JPH0748369B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0748369B2 JPH0748369B2 JP63089912A JP8991288A JPH0748369B2 JP H0748369 B2 JPH0748369 B2 JP H0748369B2 JP 63089912 A JP63089912 A JP 63089912A JP 8991288 A JP8991288 A JP 8991288A JP H0748369 B2 JPH0748369 B2 JP H0748369B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- electron gun
- target
- secondary electrons
- electrons
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路の製造工程で用いられるイオン
注入装置に関し、特に２次電子を放出させてウェハーの
チャージアップを抑制する機構を有するイオン注入装置
に関する。
注入装置に関し、特に２次電子を放出させてウェハーの
チャージアップを抑制する機構を有するイオン注入装置
に関する。
従来、この種のイオン注入装置は、１次電子を放出する
電子銃と、電子銃からの１次電子との衝突により２次電
子を放出するターゲットの双方を、ウェハー保持位置よ
りイオンビームライン側に具備するのが一般的であっ
た。
電子銃と、電子銃からの１次電子との衝突により２次電
子を放出するターゲットの双方を、ウェハー保持位置よ
りイオンビームライン側に具備するのが一般的であっ
た。
上述した従来のイオン注入装置は、１次電子を放出する
電子銃と、電子銃からの１次電子との衝突により２次電
子を放出するターゲットの双方を、ウェハー保持位置よ
りイオンビームライン側に具備していたので、ウェハー
とターゲット間の距離が大きくなり、ターゲットから放
出された２次電子が、ウェハー表面上に到達する確率が
低く、２次電子を有効に活用出来ないという欠点があ
る。また電子銃からの１次電子がウェハー中に注入さ
れ、導電型を変化させる等半導体素子に悪影響を及ぼす
欠点もある。
電子銃と、電子銃からの１次電子との衝突により２次電
子を放出するターゲットの双方を、ウェハー保持位置よ
りイオンビームライン側に具備していたので、ウェハー
とターゲット間の距離が大きくなり、ターゲットから放
出された２次電子が、ウェハー表面上に到達する確率が
低く、２次電子を有効に活用出来ないという欠点があ
る。また電子銃からの１次電子がウェハー中に注入さ
れ、導電型を変化させる等半導体素子に悪影響を及ぼす
欠点もある。
本発明のイオン注入装置は、電子銃と該電子銃からの１
次電子の照射により２次電子をウェハー表面に放出する
ターゲットを有するイオン注入装置であって、前記ター
ゲットをウェハー表面の外周部直上に設置すると共に、
前記電子銃をウェハーの裏面側に設置したものである。
次電子の照射により２次電子をウェハー表面に放出する
ターゲットを有するイオン注入装置であって、前記ター
ゲットをウェハー表面の外周部直上に設置すると共に、
前記電子銃をウェハーの裏面側に設置したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、１は電子銃３で放出した１次電子が通
過するように通過孔を設けたAl板等からなるウェハー保
持部、２は電子銃３で放出した１次電子５が衝突した際
に２次電子６を放出するターゲット、４はウェハー、７
は正のイオンビームである。
過するように通過孔を設けたAl板等からなるウェハー保
持部、２は電子銃３で放出した１次電子５が衝突した際
に２次電子６を放出するターゲット、４はウェハー、７
は正のイオンビームである。
ウェハー４の裏面側に設置された電子銃３で１次電子５
を放出して、ターゲット２方向に照射することにより、
１次電子５はウェハー保持部１の通過孔を通り、ウェハ
ー表面の外周部直上に設置されたターゲット２に衝突す
る。衝突した１次電子５は、運動方向を変えると同時に
２次電子６を放出させる。そして、イオンビーム７がウ
ェハー４に入射してウェハー４の表面が正に帯電した際
に、ターゲット２から放出された２次電子６はウェハー
４に吸着され、ウェハー４のチャージアップを抑制す
る。
を放出して、ターゲット２方向に照射することにより、
１次電子５はウェハー保持部１の通過孔を通り、ウェハ
ー表面の外周部直上に設置されたターゲット２に衝突す
る。衝突した１次電子５は、運動方向を変えると同時に
２次電子６を放出させる。そして、イオンビーム７がウ
ェハー４に入射してウェハー４の表面が正に帯電した際
に、ターゲット２から放出された２次電子６はウェハー
４に吸着され、ウェハー４のチャージアップを抑制す
る。
このように構成された第１の実施例においては、ターゲ
ット２をウェハー４に近付けることができるため、２次
電子を有効に活用できる。更に電子銃３がウェハー４の
裏面に設けられているため、１次電子５が直接ウェハー
４に注入されることはなくなる。
ット２をウェハー４に近付けることができるため、２次
電子を有効に活用できる。更に電子銃３がウェハー４の
裏面に設けられているため、１次電子５が直接ウェハー
４に注入されることはなくなる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図であり、本発明
をウェハー保持部１が回転等の運動をするイオン注入装
置に適用した場合を示している。
をウェハー保持部１が回転等の運動をするイオン注入装
置に適用した場合を示している。
第２図において、Al板等からなるウェハー保持部１によ
り保持されたウェハー４の表面外周部直上には、ターゲ
ット２が設けられている。そしてウェハー４の裏面側に
は電子銃３が設けられている。
り保持されたウェハー４の表面外周部直上には、ターゲ
ット２が設けられている。そしてウェハー４の裏面側に
は電子銃３が設けられている。
このように構成された本第２の実施例においても、第１
の実施例の場合と同様に、２次電子を放出するターゲッ
ト２をウェハー４に近接させることができるため、２次
電子を有効に活用できる。更に電子銃３からの１次電子
５は、ウェハー保持部１の外周部を通るため、ウェハー
４を回転できるという利点がある。
の実施例の場合と同様に、２次電子を放出するターゲッ
ト２をウェハー４に近接させることができるため、２次
電子を有効に活用できる。更に電子銃３からの１次電子
５は、ウェハー保持部１の外周部を通るため、ウェハー
４を回転できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、ターゲットをウェハー表
面の外周部直上に設置し、電子銃をウェハーの裏面方向
に設置することにより、ウェハー表面に近い距離から２
次電子を供給してウェハー表面近傍における２次電子の
存在確率を高められるので、２次電子を効率的に用いな
がらウェハーのチャージアップを抑制出来る効果があ
る。
面の外周部直上に設置し、電子銃をウェハーの裏面方向
に設置することにより、ウェハー表面に近い距離から２
次電子を供給してウェハー表面近傍における２次電子の
存在確率を高められるので、２次電子を効率的に用いな
がらウェハーのチャージアップを抑制出来る効果があ
る。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図である。 １……ウェハー保持部、２……ターゲット、３……電子
銃、４……ウェハー、５……１次電子、６……２次電
子、７……イオンビーム。
明の第２の実施例の断面図である。 １……ウェハー保持部、２……ターゲット、３……電子
銃、４……ウェハー、５……１次電子、６……２次電
子、７……イオンビーム。
Claims (1)
- 【請求項１】電子銃と該電子銃からの１次電子の照射に
より２次電子をウェハー表面に放出するターゲットを有
するイオン注入装置において、前記ターゲットをウェハ
ー表面の外周部直上に設置すると共に、前記電子銃をウ
ェハーの裏面側に設置したことを特徴とするイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089912A JPH0748369B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089912A JPH0748369B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01260752A JPH01260752A (ja) | 1989-10-18 |
| JPH0748369B2 true JPH0748369B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=13983925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089912A Expired - Lifetime JPH0748369B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748369B2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63089912A patent/JPH0748369B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01260752A (ja) | 1989-10-18 |
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