JPH0748080B2 - 放射光透過窓 - Google Patents
放射光透過窓Info
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- JPH0748080B2 JPH0748080B2 JP2149989A JP14998990A JPH0748080B2 JP H0748080 B2 JPH0748080 B2 JP H0748080B2 JP 2149989 A JP2149989 A JP 2149989A JP 14998990 A JP14998990 A JP 14998990A JP H0748080 B2 JPH0748080 B2 JP H0748080B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、シンクロトロン放射光を用いて、超LSI等
の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せしめ
る露光装置の放射光透過窓に関する。
の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せしめ
る露光装置の放射光透過窓に関する。
半導体（LSI）の高集積化技術の進歩に伴い、マスク上
のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写す
る半導体リソグラフィ装置でも、軟Ｘ線を含むシンクロ
トロン放射光の利用が注目されるようになった。
のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写す
る半導体リソグラフィ装置でも、軟Ｘ線を含むシンクロ
トロン放射光の利用が注目されるようになった。
この放射光は第３図に示されるように、高真空の電子蓄
積リング（100）内で光速に近い速さの電子を偏向磁石
（101）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方向に
放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強い軟
Ｘ線が得られるため、線幅がクォータミクロンクラスに
なる超LSIのマスクパターンを上記被露光板状物に転写
するＸ線露光装置の次期Ｘ線源として期待されている。
積リング（100）内で光速に近い速さの電子を偏向磁石
（101）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方向に
放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強い軟
Ｘ線が得られるため、線幅がクォータミクロンクラスに
なる超LSIのマスクパターンを上記被露光板状物に転写
するＸ線露光装置の次期Ｘ線源として期待されている。
該シンクロトロン放射光を用いる実際の露光装置では、
電子蓄積リング（100）から発した放射光がビームライ
ン（３）を通って転写装置（102）内に導かれ、その内
部でＸ線マスク（図示なし）やウェハ駆動ステージ（図
示なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを被露光
板状物の表面（この場合はウェハの上に被覆されたレジ
スト）に転写する構成となっている。
電子蓄積リング（100）から発した放射光がビームライ
ン（３）を通って転写装置（102）内に導かれ、その内
部でＸ線マスク（図示なし）やウェハ駆動ステージ（図
示なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを被露光
板状物の表面（この場合はウェハの上に被覆されたレジ
スト）に転写する構成となっている。
このうち、ビームライン（３）内部は、電子蓄積リング
（100）内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさないよう
にするため真空に保たれ、他方、転写装置（102）は、
マスクの温度上昇を抑えるため、その周りをチャンバ
（103）で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気（放射光
減衰作用の小さいヘリウムガス等）で満たしている。そ
こでシンクロトロン放射光を放射する放射光源側（図で
は電子蓄積リング（100）及びビームライン（３））と
転写装置（102）との間には、放射光光路途中に放射光
源側の高真空域と転写装置（102）側の雰囲気とを隔て
且つ放射光の一部を透過可能なベリリウム薄膜等の放射
光透過薄膜（４）が設けられている。
