JPH074799Y2 - タンデム型イオン加速装置 - Google Patents
タンデム型イオン加速装置Info
- Publication number
- JPH074799Y2 JPH074799Y2 JP1453187U JP1453187U JPH074799Y2 JP H074799 Y2 JPH074799 Y2 JP H074799Y2 JP 1453187 U JP1453187 U JP 1453187U JP 1453187 U JP1453187 U JP 1453187U JP H074799 Y2 JPH074799 Y2 JP H074799Y2
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- JP
- Japan
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- vacuum chamber
- energy side
- high voltage
- insulating medium
- type ion
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この考案は、電荷の移し換えにより負イオンを正イオン
に変換して荷電粒子加速をするタンデム型イオン加速装
置に関する。
に変換して荷電粒子加速をするタンデム型イオン加速装
置に関する。
(従来の技術) 第2図は、この種タンデム型加速装置を、第3図はその
荷電変換部分をそれぞれ示し、1は負イオンを発生し、
これを引出すイオン源、2は質量分析器である。3は例
えばSF6などの絶縁媒体を充填してなる圧力容器で、そ
の内部には、前記イオン源1からの負イオンを加速する
低エネルギー側加速管4と、前記負イオンビームを正イ
オンビームに荷電変換する荷電変換部5と、これによつ
て荷電変換された正イオンビームを加速する高エネルギ
ー側加速管6と、高電圧電極7に高電圧を印加する高電
圧発生部8が収納されている。9は、高エネルギー側加
速管6の後に設けられ、イオン分配器として作用する質
量分析器である。これによつて加速された正イオンビー
ムは、照射室10,11,12等に導かれ、試料13,14,15等に照
射される。
荷電変換部分をそれぞれ示し、1は負イオンを発生し、
これを引出すイオン源、2は質量分析器である。3は例
えばSF6などの絶縁媒体を充填してなる圧力容器で、そ
の内部には、前記イオン源1からの負イオンを加速する
低エネルギー側加速管4と、前記負イオンビームを正イ
オンビームに荷電変換する荷電変換部5と、これによつ
て荷電変換された正イオンビームを加速する高エネルギ
ー側加速管6と、高電圧電極7に高電圧を印加する高電
圧発生部8が収納されている。9は、高エネルギー側加
速管6の後に設けられ、イオン分配器として作用する質
量分析器である。これによつて加速された正イオンビー
ムは、照射室10,11,12等に導かれ、試料13,14,15等に照
射される。
前記荷電変換部5は、真空チヤンバ51内にガスストリツ
プカナール52が設けられ、このガスストリツプカナール
52内には、例えば絶縁チユーブ16等を介して大地電位に
設けられたガスボンベ17から負イオンビームの荷電変換
用ターゲツトとなるガスが供給されている。なお、図中
53はチヤンバ壁、41は加速電極、42はシールドリングで
ある。
プカナール52が設けられ、このガスストリツプカナール
52内には、例えば絶縁チユーブ16等を介して大地電位に
設けられたガスボンベ17から負イオンビームの荷電変換
用ターゲツトとなるガスが供給されている。なお、図中
53はチヤンバ壁、41は加速電極、42はシールドリングで
ある。
(考案が解決しようとする問題点) ところで、前述のガスストリツプカナール52の径は、タ
ーゲツトとなるガスの存在により、これにつながる加速
管4,6の真空度が低下するので、これを考慮して可能な
限り小さく設定されている。
ーゲツトとなるガスの存在により、これにつながる加速
管4,6の真空度が低下するので、これを考慮して可能な
限り小さく設定されている。
一方、特に運転当初では、荷電変換される負イオンビー
ムの軌道や焦点なども安定せず、その大部分が荷電変換
部5の入口側、すなわち低エネルギー側加速管4側のチ
ヤンバ壁53に当る。又、正常運転中であつても、荷電変
換部5を負イオンビームが100%通過することは難し
く、チヤンバ壁53に当る。この結果、真空中に位置する
該部が発熱し、高温となる。この傾向は、近年の如く、
ビーム電流の増大が要求されるに至り、特に顕著とな
り、その対策が強く要望されるようになつた。
ムの軌道や焦点なども安定せず、その大部分が荷電変換
部5の入口側、すなわち低エネルギー側加速管4側のチ
ヤンバ壁53に当る。又、正常運転中であつても、荷電変
換部5を負イオンビームが100%通過することは難し
く、チヤンバ壁53に当る。この結果、真空中に位置する
該部が発熱し、高温となる。この傾向は、近年の如く、
ビーム電流の増大が要求されるに至り、特に顕著とな
り、その対策が強く要望されるようになつた。
(問題点を解決するための手段) この考案は、上述の事柄に鑑み、チヤンバ壁を冷却する
冷却フインを、真空チヤンバ外の絶縁媒体中に位置せし
めたことを特徴とする。
冷却フインを、真空チヤンバ外の絶縁媒体中に位置せし
めたことを特徴とする。
(作用) その発熱が真空中であつても、チヤンバ壁を通じて、真
空チヤンバ外の絶縁媒体中に位置する冷却フインに伝達
され、前記絶縁媒体によつて速やかに冷却される。
空チヤンバ外の絶縁媒体中に位置する冷却フインに伝達
され、前記絶縁媒体によつて速やかに冷却される。
(実施例) 以下この考案の一実施例を第1図に基いて説明する。な
お、第2図及び第3図と同じ符号を附した部分は、同一
又は対応する部分を示す。しかして、この考案にしたが
い、荷電変換部5の入口側、すなわち真空チヤンバ51の
低エネルギー側加速管4側のチヤンバ壁53は、真空チヤ
ンバ51外の絶縁媒体中に位置するフランジ部分54が、更
に延長され、該延長部分に一体的に複数の放熱ひだを備
えた冷却フイン55が形成されてある。この冷却フイン55
の形状は、特に図示されるものに限定されることはな
