薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、
それぞれ基板側からチタン、タンタル、モリブデン、タ
ングステン、ルテニウム、ルテニウムシリサイド、酸化
ルテニウム、レニウム、レニウムシリサイド、酸化レニ
ウム、オスミウム、オスミウムシリサイド、酸化オスミ
ウム、ロジウム、ロジウムシリサイド、酸化ロジウムの
高融点金属あるいはそれらのシリサイド化合物、および
窒化チタンから選ばれる少なくとも１種以上の材料から
なる第１の導電膜と、白金、パラジウム、ロジウムおよ
びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種以上の材料
からなる第２の導電膜とを少なくとも有し、誘電体がＢ
ａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、
ＬｉＮｂＯ3およびＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12から選ばれた一つ、
あるいはこれらの固溶体からなることを特徴とする薄膜
キャパシタである。また、基板は、ｎ型またはｐ型に不
純物ドープされたシリコン基板、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ
およびＡｌの少なくとも２つから選ばれる元素の化合物
基板、またはＳｉとＧｅの固溶体基板であることを好適
とする。
電極、誘電体膜および上部電極が順次形成された構造の
薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、
それぞれ基板側からチタン、タンタル、モリブデン、タ
ングステン、ルテニウム、ルテニウムシリサイド、酸化
ルテニウム、レニウム、レニウムシリサイド、酸化レニ
ウム、オスミウム、オスミウムシリサイド、酸化オスミ
ウム、ロジウム、ロジウムシリサイド、酸化ロジウムの
高融点金属あるいはそれらのシリサイド化合物、および
窒化チタンから選ばれる少なくとも１種以上の材料から
なる第１の導電膜と、白金、パラジウム、ロジウムおよ
びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種以上の材料
からなる第２の導電膜とを少なくとも有し、誘電体がＢ
ａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、
ＬｉＮｂＯ3およびＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12から選ばれた一つ、
あるいはこれらの固溶体からなることを特徴とする薄膜
キャパシタである。また、基板は、ｎ型またはｐ型に不
純物ドープされたシリコン基板、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ
およびＡｌの少なくとも２つから選ばれる元素の化合物
基板、またはＳｉとＧｅの固溶体基板であることを好適
とする。
【０００５】
【作用】本発明の薄膜キャパシタでは、基板上に順に堆
積形成された下部電極、誘電体膜、上部電極構造におい
て、絶縁基板を使用した場合には、下部電極について
は、基板側を第１の導電膜として、基板と第２の導電膜
とが接しないようにすれば、基板と下部電極間の剥離防
止に効果的である。また、上部電極については、第１の
導電膜を介して第２の導電膜を形成するようにすれば、
Ａｌ等を直接上部電極として用いて熱処理した時に生じ
る上部電極と誘電体との反応（拡散）あるいは上部電極
と誘電体間の剥離を防止することができる。このため、
下部および上部電極形成後の熱処理に対してもリーク電
流の増大のないキャパシタが形成される。また、シリコ
ン基板等を使用した場合には、下部電極については、基
板と下部電極との間で低誘電率層が形成されるのを防止
するために、第１の導電層を基板側に形成することで大
容量を実現する。また上部電極については、上記で述べ
たのと同様である。
積形成された下部電極、誘電体膜、上部電極構造におい
て、絶縁基板を使用した場合には、下部電極について
は、基板側を第１の導電膜として、基板と第２の導電膜
とが接しないようにすれば、基板と下部電極間の剥離防
止に効果的である。また、上部電極については、第１の
導電膜を介して第２の導電膜を形成するようにすれば、
Ａｌ等を直接上部電極として用いて熱処理した時に生じ
る上部電極と誘電体との反応（拡散）あるいは上部電極
と誘電体間の剥離を防止することができる。このため、
下部および上部電極形成後の熱処理に対してもリーク電
流の増大のないキャパシタが形成される。また、シリコ
ン基板等を使用した場合には、下部電極については、基
板と下部電極との間で低誘電率層が形成されるのを防止
するために、第１の導電層を基板側に形成することで大
容量を実現する。また上部電極については、上記で述べ
たのと同様である。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 実施例１ 図２は、基板としてサファイア、誘電体としてＳｒＴｉ
Ｏ3を使用した本発明の一実施例の薄膜キャパシタの縦
断面図である。図中、１はＡｌ、２はＷ、３はＳｒＴｉ
Ｏ3層、４はＰｔ、５はＴｉ、６はサファイア基板であ
る。作製プロセスは以下のように公知の薄膜堆積技術を
使用した。まず、サファイア基板上にＴｉ，Ｐｔを順に
それぞれ１０〜１５０ｎｍ、２０〜１５０ｎｍの厚さに
直流マグネトロンスパッタ法により堆積し、次にＳｒＴ
ｉＯ3膜を高周波マグネトロンスパッタ法により３０〜
５００ｎｍの厚さに堆積する。最後に上部電極として、
直流マグネトロンスパッタ法によりＷおよびＡｌをそれ
ぞれ１０〜１５０ｎｍ、１００〜１２００ｎｍの厚さに
堆積して図２の薄膜キャパシタを作製した。この構造で
は、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０〜９０
分間の熱処理を行ってもリ−ク電流の増加は生じなかっ
た。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ3を使用した
が、ＢａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＬｉＮ
ｂＯ3，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12あるいはこれらの固溶体を用い
ても同様の結果が得られた。また、サファイア基板以外
の絶縁基板でも同様の結果が得られた。さらに、本実施
例では第１の導電膜としてチタン、タングステンを使用
したが、この他、タンタル、モリブデン、ルテニウム、
ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム、レ
ニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オスミ
ウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジウム
シリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそれら
のシリサイド化合物、または窒化チタンを用いても同様
の結果が得られた。また、第２の導電膜として、白金、
アルミニウムを用いたが、この他、パラジウムまたはロ
ジウムでも同様の結果が得られた。
て説明する。 実施例１ 図２は、基板としてサファイア、誘電体としてＳｒＴｉ
Ｏ3を使用した本発明の一実施例の薄膜キャパシタの縦
断面図である。図中、１はＡｌ、２はＷ、３はＳｒＴｉ
Ｏ3層、４はＰｔ、５はＴｉ、６はサファイア基板であ
る。作製プロセスは以下のように公知の薄膜堆積技術を
使用した。まず、サファイア基板上にＴｉ，Ｐｔを順に
それぞれ１０〜１５０ｎｍ、２０〜１５０ｎｍの厚さに
直流マグネトロンスパッタ法により堆積し、次にＳｒＴ
ｉＯ3膜を高周波マグネトロンスパッタ法により３０〜
５００ｎｍの厚さに堆積する。最後に上部電極として、
直流マグネトロンスパッタ法によりＷおよびＡｌをそれ
ぞれ１０〜１５０ｎｍ、１００〜１２００ｎｍの厚さに
堆積して図２の薄膜キャパシタを作製した。この構造で
は、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０〜９０
分間の熱処理を行ってもリ−ク電流の増加は生じなかっ
た。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ3を使用した
が、ＢａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＬｉＮ
ｂＯ3，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12あるいはこれらの固溶体を用い
ても同様の結果が得られた。また、サファイア基板以外
の絶縁基板でも同様の結果が得られた。さらに、本実施
例では第１の導電膜としてチタン、タングステンを使用
したが、この他、タンタル、モリブデン、ルテニウム、
ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム、レ
ニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オスミ
ウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジウム
シリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそれら
のシリサイド化合物、または窒化チタンを用いても同様
の結果が得られた。また、第２の導電膜として、白金、
アルミニウムを用いたが、この他、パラジウムまたはロ
ジウムでも同様の結果が得られた。
【０００７】実施例２ 図１は本発明の別の実施例の縦断面図である。基板とし
てｎ型の低抵抗シリコン基板、誘電体としてＳｒＴｉＯ
3を使用した例である。１１はＡｌ、１２はＴｉＮ、１
３はＴｉ、１４はＳｒＴｉＯ3、１５はＰｔ、１６はＴ
ａ、１７はシリコン基板である。作製プロセスは図２の
薄膜キャパシタと同様であるが、１２のＴｉＮは反応性
直流マグネトロンスパッタにより作製した。この構造に
おいても、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０
〜９０分間の熱処理を行ってもリーク電流の増加は生じ
なかった。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ3を使
用したが、ＢａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，
ＬｉＮｂＯ3，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12あるいはこれらの固溶体
を用いても同様の結果が得られた。また、基板としてｎ
型のシリコン基板以外にｐ型のシリコン基板、Ｇａ，Ａ
ｓ，Ｉｎ，Ｐ，Ａｌの少なくとも２つから選ばれる元素
の化合物基板、ＳｉとＧｅの固溶体基板でも同様の結果
が得られた。さらに、本実施例では第１の導電膜として
タンタル、チタン、窒化チタンを使用したが、この他、
タンタル、モリブデン、タングステン、ルテニウム、ル
テニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム、レニ
ウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オスミウ
ムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジウムシ
リサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそれらの
シリサイド化合物を用いても同様の結果が得られた。ま
た、第２の導電膜として、白金、アルミニウムを用いた
が、この他、パラジウムまたはロジウムでも同様の結果
が得られた。
てｎ型の低抵抗シリコン基板、誘電体としてＳｒＴｉＯ
3を使用した例である。１１はＡｌ、１２はＴｉＮ、１
３はＴｉ、１４はＳｒＴｉＯ3、１５はＰｔ、１６はＴ
ａ、１７はシリコン基板である。作製プロセスは図２の
薄膜キャパシタと同様であるが、１２のＴｉＮは反応性
直流マグネトロンスパッタにより作製した。この構造に
おいても、キャパシタ作製後に４００〜５００℃、１０
〜９０分間の熱処理を行ってもリーク電流の増加は生じ
なかった。本実施例では誘電体としてＳｒＴｉＯ3を使
用したが、ＢａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，
ＬｉＮｂＯ3，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12あるいはこれらの固溶体
を用いても同様の結果が得られた。また、基板としてｎ
型のシリコン基板以外にｐ型のシリコン基板、Ｇａ，Ａ
ｓ，Ｉｎ，Ｐ，Ａｌの少なくとも２つから選ばれる元素
の化合物基板、ＳｉとＧｅの固溶体基板でも同様の結果
が得られた。さらに、本実施例では第１の導電膜として
タンタル、チタン、窒化チタンを使用したが、この他、
タンタル、モリブデン、タングステン、ルテニウム、ル
テニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウム、レニ
ウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、オスミウ
ムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロジウムシ
リサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいはそれらの
シリサイド化合物を用いても同様の結果が得られた。ま
た、第２の導電膜として、白金、アルミニウムを用いた