（100）内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさないよう
にするため真空に保たれ、他方、転写装置（102）は、
マスクの温度上昇を抑えるため、その周りをチャンバ
（103）で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気（放射光
減衰作用の小さいヘリウムガス等）で満たしている。そ
こでシンクロトロン放射光を放射する放射光源側（図で
は電子蓄積リング（100）及びビームライン（３））と
転写装置（102）との間には、放射光光路途中に放射光
源側の高真空域と転写装置（102）側の雰囲気とを隔て
且つ放射光の一部を透過可能なベリリウム薄膜等の放射
光透過薄膜（４）が設けられている。
第４図は、このような放射光透過薄膜（４）の取付けら
れた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に
示すように、ビームライン（３）端部に設けられた取付
枠（30）で端部壁面を構成し、該取付枠（30）の開口部
に放射光透過薄膜（４）が据え付けられ、その周りを押
え金具（31）によって取付枠（30）との間に挟持させ、
押えビス（32）により固定している。尚、図中取付枠
（30）はビームライン取付けビス（33）によって取出し
側の雰囲気の漏れがないようにビームライン（３）に固
定されている。
れた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に
示すように、ビームライン（３）端部に設けられた取付
枠（30）で端部壁面を構成し、該取付枠（30）の開口部
に放射光透過薄膜（４）が据え付けられ、その周りを押
え金具（31）によって取付枠（30）との間に挟持させ、
押えビス（32）により固定している。尚、図中取付枠
（30）はビームライン取付けビス（33）によって取出し
側の雰囲気の漏れがないようにビームライン（３）に固
定されている。
上記放射光透過薄膜（４）は、通常ベリリウム膜等で構
成され、そこに導かれたシンクロトロン放射光のうち軟
Ｘ線成分を外部に取出す役目を果している。
成され、そこに導かれたシンクロトロン放射光のうち軟
Ｘ線成分を外部に取出す役目を果している。
一方、露光に際しては、放射光の強度の一番強い箇所が
放射光透過薄膜（４）を透過するように、該放射光光路
と放射光透過薄膜（４）との軸合せを行ないながらアラ
イナの設置、姿勢制御等が行われているが、その際の放
射光の光路の確認やその強度の感知はＸ線用ディテクタ
を使用して、或いは実際にレジスト面に露光してしかで
きないため、光路を高純度のヘリウム雰囲気に実際に置
換せねばならず（空気中では光路2mmで減衰して０にな
る）、上記軸合せ・姿勢制御を短時間のうちに終了させ
ることが困難であった。
放射光透過薄膜（４）を透過するように、該放射光光路
と放射光透過薄膜（４）との軸合せを行ないながらアラ
イナの設置、姿勢制御等が行われているが、その際の放
射光の光路の確認やその強度の感知はＸ線用ディテクタ
を使用して、或いは実際にレジスト面に露光してしかで
きないため、光路を高純度のヘリウム雰囲気に実際に置
換せねばならず（空気中では光路2mmで減衰して０にな
る）、上記軸合せ・姿勢制御を短時間のうちに終了させ
ることが困難であった。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案された
もので、放射光透過窓構成に改良を加えて、軸合せや姿
勢制御を肉眼乃至はそれに代わる可視光センサで行な
え、且つその場合に水平方向及び垂直方向の光軸のずれ
を容易に検出できる構成を提供せんとするものである。
もので、放射光透過窓構成に改良を加えて、軸合せや姿
勢制御を肉眼乃至はそれに代わる可視光センサで行な
え、且つその場合に水平方向及び垂直方向の光軸のずれ
を容易に検出できる構成を提供せんとするものである。
そのため本発明の放射光透過窓は、ビームライン取出し
端部壁面に設けられた放射光透過薄膜を真ん中にしてそ
の周囲の水平方向２箇所以上を可視光透過部とすること
を基本的特徴としている。
端部壁面に設けられた放射光透過薄膜を真ん中にしてそ
の周囲の水平方向２箇所以上を可視光透過部とすること
を基本的特徴としている。
この可視光透過部に、石英やサファイヤ等で作られた光
学部品が用いられれば、この部分を透過する放射光成分
は可視光のみとなり、軟Ｘ線成分は透過されないことに
なる。
学部品が用いられれば、この部分を透過する放射光成分
は可視光のみとなり、軟Ｘ線成分は透過されないことに
なる。
又、第２発明では上記構成のほか、放射光透過薄膜及び
可視光透過部に同時に或いは各別にこれらの開閉（放射
光の入射又は遮断）を行なえるシャッタを夫々設けてい