く、その冷却容量に応じて決定すればよい。又、図示す
るように、冷却フイン55を、コロナシールドを兼ねた高
電圧電極7内に配置すれば、電気絶縁的には特別な考慮
を必要としないので好ましい。なお、43は低エネルギー
側加速管4のフランジである。
お、第2図及び第3図と同じ符号を附した部分は、同一
又は対応する部分を示す。しかして、この考案にしたが
い、荷電変換部5の入口側、すなわち真空チヤンバ51の
低エネルギー側加速管4側のチヤンバ壁53は、真空チヤ
ンバ51外の絶縁媒体中に位置するフランジ部分54が、更
に延長され、該延長部分に一体的に複数の放熱ひだを備
えた冷却フイン55が形成されてある。この冷却フイン55
の形状は、特に図示されるものに限定されることはな
く、その冷却容量に応じて決定すればよい。又、図示す
るように、冷却フイン55を、コロナシールドを兼ねた高
電圧電極7内に配置すれば、電気絶縁的には特別な考慮
を必要としないので好ましい。なお、43は低エネルギー
側加速管4のフランジである。
以上の構成によれば、荷電変換されるべき負イオンビー
ムが、チヤンバ壁53に当り、真空中において該部が発熱
し高温となつても、チヤンバ壁53−フランジ部分54を通
じて、冷却フイン55に、その熱が伝達され、容器3内に
絶縁の目的で充填された絶縁媒体中に速やかに放散され
る。したがつて、チヤンバ壁53の温度上昇が抑制され
る。
ムが、チヤンバ壁53に当り、真空中において該部が発熱
し高温となつても、チヤンバ壁53−フランジ部分54を通
じて、冷却フイン55に、その熱が伝達され、容器3内に
絶縁の目的で充填された絶縁媒体中に速やかに放散され
る。したがつて、チヤンバ壁53の温度上昇が抑制され
る。
なお、図示例では、冷却フイン55を、フランジ部分54
と、分離して形成し、これを真空チヤンバ51の胴部分に
設けるように構成してもよく、要はチヤンバ壁53からの
熱を、熱伝達により絶縁媒体中に放散するように構成す
ればよいのは勿論である。
と、分離して形成し、これを真空チヤンバ51の胴部分に
設けるように構成してもよく、要はチヤンバ壁53からの
熱を、熱伝達により絶縁媒体中に放散するように構成す
ればよいのは勿論である。
(考案の効果) 以上詳述の通り、この考案によれば、きわめて簡単な構
成により、チヤンバ壁の冷却を図ることができ、この種
装置のより大電流化に対処し得るなどといつた実用的効
果を奏する。
成により、チヤンバ壁の冷却を図ることができ、この種
装置のより大電流化に対処し得るなどといつた実用的効
果を奏する。
第1図は、この考案の一実施例を示す要部の一部断面図
である。第2図は、従来のタンデム型加速装置の概略構
成を示す一部断面図、第3図は、第2図に示す装置の荷
電変換部分を示す一部断面図である。 3:容器、4:低エネルギー側加速管、5:荷電変換部、51:
真空チヤンバ、52:ガスストリツプカナール、53:チヤン
バ壁、55:冷却フイン、6:高エネルギー側加速管、7:高
電圧電極、8:高電圧発生部。
である。第2図は、従来のタンデム型加速装置の概略構
成を示す一部断面図、第3図は、第2図に示す装置の荷
電変換部分を示す一部断面図である。 3:容器、4:低エネルギー側加速管、5:荷電変換部、51:
真空チヤンバ、52:ガスストリツプカナール、53:チヤン
バ壁、55:冷却フイン、6:高エネルギー側加速管、7:高
電圧電極、8:高電圧発生部。
Claims (1)
- 【請求項1】低エネルギー側加速管と、高エネルギー側
加速管と、これら両加速管の間に配設され、真空チヤン
バ内にガスストリツパカナールを設けてなる荷電変換部
と、高電圧電極に高電圧を印加する高電圧発生部を、絶
縁媒体が充填される容器内に収納してなり、前記真空チ
ヤンバの低エネルギー側加速管側のチヤンバ壁を冷却す
る冷却フインを、真空チヤンバ外の絶縁媒体中に位置せ
しめたことを特徴とするタンデム型イオン加速装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1453187U JPH074799Y2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | タンデム型イオン加速装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1453187U JPH074799Y2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | タンデム型イオン加速装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63123097U JPS63123097U (ja) | 1988-08-10 |
| JPH074799Y2 true JPH074799Y2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=30804605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1453187U Expired - Lifetime JPH074799Y2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | タンデム型イオン加速装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH074799Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0747840Y2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-11-01 | 日新ハイボルテージ株式会社 | タンデム加速装置 |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP1453187U patent/JPH074799Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63123097U (ja) | 1988-08-10 |
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