が、この他、パラジウムまたはロジウムでも同様の結果
が得られた。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜キャパシタの容量を低下させる低誘電率層の形成を
防止するとともに、キャパシタ作製後の熱処理で下部お
よび上部電極が誘電体と反応することによるリ−ク電流
増大を防止することができ、大容量でリーク電流の少な
い薄膜キャパシタを作製することができる効果がある。
薄膜キャパシタの容量を低下させる低誘電率層の形成を
防止するとともに、キャパシタ作製後の熱処理で下部お
よび上部電極が誘電体と反応することによるリ−ク電流
増大を防止することができ、大容量でリーク電流の少な
い薄膜キャパシタを作製することができる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】本発明の別の一実施例の縦断面図である。
１，１１ Ａｌ ２ Ｗ ３，１４ ＳｒＴｉＯ3 ４，１５ Ｐｔ ５，１３ Ｔｉ ６ サファイア
基板 １２ ＴｉＮ １６ Ｔａ １７ シリコン基板
基板 １２ ＴｉＮ １６ Ｔａ １７ シリコン基板
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に下部電極、誘電体膜および上部
電極が順次形成された構造の薄膜キャパシタにおいて、
下部電極および上部電極が、それぞれ基板側からチタ
ン、タンタル、モリブデン、タングステン、ルテニウ
ム、ルテニウムシリサイド、酸化ルテニウム、レニウ
ム、レニウムシリサイド、酸化レニウム、オスミウム、
オスミウムシリサイド、酸化オスミウム、ロジウム、ロ
ジウムシリサイド、酸化ロジウムの高融点金属あるいは
それらのシリサイド化合物、および窒化チタンから選ば
れる少なくとも１種以上の材料からなる第１の導電膜
と、白金、パラジウム、ロジウムおよびアルミニウムか
ら選ばれる少なくとも１種以上の材料からなる第２の導
電膜とを少なくとも有し、誘電体がＢａＴｉＯ3、Ｓｒ
ＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、ＬｉＮｂＯ3およ
びＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12から選ばれた一つ、あるいはこれらの
固溶体からなることを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 【請求項２】 基板がｎ型またはｐ型に不純物ドープさ
れたシリコン基板、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、ＰおよびＡｌの
少なくとも２つから選ばれる元素の化合物基板、または
ＳｉとＧｅの固溶体基板である請求項１記載の薄膜キャ
パシタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162347A JPH0746670B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜キャパシタ |
| EP92304302A EP0514149B1 (en) | 1991-05-16 | 1992-05-13 | Thin film capacitor |
| US07/882,000 US5262920A (en) | 1991-05-16 | 1992-05-13 | Thin film capacitor |
| DE69205063T DE69205063T2 (de) | 1991-05-16 | 1992-05-13 | Dünnschichtkondensator. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162347A JPH0746670B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜キャパシタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360506A JPH04360506A (ja) | 1992-12-14 |
| JPH0746670B2 true JPH0746670B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15752833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3162347A Expired - Lifetime JPH0746670B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-06-07 | 薄膜キャパシタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746670B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009136718A3 (ko) * | 2008-05-04 | 2010-01-14 | 엘지이노텍주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348894A (en) * | 1993-01-27 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials |
| JP4725278B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2011-07-13 | 東レ株式会社 | キャパシタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687490B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1994-11-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH0687491B2 (ja) * | 1989-09-14 | 1994-11-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜コンデンサ |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3162347A patent/JPH0746670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009136718A3 (ko) * | 2008-05-04 | 2010-01-14 | 엘지이노텍주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04360506A (ja) | 1992-12-14 |
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