る。
可視光透過部に同時に或いは各別にこれらの開閉（放射
光の入射又は遮断）を行なえるシャッタを夫々設けてい
る。
このようなシャッタ構成を備えることで、放射光透過薄
膜や可視光透過部で放射光を透過する必要がない時に閉
じておき、余計な放射光の漏れを防ぐことができるよう
にしている。
膜や可視光透過部で放射光を透過する必要がない時に閉
じておき、余計な放射光の漏れを防ぐことができるよう
にしている。
上記構成では放射光透過薄膜を真ん中にしてその周囲の
水平方向２箇所以上に設けられた可視光透過部分がシン
クロトロン放射光の可視光成分を透過し、該放射光を肉
眼で観察しながら放射光光路と放射光透過薄膜の軸合せ
やアライナの姿勢制御等を行なうことが可能となるた
め、放射光光路の垂直方向のずれを検出することができ
るようになると共に、放射光透過薄膜を挟んだ両側の放
射光強度比較から、転写装置側に対する放射光光軸の水
平方向の相対的なずれを知ることが可能となる。
水平方向２箇所以上に設けられた可視光透過部分がシン
クロトロン放射光の可視光成分を透過し、該放射光を肉
眼で観察しながら放射光光路と放射光透過薄膜の軸合せ
やアライナの姿勢制御等を行なうことが可能となるた
め、放射光光路の垂直方向のずれを検出することができ
るようになると共に、放射光透過薄膜を挟んだ両側の放
射光強度比較から、転写装置側に対する放射光光軸の水
平方向の相対的なずれを知ることが可能となる。
以下本発明の具体的実施例につき説明する。
第１図は本願第２発明に係る放射光透過窓の構成説明図
である。図中（３）はビームライン、（30）は取付枠、
（４）はベリリウム膜からなる放射光透過薄膜、（31）
は押え金具、（32）は押えビス、（33）はビームライン
取付けビスであり、これらは前述と全く同じ構成であ
る。
である。図中（３）はビームライン、（30）は取付枠、
（４）はベリリウム膜からなる放射光透過薄膜、（31）
は押え金具、（32）は押えビス、（33）はビームライン
取付けビスであり、これらは前述と全く同じ構成であ
る。
本実施例では、放射光透過薄膜（４）の中央部を横切る
水平線上の取付枠（30）に２つの開口部を設け、そこに
石英から成る光学部品（1a）（1b）を嵌め込み気密に固
定することで、可視光透過部を形成している。
水平線上の取付枠（30）に２つの開口部を設け、そこに
石英から成る光学部品（1a）（1b）を嵌め込み気密に固
定することで、可視光透過部を形成している。
更に上記取付枠（30）より転写装置（図示なし）側には
ロータリソレノイド（20）（21）によって各独立して開
閉作動する可視光透過部用シャッタ（2a）と、軟Ｘ線透
過部用シャッタ（2b）が夫々設けられており、シャッタ
（2a）では前記光学部品（1a）（1b）を透過してくる放
射光の入射・遮断が、又シャッタ（2b）では放射光透過
薄膜（４）を透過してくる放射光の入射・遮断が可能な
構成になっている。
ロータリソレノイド（20）（21）によって各独立して開
閉作動する可視光透過部用シャッタ（2a）と、軟Ｘ線透
過部用シャッタ（2b）が夫々設けられており、シャッタ
（2a）では前記光学部品（1a）（1b）を透過してくる放
射光の入射・遮断が、又シャッタ（2b）では放射光透過
薄膜（４）を透過してくる放射光の入射・遮断が可能な
構成になっている。
本実施例のように放射光透過薄膜（４）を中心にその水
平方向に可視光透過部を設ける構成としたのは、電子蓄
積リングから放射されるシンクロトロン放射光が水平方
向に扁平な状態になっており、そのため放射光光路に少
しでも垂直方向のずれがある場合にすぐに検出できるよ
うになるからである。放射光透過薄膜（４）の両側に可
視光透過部を設けることにしたのは、そこから検出され
る放射光の強度が等しくなるように調整することによっ
て水平方向の軸合せも可能になるからである。
平方向に可視光透過部を設ける構成としたのは、電子蓄
積リングから放射されるシンクロトロン放射光が水平方
向に扁平な状態になっており、そのため放射光光路に少
しでも垂直方向のずれがある場合にすぐに検出できるよ
うになるからである。放射光透過薄膜（４）の両側に可
視光透過部を設けることにしたのは、そこから検出され
る放射光の強度が等しくなるように調整することによっ
て水平方向の軸合せも可能になるからである。
本実施例では、ビームライン（３）からこのような放射
光透過窓構成を介して取り出されてくるシンクロトロン
放射光を使用してＸ線露光を行なう前の準備作業とし
て、該放射光の光路と放射光透過窓構成（特に放射光透
過薄膜（４））との軸合せを行なった。この際シャッタ
（2a）を開放状態に、又もう一方のシャッタ（2b）を遮
断状態にしておき、転写装置側にシンクロトロン放射光
の可視光成分のみが取出せるようにした。
光透過窓構成を介して取り出されてくるシンクロトロン
放射光を使用してＸ線露光を行なう前の準備作業とし
て、該放射光の光路と放射光透過窓構成（特に放射光透
過薄膜（４））との軸合せを行なった。この際シャッタ
（2a）を開放状態に、又もう一方のシャッタ（2b）を遮
断状態にしておき、転写装置側にシンクロトロン放射光
の可視光成分のみが取出せるようにした。
このような状態でシンクロトロン放射光の光路を放射光
透過薄膜（４）との間に垂直方向のずれがない場合に
は、前述の光学部品（1a）（1b）からなる可視光透過部
から該放射光の可視光成分が取出されることになるが、
それより少しでも垂直方向にずれがあると、放射光はそ
こを透過することができなくなるので、該可視光透過部
から放射光が肉眼で検出できる状態になるまでこの放射
光透過窓構成全体を垂直方向に動かし（もしビームライ
ン（３）中に放射光反射ミラーがある場合は、これを回
動せしめることで）、その軸合せを行なうことになる
（放射光反射ミラーの場合には、該軸合せで決まった位
置を露光時における回動中心として、該ミラーを振動的
に回動せしめることになる）。又、２つの可視光透過部
からの放射光の検出に可視光強度センサ（図示なし）を
夫々用いれば、両方の放射光の強度比較から両者間の水
平方向のずれを知ることができ、垂直方向の軸合せを行
なった後に水平方向の軸合せを行なうことが可能にな
る。その結果、２つの可視光透過部の真中にある放射光
透過薄膜（４）には自動的に放射光の強度の一番強いと
ころが照射されることになる。
透過薄膜（４）との間に垂直方向のずれがない場合に
は、前述の光学部品（1a）（1b）からなる可視光透過部
から該放射光の可視光成分が取出されることになるが、
それより少しでも垂直方向にずれがあると、放射光はそ
こを透過することができなくなるので、該可視光透過部
から放射光が肉眼で検出できる状態になるまでこの放射
光透過窓構成全体を垂直方向に動かし（もしビームライ
ン（３）中に放射光反射ミラーがある場合は、これを回
動せしめることで）、その軸合せを行なうことになる
（放射光反射ミラーの場合には、該軸合せで決まった位
置を露光時における回動中心として、該ミラーを振動的
に回動せしめることになる）。又、２つの可視光透過部
からの放射光の検出に可視光強度センサ（図示なし）を
夫々用いれば、両方の放射光の強度比較から両者間の水
平方向のずれを知ることができ、垂直方向の軸合せを行
なった後に水平方向の軸合せを行なうことが可能にな
る。その結果、２つの可視光透過部の真中にある放射光
透過薄膜（４）には自動的に放射光の強度の一番強いと
ころが照射されることになる。
このような軸合せ作業の後、シャッタ（2a）を閉じ、且
つシャッタ（2b）を開放せしめれば、Ｘ線露光作業に取
りかかれることになる。
つシャッタ（2b）を開放せしめれば、Ｘ線露光作業に取
りかかれることになる。
この他、第２図は本発明の他の実施例を夫々示す水平断
面図である。
面図である。
同図は第１実施例と同じ位置に（即ち水平方向に）光学
部品（12a）（12b）が設けられて可視光透過部が形成さ
れているが、そのうち一方の部品（12a）にはレンズ
が、又もう一方の部品（12b）にはピンホール板や十字
合せ線等の標識入り石英ガラス板が用いられて構成され
るものが夫々示されている。
部品（12a）（12b）が設けられて可視光透過部が形成さ
れているが、そのうち一方の部品（12a）にはレンズ
が、又もう一方の部品（12b）にはピンホール板や十字
合せ線等の標識入り石英ガラス板が用いられて構成され
るものが夫々示されている。
以上詳述した本発明の放射光透過窓の構成によれば、放
射光光路と放射光透過薄膜との軸合せを行なう場合やア
ライナの姿勢制御を行なう場合、或いは可視光をアライ
メント等の照明に利用する場合等に、放射光透過薄膜を
真ん中にしてその周囲の水平方向２箇所以上に設けられ
た可視光透過部で透過されてくる放射光の可視光成分を
肉眼或いはテレビモニタ等で観察しながら上記軸合せや
姿勢制御を行なうため、その際に、放射光光路の垂直方
向のずれが検出できるようになると共に、放射光透過薄
膜を挟んだ両側の放射光強度比較から、転写装置側に対
する放射光光軸の水平方向の相対的なずれを知ることが
可能となる。
射光光路と放射光透過薄膜との軸合せを行なう場合やア
ライナの姿勢制御を行なう場合、或いは可視光をアライ
メント等の照明に利用する場合等に、放射光透過薄膜を
真ん中にしてその周囲の水平方向２箇所以上に設けられ
た可視光透過部で透過されてくる放射光の可視光成分を
肉眼或いはテレビモニタ等で観察しながら上記軸合せや
姿勢制御を行なうため、その際に、放射光光路の垂直方
向のずれが検出できるようになると共に、放射光透過薄
膜を挟んだ両側の放射光強度比較から、転写装置側に対
する放射光光軸の水平方向の相対的なずれを知ることが
可能となる。
第１図は本願第２発明の一実施例を示す構成説明図、第
２図は他の実施例を示す水平断面図、第３図はシンクロ
トロン放射光を利用したＸ線露光装置の構成の概略図、
第４図は放射光透過窓の従来構成を示す断面図である。 図中、（1a）（1b）は光学部品、（10）は取付枠、（1
1）は内側板、（12a）はレンズ、（12b）は石英ガラス
板、（2a）（2b）はシャッタ、（３）はビームライン、
（４）は放射光透過薄膜を各示す。
２図は他の実施例を示す水平断面図、第３図はシンクロ
トロン放射光を利用したＸ線露光装置の構成の概略図、
第４図は放射光透過窓の従来構成を示す断面図である。 図中、（1a）（1b）は光学部品、（10）は取付枠、（1
1）は内側板、（12a）はレンズ、（12b）は石英ガラス
板、（2a）（2b）はシャッタ、（３）はビームライン、
（４）は放射光透過薄膜を各示す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｇ 1/00 2/00 Ｈ０５Ｈ 13/04 Ｕ 9014−2Ｇ Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】ビームライン取出し端部壁面に設けられた
放射光透過薄膜を真ん中にしてその周囲の水平方向２箇
所以上を可視光透過部にしたことを特徴とする放射光透
過窓。 - 【請求項２】ビームライン取出し端部壁面に設けられた
放射光透過薄膜を真ん中にしてその周囲の水平方向２箇
所以上を可視光透過部にすると共に、この放射光透過薄
膜及び可視光透過部に同時に或いは各別にこれらの開閉
を行えるシャッタを夫々設けたことを特徴とする放射光
透過窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149989A JPH0748080B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 放射光透過窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149989A JPH0748080B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 放射光透過窓 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444000A JPH0444000A (ja) | 1992-02-13 |
| JPH0748080B2 true JPH0748080B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=15487034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149989A Expired - Lifetime JPH0748080B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 放射光透過窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748080B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191533U (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | 日本真空技術株式会社 | 光路を含む真空通路を遮断するためのゲ−ト弁 |
| JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
| JP2603225B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1997-04-23 | キヤノン株式会社 | Ｘ線投影露光装置及び半導体製造方法 |
| JP2805239B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ―ｘ線露光装置 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2149989A patent/JPH0748080B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444000A (ja) | 1992-02-13 |
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